JP2008169069A - 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料を加熱溶融する際に、まず窒素または不活性ガス雰囲気下、加熱によって単結晶用原料から発生するガスを除去するに十分な条件で単結晶用原料を溶融し、次に炉内に酸素を導入し、酸素および窒素または不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下、引き続き原料融液を加熱し、2050〜2150℃においてルツボ内を酸化させない程度の十分な時間保持し、その後、成長結晶の引き上げを行うことを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法により提供する。
【選択図】図1
Description
チョクラルスキー法によって酸化物単結晶を製造するには、まずルツボに酸化物原料を充填し、高周波誘導加熱法や抵抗加熱法によりルツボを加熱し原料を溶融する。原料が溶融した後、所定の結晶方位に切り出した種結晶を原料融液表面に接触させ、種結晶を所定の回転速度で回転させながら所定の速度で上方に引き上げて単結晶を成長させる。
これまで酸化アルミニウム単結晶を育成する際には、高温で原料が分解して生成した酸素原子(O)や酸素分子(O2)が融液中に過飽和に存在し、これが育成した単結晶に取り込まれ、単結晶中の気泡となることが知られている。そして、これを回避するために、水素ガスや一酸化炭素ガスなどを用いた還元性雰囲気で単結晶を育成することが提案されている(特許文献1参照)。
これにより融液中に存在する酸素原子(O)や酸素分子(O2)が水素ガスや一酸化炭素ガスと反応して除去されるため、育成した単結晶中への気泡の取り込み量は確かに減少する。しかしながら、育成された単結晶からウエハーを切り出し、ポリッシュ研磨したときに、ウエハー表面には多数のピットが存在しており、前記気泡の取り込み量を十分に抑制することはできていない。
したがって、原料に含まれるガス成分を融解前にできるだけ除去して融液中に存在する過飽和のガス成分を減少させ、単結晶育成時に結晶内に取り込まれる微小な気泡の量を少なくすれば、ピットの発生を抑えることができるものと考えられる。
インクルージョンは高温の融点を持つ酸化物結晶に見られており、酸化アルミニウムの他に、光アイソレーターに用いられるGGG(ガドリニウム・ガリウム・ガーネット)単結晶や波長可変レーザーの発振母体に使用されるアレキサンドライト単結晶においても報告がある。
また、本発明の第3の発明によれば、第1の発明において、前記加熱温度が、ルツボ底から20mm以内の位置に設置された熱電対によって測定されることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法が提供される。
また、本発明の第4の発明によれば、第3の発明において、前記熱電対が、白金ロジウム合金製のB熱電対であることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法が提供される。
また、本発明の第5の発明によれば、第1の発明において、前記加熱時間が、5〜20時間であることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法が提供される。
さらに、本発明の第6の発明によれば、第1の発明において、ルツボの材料がイリジウムであることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法が提供される。
本発明の酸化アルミニウム単結晶の製造方法は、炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料を加熱溶融する際に、まず窒素または不活性ガス雰囲気下、加熱によって単結晶用原料から発生するガスを除去するに十分な条件で単結晶用原料を溶融し、次に炉内に酸素を導入し、酸素および窒素または不活性ガスからなる混合雰囲気下、引き続き原料融液を加熱し、2050〜2150℃においてルツボ内を酸化させない程度の十分な時間保持し、その後、成長結晶の引き上げを行うことを特徴とする。
本発明のような炉体内のルツボに原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法では、原料を加熱する際に、炉体内の雰囲気を窒素または不活性ガスのみとし、加熱によって原料から発生するガスを排除しながら溶融する。こうして原料をルツボ内で加熱する際、窒素または不活性ガスのみの雰囲気とすることで、原料に吸着または内包しているガス成分は排除されるが、このガス成分のひとつとして酸素がある。
こうして原料が融解する際、酸素に代表されるガスが放出され出口から炉体外へ排出されるが、高周波加熱炉において最も高温となるのはルツボ側面の表面であるのため、原料が完全に融解する時点では、ルツボ内壁の温度は融点よりも50〜100℃程度高いと推定される。この温度が必要以上に高いと、ルツボが酸化されこれが酸化イリジウムとなって原料に溶け込むことになる。また、さらに高温では、原料である酸化アルミニウムの分解が起き、新たなガス成分の発生を引き起こし、これがルツボと反応してしまう。
本発明において、酸化アルミニウム単結晶を育成するには、従来のチョクラルスキー法による酸化物単結晶育成装置、例えば、貴金属で形成されたルツボと、ルツボの周囲に保温材としてアルミナなどで形成された炉材と、炉材の外側に加熱装置としての高周波コイルが配置された装置を使用できるが、上記のことから、該単結晶を育成するための炉体内の酸素濃度をモニターする手段を設け、原料を加熱した際に保温材として用いている酸化ジルコニウムからの酸素および、原料表面に吸着している酸素の放出を酸素濃度計の挙動により確認できるようにする。
次に、本発明において単結晶原料溶融工程の好ましい態様を示す。原料溶融工程は、(1)単結晶原料を加熱する際に、炉体内を窒素または不活性ガスのみの雰囲気とし、加熱によって原料から発生するガスを除去しながら溶融する段階と、(2)その後、酸素および窒素または不活性ガスとの混合雰囲気下でさらに加熱保持する単結晶原料の加熱溶融段階からなり、引き続き、(3)結晶育成を行う融液の単結晶育成工程を行う。本発明では、加熱保持段階で原料を融解放置する温度を精細に管理し、必要以上にルツボを加熱しないことで、インクルージョンの発生を抑えて効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造しようとするものである。
また、クラックル原料は、ベルヌーイ法で製造された酸化アルミニウム単結晶原料を直径20mm以下に粉砕して得ているが、比表面積が0.1m2/g未満と非常に小さく吸着ガスは少ない。しかし、酸化アルミニウム粉末を溶解し、得られた融液より作製された単結晶を粉砕しているため、その内部に無数の泡を内包することが多い。クラックル原料では、酸化アルミニウム融液の粘性が高く表面張力が大きいにも拘らず、加熱溶融後に融液放置することで、微小な気泡となって融液に溶解したガス成分もほとんど除去される。クラックル原料は、密度が高いので、酸化アルミニウム粉末など他の原料形態と比べると育成前の原料投入回数が少なくてすむ利点がある。
酸化アルミニウムはAlとOの2元素からなるが、目的とする酸化アルミニウム単結晶の種類に合わせて、AlとOのほかに、Ti、Cr、Si、Ca、Mgなどを含んでいてもよい。このうちSi、Ca、Mgなどは、焼結助剤の成分として不可避的に含まれうるが、その含有量は極力少ないことが望ましい。また、酸化アルミニウムの直径や密度は、特に制限されないが、取り扱い上、例えば、直径は、10mm以下、好ましくは5mm以下であるものがよく、密度は、5g/cm3以下、好ましくは3g/cm3以下であるものがよい。
原料の加熱溶融段階では、原料を融点に達するまで10時間以上、好ましくは12時間以上かけて徐々に加熱する。原料が融点に達するまでの加熱速度が特に制限されるわけではないが、急速に加熱せずに長時間かけて徐々に加熱することによって酸素の急激な発生が抑制され、ルツボ付近での急激な酸素濃度の増大を招くことがない。その結果、融液へのガスの取り込みやルツボの酸化を抑えることができる。
上述したように、温度が1500℃程度に上昇すると、保温材として用いている酸化ジルコニウムやアルミナからの酸素、および原料の表面に吸着している酸素が発生するが、この温度領域ではルツボの酸化はさほど進行しない。
この際、酸素濃度を0.01〜0.5容積%、好ましくは0.1〜0.3容積%の範囲に調整し、融液の温度を2150℃以下に抑えながら、ルツボ内を酸化させない程度の十分な時間保持する。保持時間は、用いる装置や原料によっても異なるので一概に規定できないが、5〜20時間保持することが好ましい。このような条件で原料を融解させると、原料中のガス成分は十分取り払われ、また、ルツボの酸化によるインクルージョンを抑えることができる。これに対して、酸素濃度が0.01容積%未満では、酸素が不足し良好な品質の単結晶が得られず、酸素濃度が0.5容積%を超えるか、20時間以上放置するとルツボの酸化が懸念される。
このようにして、混合ガス雰囲気下で原料を溶融、融液温度を2150℃以下に管理し0.01〜0.5容積%の酸素濃度で放置させた後、単結晶を育成することで、ルツボの酸化によるインクルージョンの発生が抑えられ、なおかつ融液中に含まれる過剰なガスが減少し、単結晶育成時に結晶内に取り込まれる微小な気泡を少なくなくすることができる。そして、このような条件下で得られる単結晶中のピットや突起を少なくすることができる。
このような製造方法で造られた酸化アルミニウム単結晶には微小な気泡やインクルージョンが極めて少ないので、ピットおよび突起が少なく優れた特性を有する電子部品材料、光学用部品材料を提供できる。
育成した単結晶から50枚のウエハーをスライスし、ポリッシュ研磨して、ピットおよび突起がどの程度あるか測定した。ピットや突起数は少ないほど良好な単結晶が育成されていることを示している。
最大出力40kWの高周波誘導加熱方式の育成炉を用い、イリジウム製ルツボにルツボ底から10mm離してB熱電対を設置した。装置には、炉体内を減圧する手段、減圧度をモニターする手段、および酸素および窒素または不活性ガスの混合ガス供給手段、酸素濃度をモニターする手段を設けた。
まず、ルツボに4N(99.99%)の酸化アルミニウム原料を10kg投入した。酸化アルミニウム原料はクラックルとよばれるもので、これはベルヌーイ法で育成した酸化アルミニウム単結晶を20mm角程度の大きさに粉砕したものである。
原料を加熱する前に真空引きを開始し、炉内の圧力が20Paまで減圧したところで真空引きを停止して窒素ガスを導入した。炉内の圧力が0.1MPaに達した後は、窒素ガスのみ毎分3リットルの流量でフローさせ、原料の加熱を開始した。この時の炉内の酸素濃度は0.1ppmであった。この原料が融点に達するまで12時間かけて徐々に加熱した。ルツボ底から10mm離して設置した熱電対がおよそ1000℃となったところで、炉体のガス出口で測定していた酸素濃度の上昇が始まり、1500℃で500ppmを超える酸素濃度となった。その後さらに昇温を続けると酸素濃度は減少し始め400ppmまで減少した。さらに昇温して原料が溶融すると再び酸素濃度は400ppmから750ppmに急上昇した。原料溶融から30分後、酸素濃度が500ppmまで減少したところで炉内に酸素ガスを導入し、酸素および窒素の混合ガス雰囲気とし、ガス出口の酸素濃度が0.3%となるよう調整した。
原料が溶融している状態で温度が融点から50℃を上回らないように5時間放置した後、a軸方向に切り出した酸化アルミニウム単結晶を種結晶として用い、種結晶を融液近くまで降下させた。この種結晶を毎分2回転の速度で回転させながら徐々に降下させ、種結晶の先端を融液に接触させて温度を徐々に降下させながら引上速度2mm/hで種結晶を上昇させて結晶成長を行った。
その結果、直径102mm、直胴部の長さ135mmで、目視では気泡が観察されない結晶を得た。また、結晶底部の成長界面を測定したところ、50mmの凸であった。この結晶をウエハーにし、ポリッシュ研磨したところピットと突起は確認できなかった。
原料として粉末の酸化アルミニウム原料を用いた以外は実施例1と同様にして行った。その結果、直径100mm、直胴部の長さ119mmで目視では気泡が観察されない結晶が得られた。また、結晶底部の成長界面を測定したところ、42mmの凸であった。この結晶をウエハーにし、ポリッシュ研磨したところピットと突起は確認できなかった。
比較のために、原料を加熱溶融する際、加熱開始から酸素および窒素の混合雰囲気とし、原料が溶融している状態で融点から120℃上回った状態すなわち2170℃で5時間放置した以外は実施例1と同様にして121mm、直胴部の長さ120mm、結晶底部の成長界面は49mm凸であった。この結晶をウエハーにし、ポリッシュ研磨したところ、ピットは全く確認できなかったが、どのウエハーにも差し渡し数μmの大きさの突起状異物が数個程度ウエハー上に観察された。これをEPMAで分析したところイリジウムであった。
比較のために、加熱開始から結晶育成終了まで0.7%の酸素濃度雰囲気とした以外は実施例1と同様にして行った。
その結果、直径120mm、直胴部の長さ121mmの結晶を得た。結晶底部の成長界面を測定したところ、33mm凸と小さかった。この結晶をウエハーにしポリッシュ研磨したところ、ピットは確認できなかったがどのウエハーにも差し渡し数μmの大きさの突起状異物が数個程度ウエハー上に観測された。
比較のために、結晶育成の放置時間を30時間とした以外は実施例1と同様にして行った。
その結果、直径120mm、直胴部の長さ120mmの結晶を得た。また、結晶底部の成長界面凸度は、50mm凸と実施例1の結果とほぼ同じであった。この結晶をウエハーにしてポリッシュ研磨したところ、ピットは確認できなかったが、どのウエハーにも差し渡し数μmの大きさの突起状異物が数個程度ウエハー上に観測された。
これに対して、比較例では、融液を過剰に加熱し、あるいは酸素過多の条件とした結果、ルツボの酸化が促進され、融液にイリジウムが混入しこれが結晶に取り込まれインクルージョンとなった。
Claims (6)
- 炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、
単結晶用原料を加熱溶融する際に、まず窒素または不活性ガス雰囲気下、加熱によって単結晶用原料から発生するガスを除去するに十分な条件で単結晶用原料を溶融し、次に炉内に酸素を導入し、酸素および窒素または不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下、引き続き原料融液を加熱し、2050〜2150℃においてルツボ内を酸化させない程度の十分な時間保持し、その後、成長結晶の引き上げを行うことを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法。 - 前記酸素の導入量が、混合ガスに対して0.01〜0.5容積%であることを特徴とする請求項1に記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記加熱温度が、ルツボ底から20mm以内の位置に設置された熱電対によって測定されることを特徴とする請求項1に記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記熱電対が、白金ロジウム合金製のB熱電対であることを特徴とする請求項3に記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記加熱時間が、5〜20時間であることを特徴とする請求項1に記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記ルツボの材料がイリジウムであることを特徴とする請求項1に記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
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