JP2008166688A - 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置 - Google Patents

周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】周辺の明るさを正確に感知して、これを用いて周辺の明るさに応じて自動で画面の明るさを調節することができ、低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタで具現することのできる周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置は、周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、第2容量性素子に電気的に繋がれた後、第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して第1電源から電流を流すトランジスタからなる。
【選択図】図1a

Description

本発明は、周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置に関し、より詳しくは周辺の明るさを正確に感知して、これを用いて周辺の明るさに応じて自動で画面の明るさを調節することができ、低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタで具現することのできる周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置に関する。
本願は、韓国で2006年12月27日に出願された韓国特許出願No.10−2006−0135377、10−2006−0135378、10−2006−0135379、10−2006−0135380号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
一般に、平板表示装置は有機電界発光表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置及び電界放出表示装置などを意味する。このような平板表示装置は薄くて軽いだけでなく消費電力も徐々に小くなっているため、従来のCRT(Cathode Ray Tube)からなる表示装置に急速に代替している。また、前記平板表示装置の中、有機電界発光表示装置や液晶表示装置は小型として容易に製造することができ、さらにはバッテリーで長期間利用することができて、携帯型電子器機の表示装置として多く採択されている。
しかし、このような有機電界発光表示装置や液晶表示装置のような平板表示装置は、ユーザ操作によって人為的に画面の明るさを調節することはできるが、一般に周辺の明るさにかかわらず常に一定の明るさで画面を表示するように設計されている。例えば、通常の平板表示装置は周辺が暗い室内で最適な画面の明るさを有するように設計されている。したがって、暗い所では画面の明るさが相対的に明る過ぎて、太陽光の下では画面の明るさが相対的に暗過ぎるように感じられて視認性に問題がある。
また、従来の平板表示装置は、上述したように画面の明るさが一定に設定されているため、周辺の明るさが相対的に暗い所で長期間使用する際、不要に画面が明るく、また電力消費率も大きくなる問題がある。
また、従来の平板表示装置においては、周辺の明るさをセンシングするための周辺光感知回路の製作時、センサー、基板及び処理回路などを平板表示パネルが形成された主基板とは別の基板に形成しなければならないだけでなく、これを電気的に主基板に連結することで、平板表示装置の大きさ及び厚さが大きくなり、また消費電力も大きくなる問題がある。
本発明は上述した従来の問題点を克服するためのものであって、本発明の目的は、周辺の明るさを正確に感知することができる周辺光感知回路を提供するところにある。
本発明の他の目的は、周辺の明るさに応じて自動で画面の明るさを調節することができる平板表示装置を提供するところにある。
本発明のさらに他の目的は、周辺光感知回路及び信号処理回路などを画素回路が形成される基板上で低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタで具現することのできる周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置を提供するところにある。
前記目的を達成するため、本発明による周辺光感知回路は、周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を出力するトランジスタと、を含む。
ここで、前記第1容量性素子には、前記受光素子の逆バイアス容量を増加させる第3容量性素子が電気的にさらに繋がれることができる。
前記受光素子、第1容量性素子及び第2容量性素子は、第1電源と第2電源間に電気的に繋がれて初期化され、前記受光素子に前記第1容量性素子が電気的に繋がれて、前記受光素子に入射される周辺光によって前記第1容量性素子が放電され、前記第2容量性素子及びトランジスタが第1電源の間に電気的に繋がれて、前記トランジスタの閾値電圧を前記第2容量性素子が保存し、前記第1容量性素子及び第2容量性素子が電気的に繋がれて、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記トランジスタが電流を出力する。
前記受光素子はPINダイオード、PNダイオード及びフォトカップラのうち選択されたいずれか1つであり得る。
前記受光素子には、前記受光素子を第1電源または第1容量性素子に電気的に繋げる第1スイッチが電気的にさらに繋がれることができる。
前記第1容量性素子には、前記第1容量性素子を第1電源または第2容量性素子に電気的に繋げる第2スイッチが電気的にさらに繋がれることができる。
前記トランジスタの第1電極には第1電源を供給する第3スイッチが電気的に繋がれ、前記トランジスタの第2電極と制御電極間には第4スイッチが電気的に繋がれ、前記トランジスタの第2電極には第2電源を供給する第5スイッチが電気的に繋がれ、前記トランジスタの第1電極と前記第3スイッチ間に電流を出力する出力端子が形成されることができる。前記第5スイッチがターンオンされ、前記出力端子を通じて繋がれた出力負荷に充電された電圧が、前記トランジスタ及び第5スイッチを通じて第2電源に放電されることができる。
前記第3容量性素子の第1電極は、第6スイッチを通じて前記第1容量性素子に、第7スイッチを通じて第1電源に電気的に繋がれ、第2電極は第2電源に電気的に繋がれることができる。
前記第1電源には、前記受光素子、第1容量性素子及び第2容量性素子に第1電源の供給のための第8スイッチが電気的にさらに繋がれることができる。
前記トランジスタの出力端子には、周辺光制御処理部が電気的にさらに繋がれることができる。
前記周辺光制御処理部は、前記トランジスタの第1電極に電気的に繋がれたアナログデジタルコンバータと、前記アナログデジタルコンバータに電気的に繋がれて現在の周辺光状態に応ずるデジタル値を保存する第1メモリと、前記第1メモリに電気的に繋がれて現在周辺光の明るさを計算して出力する制御部と、前記制御部に電気的に繋がれて多くの明るさの周辺光から得たデジタル値をあらかじめ保存している第2メモリを含む。
前記アナログデジタルコンバータは、前記トランジスタの第1電極に電気的に繋がれた出力負荷と、前記出力負荷と第2電源間に電気的に繋がれた第4容量性素子を含む。
また、前記目的を達成するため、本発明による平板表示装置は、周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適するデータ信号を出力するデータ駆動部と、前記データ駆動部のデータ信号を入力信号として画面を出力する有機電界発光表示パネルと、を含む。
前記タイミング制御部は、現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記データ駆動部に出力する明るさ選択部と、を含む。
前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、データ駆動部及び有機電界発光表示パネルは、1つの基板に形成されることができる。
前記データ駆動部は、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例するデータ電圧を出力することができる。
また、前記目的を達成するため、本発明による他の平板表示装置は、周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適するデータ信号を出力する発光制御駆動部と、前記発光制御駆動部の発光制御信号を入力信号として自発光する有機電界発光表示パネルと、を含む。
前記タイミング制御部は、現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記発光制御駆動部に出力する明るさ選択部と、を含めてなることができる。
前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、発光制御駆動部及び有機電界発光表示パネルは、1つの基板に形成されることができる。
前記発光制御駆動部は、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例する時間の間に発光制御信号を出力することができる。
また、前記目的を達成するため、本発明のさらに他の平板表示装置は、周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する電源電圧を出力する電源制御部と、前記電源制御部の電源電圧を入力信号として自発光する有機電界発光表示パネルと、を含む。
前記タイミング制御部は、現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記電源制御部に出力する明るさ選択部と、を含むことができる。
前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、電源制御部及び有機電界発光表示パネルは、1つの基板に形成されることができる。
前記電源制御部は、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例する電源電圧を出力することができる。
また、前記目的を達成するため、本発明のさらに他の平板表示装置は、周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光にあわせて電源電圧を昇圧して出力するインバータと、前記インバータから供給される電圧によって点灯されるバックライトと、前記バックライトによって画面を表示する液晶表示パネルと、を含む。
前記タイミング制御部は現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記インバータに出力する明るさ選択部と、を含む。
前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、インバータ及び液晶表示パネルは、1つの基板に形成されることができる。
前記インバータは、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例する昇圧電圧を出力することができる。
前記インバータは、前記タイミング制御部から制御信号が入力されると、前記制御信号に応じたPWM制御信号を出力するPWM制御部と、前記PWM制御部の出力信号を入力信号として、電源電圧を一定レベルに昇圧して前記バックライトに供給するコンバータと、前記バックライトを通じる電流を感知して、これを前記PWM制御部にフィードバックする電流感知部と、を含むことができる。
前記のようにして本発明による周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置は、周辺光によって多くのレベルの出力電圧を得て、これを用いて表示装置を通じる画面の明るさを自動的に調整することで、明るい所でも暗い所でもすべて平板表示装置の視認性に優れる。
また、前記のようにして本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光によって消費電力が自動的に調節されることで、最適の消費電力を維持するようになり、これによって携帯型平板表示装置の使用可能時間が長くなる。
また、前記のようにして本発明による周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、データ駆動部及び有機電界発光表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
また、前記のようにして本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、発光制御駆動部及び有機電界発光表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
また、前記のようにして本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、電源制御部及び有機電界発光表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
また、前記のようにして本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、インバータ、ゲート駆動部、データ駆動部及び液晶表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
本発明による周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置は、周辺光によって多くのレベルの出力電圧を得て、これを用いて表示装置を通じる画面の明るさを自動的に調整することで、明るい所でも暗い所でもすべて平板表示装置の視認性に優れる。
また、本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光によって消費電力が自動的に調節されることで、最適の消費電力を維持するようになり、これによって携帯型平板表示装置の使用可能時間が長くなる。
また、本発明による周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、データ駆動部及び有機電界発光表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
また、本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、発光制御駆動部及び有機電界発光表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
また、本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、発光制御駆動部、電源制御部及び有機電界発光表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
また、本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置は、周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、インバータ、ゲート駆動部、データ駆動部及び液晶表示パネルなどをすべて1つの基板に低温結晶化ポリシリコン薄膜トランジスタ工程を用いて形成することができるため、平板表示装置の厚さをさらに薄くすることができる。
以下、当業者が本発明を容易に実施できる程度に本発明の望ましい実施例を添付された図面を参照して詳細に説明すると、次のようである。
ここで、明細書の全体を亘って類似の構成及び動作を有する部分に対しては同じ図面符号を付した。また、ある部分が他の部分と電気的に繋がれているとするとき、これは直接的に繋がれている場合だけでなく、その中間に他の素子を介在して繋がれている場合も含む。
図1a及び図1bは、本発明による周辺光感知回路を示した回路図である。
図1aに示されたように、本発明による周辺光感知回路100は、受光素子PD、トランジスタT1、第1容量性素子C1、第2容量性素子C2、第3容量性素子C3、第1スイッチS1、第2スイッチS2、第3スイッチS3、第4スイッチS4、第5スイッチS5、第6スイッチS6、第7スイッチS7及び第8スイッチS8を含む。
前記受光素子PDは、周辺光によって一定電流を流す役割をする。前記受光素子PDは、カソードが第1電源VDDに電気的に繋がれ、アノードが第2電源VSSに電気的に繋がれることができる。また、前記受光素子PDは、前記第1電源VDDと第2電源VSS間に逆方向に電気繋がれたPINダイオード、PNダイオード、フォトカップラ及びその等価物のうち選択されたいずれか1つであり得るが、ここでその種類は限定されない。さらに、前記第1電源VDDは前記第2電源VSSに比べて相対的に高い電位を有し得る。
前記受光素子PDには、前記受光素子PDを第1電源VDDまたは第2容量性素子C2に電気的に繋げる第1スイッチS1が電気的に繋がれることができる。前記第1スイッチS1は、第1電極が前記第1容量性素子C1、すなわち、第1ノードN1に電気的に繋がれ、第2電極が前記受光素子PDのカソードに電気的に繋がれ、制御電極には第1制御信号CS-1が印加されることができる。このような第1スイッチS1はトランジスタ及びその等価物のうち選択されたいずれか1つであり得るが、ここでその種類は限定されない。
前記第1容量性素子C1は、第1電源VDDの電圧で充電された後、前記受光素子PDに電気的に繋がれて一定電圧まで放電される役割をする。このような第1容量性素子C1は、第1電極が第1電源VDD、すなわち、第1ノードN1に電気的に繋がれ、第2電極が第2電源VSSに電気的に繋がれることができる。
ここで、前記第1容量性素子C1には、前記第1容量性素子C1を第1電源VDDまたは第2容量性素子C2に電気的に繋げる第2スイッチS2が電気的に繋がれることができる。すなわち、前記第2スイッチS2は、第1電極が第1電源VDD、すなわち、第2ノードN2に電気的に繋がれ、第2電極が前記第1容量性素子C1、すなわち、第1ノードN1に電気的に繋がれ、制御電極に第2制御信号CS-2が印加されることができる。このような第2スイッチS2は、トランジスタ及びその等価物のうち選択されたいずれか1つであり得るが、ここでその種類は限定されない。
前記トランジスタT1は、前記第2容量性素子C2、すなわち、第3ノードN3に電気的に繋がれて、前記第1容量性素子C1及び第2容量性素子C2のカップリング電圧によって一定電流を出力する役割をする。このようなトランジスタT1は、第1電極が第3スイッチS3の第2電極に電気的に繋がれ、第2電極が第4スイッチS4の第2電極に電気的に繋がれ、制御電極に前記第1容量性素子C1及び第2容量性素子C2のカップリング電圧が印加されることができる。また、前記第3スイッチS3は、第1電極が第1電源VDDに電気的に繋がれ、第2電極がトランジスタT1の第1電極に電気的に繋がれ、制御電極に第3制御信号CS-3が印加されることができる。また、前記第4スイッチS4は、第1電極がトランジスタT1の制御電極に電気的に繋がれ、第2電極がトランジスタT1の第2電極に電気的に繋がれ、制御電極に第1制御信号CS-1が印加されることができる。このような第4スイッチS4によって前記トランジスタT1はダイオード連結構造となり得る。また、前記トランジスタT1の第2電極と第2電源VSS間には、第5スイッチS5がさらに繋がれることができる。このような第5スイッチS5は、第1電極が前記トランジスタT1の第2電極に電気的に繋がれ、第2電極が前記第2電源に電気的に繋がれ、制御電極に負第3制御信号CS-3CS-3が印加されることができる。ここで、前記第3スイッチS3、第4スイッチS4及び第5スイッチS5は、すべてトランジスタ及びその等価物のうち選択されたいずれか1つであり得るが、その種類は限定されない。
前記第2容量性素子C2は、前記第1容量性素子C1と前記トランジスタT1間に電気的に繋がれて、前記トランジスタT1の閾値電圧VTHを補償する役割をする。すなわち、前記第2容量性素子C2は、第1電極が第2ノードN2に電気的に繋がれ、第2電極がトランジスタT1の制御電極、すなわち、第3ノードN3に電気的に繋がれることができる。このような第2容量性素子C2は、前記トランジスタT1がエキシマレーザーアニーリング(excimer laser annealing、ELA)方式を用いた低温結晶化シリコン薄膜トランジスタ(low temperature polycrystalline silicon thin film transistors、LTPS−TFTs)で形成される場合、前記エキシマレーザーのエネルギー偏差によって閾値電圧変異のようなトランジスタの電気的特性がばらつくようになるが、このような閾値電圧変異を補償する役割をする。
前記第3容量性素子C3は、前記第1容量性素子C1、すなわち、前記受光素子PDに並列で電気的に繋がれて、相対的に非常に明るい光が受光素子PDに入射されることで第1容量性素子C1が速く放電される場合、前記受光素子PDの逆バイアス容量を増加させる役割をする。すなわち、前記第1容量性素子C1と第3容量性素子C2とを合わせた逆バイアス容量が前記受光素子PDに作用することで全体的な放電時間を延長させて、正確な周辺光感知を可能にする役割をする。このような第3容量性素子C3は、第1電極が第6スイッチS6を通じて前記第1容量性素子C1に、第7スイッチS7を通じて第1電源VDDに電気的に繋がれ、第2電極は第2電源VSSに電気的に繋がれることができる。前記第6スイッチS6は、第1電極が前記第3容量性素子C3の第1電極に電気的に繋がれ、第2電極が第1容量性素子C1の第1電極に電気的に繋がれて、制御電極に第4制御信号CS-4が印加されることができる。前記第7スイッチS7は、第1電極が第1電源VDDに電気的に繋がれ、第2電極が第3容量性素子C3の第2電極に電気的に繋がれて、制御電極に負第4制御信号CS-4CS-4が印加されることができる。
一方、本発明は、前記第2ノードN2と第1電源VDD間に第8スイッチS8が電気的にさらに繋がれることができる。このような第8スイッチS8は、第1電極が第1電源VDDに電気的に繋がれ、第2電極が第2ノードN2に電気的に繋がれて、制御電極に第1制御信号CS-1が印加されることができる。
また、本発明は、前記トランジスタT1の第1電極と第3スイッチS3の第2電極間に出力負荷110が繋がれることができ、前記出力負荷110には第4容量性素子C4が繋がれることができる。実質的に、前記出力負荷110は、例えばアナログデジタルコンバータの内部部下であり得て、また前記第4容量性素子C4は配線に形成される寄生キャパシタであり得る。しかし、このような出力負荷110及び第4容量性素子C4の構成で本発明は限定されない。
さらに、本発明は、前記トランジスタT1、第1スイッチS1ないし第8スイッチS8がすべてポリシリコン薄膜トランジスタ、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ及びその等価物のうち選択されたいずれか1つであり得るが、本発明に前記トランジスタT1の種類は限定されない。
また、前記トランジスタT1、第1スイッチS1ないし第8スイッチS8が、ポリシリコン薄膜トランジスタである場合、これは低温結晶化方法であるレーザー結晶化方法、金属誘導結晶化方法、高圧アニーリング方法及びその等価方法のうち選択されたいずれか1つの方法で形成されることができるが、本発明において前記ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法は限定されない。
参照までに、前記レーザー結晶化方法はアモルファスシリコンに、例えばエキシマレーザーを照射して結晶化する方法であり、前記金属誘導結晶化方法はアモルファスシリコン上に、例えば金属を位置させたまま所定温度を加えて前記金属から結晶化が始まるようにする方法であり、前記高圧アニーリング方法は多結晶シリコンに、例えば一定圧力を加えてアニーリングする方法である。
さらに、前記トランジスタT1、第1スイッチS1ないし第8スイッチS8は、Pチャネルトランジスタ、Nチャネルトランジスタ及びその等価物のうち選択されたいずれか1つで形成されることができるが、ここでその種類は限定されない。勿論、前記トランジスタT1、第1スイッチS1ないし第8スイッチS8は、PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタが混在されて構成されることもできる。
ここで、前記第3スイッチS3に繋がれた第1電源VDD、第7スイッチS7に繋がれた第1電源VDD、第8スイッチS8に繋がれた第1電源VDDは相互同じ電圧であるか、または相異なる電圧であり得る。勿論、前記第3スイッチS3に繋がれた第1電源VDDの電圧は、トランジスタT1が動作できるようにその第1電源VDDから閾値電圧Vthを引いた値が第5スイッチS5に繋がれた第2電源VSSの電圧より大きく設定されなければならないことは当然である。また、前記受光素子PD、第1容量性素子C1及び第3容量性素子C3に繋がれた第2電源VSSは、前記第5スイッチS5に繋がれた第2電源VSSと同じ電圧であるか、または相異なる電圧であり得る。
一方、図1bに示されたように、本発明の他の周辺光感知回路101は第1電源VDD、受光素子PD及び第2電源VSSの連結位置が上記した回路100と相異なることがあり得る。すなわち、図1bに示されたように、第1電源VDDは受光素子PDのカソードに直接電気的に繋がれ、第2電源VSSは第8スイッチS8に電気的に繋がれることができる。また、前記受光素子PDのアノードには第1スイッチS1が電気的に繋がれることができる。
したがって、前記回路100では、受光素子PDを通じて逆方向の電流が流れるとき、第1容量性素子C1が放電されたが、図1bに示された回路101では受光素子PDを通じて逆方向の電流が流れるとき、第1容量性素子C2が充電される。したがって、図1aに示された回路100では受光素子PDを通じる逆方向の電流が増加するほど第1容量性素子と第2容量性素子によるカップリング電圧が小くなったが、図1bに示された回路101では受光素子PDを通じる逆方向の電流が増加するほど第1容量性素子と第2容量性素子によるカップリング電圧が大きくなる。勿論、このような動作のため、図1bに示された回路101でも受光素子PDに繋がれた第1電源VDDの電圧が第8スイッチS8に繋がれた第2電源VSSの電圧より高くなければならないことは当然である。
図2は、本発明による周辺光感知回路のタイミングダイヤグラムである。
示されたように、本発明による周辺光感知回路100は、平板表示装置が1つの画面を出力する1つのフレーム、すなわち、約16.7msの周期と同じ周期で動作することができる。したがって、本発明による周辺光感知回路100を用いた平板表示装置の場合、周辺の明るさに速かに対応して画面の明るさを自動的に調節する。勿論、このような周辺光感知回路100の動作周期は一例に過ぎず、この以外にも多様な周期に設定できることは当然である。
本発明による周辺光感知回路100は、例えば、約100μsの間、回路の初期化過程T1を遂行し、約10.6msの間、周辺光の感知過程T2を遂行し、約4msの間、周辺光の感知及び補償過程T3を遂行し、約2msの間に、バッファリング過程T4を遂行することができる。勿論、このために4つの制御信号、すなわち、第1制御信号CS-1、第2制御信号CS-2、第3制御信号CS-3及び負第3制御信号CS-3CS-3が前記周辺光感知回路100に印加される。
ここで、本発明は、前記のように前記周辺光感知回路100が前記周辺光感知過程T2を最も長い時間遂行させることで、周辺光感知効率を向上させる。
さらに、本発明は、周辺光が相対的に非常に明るい場合、第4制御信号CS-4及び負第4制御信号CS-4CS-4が前記周辺光感知回路100にさらに印加されるが、このような第4制御信号CS-4及び負第4制御信号CS-4CS-4に対するタイミングダイヤグラムは省略されている。しかし、前記第4制御信号CS-4及び負第4制御信号CS-4CS-4は詳しく後述する。
このような本発明の動作を図1a、図2及び図3ないし図6を参照して説明する。ここで、前記第1スイッチS1ないし第8スイッチS8は、すべてPチャネルトランジスタとして仮定して説明する。
まず、図2及び図3に示されたように、初期化過程T1においては、ローレベルの第1制御信号CS-1が第1スイッチS1、第4スイッチS4及び第8スイッチS8の制御電極にそれぞれ印加され、ローレベルの第2制御信号CS-2が第2スイッチS2の制御電極に印加され、ハイレベルの第3制御信号CS-3が第3スイッチS3の制御電極に印加され、ローレベルの負第3制御信号CS-3CS-3が第5スイッチS5の制御電極に印加される。
したがって、前記第1スイッチS1、第2スイッチS2、第4スイッチS4、第5スイッチS5及び第8スイッチS8だけがターンオンされる。
前記のようにして、第1電源VDD、第8スイッチS8、第2スイッチS2、第1スイッチS1、受光素子PD及び第2電源VSSが電流パスを形成することで、前記受光素子PDを通じて所定電流が流れる。勿論、このような電流は周辺光にほぼ比例して増加する。
また、前記第1電源VDD、第8スイッチS8、第2スイッチS2、第1容量性素子C1及び第2電源VSSが電流パスを形成することで、前記第1容量性素子C1が初期化される。すなわち、前記第1容量性素子C1が第1電源VDDと第2電源VSSとの差にあたる電圧だけ充電される。
さらに、前記第1電源VDD、第2容量性素子C2、第4スイッチS4、第5スイッチS5及び第2電源VSSが電流パスを形成することで、前記第2容量性素子C2が初期化される。すなわち、前記第2容量性素子C2が第1電源VDDと第2電源VSSとの差にあたる電圧だけ充電される。
続いて、図2及び図4に示されたように、周辺光の感知過程T2においては、ローレベルの第1制御信号CS-1が第1スイッチS1、第4スイッチS4及び第8スイッチS8の制御電極にそれぞれ印加され、ハイレベルの第2制御信号CS-2が第2スイッチS2の制御電極に印加され、ハイレベルの第3制御信号CS-3が第3スイッチS3の制御電極に印加され、ローレベルの負第3制御信号CS-3CS-3が第5スイッチS5の制御電極に印加される。
したがって、前記第1スイッチS1、第4スイッチS4、第5スイッチS5及び第8スイッチS8だけがターンオンされる。
前記のようにして、第1容量性素子C1、第1スイッチS1、受光素子PD及び第2電源VSSが電流パスを形成することで、前記第1容量性素子C1は第1スイッチS1及び受光素子PDを通じて一定電流を流しながら放電される。勿論、前記第1容量性素子C1は受光素子PDの特性上、周辺光が明るければ相対的に多くの電流を流しながら速く放電され、周辺光が暗ければ相対的に小さい電流を流しながら遅く放電される。
一方、前記第1電源VDD、第2容量性素子C2、第4スイッチS4、第5スイッチS5及び第2電源VSSは電流パスを形成し続けて、前記第2容量性素子C2は第1電源VDDと第2電源VSSとの差にあたる電圧だけ充電された状態を維持し続ける。
続いて、図2及び図5に示されたように、周辺光の感知及び補償過程T3においては、ローレベルの第1制御信号CS-1が第1スイッチS1、第4スイッチS4及び第8スイッチS8の制御電極にそれぞれ印加され、ハイレベルの第2制御信号CS-2が第2スイッチS2の制御電極に印加され、ローレベルの第3制御信号CS-3が第3スイッチS3の制御電極に印加され、ハイレベルの負第3制御信号CS-3CS-3が第5スイッチS5の制御電極に印加される。
したがって、前記第1スイッチS1、第3スイッチS3、第4スイッチS4及び第8スイッチS8だけがターンオンされる。
前記のようにして、第1容量性素子C1、第1スイッチS1、受光素子PD及び第2電源VSSは電流パスを形成し続けて、前記第1容量性素子C1は第1スイッチS1及び受光素子PDを通じて一定電流を流しながら放電される。
一方、前記第1電源VDDからの電流は、第3スイッチS3を通じて出力負荷110に供給される。このような出力負荷110には周知のように第4容量性素子C4が繋がれているため、前記第4容量性素子C4に第1電源VDDによる電圧が充電される。
また、トランジスタT1は第4スイッチS4によってダイオード連結形態をすることで、第2容量性素子C2すなわち、第3ノードN3に第1電源VDDからトランジスタT1の閾値電圧VTHを引いた電圧だけ印加され、また前記第2容量性素子C2、すなわち、第2ノードN2には第8スイッチS8を通じて第1電源VDDの電圧が印加されることで、結局前記第2容量性素子C2にトランジスタT1の閾値電圧VTHがあらかじめ保存される。換言すれば、前記トランジスタT1の閾値電圧VTHが前記第2容量性素子C2にあらかじめ保存されることで、今後トランジスタT1の動作中にそれの閾値電圧が相殺される。すなわち、前記トランジスタT1は閾値電圧の変異に影響を受けずに常に一定の電圧を出力する。
続いて、図2及び図6に示されたように、バッファリング過程T4においては、ハイレベルの第1制御信号CS-1が第1スイッチS1、第4スイッチS4及び第8スイッチS8の制御電極にそれぞれ印加され、ローレベルの第2制御信号CS-2が第2スイッチS2の制御電極に印加され、ハイレベルの第3制御信号CS-3が第3スイッチS3の制御電極に印加され、ローレベルの負第3制御信号CS-3CS-3が第5スイッチS5の制御電極に印加される。
したがって、前記第2スイッチS2及び第5スイッチS5だけがターンオンされる。これにより、第1容量性素子C1及び第2容量性素子C2のカップリング電圧がトランジスタTの制御電極電圧となる。これにより、前記トランジスタT1は前記第1容量性素子C1及び第2容量性素子C2のカップリング電圧に対応する電流を流すことになる。
すなわち、前記第4容量性素子C4から、出力負荷110、トランジスタT1の第1電極と第2電極、第5スイッチS5及び第2電源VSSを通じて電流が流れる。勿論、これによって前記第4容量性素子C4の電圧は徐々に小くなり、前記第1容量性素子C1及び第2容量性素子C2のカップリング電圧から前記トランジスタT1の閾値電圧を引いた値に収束することになる。
一方、前記第1容量性素子C1の電圧は、前記受光素子PDに入射される周辺光によって変わる。すなわち、周辺光が相対的に明るいと前記受光素子PDを通じて相対的に多くの電流が流れ、前記第1容量性素子C1が相対的に多く放電される。すなわち、前記第1容量性素子C1の電圧が相対的に小くなる。
また、周辺光が相対的に小さいと受光素子PDを通じて相対的に小さい電流が流れ、前記第1容量性素子C1が相対的に小さく放電される。すなわち、前記第1容量性素子C1の電圧が相対的に大きい状態を維持する。
したがって、前記周辺光によって前記トランジスタT1の制御電極に印加される電圧(第1容量性素子C1と第2容量性素子C2のカップリング電圧)が変わって、結局トランジスタT1に繋がれた出力負荷110、すなわち、前記第4容量性素子C4からトランジスタT1、第5スイッチS5及び第2電源VSSを通じて流れる電流量(放電量)も変わる。
勿論、その後、例えばアナログデジタルコンバータが前記第4容量性素子C4に残っている電圧を感知することで、周辺光に係わる電圧値をアナログ値で得るようになる。
換言すれば、前記受光素子PDを通じて入射される周辺光が相対的に小さいとそれに流れる電流は小くなり、これによって第1容量性素子C1と第2容量性素子C2のカップリング電圧が相対的に大きくなる。したがって、トランジスタT1を通じる前記第4容量性素子C4の放電可能な電圧は相対的に小さく、したがって前記第4容量性素子C4に残っている電圧は相対的に大きい。すなわち、出力電圧が相対的に大きくなる。
また、前記受光素子PDを通じて入射される周辺光が相対的に大きいとそれに流れる電流は大きくなり、これによって第1容量性素子C1と第2容量性素子C2のカップリング電圧が相対的に小さくなる。したがって、トランジスタT1を通じる前記第4容量性素子C4の放電電圧は相対的に大きく、したがって前記第4容量性素子C4に残っている残存電圧は相対的に小さい。すなわち、出力電圧が相対的に小さい。
一方、第4制御信号CS-4及び負第4制御信号CS-4CS-4による第3容量性素子C3の動作を説明する。
受光素子PDに急に多くの光が入射されると、それを通じて第1容量性素子C1に充電された電圧が速く放電される。すなわち、前記第1容量性素子C1があまりにも速く放電されることで、前記トランジスタT1から信頼性のある出力電圧を確保することができず、これによって正確な周辺光感知動作が不可能になる。
このような現象を防止するため、本発明は出力端子を通じる出力電圧(例えば、アナログデジタルコンバータに入力される電圧)が一定時間閾値以下であり続けると、これをフィードバック信号にして負第4制御信号CS-4CS-4を第7スイッチS7の制御電極に印加した後、続いて第4制御信号CS-4を第6スイッチS6の制御電極に印加する。
すると、第3容量性素子C3に第1電源VDDが供給されて充電動作が遂行され、続いて前記第3容量性素子C3は前記第1容量性素子C1、すなわち、受光素子PDに並列で繋がれる。
したがって、受光素子PDには2つの第1容量性素子C1及び第3容量性素子C3が並列で繋がれることで、逆バイアス容量が増加する。換言すれば、受光素子PDを通じて流せる容量が増加する。
これにより、周辺光を充分に感知することのできる時間の間、前記受光素子PDを通じて電流が流れるようになる。勿論、前記第1容量性素子C1及び第3容量性素子C3に残る残存電圧が、前記トランジスタT1の動作に寄与することになる。
したがって、前記トランジスタT1が信頼性のある動作区間で動作し、これによって出力電圧も安定される。すなわち、周辺光感知が円滑に行われる。
図7は、本発明による周辺光感知回路において、エラー補償分析のための容量性素子の等価回路図である。
上述した図1aを再び参照すれば、第1容量性素子C1、第2容量性素子C2及びトランジスタT1の等価寄生容量性素子(Cpara)を等価回路に示すと、図7のようである。
これを参照して、トランジスタT1の制御電極に印加される電圧(Vgate=Q/C)を計算すると、下記の数式のようである。
ここで、Vintegrateは第1容量性素子C1の電圧、Vthは第2容量性素子C2の電圧、CparaはトランジスタT1のうち寄生容量性素子の容量である。
上記の数式に記載されたように、トランジスタT1の制御電極Vgateに印加される電圧は、第1容量性素子C1の電圧と係わる関数から第2容量性素子C2に保存された閾値電圧値を引いた値となる。したがって、本発明は周辺光感知回路100の出力電圧が前記第1容量性素子C1の電圧に比例するだけでなく、前記第2容量性素子C2によってトランジスタT1の閾値電圧も補償されることが分かる。
換言すれば、バッファリング過程T4中に第4容量性素子C4が放電して収束する電圧は、前記トランジスタT1の制御電極電圧(Vgate=Q/C)が小さいと相対的に小さく、前記トランジスタの制御電極電圧が大きいと相対的に大きい。
勿論、前記トランジスタの制御電極電圧が小さいということは前記受光素子に多くの光が入射されて多くの電流が流れたことを意味し、前記トランジスタの制御電極電圧が大きいというのは前記受光素子に少ない光が入射されて小さい電流が流れたことを意味する。
図8は、本発明による周辺光感知回路の周辺光変化による出力電圧の変化をシミュレーションしたグラフである。ここで、前記図8のグラフはバッファリング過程T4の間に得た結果であって、X軸は時間(ms)を、Y軸は電圧(V)を意味する。
上述したようにバッファリング過程T4においては、周辺光によって前記トランジスタT1の制御電極に印加されるカップリング電圧が変わって、出力負荷110を通じて出力されるアナログ電圧値も変わる。すなわち、受光素子PDを通じて入射される周辺光が小さいとそれに流れる電流が相対的に小さく、出力電圧は相対的に高く現われる。
また、前記受光素子PDを通じて入射される周辺光が大きいとそれに流れる電流は相対的に大きく、出力電圧は相対的に小さく現われる。
例えば、受光素子PDを通じて約11pAの小さい電流が流れる場合、出力電圧は約7.9961〜7.9965Vの間の値に収束される。このとき、出力電圧の偏差は約400nVとなる。
さらに、受光素子PDを通じて約1881pAの大きい電流が流れる場合、出力電圧は約3.0938〜3.11849Vの間の値に収束される。このとき、出力電圧の偏差は約24.7mVとなる。
ここで、人間は通常周辺光をログスケール(log scale)単位で認識することと知られている。すなわち、周辺光が小さい状態(例えば、暗い室内)では少しの周辺光の変化も容易に認識するが、周辺光が相対的に大きい状態(例えば、太陽光の下)では小さい周辺光の変化を感じ難い。
したがって、本発明のように周辺光が相対的に小さい状態では、小さい偏差を有する出力電圧が出力されることが望ましい。また、周辺光が相対的に大きい状態では比較的大きい偏差を有する出力電圧が出力されても、どうせこれは人間が感じ難いため、その出力電圧の利用に大きい問題はないことが分かる。
図9は、本発明による周辺光感知回路に周辺光制御処理部がさらに繋がれた状態を示したブロック図である。
示されたように本発明は、前記周辺光感知回路100からの信号処理のために周辺光制御処理部200をさらに含むことができる。前記周辺光制御処理部200は、アナログデジタルコンバータ210、第1メモリ220、制御部230及び第2メモリ240を含む。
前記アナログデジタルコンバータ210は、前記トランジスタT1の第1電極を通じて電気的に繋がれている。勿論、上述した出力負荷110及び第4容量性素子C4などは、前記アナログデジタルコンバータ210に内蔵することができる。実質的に、前記出力負荷はアナログデジタルコンバータの内部部下であり、前記第4容量性素子は配線に形成される容量性成分であり得ると既述した。このようなアナログデジタルコンバータ210は、前記アナログ出力電圧値をデジタル値に変換して出力する役割をする。
前記第1メモリ220は、前記アナログデジタルコンバータ210に電気的に繋がれ、これは現在感知された周辺光状態によるデジタル値を臨時に保存する役割をする。
前記制御部230は前記第1メモリ220に電気的に繋がれ、現在感知された周辺光の明るさを計算して出力する役割をする。
前記第2メモリ240は前記制御部230に電気的に繋がれ、多くの明るさの周辺光から得たデジタル値をあらかじめ保存する役割をする。
このような構成によって本発明は、第1メモリ220から入力される感知された周辺光データ及び第2メモリ240に保存された多くの明るさの周辺光データを相互比べ、現在の周辺光の明るさを計算するようになる。
一方、図面において、前記第3スイッチS3は周辺光制御処理部200に形成されたことと示されているが、このような構成で本発明は限定されない。すなわち、前記第3スイッチS3は周辺光感知回路100に形成されることができる。実質的に、前記周辺光感知回路100は有機電界発光表示パネルと同じ基板に形成される一方、前記周辺光制御処理部200はワンチップ(one chip)形態として別個に形成されることもできる。勿論、このようなワンチップ形態に前記周辺光制御処理部200を限定することはなく、これは有機電界発光表示パネルと同じ基板に形成されることができる。
ここで、前記第3スイッチS3は、設計の便宜上、ワンチップ形態の周辺光制御処理部200に形成するか、または基板に形成される前記周辺光感知回路100に形成することができる。
図10は、本発明の一実施例による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図である。
前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200は、説明の便宜上、ブロック図で示した。
示されたように本発明による平板表示装置1100は、上述した周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200の他、タイミング制御部300、データ駆動部400、有機電界発光表示パネル500、走査駆動部600及び発光制御駆動部700を含めてなることができる。勿論、前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200の構成及び動作については詳しく前述したので、ここではその説明を最小化する。
さらに、前記有機電界発光表示パネル500には、回路部と有機発光層が1つの画素をなして、このような画素はマトリクス状に配列されて静止画または動画を表示するようになる。すなわち、前記有機電界発光表示パネル500には、データ駆動部400から延びた多数のデータ線D1〜Dmが形成され、前記走査駆動部600から延びた多数の走査線S1〜Snが形成され、前記発光制御駆動部700から延びた多数の発光制御線E1〜Enが形成されることができる。また、前記データ線、走査線及び発光制御線の相互交差領域に所定画素Pが形成されることができる。
前記タイミング制御部300は、明るさ選択部310及びルックアップテーブル320を含むことができる。このようなタイミング制御部300は、前記明るさ選択部310が前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値をルックアップテーブル320にあらかじめ保存された値と比べ、それに適するデータ制御信号を前記データ駆動部400に出力する。勿論、前記ルックアップテーブル320には、R、G、B別に前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値とマッチングされる最適の明るさデータ制御信号があらかじめ保存されていることは当然である。
すると、前記データ駆動部400は、有機発光パネル500に外部周辺光に応じる適したデータ信号を出力する。例えば、感知された周辺光が相対的に明るい場合には、相対的に明るい光を出力するデータ電圧(|V|)を出力することで、強い明るさの画面を有機電界発光表示パネル500を通じて表示させる。また、感知された周辺光が相対的に暗い場合には、相対的に暗い光を出力するデータ電圧(|V|)を出力することで、弱い明るさの画面を有機電界発光表示パネル500を通じて表示させる。
このようにして、本発明は外部の周辺光によって自動的に画面の明るさが調整される表示装置を提供する。ここで、前記走査駆動部600は、前記有機電界発光表示パネル500でオンしようとする画素とオフしようとする画素を選択できるように走査信号を有機電界発光表示パネル500に供給する役割をし、前記発光制御駆動部700は各画素のオンする時間と対応する発光時間信号を有機電界発光表示パネル500に供給する役割をする。このような走査駆動部600及び発光制御駆動部700は当業者には公知の事項であるため、ここでは詳しい説明を省略する。
一方、ここまで説明した周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200、タイミング制御部300、データ駆動部400、有機電界発光表示パネル500、走査駆動部600及び発光制御駆動部700はすべて1つの共通基板に半導体工程及び厚膜工程などを通じて形成できることは当然である。勿論、本発明は前記周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200、タイミング制御部300、データ駆動部400、有機電界発光表示パネル500、走査駆動部600及び発光制御駆動部700のうち少なくともいずれか1つが前記有機電界発光表示パネル500が形成された基板と違う基板またはチップに形成されることもでき、このような各構成要素の形成位置は限定されない。
図11aは、平板表示装置の有機電界発光表示パネルのうち一画素回路の一例を示した回路図であり、図11bはそのタイミングダイヤグラムである。
図11aに示されたように画素回路は、走査信号を供給する走査線Sn、データ電圧を供給するデータ線Dm、第1電圧を供給する第1電源線VDD、第2電圧を供給する第2電源線VSS、オートゼロ信号を供給するオートゼロ線An、発光制御信号を供給する発光制御線En、第1トランジスタないし第4トランジスタT1、T2、T3、T4、第1、2容量性素子C1、C2及び有機電界発光素子OLEDを含む。ここで、前記第1電源線VDDの電圧は前記第2電源線VSSの電圧に比べて相対的に高いレベルである。また、一部の図面符号が図1ないし図9に使われたものと重なるが、ここに表示された図面符号は図11a及び図11bだけに限定されるものであることを留意する。
図11bに示されたようにこのような画素回路は、第3トランジスタT3の制御電極にオートゼロ線Anからローレベルのオートゼロ信号が供給されると、前記第3トランジスタT3がターンオンされる。続いて、第4トランジスタT4の制御電極に発光制御線Enからハイレベルの発光信号が供給されると、前記第4トランジスタT4がトンオプされる。すると、前記第1トランジスタT1はダイオード形態で繋がれながら、第1容量性素子C1に前記第1トランジスタT1の閾値電圧が保存される。再び前記オートゼロ信号がハイレベルとなって第3トランジスタT3がターンオフされ、続いて第2トランジスタT2の制御電極に走査線Snからローレベルの走査信号が供給されると、前記第2トランジスタT2がターンオンされる。すると、データ線Dmからローレベルのデータ電圧が第2容量性素子C2に印加され、続いて前記第1容量性素子C1と第2容量性素子C2の比(ratio)によって閾値電圧が補償された形態のデータ電圧が、第1トランジスタT1の制御電極に供給される(データ書き込み動作)。
続いて、第4トランジスタT4の制御電極に発光制御線Enからローレベルの発光信号が供給されると、前記第4トランジスタT4がターンオンされて第1電源線VDDから所定電流が前記第1トランジスタT1を通じて有機電界発光素子OLEDに流れて発光が行われる。
このような画素回路によれば、有機電界発光素子に流れる電流は第1トランジスタの閾値電圧にかかわらずデータ線から供給されるデータ電圧だけに対応して流れる。
一方、本発明は、上述したように周辺の明るさに応じて画面の明るさが自動的に調節される。さらに具体的に、本発明は前記画素回路中のデータ線Dmを通じるデータ電圧が調節されることで、第1容量性素子C1及び第2容量性素子C2によるカップリング電圧が調節され、これによって第1トランジスタT1を通じる有機電界発光素子OLEDへの電流量が変わる。
すなわち、図11bに示されたデータ電圧Dmのうち時間Tではなく電圧Vの大きさが調節されることで、第1容量性素子C2に保存されるデータ電圧が変わるようになり、これによって結局有機電界発光素子OLEDを通じて流れる電流量(明るさ)も変わる。例えば、周辺が暗い場合、相対的に暗い光を出力するデータ電圧(|V|)が供給され、これによって有機電界発光素子OLEDを通じる電流量が小くなり、したがって相対的に暗い画面を表示させる。また、周辺が明るい場合、相対的に明るい光を出力するデータ電圧(|V|)が供給され、これによって有機電界発光素子OLEDを通じる電流量が大きくなり、したがって相対的に明るい画面を表示させる。
図12は、本発明の他の実施例による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図である。
前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200は、説明の便宜上、ブロック図で示した。
示されたように、本発明による平板表示装置1200は、上述した周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200の他、タイミング制御部300、データ駆動部400、有機電界発光表示パネル500、走査駆動部600及び発光制御駆動部700を含めてなり得る。勿論、前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200の構成及び動作については詳しく上述したので、ここではその説明を最小化する。
前記タイミング制御部300は、明るさ選択部310及びルックアップテーブル320を含むことができる。このようなタイミング制御部300は、前記明るさ選択部310が前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値をルックアップテーブル320にあらかじめ保存された値と比べ、それに適する制御信号を前記発光制御駆動部700に出力する。勿論、前記ルックアップテーブル320には、R、G、B別に前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値とマッチングされる最適の制御信号があらかじめ保存されていることは当然である。
すると、前記発光制御駆動部700は、有機発光パネル500に外部周辺光に応じる適した発光制御信号を出力するようになる。例えば、感知された周辺光が相対的に明るい場合には、相対的に長時間の発光制御信号を出力することで、強い明るさの画面を有機電界発光表示パネル500を通じて表示させる。また感知された周辺光が相対的に暗い場合には、相対的に短時間の発光制御信号を出力することで、弱い明るさの画面を有機電界発光表示パネル500を通じて表示させる。
このようにして、本発明は外部の周辺光によって自動的に画面の明るさが調整される表示装置を提供する。
ここで、前記データ駆動部400は、前記有機電界発光表示パネル500にデータ電圧を供給する役割をし、前記走査駆動部600は前記有機電界発光表示パネル500でオンしようとする画素とオフしようとする画素を選択できるように走査信号を供給する役割をする。このようなデータ駆動部400及び走査駆動部600は、当業者には公知の事項であるため、ここでは詳しい説明を省略する。
図13aは、平板表示装置の有機電界発光表示パネルのうち一画素回路の一例を示した回路図であり、図13bはそのタイミングダイヤグラムである。
本発明は、上述したように周辺の明るさに応じて画面の明るさが自動的に調節される。さらに具体的に、本発明は、前記画素回路のうち発光制御線Enを通じる発光制御時間を調節することで、前記有機電界発光素子OLEDの発光時間を調節する。
すなわち、図13a及び図13bに示された発光制御信号Enのうち時間Tの長さを調節することで、有機電界発光素子OLEDの発光時間を調節する。例えば、周辺が暗い場合、相対的に短時間の発光制御時間Tを供給することで、有機電界発光素子OLEDの発光時間を相対的に短くして暗い画面を表示させる。また、周辺が明るい場合、相対的に長時間の発光制御時間Tを供給することで、有機電界発光素子OLEDの発光時間を相対的に長くして明るい画面を表示させる。
図14は、本発明による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図である。
前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200は、説明の便宜上、ブロック図で示した。
示されたように、本発明による平板表示装置1300は、上述した周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200の他、タイミング制御部300、データ駆動部400、有機電界発光表示パネル500、走査駆動部600、発光制御駆動部700及び電源制御部800を含めてなり得る。勿論、前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200の構成及び動作については詳しく上述したので、ここではその説明を最小化する。
さらに、前記有機電界発光表示パネル500には、回路部と有機発光層が1つの画素をなし、このような画素はマトリクス状に配列されて静止画または動画を表示するようになる。すなわち、前記有機電界発光表示パネル500には、データ駆動部400から延びた多数のデータ線D1〜Dmが形成され、前記走査駆動部600から延びた多数の走査線S1〜Snが形成され、前記発光制御駆動部700から延びた多数の発光制御線E1〜Enが形成され、前記電源制御部800から延びた多数の電源線PLが形成されることができる。
前記タイミング制御部300は、明るさ選択部310及びルックアップテーブル320を含むことができる。このようなタイミング制御部300は、前記明るさ選択部310が前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値をルックアップテーブル320にあらかじめ保存された値と比べ、それに適する制御信号を前記電源制御部800に出力する。勿論、前記ルックアップテーブル320には、R、G、B別に前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値とマッチングされる最適の制御信号があらかじめ保存されていることは当然である。
すると、前記電源制御部800は前記有機電界発光表示パネル500に外部周辺光に応じる適した電源電圧を供給するようになる。例えば、感知された周辺光が相対的に明るい場合には、相対的に高い電源電圧を供給することで、強い明るさの画面を有機電界発光表示パネル500を通じて表示させる。また、感知された周辺光が相対的に暗い場合には、相対的に小さい電源電圧を供給することで、弱い明るさの画面を有機電界発光表示パネル500を通じて表示させる。
このようにして、本発明は外部の周辺光によって自動的に画面の明るさが調整される表示装置を提供する。
ここで、前記データ駆動部400は前記有機電界発光表示パネル500にデータ電圧を供給する役割をし、前記走査駆動部600は前記有機電界発光表示パネル500でオンしようとする画素とオフしようとする画素を選択できるように走査信号を供給する役割をする。また、前記発光制御駆動部700は、有機電界発光表示パネル500に発光制御信号を供給することで、実際に画素がオンする時間を決める。このようなデータ駆動部400、走査駆動部600及び発光制御駆動部700は、当業者には公知の事項であるため、ここでは詳しい説明を省略する。
一方、ここまで説明した周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200、タイミング制御部300、データ駆動部400、有機電界発光表示パネル500、走査駆動部600、発光制御駆動部700及び電源制御部800は、すべて1つの共通基板に半導体工程及び厚膜工程などを通じて形成できることは当然である。勿論、本発明は、前記周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200、タイミング制御部300、データ駆動部400、走査駆動部600、発光制御駆動部700及び電源制御部800のうち少なくともいずれか1つが、前記有機電界発光表示パネル500が形成された基板と違う基板またはチップに形成されることもでき、このような各構成要素の形成位置は限定されない。
図15aは平板表示装置の有機電界発光表示パネルのうち一画素回路の一例を示した回路図であり、図15bはそのタイミングダイヤグラムである。
本発明は、上述したように周辺の明るさに応じて画面の明るさが自動的に調節される。さらに具体的に、本発明は前記画素回路のうち第1電源VDDの電圧を調節することで、前記有機電界発光素子OLEDの明るさ(輝度)が調節される。
すなわち、図15a及び図15bに示された第1電源VDDの電圧(図面では図面符号Vで示される)を調節することで、有機電界発光素子OLEDの明るさを調節する。例えば、周辺が暗い場合、相対的に小さい電源電圧を供給して、有機電界発光素子OLEDの明るさを相対的に小くして暗い画面を表示させる。また、周辺が明るい場合、相対的に高い電源電圧を供給することで、有機電界発光素子OLEDの明るさを相対的に大きくして明るい画面を表示させる。
図16は、本発明の他の実施例による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図である。
前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200は、説明の便宜上、ブロック図で示した。
示されたように、本発明による平板表示装置1400は、上述した周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200の他、タイミング制御部300、インバータ910、バックライト920、ゲート駆動部930、データ駆動部940及び液晶表示パネル950をさらに含めてなり得る。勿論、前記周辺光感知回路100及び周辺光制御処理部200の構成及び動作については詳しく上述したので、ここではその説明を最小化する。
前記タイミング制御部300は、明るさ選択部310及びルックアップテーブル320を含むことができる。このようなタイミング制御部300は、前記明るさ選択部310が前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値をルックアップテーブル320にあらかじめ保存された値と比べ、それに適する制御信号を前記インバータ910に出力する。勿論、前記ルックアップテーブル320には、前記周辺光制御処理部200から入力されるデジタル値とマッチングされる最適の制御信号があらかじめ保存されていることは当然である。
すると、前記インバータ910は、前記バックライト920に外部周辺光に適する昇圧電圧を供給するようになる。例えば、前記インバータ910は感知された周辺光が相対的に明るい場合、相対的に高い昇圧電圧をバックライト920に供給させることで、強い明るさの画面を液晶表示パネル950を通じて表示させる。また、前記インバータ910は感知された周辺光が相対的に暗い場合、相対的に小さい昇圧電圧をバックライト920に供給させることで、弱い明るさの画面を液晶表示パネル950を通じて表示させる。
このようにして、本発明は外部の周辺光によって自動的に画面の明るさが調整される表示装置を提供する。
一方、前記液晶表示パネル950は、回路部とカラーフィルタなどが1つの画素Pをなして、このような画素はマトリクス状に配列されて静止画または動画を表示するようになる。勿論、前記回路部とカラーフィルタは一種のカメラシャッターの役割をし、前記液晶表示パネル950の背面には高輝度発光ダイオードまたはCCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)のようなバックライト920が位置されて、前記バックライト920から出力される光によって所定明るさの映像が表示される。また、前記液晶表示パネル950にはゲート駆動部930から延びた多数の走査線S1〜Snが形成され、前記データ駆動部940から延びた多数のデータ線D1〜Dmが形成されることができる。
ここで、前記ゲート駆動部930は前記液晶表示パネル950に走査信号を供給する役割をし、前記データ駆動部940は前記液晶表示パネル950からデータ電圧を供給する役割をする。このようなゲート駆動部930及びデータ駆動部940は、当業者には公知の事項であるため、ここでは詳しい説明を省略する。
一方、ここまで説明した周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200、タイミング制御部300、インバータ910、ゲート駆動部930、データ駆動部940及び液晶表示パネル950は、すべて1つの共通基板に半導体工程及び厚膜工程などを通じて形成できることは当然である。勿論、本発明は、前記周辺光感知回路100、周辺光制御処理部200、タイミング制御部300、インバータ910、ゲート駆動部930、データ駆動部940のうち少なくともいずれか1つが、前記液晶表示パネル950が形成された基板と違う基板またはチップに形成されることもでき、このような各構成要素の形成位置は限定されない。
図17は、本発明による平板表示装置中のインバータの一例を示したブロック図である。
示されたように、インバータ910は前記タイミング制御部300から明るさに係わる制御信号が入力されると、前記制御信号に応じたPWM(Pulse Width Modulation)制御信号を出力するPWM制御部911と、前記PWM制御部911の出力信号を入力信号として、電源電圧VDDを一定レベルに昇圧して前記バックライト920に供給するコンバータ912と、前記バックライト920を通じる電流を感知して、これを前記PWM制御部911にフィードバックする電流感知部913を含めてなり得る。勿論、このようなインバータ910の構成は一例に過ぎず、この以外にも多様な構成のインバータが存在することを留意しなければならない。
前記PWM制御部911には、上述したようにタイミング制御部300から明るさに係わる制御信号が入力されることができる。
すると、前記PWM制御部911は、コンバータ912に上述した制御信号とマッチングされるPWM制御信号を出力する。すなわち、現在周辺光が暗いと、昇圧電圧を相対的に低めるPWM制御信号を出力し、現在周辺光が明るいと、昇圧電圧を相対的に高めるPWM制御信号を出力する。
すると、前記コンバータ912は電源電圧VDDを供給された後、これを前記PWM制御信号に対応して所定電圧に昇圧して前記バックライト920に供給する。勿論、これによって前記バックライト920は所定の明るさで点灯される。ここで、前記バックライト920は、昇圧電圧が低い場合には明るさを低めて、昇圧電圧が高い場合には明るさを高める。
一方、多数の抵抗、ダイオード及び容量性素子などからなる電流感知部913は、前記バックライト920を通じる電流を一定レベルに低めた後、これを前記PWM制御部911にフィードバックする。したがって、前記PWM制御部911は目標とする明るさに応じて前記バックライト920を効率的に制御することができる。
このようにして、本発明は周辺光が暗い場合、前記バックライト920が相対的に暗く点灯されることで、液晶表示パネル950を通じる画面の明るさが相対的に暗くなる。また、本発明は周辺光が明るい場合、前記バックライト920が相対的に明るく点灯されることで、液晶表示パネル950を通じる画面の明るさが相対的に明るくなる。すなわち、本発明による平板表示装置は周辺光に対応してその画面の明るさが自動的に調節される。
以上の説明は、本発明による周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置を実施するための1つの実施例に過ぎず、本発明は前記実施例に限定されることなく、特許請求の範囲のように本発明の要旨を逸脱せずに当業者であれば誰でも多様な変更実施が可能な範囲まで本発明の技術的精神があると言えるでしょう。
本発明による周辺光感知回路を示した回路図。 本発明による周辺光感知回路を示した回路図。 本発明による周辺光感知回路のタイミングダイヤグラム。 本発明の周辺光感知回路による初期化期間中の電流の流れを示した図。 本発明の周辺光感知回路による周辺光感知期間中の電流の流れを示した図。 本発明の周辺光感知回路による周辺光感知及び補償期間中の電流の流れを示した図。 本発明の周辺光感知回路によるバッファリング期間中の電流の流れを示した図。 本発明による周辺光感知回路において、エラー補償分析のための容量性素子の等価回路図。 本発明による周辺光感知回路の周辺光変化による出力電圧の変化をシミュレーションしたグラフ。 本発明による周辺光感知回路に周辺光制御処理部がさらに繋がれた状態を示したブロック図。 本発明の一実施例による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図。 図10に示された平板表示装置の有機電界発光表示パネル中の画素回路の一例を示した回路図。 図11aに示した回路のタイミングダイヤグラム。 本発明の他の実施例による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図。 図12に示された平板表示装置の有機電界発光表示パネル中の画素回路の一例を示した回路図。 図13aに示した回路のタイミングダイヤグラム。 本発明の他の実施例による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図。 図14に示された平板表示装置の有機電界発光表示パネル中の画素回路の一例を示した回路図。 図15aに示した回路のタイミングダイヤグラム。 本発明の他の実施例による周辺光感知回路を有する平板表示装置の構成を示したブロック図。 図16に示された平板表示装置中のインバータの一例を示したブロック図。
符号の説明
100 周辺光感知回路
T1 トランジスタ
C1〜C4 第1〜第4容量性素子
PD 受光素子
S1〜S8 第1〜第8スイッチ
110 出力負荷
200 周辺光制御処理部
210 アナログデジタルコンバータ
220 第1メモリ
230 制御部
240 第2メモリ
300 タイミング制御部
310 明るさ選択部
320 ルックアップテーブル
400 データ駆動部
500 有機電界発光表示パネル
600 走査駆動部
700 発光制御駆動部
800 電源制御部
910 インバータ
911 PWM制御部
912 コンバータ
913 電流感知部
920 バックライト
930 ゲート駆動部
940 データ駆動部
950 液晶表示パネル

Claims (30)

  1. 周辺光に比例して電流を流す受光素子と、
    第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、
    前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、
    前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を出力するトランジスタと、を含めてなることを特徴とする周辺光感知回路。
  2. 前記第1容量性素子には、前記受光素子の逆バイアス容量を増加させる第3容量性素子が電気的にさらに繋がれたことを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  3. 前記受光素子、第1容量性素子及び第2容量性素子は第1電源と第2電源間に電気的に繋がれて初期化され、
    前記受光素子に前記第1容量性素子が電気的に繋がれて、前記受光素子に入射される周辺光によって前記第1容量性素子が放電され、
    前記第2容量性素子及びトランジスタが第1電源の間に電気的に繋がれて、前記トランジスタの閾値電圧を前記第2容量性素子が保存し、
    前記第1容量性素子及び第2容量性素子が電気的に繋がれて、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記トランジスタが電流を出力することを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  4. 前記受光素子は、PINダイオード、PNダイオード及びフォトカップラのうち選択されたいずれか1つであることを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  5. 前記受光素子には、前記受光素子を第1電源または第1容量性素子に電気的に繋げる第1スイッチが電気的にさらに繋がれたことを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  6. 前記第1容量性素子には、前記第1容量性素子を第1電源または第2容量性素子に電気的に繋げる第2スイッチが電気的にさらに繋がれたことを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  7. 前記トランジスタの第1電極には、第1電源を供給する第3スイッチが電気的に繋がれ、
    前記トランジスタの第2電極と制御電極間には第4スイッチが電気的に繋がれ、
    前記トランジスタの第2電極には第2電源を供給する第5スイッチが電気的に繋がれ、
    前記トランジスタの第1電極と前記第3スイッチ間に電流を出力する出力端子が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  8. 前記第5スイッチがターンオンされ、前記出力端子を通じて繋がれた出力負荷に充電された電圧が、前記トランジスタ及び第5スイッチを通じて第2電源に放電されることを特徴とする請求項7に記載の周辺光感知回路。
  9. 前記第3容量性素子の第1電極は第6スイッチを通じて前記第1容量性素子に、第7スイッチを通じて第1電源に電気的に繋がれ、第2電極は第2電源に電気的に繋がれたことを特徴とする請求項2に記載の周辺光感知回路。
  10. 前記第1電源には前記受光素子、第1容量性素子及び第2容量性素子に第1電源の供給のための第8スイッチが電気的にさらに繋がれたことを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  11. 前記トランジスタの出力端子には、周辺光制御処理部が電気的にさらに繋がれたことを特徴とする請求項1に記載の周辺光感知回路。
  12. 前記周辺光制御処理部は、
    前記トランジスタの第1電極に電気的に繋がれたアナログデジタルコンバータと、
    前記アナログデジタルコンバータに電気的に繋がれて現在の周辺光状態に応ずるデジタル値を保存する第1メモリと、
    前記第1メモリに電気的に繋がれて現在の周辺光の明るさを計算して出力する制御部と、
    前記制御部に電気的に繋がれて多くの明るさの周辺光から得たデジタル値をあらかじめ保存している第2メモリと、を含めてなることを特徴とする請求項11に記載の周辺光感知回路。
  13. 前記アナログデジタルコンバータは、
    前記トランジスタの第1電極に電気的に繋がれた出力負荷と、
    前記出力負荷と第2電源間に電気的に繋がれた第4容量性素子と、を含めてなることを特徴とする請求項12に記載の周辺光感知回路。
  14. 周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、
    前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、
    前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、
    前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適するデータ信号を出力するデータ駆動部と、
    前記データ駆動部のデータ信号を入力信号として画面を出力する有機電界発光表示パネルと、を含めてなることを特徴とする平板表示装置。
  15. 前記タイミング制御部は、
    現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、
    前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記データ駆動部に出力する明るさ選択部と、を含めてなることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
  16. 前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、データ駆動部及び有機電界発光表示パネルは、1つの基板に形成されたことを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
  17. 前記データ駆動部は、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例するデータ電圧を出力することを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
  18. 周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、
    前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、
    前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、
    前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する発光制御信号を出力する発光制御駆動部と、
    前記発光制御駆動部の発光制御信号を入力信号として自発光する有機電界発光表示パネルと、を含めてなることを特徴とする平板表示装置。
  19. 前記タイミング制御部は、
    現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、
    前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記発光制御駆動部に出力する明るさ選択部と、を含めてなることを特徴とする請求項18に記載の平板表示装置。
  20. 前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、発光制御駆動部及び有機電界発光表示パネルは、1つの基板に形成されたことを特徴とする請求項18に記載の平板表示装置。
  21. 前記発光制御駆動部は、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例する時間の間に発光制御信号を出力することを特徴とする請求項18に記載の平板表示装置。
  22. 周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、
    前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、
    前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、
    前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する電源電圧を出力する電源制御部と、
    前記電源制御部の電源電圧を入力信号として自発光する有機電界発光表示パネルと、を含めてなることを特徴とする平板表示装置。
  23. 前記タイミング制御部は、
    現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、
    前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記電源制御部に出力する明るさ選択部と、を含めてなることを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置。
  24. 前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、電源制御部及び有機電界発光表示パネルは、1つの基板に形成されたことを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置。
  25. 前記電源制御部は、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例する電源電圧を出力することを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置。
  26. 周辺光に比例して電流を流す受光素子と、第1電源の電圧で充電された後、前記受光素子に電気的に繋がれて放電される第1容量性素子と、前記第1容量性素子に電気的に繋がれてカップリング電圧を提供する第2容量性素子と、前記第2容量性素子に電気的に繋がれた後、前記第1容量性素子及び第2容量性素子のカップリング電圧に対応して前記第1電源から電流を流すトランジスタからなる周辺光感知回路と、
    前記周辺光感知回路の出力信号を入力信号として現在の周辺光を計算してデジタル値で出力する周辺光制御処理部と、
    前記周辺光制御処理部の出力信号を入力信号として現在の周辺光に適する制御信号を出力するタイミング制御部と、
    前記タイミング制御部の出力信号を入力信号として現在の周辺光にあわせて電源電圧を昇圧して出力するインバータと、
    前記インバータから供給される電圧によって点灯されるバックライトと、
    前記バックライトによって画面を表示する液晶表示パネルと、を含めてなることを特徴とする平板表示装置。
  27. 前記タイミング制御部は、
    現在の照明に応ずるデータを保存しているルックアップテーブルと、
    前記周辺光制御処理部から得たデータを前記ルックアップテーブルに保存されたデータと比べ、現在の照明に応ずる制御信号を選択して前記インバータに出力する明るさ選択部と、を含めてなることを特徴とする請求項26に記載の平板表示装置。
  28. 前記周辺光感知回路、周辺光制御処理部、タイミング制御部、インバータ及び液晶表示パネルは、1つの基板に形成されたことを特徴とする請求項26に記載の平板表示装置。
  29. 前記インバータは、前記周辺光感知回路から得た周辺光に比例する昇圧電圧を出力することを特徴とする請求項26に記載の平板表示装置。
  30. 前記インバータは、
    前記タイミング制御部から制御信号が入力されると、前記制御信号に応じたPWM制御信号を出力するPWM制御部と、
    前記PWM制御部の出力信号を入力信号として、電源電圧を一定レベルに昇圧して前記バックライトに供給するコンバータと、
    前記バックライトを通じる電流を感知して、これを前記PWM制御部にフィードバックする電流感知部と、を含めてなることを特徴とする請求項26に記載の平板表示装置。
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