JP4164590B2 - 光センサ回路 - Google Patents
光センサ回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4164590B2 JP4164590B2 JP35962299A JP35962299A JP4164590B2 JP 4164590 B2 JP4164590 B2 JP 4164590B2 JP 35962299 A JP35962299 A JP 35962299A JP 35962299 A JP35962299 A JP 35962299A JP 4164590 B2 JP4164590 B2 JP 4164590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- mos transistor
- voltage
- optical sensor
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 37
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 84
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J1/46—Electric circuits using a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、光信号を検知して電気信号に変換する、特にシャッタ機能を有する光センサ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
イメージセンサの1画素分の構成要素となるシャッタ機能(サンプルアンドホールド機能)を有する光センサ回路としては、図1に示すように、光信号を検知して電気信号に変換する光センサ素子としてのフォトダイオードPDと、そのフォトダイオードPDの寄生容量であるコンデンサC1の電荷を充放電するためのMOS型トランジスタQ1と、フォトダイオードPDの端子電圧を画素信号として蓄積するためのコンデンサC2と、コンデンサC1の電荷をコンデンサC2へ転送するためのMOS型トランジスタQ2と、コンデンサC2の端子電圧を増幅するためのMOS型トランジスタQ3と、その増幅された画素信号を選択的に出力させるMOS型トランジスタQ4とからなっている。
【0003】
このように構成された光センサ回路において、従来では、図9に示すような各部信号のタイミングをもって動作させるようにしている。
【0004】
すなわち、タイミングt1〜t2において駆動電圧V1をハイレベルにすることによってトランジスタQ1をオン状態にし、フォトダイオードPDの寄生容量であるコンデンサC1に電荷を充電する。そして、タイミングt2〜t3において、コンデンサC1に充電された電荷は、フォトダイオードPDに光が入射することによって流れるセンサ電流に比例した電荷が放電される。
【0005】
次に、タイミングt3〜t4においてトランジスタQ2をオンにして、コンデンサC1の電荷をコンデンサC2に転送する。そして、タイミングt4〜t5においてトランジスタQ4をオンにすると、トランジスタQ3によって制限されるが電源V5から電流が供給されて、抵抗Rを介して画素信号がVoutとして出力される。
【0006】
なお、この光センサ回路の構成にあっては、タイミングt4以後にトランジスタQ2がオフ状態になるとコンデンサC2の電荷が保持されることになり、次にシランジスタQ2をオンにすることによってコンデンサC1の電荷をコンデンサC2に転送するまではコンデンサC2の電荷は一定となる。つまり、トランジスタQ2がオフの期間(コンデンサC2の保持期間)は、コンデンサC1の端子電圧Vc1が変化しても画素信号としては同じ出力が得られることになる。
【0007】
以上のような光センサ回路とすることによって、画素単位でシャッタ機能をもたせることが可能となるため、シャッタの開放時間の制御などが可能になる。
【0008】
また、図10はシャッタ機能を有する光センサ回路の他の構成を示しており、ここでは特に、コンデンサC2の電荷を充放電するためのMOS型トランジスタQ5が設けられている。
【0009】
そして、このように構成された光センサ回路にあっても、前述の場合と同様に動作するが、この場合は特に、図11に示すように、タイミングt6〜t7においてトランジスタQ5をオンにすると、コンデンサC2の電荷が放電されて画素信号が初期化されるようになっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
図1に示すように構成された光センサ回路では、トランジスタQ2の働きによってコンデンサC1の端子電圧Vc1をコンデンサC2に転送できるが、コンデンサC2の電荷は次にトランジスタQ2がオンになるまで保持されている。したがって、コンデンサC1の端子電圧Vc1とコンデンサC2の端子電圧Vc2が異なる場合は、トランジスタQ2がオンとなる前のコンデンサC1の端子電圧Vc1がコンデンサC2に正確に反映されず、再現性が悪いという問題がある。
【0011】
光信号の検知を連続して行わせたときのコンデンサC1およびコンデンサC2に蓄積される電荷の状態を、図12にモデル的に示している。
【0012】
また、図10に示すように構成された光センサ回路では、コンデンサC2の電荷がトランジスタQ5によって充放電可能なため、コンデンサC1の端子電圧Vc1は再現性良くコンデンサC2に転送されるが、コンデンサC2の信号分はコンデンサC1の信号分より小さくなってしまうという問題がある。
【0013】
そのときのコンデンサC1およびコンデンサC2に蓄積される電荷の状態を、図13にモデル的に示している。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、図1に示す光センサ回路にあって、コンデンサC2の電圧再現性を防止するべく、トランジスタQ1をオンにしてフォトダイオードPDの寄生容量であるコンデンサC1の充放電を行わせるに際して、トランジスタQ2をオンにしてコンデンサC2の充電状態を初期化するようにしている。
【0015】
また、本発明は、コンデンサC2の電圧低下を防止するべく、シャッタが開放状態となる期間中は、サンプルアンドホールド用のトランジスタQ2をオンにして、コンデンサC1の端子電圧Vc1がコンデンサC2に常時伝達されるようにしている。
【0016】
そして、本発明では、ダイナミックレンジが広く、かつ再現性良く画素信号が得られるようにするべく、シャッタ機能に加えて電源電圧V2を切り換えることによる対数動作を行わせる初期設定手段をとるようにしている。
【0017】
【実施例】
本発明に係る光センサ回路は、図1に示すように、光信号を検知して電気信号に変換する光センサ素子としてのフォトダイオードPDと、そのフォトダイオードPDの寄生容量であるコンデンサC1の電荷を充放電するためのMOS型トランジスタQ1と、フォトダイオードPDの端子電圧を画素信号として蓄積するためのコンデンサC2と、コンデンサC1の電荷をコンデンサC2へ転送するためのMOS型トランジスタQ2と、コンデンサC2の端子電圧を増幅するためのMOS型トランジスタQ3と、その増幅された画素信号を選択的に出力させるMOS型トランジスタQ4とによって構成されている。
【0018】
このように構成された光センサ回路において、本発明では、特に、図2に示すように、各部駆動の制御信号を与えることにより、光信号に応じた電気信号が得られるようにしている。
【0019】
すなわち、タイミングt1〜t2において駆動電圧V1をハイレベルにすることによってトランジスタQ1をオン状態にし、フォトダイオードPDの寄生容量であるコンデンサC1に電荷を充電する。そして、タイミングt2〜t3において、コンデンサC1に充電された電荷は、フォトダイオードPDに光が入射することによって流れるセンサ電流に比例した電荷が放電される。
【0020】
この間のタイミングt1〜t3(シャッタ開放期間)ではトランジスタQ2もオン状態になっており、コンデンサC1の端子電圧Vc1とコンデンサC2の端子電圧Vc2とが同一になっている。
【0021】
そして、タイミングt3におけるトランジスタQ2のオフによってコンデンサC2の端子電圧Vc2は保持状態になる。
【0022】
次に、タイミングt4〜t5においてトランジスタQ4をオンにすると、トランジスタQ3によって制限されるが電源V5から電流が供給されて、抵抗Rを介して画素信号がVoutとして出力される。
【0023】
なお、この光センサ回路の構成にあっては、タイミングt3以後にトランジスタQ2がオフ状態になるとコンデンサC2の電荷が保持されることになり、次にトランジスタQ2をオンにすることによってコンデンサC1の電荷をコンデンサC2に転送するまではコンデンサC2の電荷は一定となる。つまり、トランジスタQ2がオフの期間(コンデンサC2の保持期間)は、コンデンサC1の端子電圧Vc1が変化しても画素信号としては同じ出力が得られることになる。
【0024】
したがって、図1に示す光センサ回路を図2に示すように動作させることによって、4トランジスタ構成でありながら再現性の良い画素信号Voutを得ることができるようになる。
【0025】
また、図3は本発明による光センサ回路の他の実施例を示している。
【0026】
この実施例では、特に、MOS型トランジスタQ1′として、フォトダイオードPDのセンサ電流を弱反転状態で対数特性をもって検出電圧に変換するものを用いるようにしている。そして、そのトランジスタQ1′のドレイン側の電源電圧V2を所定時間だけ定常値(ハイレベル)よりも低い電圧値(ローレベル)に設定して、ソース側に接続されたフォトダイオードPDの寄生容量であるコンデンサC1に蓄積された電荷を放電させて初期化する電圧コントローラ1(初期設定手段)を設けるようにしている。
【0027】
このように構成された光センサ回路の動作について、図4に示す各部信号のタイムチャートとともに、以下説明をする。
【0028】
電源電圧V1は、トランジスタQ1′に流れる電流が電源電圧V2をハイレベル状態としたときに弱反転状態で対数特性を有する検出電圧に変換される電圧値に設定されている。
【0029】
この状態において、タイミングt1〜t2において駆動電圧V2をローレベルにすると、トランジスタQ1′のドレイン・ソース間の電圧が大きくなることからトランジスタQ1′はオン状態となり、フォトダイオードPDの寄生容量であるコンデンサC1に電荷を放電させる。
【0030】
次に、t2の時点で駆動電圧V2がハイレベルに切り換わり、タイミングt2〜t3において、フォトダイオードPDに流れるセンサ電流とトランジスタQ1′から供給される電流がつり合うような電圧でコンデンサC1に電荷が充電される。
【0031】
このとき、トランジスタQ1′に流れる電流は弱反転状態で対数特性を有する検出電圧に変換されているため、コンデンサC1の端子電圧Vc1はフォトダイオードPDに入射した光量を対数変換出力したものとなる。
【0032】
その間のタイミングt1〜t3(シャッタ開放期間)ではトランジスタQ2もオン状態になっており、コンデンサC1の端子電圧Vc1とコンデンサC2の端子電圧Vc2とは同一になっている。
【0033】
そして、タイミングt3におけるトランジスタQ2のオフによってコンデンサC2の端子電圧Vc2は保持状態になる。
【0034】
次に、タイミングt4〜t5においてトランジスタQ4をオンにすると、トランジスタQ3によって制限されるが電源V5から電流が供給されて、抵抗Rを介して画素信号がVoutとして出力される。
【0035】
なお、この光センサ回路の構成にあっては、タイミングt3以後にトランジスタQ2がオフ状態になるとコンデンサC2の電荷が保持されることになり、次にシランジスタQ2をオンにすることによってコンデンサC1の電荷をコンデンサC2に転送するまではコンデンサC2の電荷は一定となる。つまり、トランジスタQ2がオフの期間(コンデンサC2の保持期間)は、コンデンサC1の電圧が変化しても画素信号としては同じ出力が得られることになる。
【0036】
したがって、図3に示す光センサ回路を図4に示すように動作させることによって、残像の影響がなく、かつダイナミックレンジの広い対数出力を有するシャッタ機能を実現できるようになる。
【0037】
以上説明した本発明による光センサ回路を1画素分の構成要素として、それを一次元または二次元状に配設することによってイメージセンサを構成することができるようになる。
【0038】
図5は、図1に示す光センサ回路を1画素として二次元のマトリクス状に配設したときのイメージセンサの構成例を示している。図中、2は各画素Sに共通に設けられた画素選択回路であり、3は各画素Sの画素信号を順次出力させるための信号選択回路である。
【0039】
図6は、このような構成によるイメージセンサの各部信号のタイムチャートを示している。
【0040】
この場合には、特に、タイミングt4〜t5において、マトリクス状に配された各画素Sの読出し走査が行われる。その際、各画素Sとしての光センサ回路におけるトランジスタQ4をオンにすると、トランジスタQ3によって制限されるが電源V5から電流が各画素に供給され、各画素Sの行に接続された抵抗Rを介して画素信号Voutとして出力されることになる。
【0041】
したがって、このような構成によれば、4トランジスタ構成でありながら再現性の良い画素信号Voutが得られるようになる。
【0042】
図7は、図3に示す光センサ回路を1画素として二次元のマトリクス状に配設したときのイメージセンサの構成例を示している。図中、1は各画素Sに共通に設けられた電圧コントローラであり、2は各画素Sに共通に設けられた画素選択回路であり、3は各画素Sの画素信号を順次出力させるための信号選択回路である。
【0043】
図8は、このような構成によるイメージセンサの各部信号のタイムチャートを示している。
【0044】
この場合にあっても、前述の場合と同様に、タイミングt4〜t5においてマトリクス状に配された各画素Sの読出し走査が行われる。
【0045】
なお、図6および図8に示すタイムチャートにあって、蓄積時間すなわち電源電圧V3がハイレベルになっているシャッタ開放期間をt4の時点まで長く設定することが可能である。
【0046】
【発明の効果】
以上、本発明は、光信号を検知して電気信号に変換する光センサ素子(PD)と、その光センサ素子のセンサ電流を弱反転状態で対数特性を有するセンサ電圧に変換する第1のMOS型トランジスタ(Q1)と、光信号の検出時にその第1のMOS型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ低い電圧に設定してソースに接続された前記光センサ素子の寄生容量(C1)に蓄積された電荷の充電を制御する初期設定手段と、記光センサ素子の端子電圧を画素信号として蓄積するためのコンデンサ(C2)と、前記光センサ素子の寄生容量の電荷をそのコンデンサへ転送するための第2のMOS型トランジスタ(Q2)と、前記コンデンサの端子電圧を増幅するための第3のMOS型トランジスタ(Q3)と、その増幅された画素信号を選択的に出力させる第4のMOS型トランジスタ(Q4)とからなる光センサ回路にあって、画素信号を蓄積する前に第2のMOS型トランジスタをオンにするとともに、初期設定手段の電圧をローレベル状態として前記光センサ素子の寄生容量と前記コンデンサの端子電圧をローレベル状態とし、一定時間の経過後に初期設定手段の電圧をハイレベル状態に切り換えて画素信号の蓄積を開始させたのち、一定の蓄積時間の経過後に第2のMOS型トランジスタをオフにして前記コンデンサをオープン状態としたうえで、第4のMOS型トランジスタをオンにするようにしたもので、残像の影響がなく、かつダイナミックレンジの広い対数出力を有するシャッタ機能を実現できて、再現性の良い画素信号を得ることができるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による光センサ回路の一実施例を示す電気回路図である。
【図2】 その一実施例における光センサ回路の各部信号のタイムチャートである。
【図3】 本発明による光センサ回路の他の実施例を示す電気回路図である。
【図4】 その他の実施例における光センサ回路の各部信号のタイムチャートである。
【図5】 本発明による光センサ回路を1画素として二次元のマトリクス状に配設したときのイメージセンサの一構成例を示すブロック図である。
【図6】 その一構成例におけるイメージセンサの各部信号のタイムチャートである。
【図7】 本発明による光センサ回路を1画素として二次元のマトリクス状に配設したときのイメージセンサの他の構成例を示すブロック図である。
【図8】 その他の構成例におけるイメージセンサの各部信号のタイムチャートである。
【図9】 図1に示す光センサ回路を従来のように動作させたときの各部信号のタイムチャートである。
【図10】 従来のシャッタ機能を有する光センサ回路の構成例を示す電気回路図である。
【図11】 その従来の光センサ回路の動作時における各部信号のタイムチャートである。
【図12】 図1に示す光センサ回路を従来のように動作させたときのコンデンサC1およびコンデンサC2に蓄積される電荷の状態をモデル的に示す図である。
【図13】 図10に示す光センサ回路を従来のように動作させたときのコンデンサC1およびコンデンサC2に蓄積される電荷の状態をモデル的に示す図である。
【符号の説明】
1 電圧コントローラ(初期設定手段)
2 画素選択回路
3 信号選択回路
Claims (2)
- 光信号を検知して電気信号に変換する光センサ素子(PD)と、その光センサ素子のセンサ電流を弱反転状態で対数特性を有するセンサ電圧に変換する第1のMOS型トランジスタ(Q1)と、光信号の検出時にその第1のMOS型トランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ低い電圧に設定してソースに接続された前記光センサ素子の寄生容量(C1)に蓄積された電荷の充電を制御する初期設定手段と、記光センサ素子の端子電圧を画素信号として蓄積するためのコンデンサ(C2)と、前記光センサ素子の寄生容量の電荷をそのコンデンサへ転送するための第2のMOS型トランジスタ(Q2)と、前記コンデンサの端子電圧を増幅するための第3のMOS型トランジスタ(Q3)と、その増幅された画素信号を選択的に出力させる第4のMOS型トランジスタ(Q4)とからなり、画素信号を蓄積する前に第2のMOS型トランジスタをオンにするとともに、初期設定手段の電圧をローレベル状態として前記光センサ素子の寄生容量と前記コンデンサの端子電圧をローレベル状態とし、一定時間の経過後に初期設定手段の電圧をハイレベル状態に切り換えて画素信号の蓄積を開始させたのち、一定の蓄積時間の経過後に第2のMOS型トランジスタをオフにして前記コンデンサをオープン状態としたうえで、第4のMOS型トランジスタをオンにするようにしたことを特徴とする光センサ回路。
- イメージセンサの1画素分の構成要素とするようにしたことを特徴とする請求項1の記載による光センサ回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35962299A JP4164590B2 (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 光センサ回路 |
CA002324123A CA2324123C (en) | 1999-11-12 | 2000-10-24 | Photo-sensor circuit |
GB0027295A GB2359355B (en) | 1999-11-12 | 2000-11-08 | A photo-sensor circuit and method |
US09/710,196 US6958775B1 (en) | 1999-11-12 | 2000-11-10 | Photo-sensor circuit with shutter function and operating method |
DE10065887A DE10065887B4 (de) | 1999-11-12 | 2000-11-10 | Photosensorschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35962299A JP4164590B2 (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 光センサ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001145024A JP2001145024A (ja) | 2001-05-25 |
JP4164590B2 true JP4164590B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=18465445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35962299A Expired - Fee Related JP4164590B2 (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 光センサ回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6958775B1 (ja) |
JP (1) | JP4164590B2 (ja) |
CA (1) | CA2324123C (ja) |
DE (1) | DE10065887B4 (ja) |
GB (1) | GB2359355B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9209210B2 (en) | 2011-11-03 | 2015-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Photo-detecting pixel, photo-detecting apparatus, and method of driving the photo-detecting apparatus |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3750502B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラシステム |
US7050094B2 (en) * | 2000-10-26 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter |
EP1265291A1 (fr) | 2001-06-08 | 2002-12-11 | EM Microelectronic-Marin SA | Capteur d'image CMOS et procédé permettant d'opérer un capteur d'image CMOS avec une dynamique accrue |
JP3829831B2 (ja) | 2003-09-09 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP3829832B2 (ja) | 2003-09-09 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP3829833B2 (ja) | 2003-09-09 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP4308170B2 (ja) | 2005-06-10 | 2009-08-05 | 本田技研工業株式会社 | イメージセンサ |
US7696463B2 (en) * | 2005-12-01 | 2010-04-13 | Honda Motor Co., Ltd. | Photosensor circuit presenting linear and logarithimic output characteristics and image sensor using the same |
JP4840992B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2011-12-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその制御方法並びに撮像装置 |
JP4840991B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2011-12-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその制御方法並びに撮像装置 |
KR100830583B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2008-05-22 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 캡쳐가 가능한 씨모스 이미지 센서의 픽셀 회로 및그것의 구조 |
JP5259132B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-08-07 | 三星ディスプレイ株式會社 | 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置 |
JP4959449B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-06-20 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置 |
KR100957948B1 (ko) | 2008-02-19 | 2010-05-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광센서 및 그를 이용한 평판표시장치 |
JP6436953B2 (ja) | 2016-09-30 | 2018-12-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像システム |
CN109470283B (zh) * | 2018-11-07 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 探测电路及其驱动方法、基板、探测器 |
TWI756830B (zh) * | 2020-09-18 | 2022-03-01 | 茂達電子股份有限公司 | 雙斜率光感測器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5822900B2 (ja) * | 1978-09-25 | 1983-05-12 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
US4839735A (en) * | 1986-12-22 | 1989-06-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid state image sensor having variable charge accumulation time period |
TW421962B (en) * | 1997-09-29 | 2001-02-11 | Canon Kk | Image sensing device using mos type image sensing elements |
US6046444A (en) * | 1997-12-08 | 2000-04-04 | Intel Corporation | High sensitivity active pixel with electronic shutter |
US6243134B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-06-05 | Intel Corporation | Method to reduce reset noise in photodiode based CMOS image sensors |
WO1999053687A1 (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-21 | Lygent, Inc. | A wide-range, low-voltage active imaging pixel apparatus and method of using the same |
JPH11298799A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Honda Motor Co Ltd | 光センサ信号処理装置 |
US6587142B1 (en) * | 1998-09-09 | 2003-07-01 | Pictos Technologies, Inc. | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset |
-
1999
- 1999-11-12 JP JP35962299A patent/JP4164590B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-24 CA CA002324123A patent/CA2324123C/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-08 GB GB0027295A patent/GB2359355B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-10 US US09/710,196 patent/US6958775B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-10 DE DE10065887A patent/DE10065887B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9209210B2 (en) | 2011-11-03 | 2015-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Photo-detecting pixel, photo-detecting apparatus, and method of driving the photo-detecting apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10065887A1 (de) | 2001-07-26 |
CA2324123A1 (en) | 2001-05-12 |
CA2324123C (en) | 2007-06-12 |
GB2359355A (en) | 2001-08-22 |
GB0027295D0 (en) | 2000-12-27 |
US6958775B1 (en) | 2005-10-25 |
GB2359355B (en) | 2004-06-02 |
DE10065887B4 (de) | 2010-04-29 |
JP2001145024A (ja) | 2001-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4164590B2 (ja) | 光センサ回路 | |
US7692713B2 (en) | Solid state image pickup device and camera utilizing a maximum value signal corresponding to a predetermined carrier-accumulation end level | |
EP1158789B1 (en) | Photodetector device | |
JP4308170B2 (ja) | イメージセンサ | |
JP3817294B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2000329616A (ja) | 光センサ回路 | |
JPH0245813B2 (ja) | ||
KR100423349B1 (ko) | 이미지 센서 | |
JP2000175108A (ja) | イメ―ジセンサの出力補正回路 | |
JP3861245B2 (ja) | 光センサ回路 | |
JP3822919B2 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 | |
US7372489B2 (en) | Signal processing circuit and solid-state image pickup device | |
JP2004349907A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4594179B2 (ja) | 光センサ回路 | |
JP4205717B2 (ja) | 光センサ回路およびイメージセンサ | |
JPH0556213A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4420402B2 (ja) | 光センサ回路およびイメージセンサ | |
JP2696676B2 (ja) | イメージセンサーの出力装置 | |
JP2802623B2 (ja) | イメージセンサーの出力装置 | |
JP3328691B2 (ja) | イメ−ジセンサ−の出力装置 | |
JPH11239245A (ja) | イメージセンサーic及び画像読み取り装置 | |
EP2254330A1 (en) | Method and system for operating an image data collection device | |
JP2668535B2 (ja) | イメージセンサーの電荷蓄積時間制御装置 | |
JP2753704B2 (ja) | イメージセンサーの出力装置 | |
JPH10300572A (ja) | 赤外線センサ読み出し回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060607 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070809 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080708 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |