JP2008170941A - 基板検査装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】各パネルの輝度を測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償がすべて行われ、有機電界発光表示パネルを検査する基板検査装備を用いることなく、基板に集積された感知補償部を通じて、独立した装備がなくても基板検査が可能な基板検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】このために本発明は、電源電圧線を通じて供給される電源電圧と電源電圧感知線を通じて感知される降下電源電圧とを比べて、その差分値を出力する比較器、及びデータ電圧を比較器から出力される差分値だけ補償して有機電界発光表示パネルに供給するレベルシフター回路を含む基板検査装置及び方法を開示する。
【選択図】図６

Description

本発明は、基板検査装置及び方法に関し、より詳しくは、各パネルの輝度を測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償がすべて行われる基板検査装置及び方法に関する。本願は、韓国で２００７年１月１５日に出願された韓国特許出願Ｎｏ．１０−２００７−０００４４３２号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。

一般に、多数の有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）のパネルは、１つの基板上に形成された後、スクライビング（Ｓｃｒｉｂｉｎｇ）されて個々の有機電界発光表示装置に分離される。この場合、検査時間を短縮するため、基板に形成された有機電界発光表示装置の異常可否を検査し、検査が終わってから基板をスクライビングする。

図１は、従来の有機電界発光表示装置の基板を示す図である。

図１を参照すれば、従来の基板１００は多数の有機電界発光表示パネル１１０（以下、パネル）を備える。基板に第１電源電圧ＥＬＶＤＤ、第２電源電圧ＥＬＶＳＳ、発光制御信号Ｅｍ及びデータ信号ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂが供給される。データ信号ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ及び発光制御信号Ｅｍは、パネル１１０のそれぞれに形成された駆動部に供給される。データ信号ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂを供給されたデータ駆動部は、パネル１１０にデータ信号ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂを順次供給する。発光制御信号Ｅｍを供給された発光制御駆動部は、パネル１１０に発光制御信号Ｅｍを順次供給する。すると、パネル１１０のそれぞれに形成された有機電界発光素子は、データ信号ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂに対応して所定の画像を表示する。このとき、それぞれのパネル１１０の輝度、色座標及び色温度の異常可否を検査する。このような有機電界発光表示パネル１１０に対する検査は、基板上のそれぞれのパネル１１０に同じデータ信号Ｄａｔａ＿Ｒ，Ｇ，Ｂを印加した後、それぞれのパネル１１０の輝度、色座標及び色温度を測定して同じであるか否かを検査するものである。ここで、パネル１１０の輝度、色座標及び色温度は、検査装備を用いてそれぞれのパネル１１０別に測定する。このようなそれぞれのパネル１１０の輝度、色座標及び色温度を測定して、それぞれのパネル１１０を同じ輝度、色座標及び色温度に補償するには、かなりの時間が必要となるという問題点が発生する。そして、もし有機電界発光表示パネル１１０を構成する回路配線が変更されたり、有機電界発光表示パネル１１０の大きさが変更される場合、検査装備を変更したり、検査を新たに行ったりしなければならないという問題点が発生する。また、それぞれの有機電界発光表示パネル１１０を別々に検査しなければならないため、検査時間が長くなって費用が上昇するなどの検査の効率性も低下する。

本発明は、上述した従来の問題点を克服するためのものであって、本発明の目的は、各パネル輝度、色座標及び色温度を測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償がすべて行われる基板検査装置及び方法を提供するところにある。

また、本発明の他の目的は、有機電界発光表示パネルを構成する回路配線が変更されたり、有機電界発光表示パネルの大きさが変更された場合にも、輝度を再び測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償がすべて行われる基板検査装置及び方法を提供するところにある。

また、本発明のさらに他の目的は、有機電界発光表示パネルを検査する基板検査装備を用いることなく、基板に集積された感知補償部を通じて、独立した装備がなくても基板検査が可能な基板検査装置及び方法を提供するところにある。

有機電界発光素子は、図２に示されたように、アノード（Ａｎｏｄｅ）、有機層、及びカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）からなっている。前記有機層は、電子と正孔が結合して励起子（Ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光する発光層（ＥＭｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子を輸送する電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、正孔を輸送する正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）からなり得る。また、前記電子輸送層の一方の側面には電子を注入する電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、前記正孔輸送層の一方の側面には正孔を注入する正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成されることができる。さらに、燐光型有機電界発光素子の場合には、正孔抑制層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＢＬ）が発光層ＥＭＬと電子輸送層ＥＴＬとの間に選択的に形成されることができ、電子抑制層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＢＬ）が発光層ＥＭＬと正孔輸送層ＨＴＬとの間に選択的に形成されることができる。

また、前記有機層は、２種の層を混合してその厚さを減少させるスリム型有機電界発光素子（Ｓｌｉｍ ＯＬＥＤ）構造で形成することもできる。例えば、正孔注入層と正孔輸送層を同時に形成する正孔注入輸送層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＨＩＴＬ）構造及び電子注入層と電子輸送層を同時に形成する電子注入輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＥＩＴＬ）構造を選択的に形成することができる。前記のようなスリム型有機電界発光素子は、発光効率を増加させるのにその使用の目的がある。

また、アノードと発光層との間には、選択層としてバッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ）を形成することができる。前記バッファ層は、電子をバッファリングする電子バッファ層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ、ＥＢＬ）と正孔をバッファリングする正孔バッファ層（Ｈｏｌｅ Ｂｕｆｆｅｒ Ｌｅｙｅｒ、ＨＢＬ）とに区分することができる。前記電子バッファ層はカソードと電子注入層ＥＩＬとの間に選択的に形成することができ、前記電子注入層ＥＩＬの機能に代わって形成することができる。このとき、前記有機層の積層構造は、発光層ＥＭＬ／電子輸送層ＥＴＬ／電子バッファ層ＥＢＬ／カソードとなり得る。また、前記正孔バッファ層は、アノードと正孔注入層ＨＩＬとの間に選択的に形成することができ、正孔注入層ＨＩＬの機能に代わって形成することができる。このとき、前記有機層の積層構造は、アノード／正孔バッファ層ＨＢＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／発光層ＥＭＬとなり得る。

前記構造に対して可能な積層構造を記載すると、次のようになる。

ａ）正常積層構造（Ｎｏｒｍａｌ Ｓｔａｃｋ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子バッファ層／電子注入層／カソード

ｂ）正常スリム構造（Ｎｏｒｍａｌ Ｓｌｉｍ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）アノード／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子バッファ層／電子注入輸送層／カソード

ｃ）逆相積層構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｓｔａｃｋ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／正孔注入層／アノード
６）カソード／電子注入層／電子バッファ層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード

ｄ）逆相スリム構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｓｉｌｍ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／アノード
６）カソード／電子注入輸送層／電子バッファ層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード

このような有機電界発光素子を駆動する方式としては、受動マトリクス（Ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式と能動マトリクス（Ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式が知られている。前記受動マトリクス方式は、アノードとカソードとを直交するように形成してラインを選択して駆動することで、製作工程が簡単であって投資費が少ないが、大画面具現の際に電流消耗量が多いという短所がある。前記能動マトリクス方式は、薄膜トランジスタのような能動素子及び容量性素子を各画素に形成することで、電流消耗量が少なく、画質及び寿命に優れ、かつ、中大型まで拡大可能であるという長所がある。

上述したように、能動マトリクス方式においては有機電界発光素子と薄膜トランジスタを基盤とした画素回路構成が必須であるが、このとき、薄膜トランジスタの結晶化方法としては、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化するエキシマレーザー（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ）を用いたレーザー結晶化方法（ＥＬＡ）と、金属触媒（Ｐｒｏｍｏｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いた金属触媒結晶化方法（ＭＩＣ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）と固相結晶化（ＳＰＣ：Ｓｏｌｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法などがある。その他にも、従来のレーザー結晶化方法にマスクをさらに用いる方法（ＳＬＳ：Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｆｉｃａｔｉｏｎ）がある。また、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）と多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）との間の結晶粒の大きさを有するマイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する結晶粒方法には、大きく分けて熱結晶化方法（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）とレーザー結晶化方法（Ｌａｓｅｒ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）とがある。

前記マイクロシリコンは、通常、結晶粒の大きさが１ｎｍから１００ｎｍまでのものを言う。前記マイクロシリコンの電子移動度は、１から５０以下であり、正孔移動度は０.０１から０.２以下であることを特徴とする。前記マイクロシリコンは、前記多結晶シリコンに比べて結晶粒が小さいことが特徴であり、ポリシリコンに比べて結晶粒間の突出部の領域が小さく形成され、結晶粒間で電子が移動する場合に差し支えのないようになっており、均一な特性を示すことができる。

前記マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する前記熱結晶化方法は、非晶質シリコンを蒸着すると同時に結晶化構造を得る方法と再加熱（Ｒｅｈｅａｔｉｎｇ）方法とがある。

前記マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する前記レーザー結晶化方法は非晶質シリコンを化学真空蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法で蒸着した後、レーザーを用いて結晶化する方法であるが、このとき使われるレーザーの種類は主にダイオードレーザー（Ｄｉｏｄｅ Ｌａｓｅｒ）がある。前記ダイオードレーザーは、主に８００ｎｍ帯の赤色波長を用いるが、前記赤色波長はマイクロシリコン結晶質の均一な結晶化に寄与する役割をする。

前記多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する前記レーザー結晶化方法は、薄膜トランジスタを多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する方法のうちで最も多く利用されている。従来の多結晶液晶表示装置の結晶化方法をそのまま利用できるだけでなく、工程方法が簡単であり工程方法に関する技術開発が完了した状態である。

前記多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する前記金属触媒結晶化方法は、前記レーザー結晶化方法を使わず低温で結晶化できる方法のうちの１つである。最初に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の表面に金属触媒金属であるＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｔｉなどを蒸着あるいはスピンコートし、前記金属触媒金属が前記非晶質シリコンの表面に直接侵透して前記非晶質シリコンの相を変化させながら結晶化する方法であり、低温で結晶化できるという長所がある。

前記金属触媒結晶化方法の他の１つは、前記非晶質シリコンの表面に金属層を介在させる際に、マスクを用いて前記薄膜トランジスタの特定領域にニッケルシリサイドのような汚染物が介在されることを最大限抑制することができるという長所がある。前記結晶化方法を金属触媒誘導側面結晶化方法（ＭＩＬＣ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）と言う。前記金属触媒誘導側面結晶化方法に使われるマスクとしては、シャドーマスク（Ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）があるが、前記シャドーマスクは線形マスクあるいは点型マスクであり得る。

前記金属触媒結晶化方法のさらに他の１つは、前記非晶質シリコン表面に金属触媒層を蒸着あるいはスピンコートするとき、キャッピング層（Ｃａｐｐｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）をまず介在させて前記非晶質シリコンに流入される金属触媒量をコントロールする金属触媒誘導キャッピング層結晶化方法（ＭＩＣＣ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｃａｐｐｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）がある。前記キャッピング層としては、シリコン窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）を使うことができる。前記シリコン窒化膜の厚さに応じて前記金属触媒層から前記非晶質シリコンに流入される金属触媒量が変わる。このとき、前記シリコン窒化膜に流入される金属触媒は、前記シリコン窒化膜の全体に形成されることもでき、シャドーマスクなどを用いて選択的に形成されることもできる。前記金属触媒層が前記非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化させた後、選択的に前記キャッピング層を除去することができる。前記キャッピング層の除去方法には、ウェットエッチング（Ｗｅｔ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法あるいはドライエッチング（Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法を使うことができる。さらに、前記多結晶シリコンが形成された後、ゲート絶縁膜を形成して前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。前記ゲート電極上に層間絶縁膜（Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）を形成することができる。前記層間絶縁膜上にビアホール（Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）を形成した後、不純物を前記ビアホールを通して結晶化された多結晶シリコン上に投入し、内部に形成された金属触媒不純物を追加的に除去することができる。前記金属触媒不純物を追加的に除去する方法をゲッタリング工程（Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）と言う。前記ゲッタリング工程には、前記不純物を注入する工程の他、低温で薄膜トランジスタを加熱する加熱工程（Ｈｅａｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）がある。前記ゲッタリング工程を通じて良質の薄膜トランジスタを具現することができる。

図３は、有機電界発光素子を駆動するための画素回路であって、Ｎ×Ｍ個の画素回路のうちの１つを代表的に示したものである。図３を参照すれば、第２スイッチング素子Ｓ２に駆動トランジスタＭ１が繋がれ、発光のための駆動電流を有機電界発光素子ＯＬＥＤに供給する。駆動トランジスタＭ１の電流量は、第１スイッチング素子Ｓ１を通じて印加されるデータ電圧によって制御されるようになっている。このとき、印加されたデータ電圧を一定期間維持するための容量性素子Ｃ１が駆動トランジスタＭ１のゲートとソースとの間に繋がれている。第１スイッチング素子Ｓ１の第１電極はデータ線Ｄａｔａ［ｍ］に繋がれ、制御電極は走査線Ｓａｃｎ［ｎ］に繋がれている。第２スイッチング素子Ｓ２は、駆動トランジスタＭ１から供給される電流を発光制御信号によって有機電界発光素子ＯＬＥＤに伝達する。第３スイッチング素子Ｓ３は、直前の走査線に繋がれて容量性素子Ｃ１の保存電圧を初期化電圧Ｖｉｎｉｔに初期化させる。

このような構造の画素回路の動作を見れば、第１スイッチング素子Ｓ１の制御電極に印加される走査信号によって第１スイッチング素子Ｓ１がターンオンされると、データ線Ｄａｔａ［ｍ］からデータ電圧が駆動トランジスタＭ１の制御電極に印加される。すると、容量性素子Ｃ１によってゲートとソースとの間に充電された電圧Ｖ_ＧＳに対応して、駆動トランジスタＭ１のドレーンに駆動電流ＩＯＬＥＤが流れる。そして、この電流は発光制御信号によって第２スイッチング素子Ｓ２がターンオンされると、駆動電流ＩＯＬＥＤが有機電界発光素子ＯＬＥＤに伝達されて発光する。このような画素回路の薄膜トランジスタの結晶化方法としては、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化するエキシマレーザー（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ）を用いたレーザー結晶化方法（ＥＬＡ）と、金属触媒（Ｐｒｏｍｏｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を用いた金属触媒結晶化方法（ＭＩＣ）と固相結晶化（ＳＰＣ）方法などがある。その他にも、高温高湿した雰囲気で結晶化を行う高圧結晶化方法（ＨＰＡ）方法、従来のレーザー結晶化方法にマスクをさらに用いる方法（ＳＬＳ）がある。また、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）と多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）との間の結晶粒の大きさを有するマイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する結晶粒方法には、大きく熱結晶化方法（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）とレーザー結晶化方法（Ｌａｓｅｒ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）とがある。

前記マイクロシリコンは、通常、結晶粒の大きさが１ｎｍから１００ｎｍまでのものを言う。前記マイクロシリコンの電子移動度は、１から５０以下であり、正孔移動度は０.０１から０.２以下であることを特徴とする。前記マイクロシリコンは、前記多結晶シリコンに比べて結晶粒が小さいことが特徴であり、ポリシリコンに比べて結晶粒間の突出部の領域が小さく形成され、結晶粒間に電子が移動する場合に差し支えのないようになって均一な特性を示すことができる。

前記マイクロシリコンに結晶化する前記熱結晶化方法は、非晶質シリコンを蒸着すると同時に結晶化構造を得る方法と再加熱（Ｒｅｈｅａｔｉｎｇ）方法とがある。

前記マイクロシリコンに結晶化する前記レーザー結晶化方法は非晶質シリコンを化学真空蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法で蒸着した後、レーザーを用いて結晶化する方法であるが、このとき使われるレーザーの種類は主にダイオードレーザー（Ｄｉｏｄｅ Ｌａｓｅｒ）がある。前記ダイオードレーザーは、主に８００ｎｍ帯の赤色波長を用いるが、前記赤色波長はマイクロシリコン結晶質の均一な結晶化に寄与する役割をする。

前記多結晶シリコンに結晶化する前記レーザー結晶化方法は、薄膜トランジスタを多結晶シリコンに結晶化する方法のうちで最も多く利用されている。従来の多結晶液晶表示装置の結晶化方法をそのまま利用できるだけでなく、工程方法が簡単であり工程方法に関する技術開発が完了した状態である。

前記多結晶シリコンに結晶化する前記金属触媒結晶化方法は、前記レーザー結晶化方法を使わず低温で結晶化できる方法のうちの１つである。最初に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の表面に金属触媒金属であるＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｔｉなどを蒸着あるいはスピンコートし、前記金属触媒金属が前記非晶質シリコンの表面に直接侵透して前記非晶質シリコンの相を変化させながら結晶化する方法であり、低温で結晶化できるという長所がある。

前記金属触媒結晶化方法の他の１つは、前記非晶質シリコンの表面に金属層を介在させる際に、マスクを用いて前記薄膜トランジスタの特定領域にニッケルシリサイドのような汚染物が介在されることを最大限抑制することができるという長所がある。前記結晶化方法を金属触媒誘導側面結晶化方法（ＭＩＬＣ）と言う。前記金属触媒誘導側面結晶化方法に使われるマスクとしては、シャドーマスク（Ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）があるが、前記シャドーマスクは線形マスクあるいは点型マスクであり得る。

前記金属触媒結晶化方法のさらに他の１つは、前記非晶質シリコン表面に金属触媒層を蒸着あるいはスピンコートするとき、キャッピング層（Ｃａｐｐｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）をまず介在させて前記非晶質シリコンに流入される金属触媒量をコントロールする金属触媒誘導キャッピング層結晶化方法（ＭＩＣＣ）がある。前記キャッピング層としては、シリコン窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）を使うことができる。前記シリコン窒化膜の厚さに応じて前記金属触媒層から前記非晶質シリコンに流入される金属触媒量が変わる。このとき、前記シリコン窒化膜に流入される金属触媒は、前記シリコン窒化膜の全体に形成されることもでき、シャドーマスクなどを用いて選択的に形成されることもできる。前記金属触媒層が前記非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化させた後、選択的に前記キャッピング層を除去することができる。前記キャッピング層の除去方法には、ウェットエッチング（Ｗｅｔ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法あるいはドライエッチング（Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法を使うことができる。さらに、前記多結晶シリコンが形成された後、ゲート絶縁膜を形成して前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。前記ゲート電極上に層間絶縁膜（Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）を形成することができる。前記層間絶縁膜上にビアホール（Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）を形成した後、不純物を前記ビアホールを通して結晶化された多結晶シリコン上に投入し、内部に形成された金属触媒不純物を追加的に除去することができる。前記金属触媒不純物を追加的に除去する方法をゲッタリング工程（Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）と言う。前記ゲッタリング工程には、前記不純物を注入する工程の他、低温で薄膜トランジスタを加熱する加熱工程（Ｈｅａｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）がある。前記ゲッタリング工程を通じて良質の薄膜トランジスタを具現することができる。

図４は、本発明による有機電界発光表示装置の構成を示したブロック図である。

図４に示されたように、有機電界発光表示装置４００は、走査駆動部４１０、データ駆動部４２０、発光制御駆動部４３０、有機電界発光表示パネル（以下、パネル４４０）を含むことができる。

前記走査駆動部４１０は、多数の走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、・・・、Ｓｃａｎ［ｎ］を通じて、前記パネル４４０に走査信号を順次供給することができる。

前記データ駆動部４２０は、多数のデータ線ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［１］、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［２］、・・・、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｍ］を通じて、前記パネル４４０にデータ信号を供給することができる。

前記発光制御駆動部４３０は、多数の発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、・・・、Ｅｍ［ｎ］を通じて、前記パネル４４０に発光制御信号を順次供給することができる。また、発光制御駆動部４３０は発光制御信号のパルス幅を調節でき、一区間で発生する発光制御信号のパルス数を調節することができる。発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、・・・、Ｅｍ［ｎ］と繋がれている画素回路４４１は、発光制御信号を伝達されて画素回路４４１で生成された電流を発光素子に流す時点を決めることができる。

また、前記パネル４４０は、列方向に配列されている走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、・・・、Ｓｃａｎ［ｎ］及び発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、・・・、Ｅｍ［ｎ］と、行方向に配列されるデータ線ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［１］、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［２］、・・・、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｍ］と、前記走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、・・・、Ｓｃａｎ［ｎ］及びデータ線ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［１］、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［２］、・・・、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｍ］と、発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、・・・、Ｅｍ［ｎ］によって定義される画素回路４４１（Ｐｉｘｅｌ）とを含むことができる。

ここで前記画素回路Ｐｉｘｅｌは、隣接する２つの走査線（または発光制御線）と隣接する２つのデータ線とによって定義される画素領域に形成されることができる。勿論、上述したように前記走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、・・・、Ｓｃａｎ［ｎ］には、前記走査駆動部４１０から走査信号が供給されることができ、前記データ線ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［１］、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［２］、・・・、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｍ］には、前記データ駆動部４２０からデータ信号が供給されることができ、前記発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、・・・、Ｅｍ［ｎ］には、前記発光制御駆動部４３０から発光制御信号が供給されることができる。

このような有機電界発光表示装置４００は、製品化以前にエイジング（Ａｇｉｎｇ）と画質評価が行われる。一般に、エイジングは半導体製品の製造直後に製品の信頼性をテストするため、予めある程度老化状態にして、初期の不良発生の負担をユーザ側に与えないためのものである。このようなエイジングは、トランジスタをエイジングするトランジスタエイジング（ＴＲ ａｇｉｎｇ）、及び有機発光素子ＯＬＥＤをエイジングする正方向エイジング（Ｆｏｒｗｏｒｄ Ａｇｉｎｇ）と逆方向エイジング（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ａｇｉｎｇ）がある。前記正方向エイジングは、有機電界発光素子ＯＬＥＤに正方向の電流を印加して老化させるものであって、逆方向エイジングは有機電界発光素子ＯＬＥＤに逆方向の電流を印加して寿命と効率を伸ばすものである。

そして、画質評価は、基板に同じデータ電圧を印加して有機電界発光表示パネルの異常可否を検査するものである。このような画質評価は、輝度、色座標及び色温度の異常可否を検査する方法がある。まず、基板の各パネルに同じデータ電圧を印加して、輝度を測定装備を通じて測定した後、各パネルに印加するデータ電圧値を調節してそれぞれ異なる電圧値にすることにより、各パネルを同じ輝度に合わせる方法がある。また、基板各パネルの同じデータ電圧を印加して、色座標及び色温度をカメラ装備を通じて測定した後、補償装備を通じて色座標及び色温度を同じ色座標及び色温度に合わせる方法がある。このような画質評価は、エイジングが終わった後に行うが、長期間にわたって有機電界発光素子ＯＬＥＤに正方向の電流を印加する正方向エイジングを行うようになれば、各パネルの電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）の発生量が大きくなる。

前記問題を解決するために、本発明による基板検査装置及び方法は、電源電圧線を通じて供給される電源電圧と電源電圧感知線を通じて感知される降下電源電圧とを比べて、その差分値を出力する比較器、及びデータ電圧を前記比較器から出力される差分値だけ補償して有機電界発光表示パネルに供給するレベルシフター回路を含むことができる。

初期化電圧を前記比較器から出力される差分値だけ補償して有機電界発光表示パネルに供給する初期化レベルシフター回路を含むことができる。

前記初期化電圧は、有機電界発光表示パネルの画素回路に伝達される初期化電圧であり、前記データ電圧は、有機電界発光表示パネルの画素回路に伝達されるデータ電圧であり得る。

前記有機電界発光表示パネルは、電源電圧、初期化電圧及びデータ電圧に電気的に繋がれることができる。

前記有機電界発光表示パネルの電源電圧線に、電源電圧感知線が電気的に繋がれることができる。

前記有機電界発光表示パネルは、基板にマトリクス状に形成されることができる。

前記比較器、レベルシフター、及び初期化レベルシフター回路は、前記基板に集積されて形成されることができる。

前記データ電圧は、赤色データ電圧、緑色データ電圧及び青色データ電圧であり得る。

前記比較器をスイッチングする比較器スイッチを含むことができる。

前記レベルシフター回路をスイッチングする電圧スイッチを含むことができ、前記初期化レベルシフター回路をスイッチングする初期化スイッチを含むことができ、また、前記比較器から出力される電圧値を固定する電圧差固定器を含むことができる。

電源電圧線を通じて供給される基板の電源電圧を感知する段階と、前記電源電圧感知線を通じて感知される基板の降下電源電圧を感知する段階と、前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べて出力する段階と、前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階と、を含むことができる。

前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べて出力する段階は、前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べてその電圧差を出力する段階であり得る。

前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べて出力する段階以後に、前記出力された電圧だけ初期化電圧を補償する段階を含むことができる。

前記データ電圧を補償する段階は、赤色データ電圧、緑色データ電圧及び青色データ電圧をすべて補償する段階であり得る。

前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階は、レベルシフターで前記電源電圧と前記降下電源電圧との差分値をダウンシフトさせた補償データ電圧を出力する段階であり得る。

前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記比較器をスイッチングする段階を含むことができる。

前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記レベルシフター回路をスイッチングする段階を含むことができる。

前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記初期化レベルシフターをスイッチングする段階を含むことができる。

前記出力された電圧だけ初期化電圧を補償する段階は、初期化レベルシフターで前記電源電圧と前記降下電源電圧との差分値をダウンシフトさせた補償初期化電圧を出力する段階であり得る。

前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べてその差分値を固定し、一定電圧を出力する段階を含むことができる。

出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記補償データ電圧をパネルに供給する段階を含むことができる。

前記のようにして本発明による基板検査装置及び方法は、各パネルの輝度を測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償をすべて行うことができる。

また、前記のようにして本発明による基板検査装置及び方法は、有機電界発光表示パネルを構成する回路配線が変更されたり、有機電界発光表示パネルの大きさが変更された場合にも、輝度を再び測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償をすべて行うことができる。

さらに、前記のようにして、本発明による基板検査装置及び方法は、有機電界発光表示パネルを検査する基板検査装備を用いることなく、基板に集積された感知補償部を通じて、独立した装備がなくても基板検査が可能になる。

本発明による基板検査装置及び方法は、各パネルの輝度を測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償がすべて行われるという効果がある。

また、本発明による基板検査装置及び方法は、有機電界発光表示パネルを構成する回路配線が変更されたり、有機電界発光表示パネルの大きさが変更された場合にも、輝度を再び測定することなく、感知補償部を通じて輝度の測定と補償がすべて行われるという効果がある。

さらに、本発明による基板検査装置及び方法は、有機電界発光表示パネルを検査する基板検査装備を用いることなく、基板に集積された感知補償部を通じて、独立した装備がなくても基板検査が可能であるという効果がある。

以下、当業者が本発明を容易に実施できる程度に本発明の望ましい実施例を添付された図面を参照して詳細に説明する。

ここで、明細書の全体にわたって類似の構成及び動作を有する部分に対しては同じ図面符号を付した。

図５は、本発明による基板検査装置の感知補償部の構成を示したブロック図である。

図５に示されたように前記感知補償部５００は、比較器５１０、レベルシフター５２０、初期化レベルシフター５３０、比較器スイッチ５１１、電圧スイッチ５２１、初期化スイッチ５３１、電圧差固定器５４０を含むことができる。

前記比較器５１０は、電源電圧ＥＬＶＤＤと、有機電界発光表示パネル４４０（以下、パネル）から印加される電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）によって降下された電源電圧ＥＬＶＤＤ［ｎ］との電圧差△Ｖ（以下、電圧差）を生成する。

前記レベルシフター５２０は、データ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂと前記電圧差△Ｖを伝達されて、データ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂを前記電圧差△Ｖだけ補償し、パネル４４０に供給されるデータ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｏｕｔ］（以下、補償データ電圧）を出力する。

前記初期化レベルシフター５３０は、初期化電圧Ｖｉｎｉｔと前記電圧差△Ｖを伝達されて、前記初期化電圧Ｖｉｎｉｔを前記電圧差△Ｖだけ補償し、パネル４４０に供給される初期化電圧Ｖｉｎｉｔ［ｏｕｔ］（以下、補償初期化電圧）を出力する。

前記比較器スイッチ５１１は、比較器５１０をオンまたはオフして前記電圧差△Ｖを出力したり、パネルから印加される電圧降下によって降下された電源電圧ＥＬＶＤＤ［ｎ］を選択的に出力することができる。

前記電圧スイッチ５２１は、レベルシフター５２０をオンまたはオフして前記データ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂを前記電圧差△Ｖだけ補償した補償データ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｏｕｔ］を出力したり、印加されたデータ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂを選択的に出力してパネル４４０に印加することができる。

前記初期化スイッチ５３１は、初期化レベルシフター５３０をオンまたはオフして前記初期化電圧Ｖｉｎｉｔを前記電圧差△Ｖだけ補償して補償初期化電圧Ｖｉｎｉｔ［ｏｕｔ］を出力したり、印加された初期化電圧Ｖｉｎｉｔを選択的に出力してパネル４４０に印加することができる。

前記電圧差固定器５４０は、電源電圧ＥＬＶＤＤに雑信号（ｎｏｉｓｅ）が発生したとき、平均値の電圧差△Ｖを固定して一定電圧を出力することが可能であり、パネル別に輝度の偏差が少ない場合には、最初に電圧差△Ｖ値を一度感知した後に電圧差値を固定してすべてのパネルに適用することができる。

このような感知補償部５００は、基板検査装置内に設けて、独立した装置を用いて基板を検査することもでき、前記有機電界発光表示パネル４４０と同じ基板上に集積して、独立した装置を用いることなく基板を検査することもできる。また、前記感知補償部５００は、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）によって各パネル４４０に発生する輝度の差を個別に測定することなく、感知補償部５００を通じて測定して補償することができる。

例えば、図３に示された画素回路において、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）がないとき、有機電界発光素子ＯＬＥＤは、容量性素子Ｃ１に充電されていた電圧、すなわち駆動トランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖ_ＧＳに対応する電流Ｉ_ＯＬＥＤが供給されて発光するようになる。この電流Ｉ_ＯＬＥＤは数１式のようになる。

ここで、Ｖ_ＴＨは駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ＴＨであり、Ｖ_ＤＡＴＡはテータ電圧であり、Ｖ_ＤＤは電源電圧線ＥＬＶＤＤからの電源電圧Ｖ_ＤＤであり、βは定数値である。

このとき、電圧降下がある場合、感知補償部を通じて補償された電圧で駆動される画素回路の電流Ｉ_ＯＬＥＤ値は数２式のようになる。

ここで、Ｖ_{ＤＤ［ｎ］}は電圧降下によって降下された電源電圧ＥＬＶＤＤ［ｎ］であり、Ｖ_{ＤＡＴＡ［ｏｕｔ］}は電圧降下によって降下された電圧差△Ｖだけデータ電圧を補償した補償データ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｏｕｔ］である。すなわち、電源電圧ＥＬＶＤＤ値が電圧差△Ｖだけ降下されたなら、データ電圧値に電圧差△Ｖだけの電圧を補償すれば、電圧降下のないときと同じ電流Ｉ_ＯＬＥＤ値を得ることができる。前記補償データ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｏｕｔ］は、赤色データ電圧、緑色データ電圧、青色データ電圧をすべて補償したデータ電圧である。そして、パネル４４０に初期化電圧Ｖｉｎｉｔ（図３参照）を印加する際にも、電源電圧ＥＬＶＤＤ値が電圧差△Ｖだけ降下されたなら、初期化電圧Ｖｉｎｉｔに電圧差△Ｖだけの電圧を補償すれば、電圧降下がないときと同じ電流を容量性素子Ｃ１に印加して、各パネルの容量性素子Ｃ１を同様に初期化できる。すなわち、感知補償部５００は、それぞれのパネルの輝度測定と補償のために、それぞれのデータ電圧及び初期化電圧を調節して補償することにかかるかなりの時間を短縮することができる。

図６は本発明の一実施例による基板検査装置の構成を示したブロック図である。

図６に示されたように、基板検査装置６００は、感知補償部（ＤＣ：Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ）５００、及び有機電界発光表示パネル４４０を含む有機電界発光表示装置４００からなっている。

前記感知補償部５００の左側端の第１感知補償部ＤＣ１＿１は、電源電圧ＥＬＶＤＤ、左側端の第１電源電圧ＥＬＶＤＤ［１＿１］、初期化電圧Ｖｉｎｉｔ、及びデータ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂを伝達されて、左側端の第１初期化電圧Ｖｉｎｉｔ［１＿１］及び左側端の第１データ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［１＿１］を生成する。ここで、左側端の第１感知補償部ＤＣ１＿１ないし左側端の第ｎ感知補償部ＤＣｎ＿１、及び右側端の第１感知補償部ＤＣ１＿２ないし右側端の第ｎ感知補償部ＤＣｎ＿２は、同じ構造になっている。前記感知補償部５００は、電源電圧ＥＬＶＤＤ値が電圧差△Ｖだけ降下されたなら、データ電圧値に電圧差△Ｖだけの電圧を補償して、電圧降下によって発生する輝度低下を防止し、初期化電圧Ｖｉｎｉｔを印加する際にも、電源電圧ＥＬＶＤＤ値が電圧差△Ｖだけ降下されたなら、初期化電圧Ｖｉｎｉｔに電圧差△Ｖだけの電圧を補償して、容量性素子の保存電圧初期化を同様に行うことができる。すなわち、感知補償部５００は、それぞれのパネルの輝度測定と補償のために、それぞれのデータ電圧及び初期化電圧を調節して補償することにかかるかなりの時間を短縮することができる。そして、前記感知補償部５００は、基板検査装置に設けて、独立した装置を用いて基板を検査することもでき、前記有機電界発光表示パネル４４０と同じ基板上に集積して、独立した装置を用いることなく基板を検査することもできる。また、前記感知補償部５００は、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）によって各パネル４４０に発生する輝度の差を個別に測定することなく感知補償部５００を通じて測定して補償することができる。

前記有機電界発光表示装置４００は、感知補償部の出力信号である左側端の初期化電圧Ｖｉｎｉｔ［１＿１］、Ｖｉｎｉｔ［２＿１］、・・・、Ｖｉｎｉｔ［ｎ＿１］、右側端の初期化電圧Ｖｉｎｉｔ［１＿２］、Ｖｉｎｉｔ［２＿２］、・・・、Ｖｉｎｉｔ［ｎ＿２］、左側端のデータ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［１＿１］、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［２＿１］、・・・、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｎ＿１］、及び右側端のデータ電圧ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［１＿２］、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［２＿２］、・・・、ＤａｔａＲ，Ｇ，Ｂ［ｎ＿２］を伝達されて、輝度が補償され、パネル４４０が同じ輝度で発光する。そして、前記電源電圧ＥＬＶＤＤが上端と下端で、すなわち、両端で同時に供給される。これは、従来の電源電圧ＥＬＶＤＤが上端だけから供給され、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）によって最下端のパネルに発生する最上端との輝度差が大きく発生することを減らすためである。

図７は、本発明の他の実施例による基板検査方法を示したフロー図である。図７に示されたように、基板検査方法は、電源電圧感知段階７１０、降下電源電圧感知段階７２０、電源電圧と降下電源電圧との比較出力段階７３０、電圧補償段階７４０、補償された電圧をパネルに印加する段階７５０を含めてなることができる。

前記電源電圧感知段階７１０は、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）のない電源電圧を感知補償部５００（図５参照）の比較器で感知する段階である。

前記降下電源電圧感知段階７２０は、任意のパネルに印加される電源電圧であって、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）で降下された降下電源電圧を感知補償部の比較器で感知する段階である。

前記電源電圧と降下電源電圧との比較出力段階７３０は、前記感知された電源電圧と感知された降下電源電圧とを感知補償部の比較器で比較し、２つの電圧の電圧差を出力する段階である。前記電圧差は、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）で降下された電圧値と同じ電圧である。そして、前記電源電圧と降下電源電圧との比較出力段階７３０においては、比較器をオンまたはオフして前記２つの電圧の電圧差、または、パネルから印加される電圧降下によって降下された電源電圧を選択的に出力することができる。また、電源電圧に雑音信号（ｎｏｉｓｅ）が発生したとき、平均値の電圧差を固定して一定電圧を出力することができ、パネル別に輝度の偏差が少ない場合には、最初に電圧差値を一度感知した後に電圧差値を固定してすべてのパネルに適用することができる。

前記電圧補償段階７４０は、データ電圧補償段階７４１と初期化電圧補償段階７４２とを含む。前記データ電圧補償段階７４１は、パネルに印加されるデータ電圧を、電源電圧と降下電源電圧との比較出力段階７３０から出力された電圧差だけ補償して、パネルに供給する補償データ電圧を出力する段階である。そして、データ電圧を電源電圧と降下電源電圧との比較出力段階７３０から出力された電圧差だけ補償した補償データ電圧を出力したり、印加されたデータ電圧を選択的に出力してパネルに印加することができる。そして、初期化電圧補償段階７４２は、パネルに印加される初期化電圧を、電源電圧と降下電源電圧との比較出力段階７３０から出力された電圧差だけ補償して、パネルに供給する補償初期化電圧を出力する段階である。そして、初期化電圧を電源電圧と降下電源電圧との比較出力段階７３０から出力された電圧差だけ補償して、補償初期化電圧を出力したり、印加された初期化電圧を選択的に出力してパネルに印加することができる。

前記補償された電圧をパネルに印加する段階７５０において、前記電圧補償段階７４０で補償された補償データ電圧及び補償初期化電圧が各パネルに印加され、各パネルは同じ輝度で発光することができる。

以上の説明は、本発明による基板検査装置及び方法を実施するための一実施例に過ぎず、本発明は前記実施例に限定されず、特許請求の範囲及び精神から逸脱することなく、そして全ての修正及び変更が特許請求の範囲に内に含まれることを意図して、当業者であれば多様な修正及び変更が実施可能であると認識するであろう。

従来の有機電界発光表示装置の基板を示す図である。 有機電界発光素子の概念図である。 有機電界発光表示装置の画素回路を示した回路図である。 本発明による有機電界発光表示装置の構成を示したブロック図である。 本発明による基板検査装置の感知補償部の構成を示したブロック図である。 本発明の一実施例による基板検査装置の構成を示したブロック図である。 本発明の他の実施例による基板検査方法を示したフロー図である。

符号の説明

４００ 有機電界発光表示装置
４４０ 有機電界発光表示パネル
５００ 感知補償部
５１０ 比較器
５２０ レベルシフター
５３０ 初期化レベルシフター
６００ 基板検査装置
７１０ 電源電圧補償段階
７２０ 降下電源電圧補償段階
７３０ 電源電圧と降下電圧との比較出力段階
７４０ 電圧補償段階
７５０ 補償された電源電圧をパネルに印加する段階

Claims (24)

1. 電源電圧線を通じて供給される電源電圧と電源電圧感知線を通じて感知される降下電源電圧とを比べて、その差分値を出力する比較器、及び
   データ電圧を前記比較器から出力される差分値だけ補償して有機電界発光表示パネルに供給するレベルシフター回路を含めてなることを特徴とする基板検査装置。
2. 初期化電圧を前記比較器から出力される差分値だけ補償して有機電界発光表示パネルに供給する初期化レベルシフター回路を含めてなることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
3. 前記初期化電圧は、有機電界発光表示パネルの画素回路に伝達される初期化電圧であることを特徴とする請求項２に記載の基板検査装置。
4. 前記データ電圧は、有機電界発光表示パネルの画素回路に伝達されるデータ電圧であることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
5. 前記有機電界発光表示パネルは、電源電圧、初期化電圧及びデータ電圧に電気的に繋がれることを特徴とする請求項２に記載の基板検査装置。
6. 前記有機電界発光表示パネルの電源電圧線に電源電圧感知線が電気的に繋がれることを特徴とする請求項５に記載の基板検査装置。
7. 前記有機電界発光表示パネルは、基板にマトリクス状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
8. 前記比較器、レベルシフター及び初期化レベルシフター回路は、前記基板に集積されて形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板検査装置。
9. 前記データ電圧は、赤色データ電圧、緑色データ電圧及び青色データ電圧であることを特徴とする請求項４に記載の基板検査装置。
10. 前記比較器をスイッチングする比較器スイッチを含めてなることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
11. 前記レベルシフター回路をスイッチングする電圧スイッチを含めてなることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
12. 前記初期化レベルシフター回路をスイッチングする初期化スイッチを含めてなることを特徴とする請求項２に記載の基板検査装置。
13. 前記比較器から出力される電圧値を固定する電圧差固定器を含めてなることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
14. 電源電圧線を通じて供給される基板の電源電圧を感知する段階と、
    電源電圧感知線を通じて感知される基板の降下電源電圧を感知する段階と、
    前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べて出力する段階と、
    前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階と、を含めてなることを特徴とする基板検査方法。
15. 前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べて出力する段階は、前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べてその電圧差を出力する段階であることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。
16. 前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べて出力する段階以後に、前記出力された電圧だけ初期化電圧を補償する段階を含めてなることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。
17. 前記データ電圧を補償する段階は、赤色データ電圧、緑色データ電圧及び青色データ電圧をすべて補償する段階であることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。
18. 前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階は、レベルシフターにおいて前記電源電圧と前記降下電源電圧との差分値をダウンシフトさせた補償データ電圧を出力する段階であることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。
19. 前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記比較器をスイッチングする段階を含めてなることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。
20. 前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記レベルシフター回路をスイッチングする段階を含めてなることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。
21. 前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記初期化レベルシフターをスイッチングする段階を含めてなることを特徴とする請求項１６に記載の基板検査方法。
22. 前記出力された電圧だけ初期化電圧を補償する段階は、初期化レベルシフターにおいて前記電源電圧と前記降下電源電圧との差分値をダウンシフトさせた補償初期化電圧を出力する段階であることを特徴とする請求項１６に記載の基板検査方法。
23. 前記出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記電源電圧と前記降下電源電圧とを比べてその差分値を固定して一定電圧を出力する段階を含めてなることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。
24. 出力された電圧だけデータ電圧を補償する段階以後に、前記補償データ電圧をパネルに供給する段階を含めてなることを特徴とする請求項１４に記載の基板検査方法。

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