JPH0245813B2 - - Google Patents
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- JPH0245813B2 JPH0245813B2 JP57008801A JP880182A JPH0245813B2 JP H0245813 B2 JPH0245813 B2 JP H0245813B2 JP 57008801 A JP57008801 A JP 57008801A JP 880182 A JP880182 A JP 880182A JP H0245813 B2 JPH0245813 B2 JP H0245813B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
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- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/36—Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光検出装置に関するものである。
光検出装置は、例えば、カメラ、ビデオカメラ等
において、複数の受光素子の配列を結像光学系の
結像面に配置して光学像情報を検出して合焦位置
を検出する場合等に用いられている。
光検出装置は、例えば、カメラ、ビデオカメラ等
において、複数の受光素子の配列を結像光学系の
結像面に配置して光学像情報を検出して合焦位置
を検出する場合等に用いられている。
例えば合焦位置検出のような場合には、光学像
の明るさが広い範囲にわたり変動しかつ時間的に
も変化するため、像の輝度に応じて光感度を常に
適当な水準に変化させるとともにある瞬間の光学
像情報を保持記憶する手段が必要である。光感度
の調節は、受光素子の光感度が一定であるため、
受光素子に生じる光電子を蓄積し、その蓄積値を
出力信号として、蓄積時間を制御して行なつてい
る。この蓄積時間を調節するには、光電子蓄積値
を常時監視する必要がある。しかし、受光素子が
多数の場合は、すべての蓄積値を監視することが
困難なため、蓄積値の平均値を監視することが行
なわれている。しかし、平均値である以上、高い
光照度を受けている受光素子の出力は測定範囲を
越えてしまうおそれがあり、この場合にどの程度
越えているか判断できない。
の明るさが広い範囲にわたり変動しかつ時間的に
も変化するため、像の輝度に応じて光感度を常に
適当な水準に変化させるとともにある瞬間の光学
像情報を保持記憶する手段が必要である。光感度
の調節は、受光素子の光感度が一定であるため、
受光素子に生じる光電子を蓄積し、その蓄積値を
出力信号として、蓄積時間を制御して行なつてい
る。この蓄積時間を調節するには、光電子蓄積値
を常時監視する必要がある。しかし、受光素子が
多数の場合は、すべての蓄積値を監視することが
困難なため、蓄積値の平均値を監視することが行
なわれている。しかし、平均値である以上、高い
光照度を受けている受光素子の出力は測定範囲を
越えてしまうおそれがあり、この場合にどの程度
越えているか判断できない。
これを避けるため、同時に光積分を行わせてい
る受光素子の全部あるいは適当に選んだ一部を逐
次走査して受光素子の出力を監視することが考え
られる。しかしながら。走査速度にも限界がある
ため、受光素子の出力の検出時間ずれが生じ、光
学像の光照度が短時間で変化するときは一走査終
了以前に出力が一定範囲を越えてしまうおそれが
あり、この場合に適切な光積分時間の設定は困難
である。
る受光素子の全部あるいは適当に選んだ一部を逐
次走査して受光素子の出力を監視することが考え
られる。しかしながら。走査速度にも限界がある
ため、受光素子の出力の検出時間ずれが生じ、光
学像の光照度が短時間で変化するときは一走査終
了以前に出力が一定範囲を越えてしまうおそれが
あり、この場合に適切な光積分時間の設定は困難
である。
そこでこの発明は、このような問題点に鑑みて
なされたもので、すべての受光素子について同時
に光積分を開始し、光積分開始後直ちに受光素子
の出力を逐次走査して出力の少なすとも１つの値
がある一定レベルである第１の参照信号VAに達
した時点ですべての出力を保持し、更にこれら保
持された出力の中にもう一つのレベルVB以上に
なつているものがあれば、光積分時間を順次減少
させて出力が第２の参照信号VB以下か否かを調
べて、すべての受光素子の出力が一定水準に保た
れるように制御して正確な光検出をすることを目
的としている。
なされたもので、すべての受光素子について同時
に光積分を開始し、光積分開始後直ちに受光素子
の出力を逐次走査して出力の少なすとも１つの値
がある一定レベルである第１の参照信号VAに達
した時点ですべての出力を保持し、更にこれら保
持された出力の中にもう一つのレベルVB以上に
なつているものがあれば、光積分時間を順次減少
させて出力が第２の参照信号VB以下か否かを調
べて、すべての受光素子の出力が一定水準に保た
れるように制御して正確な光検出をすることを目
的としている。
以下、この発明を図面に基づいて説明する。
第１図はこの発明の光検出装置の一実施例で、
１はフオトセンサで複数の光積分型の受光素子１
ａよりなる受光素子配列である。受光素子１ａに
はそれぞれ例えばMOS型のスイツチSW1が接続
されアースされている。またフオトセンサ１の受
光素子１ａ毎に記憶素子３ａがそれぞれ例えば
MOS型のスイツチSW2を介して接続され記憶手
段であるメモリ３を構成している。さらに、メモ
リ３の記憶素子３ａ毎に例えばMOS型のスイツ
チSW3を介して走査手段であるシフトレジスタ４
に接続されている。シフトレジスタ４は比較手段
である比較器５に接続されている。比較器５に
は、参照信号を設定する比較電圧発生回路５ａ、
シフトレジスタ４および比較電圧発生回路５ａを
出力を比較する電圧比較器５ｂ、および電圧比較
器５ｂの出力をラツチさせるラツチ回路５ｃが設
けられている。また、シフトレジスタ４は図示し
ないＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換器に連な
る増幅器７に接続されている。
１はフオトセンサで複数の光積分型の受光素子１
ａよりなる受光素子配列である。受光素子１ａに
はそれぞれ例えばMOS型のスイツチSW1が接続
されアースされている。またフオトセンサ１の受
光素子１ａ毎に記憶素子３ａがそれぞれ例えば
MOS型のスイツチSW2を介して接続され記憶手
段であるメモリ３を構成している。さらに、メモ
リ３の記憶素子３ａ毎に例えばMOS型のスイツ
チSW3を介して走査手段であるシフトレジスタ４
に接続されている。シフトレジスタ４は比較手段
である比較器５に接続されている。比較器５に
は、参照信号を設定する比較電圧発生回路５ａ、
シフトレジスタ４および比較電圧発生回路５ａを
出力を比較する電圧比較器５ｂ、および電圧比較
器５ｂの出力をラツチさせるラツチ回路５ｃが設
けられている。また、シフトレジスタ４は図示し
ないＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換器に連な
る増幅器７に接続されている。
２は光積分コントローラで、オンでチヤージし
オフで光積分を開始するスイツチSW1およびオン
でサンプリングしオフで保持するスイツチSW2に
それぞれ接続されている。この光積分コントロー
ラ２は光積分時間を計数する手段であるタイマ６
に接続されるとともに比較器５のラツチ回路５ｃ
とも接続されている。
オフで光積分を開始するスイツチSW1およびオン
でサンプリングしオフで保持するスイツチSW2に
それぞれ接続されている。この光積分コントロー
ラ２は光積分時間を計数する手段であるタイマ６
に接続されるとともに比較器５のラツチ回路５ｃ
とも接続されている。
次に第１図〜第５図を参照して動作を説明す
る。フオトセンサ１の受光素子１ａは、光積分コ
ントローラ２よりスイツチSW1へのオン信号によ
り同時に初期状態としてチヤージされる。すなわ
ち、第２図〜第５図においてチヤージ開始時tcか
ら光積分の開始時tsまで電圧VCが充電されてい
る。次に、光積分コントローラ２から積分開始信
号が与えられると、スイイチSW1はオフされて受
光素子１ａは光積分を開始して受光する光の強さ
に応じて出力曲線CA，CBのように蓄積される。
このときの受光素子１ａの出力信号は、光積分コ
ントローラ２からのサンプル信号によりスイツチ
SW2がオンされてメモリ３の記憶素子３ａ（例え
ばコンデンサ）に蓄えられる。さらにこの情報は
スイツチSW3がオンされるシフトレジスタ４の走
査駆動により、１ビツトずつ比較器５に送られ、
そのレベルが常に監視される。受光素子１ａの出
力信号と比較電圧発生回路５ａで設定された低位
の第１の参照信号VAと電圧比較器５ｂで比較し
て出力信号の少なくとも１つ（すなわち最大照度
を受ける受光素子）が第１の参照信号VAに達し
た時にその出力をラツチ回路５ｃでラツチする。
そして光積分コントローラ２はホールド信号を出
してスイツチSW2をオフさせてその時のフオトセ
ンサ１のすべての出力をメモリ３に保持させる。
このときメモリ３に保持されたデータは、比較器
５で判断した時よりも時間的に遅れていることあ
るいはフオトセンサ１の受けている光の強度によ
つては、第１の参照信号VAをかなり越えて飽和
に達している場合もある。そこで比較器５、シフ
トレジスタ４をリセツトして第１の参照信号VA
より高位の第２の参照信号VBとメモリ３の出力
とを比較器５を用いて再比較する。この再比較の
結果、メモリ３に記憶されたデータが有効（第２
の参照信号VB以下）ならば、そのデータは増幅
器７を通してＡ／Ｄ交換器に導かれ、順次アナロ
グ信号からデジタル信号へＡ／Ｄ変換がなされ
る。もし、有効でない（第２の参照信号VB以上）
場合は、最初の積分開始からホールドまでのその
ときの積分時間がタイマ６によつて計測されてお
り、この時間よりも短い次の光積分時間を設定
し、この時間で光積分を行ない、再び第２の参照
信号VBと出力との比較を行なう。有効なデータ
が得られるまで上述の動作を繰り返す制御を行な
う。
る。フオトセンサ１の受光素子１ａは、光積分コ
ントローラ２よりスイツチSW1へのオン信号によ
り同時に初期状態としてチヤージされる。すなわ
ち、第２図〜第５図においてチヤージ開始時tcか
ら光積分の開始時tsまで電圧VCが充電されてい
る。次に、光積分コントローラ２から積分開始信
号が与えられると、スイイチSW1はオフされて受
光素子１ａは光積分を開始して受光する光の強さ
に応じて出力曲線CA，CBのように蓄積される。
このときの受光素子１ａの出力信号は、光積分コ
ントローラ２からのサンプル信号によりスイツチ
SW2がオンされてメモリ３の記憶素子３ａ（例え
ばコンデンサ）に蓄えられる。さらにこの情報は
スイツチSW3がオンされるシフトレジスタ４の走
査駆動により、１ビツトずつ比較器５に送られ、
そのレベルが常に監視される。受光素子１ａの出
力信号と比較電圧発生回路５ａで設定された低位
の第１の参照信号VAと電圧比較器５ｂで比較し
て出力信号の少なくとも１つ（すなわち最大照度
を受ける受光素子）が第１の参照信号VAに達し
た時にその出力をラツチ回路５ｃでラツチする。
そして光積分コントローラ２はホールド信号を出
してスイツチSW2をオフさせてその時のフオトセ
ンサ１のすべての出力をメモリ３に保持させる。
このときメモリ３に保持されたデータは、比較器
５で判断した時よりも時間的に遅れていることあ
るいはフオトセンサ１の受けている光の強度によ
つては、第１の参照信号VAをかなり越えて飽和
に達している場合もある。そこで比較器５、シフ
トレジスタ４をリセツトして第１の参照信号VA
より高位の第２の参照信号VBとメモリ３の出力
とを比較器５を用いて再比較する。この再比較の
結果、メモリ３に記憶されたデータが有効（第２
の参照信号VB以下）ならば、そのデータは増幅
器７を通してＡ／Ｄ交換器に導かれ、順次アナロ
グ信号からデジタル信号へＡ／Ｄ変換がなされ
る。もし、有効でない（第２の参照信号VB以上）
場合は、最初の積分開始からホールドまでのその
ときの積分時間がタイマ６によつて計測されてお
り、この時間よりも短い次の光積分時間を設定
し、この時間で光積分を行ない、再び第２の参照
信号VBと出力との比較を行なう。有効なデータ
が得られるまで上述の動作を繰り返す制御を行な
う。
さらに、第２図〜第５図で光学像の明暗で区別
して説明する。
して説明する。
第２図は光学像が比較的暗い場合で、最大照度
を受ける受光素子１ａの出力曲線CAが示されて
いる。従つて、この場合には第１回の走査終了時
ts1までには受光素子１ａの出力信号が光検出に
適切な第１の参照信号VAに達せず、第２回の走
査終了時ts2も同様で、第３回の走査終了時ts3に
達することとなる。このとき、この受光素子１ａ
および他の受光素子１ａの出力信号をホールド信
号で保持する。この場合には出力信号の変化がゆ
るやかなため、第２の参照信号VBを越える受光
素子はない。
を受ける受光素子１ａの出力曲線CAが示されて
いる。従つて、この場合には第１回の走査終了時
ts1までには受光素子１ａの出力信号が光検出に
適切な第１の参照信号VAに達せず、第２回の走
査終了時ts2も同様で、第３回の走査終了時ts3に
達することとなる。このとき、この受光素子１ａ
および他の受光素子１ａの出力信号をホールド信
号で保持する。この場合には出力信号の変化がゆ
るやかなため、第２の参照信号VBを越える受光
素子はない。
第３図〜第５図は、光学像が明るい場合で最大
照度を受ける受光素子１ａの出力曲線CBが示さ
れている。このような場合には、第１回の走査終
了時ts1までには受光素子１ａの出力信号が参照
信号VA，VBを越えて放電し、第３図のように飽
和レベルに達して保持されている。これは出力の
変化が速かつたため第１の参照信号VAに達した
と判定された時には既に第２の参照信号VBをも
越えてしまつていたためである。従つて次回の光
積分時間を短くする必要がある。光積分時間T0
はタイマ６により計数されて既知であるので、こ
れに一定の係数α（０＜α＜１）をかけた次の光
積分時間T1はT1＝αT0となる。この光積分時間
T1でのホールド時にも第４図のように受光素子
１ａの出力信号が第２の参照信号VB以下に入ら
ない場合には何度もこれを繰り返す。例えば光積
分時間Tn＝αTo-1＝αnT0のとき受光素子１ａの
出力は第５図に示すように第２の参照信号VB以
下となりホールド信号により保持される。このよ
うにある水準以上の明るさの場合には光積分を何
回も繰り返すことになるが、明るいときに必要な
積分時間はわずかであるので全体の検出所要時間
は大きくならない。
照度を受ける受光素子１ａの出力曲線CBが示さ
れている。このような場合には、第１回の走査終
了時ts1までには受光素子１ａの出力信号が参照
信号VA，VBを越えて放電し、第３図のように飽
和レベルに達して保持されている。これは出力の
変化が速かつたため第１の参照信号VAに達した
と判定された時には既に第２の参照信号VBをも
越えてしまつていたためである。従つて次回の光
積分時間を短くする必要がある。光積分時間T0
はタイマ６により計数されて既知であるので、こ
れに一定の係数α（０＜α＜１）をかけた次の光
積分時間T1はT1＝αT0となる。この光積分時間
T1でのホールド時にも第４図のように受光素子
１ａの出力信号が第２の参照信号VB以下に入ら
ない場合には何度もこれを繰り返す。例えば光積
分時間Tn＝αTo-1＝αnT0のとき受光素子１ａの
出力は第５図に示すように第２の参照信号VB以
下となりホールド信号により保持される。このよ
うにある水準以上の明るさの場合には光積分を何
回も繰り返すことになるが、明るいときに必要な
積分時間はわずかであるので全体の検出所要時間
は大きくならない。
第６図は第１図に示すブロツク図のさらに詳細
な実施例を示すブロツク図である。フオトセンサ
１は４行32列のマトリクスを構成するフオトセン
サセル 1M1〜 4M32から成り、各フオトセンサセ
ル 1M1〜 4M32は受光素子１ａ、スイツチSW1に
相当するMOS型スイツチ素子TF1、スイツチ
SW2に相当するMOS型スイツチ素子TF2、およ
びフオトセンサ１のマトリクス行選択用のMOS
型スイツチ素子TF3により大略構成されている。
そして、MOS型スイツチ素子TF1は積分タイミ
ング発生回路８により制御されるようになつてい
る。この積分タイミング発生回路８は受光素子１
ａがチヤージされた電荷を放電して光積分を開始
する際に作動するものであり、制御手段を構成す
るマイクロコンピユータMCのバスラインBLに
連なつた積分コントロールバスバツフア９の信号
INTにより制御される。また、MOS型スイツチ
素子TF2はサンプルホールドタイミング発生回路
１０により制御されるようになつている。このサ
ンプルホールドタイミング発生回路１０は受光素
子１ａから得られる光積分信号を所定の時点で保
持する際に作動するものであり、積分コントロー
ルバスバツフア９の信号SHにより制御される。
さらに、MOS型スイツチ素子TF3は受光素子１
ａから得られる積分信号を取り出すため積分コン
トロールバスバツフア９の信号LS1，LS2をデコ
ードするデコーダ１１の出力D1，D2，D3，D4に
より制御される。このように、マイクロコンピユ
ータMC、積分コントロールバスバツフア９、積
分タイミング発生回路８、サンプルホールドタイ
ミング発生回路１０などにより光積分コントロー
ラ２が構成されている。
な実施例を示すブロツク図である。フオトセンサ
１は４行32列のマトリクスを構成するフオトセン
サセル 1M1〜 4M32から成り、各フオトセンサセ
ル 1M1〜 4M32は受光素子１ａ、スイツチSW1に
相当するMOS型スイツチ素子TF1、スイツチ
SW2に相当するMOS型スイツチ素子TF2、およ
びフオトセンサ１のマトリクス行選択用のMOS
型スイツチ素子TF3により大略構成されている。
そして、MOS型スイツチ素子TF1は積分タイミ
ング発生回路８により制御されるようになつてい
る。この積分タイミング発生回路８は受光素子１
ａがチヤージされた電荷を放電して光積分を開始
する際に作動するものであり、制御手段を構成す
るマイクロコンピユータMCのバスラインBLに
連なつた積分コントロールバスバツフア９の信号
INTにより制御される。また、MOS型スイツチ
素子TF2はサンプルホールドタイミング発生回路
１０により制御されるようになつている。このサ
ンプルホールドタイミング発生回路１０は受光素
子１ａから得られる光積分信号を所定の時点で保
持する際に作動するものであり、積分コントロー
ルバスバツフア９の信号SHにより制御される。
さらに、MOS型スイツチ素子TF3は受光素子１
ａから得られる積分信号を取り出すため積分コン
トロールバスバツフア９の信号LS1，LS2をデコ
ードするデコーダ１１の出力D1，D2，D3，D4に
より制御される。このように、マイクロコンピユ
ータMC、積分コントロールバスバツフア９、積
分タイミング発生回路８、サンプルホールドタイ
ミング発生回路１０などにより光積分コントロー
ラ２が構成されている。
なお、各フオトセンサセル 1M1〜 4M32には
MOS型スイツチ素子TF2に連なりメモリ３の記
憶素子３ａを構成するコンデンサCmがそれぞれ
接続されている。また、フオトセンサ１のマトリ
クス列の選択はシフトレジスタ４により駆動され
るMOS型スイツチ素子TF4により行なわれる。
このシフトレジスタ４は積分コントロールバスバ
ツフア９の信号STEP1やこの積分コントロール
バスバツフア９と同様にマイクロコンピユータ
MCのバスラインBLに連なるＡ−Ｄ変換コント
ロールバスバツフア１２の信号STEP2により１
ビツトずつ走査駆動される。この場合、信号
STEP1，STEP2の選択は積分コントロールバス
バツフア９、Ａ−Ｄ変換コントロールバスバツフ
ア１２のそれぞれのチツプセレクト信号CS1，
CS2を操作することにより行なわれる。そして、
この走査駆動によりフオトセンサ１の各フオトセ
ンサセル 1M1〜 4M32から得られる光積分信号
Soutは比較器５を構成する電圧比較器５ｂに供
給される。この電圧比較器５ｂには比較電圧発生
回路１３が接続されており、この比較電圧発生回
路１３にて第１および第２の参照信号VA，VBが
得られる。なお、この第１および第２の参照信号
VA，VBを得るための信号源はセル１４，１５の
出力であり、セル１４はフオトセンサ１が飽和し
ているとき、またセル１５はフオトセンサ１によ
る光積分が開始される前の出力をそれぞれ得るも
のである。したがつて、第１および第２の参照信
号VA，VBはセル１４，１５により定まる信号レ
ベルの範囲にあることとなる。なお電圧比較器５
ｂはタイミング発生回路２１で発生したクロツク
のタイミングで比較動作を行なう。なお、このタ
イミング発生回路２１のクロツク源CKMは外部
から供給され、その出力はシフトレジスタ４、積
分タイミング発生回路８およびサンプルホールド
タイミング発生回路１０のクロツクを供給する。
MOS型スイツチ素子TF2に連なりメモリ３の記
憶素子３ａを構成するコンデンサCmがそれぞれ
接続されている。また、フオトセンサ１のマトリ
クス列の選択はシフトレジスタ４により駆動され
るMOS型スイツチ素子TF4により行なわれる。
このシフトレジスタ４は積分コントロールバスバ
ツフア９の信号STEP1やこの積分コントロール
バスバツフア９と同様にマイクロコンピユータ
MCのバスラインBLに連なるＡ−Ｄ変換コント
ロールバスバツフア１２の信号STEP2により１
ビツトずつ走査駆動される。この場合、信号
STEP1，STEP2の選択は積分コントロールバス
バツフア９、Ａ−Ｄ変換コントロールバスバツフ
ア１２のそれぞれのチツプセレクト信号CS1，
CS2を操作することにより行なわれる。そして、
この走査駆動によりフオトセンサ１の各フオトセ
ンサセル 1M1〜 4M32から得られる光積分信号
Soutは比較器５を構成する電圧比較器５ｂに供
給される。この電圧比較器５ｂには比較電圧発生
回路１３が接続されており、この比較電圧発生回
路１３にて第１および第２の参照信号VA，VBが
得られる。なお、この第１および第２の参照信号
VA，VBを得るための信号源はセル１４，１５の
出力であり、セル１４はフオトセンサ１が飽和し
ているとき、またセル１５はフオトセンサ１によ
る光積分が開始される前の出力をそれぞれ得るも
のである。したがつて、第１および第２の参照信
号VA，VBはセル１４，１５により定まる信号レ
ベルの範囲にあることとなる。なお電圧比較器５
ｂはタイミング発生回路２１で発生したクロツク
のタイミングで比較動作を行なう。なお、このタ
イミング発生回路２１のクロツク源CKMは外部
から供給され、その出力はシフトレジスタ４、積
分タイミング発生回路８およびサンプルホールド
タイミング発生回路１０のクロツクを供給する。
電圧比較器５ｂにおいて第１の参照信号VAと
フオトセンサ１の出力とが比較され、その結果電
圧比較器５ｂの出力が反転するとこれによりラツ
チ回路５ｃを構成する図示省略のフリツプフロツ
プの出力も反転してすべてのフオトセンサセル
1M1〜 4M32の光積分信号をホールドする。この
ホールド情報はマイクロコンピユータMCに供給
され、マイクロコンピュータMCはフオトセンサ
１の第１回目の走査終了情報を得る。この情報を
受けてマイクロコンピユータMCのプログラムに
よる計時手段としてのソフトタイマは光積分の計
時を停止し第１回目の積分時間のデータが得られ
る。このデータを得た後再びシフトレジスタ４を
駆動し、電圧比穫器５ｂにおいて第２の参照信号
VBとフオトセンサ１の出力とが比較され各フオ
トセンサル 1M1〜 4M32の飽和の有無をチエツク
する。そして、飽和したものが検出されたときに
は上述した如く第１回目の積分時間よりも短い積
分時間で走査を行ない、以下飽和したものが検出
されなくなるまであるいはソフトタイマの積分最
小時間に達するまで計時のフローが繰り返され
る。そして、このフローによつて得られたフオト
センサ１の出力は増幅器７を構成するレベルシフ
ト兼アンプ１５およびインピーダンス変換用電圧
フオロア１６を介してＡ−Ｄ変換器１７へ供給さ
れる。なお、レベルシフト兼アンプ１５によるシ
フトの範囲はシフト範囲電圧発生回路１８の出力
を受けた電圧フオロア１９，２０の各出力により
定められる。ここでシフト範囲電圧発生回路１８
は比較電圧発生回路にて得られる第１および第２
の参照信号VA，VBにより出力が定まる。こうし
て、フオトセンサ１から得られる情報はＡ−Ｄ変
換器１７を介してマイクロコンピユータMCへ転
送され、データ処理が可能となる。このデータ処
理の後次の光積分を行なうために同様な処理が繰
り返される。
フオトセンサ１の出力とが比較され、その結果電
圧比較器５ｂの出力が反転するとこれによりラツ
チ回路５ｃを構成する図示省略のフリツプフロツ
プの出力も反転してすべてのフオトセンサセル
1M1〜 4M32の光積分信号をホールドする。この
ホールド情報はマイクロコンピユータMCに供給
され、マイクロコンピュータMCはフオトセンサ
１の第１回目の走査終了情報を得る。この情報を
受けてマイクロコンピユータMCのプログラムに
よる計時手段としてのソフトタイマは光積分の計
時を停止し第１回目の積分時間のデータが得られ
る。このデータを得た後再びシフトレジスタ４を
駆動し、電圧比穫器５ｂにおいて第２の参照信号
VBとフオトセンサ１の出力とが比較され各フオ
トセンサル 1M1〜 4M32の飽和の有無をチエツク
する。そして、飽和したものが検出されたときに
は上述した如く第１回目の積分時間よりも短い積
分時間で走査を行ない、以下飽和したものが検出
されなくなるまであるいはソフトタイマの積分最
小時間に達するまで計時のフローが繰り返され
る。そして、このフローによつて得られたフオト
センサ１の出力は増幅器７を構成するレベルシフ
ト兼アンプ１５およびインピーダンス変換用電圧
フオロア１６を介してＡ−Ｄ変換器１７へ供給さ
れる。なお、レベルシフト兼アンプ１５によるシ
フトの範囲はシフト範囲電圧発生回路１８の出力
を受けた電圧フオロア１９，２０の各出力により
定められる。ここでシフト範囲電圧発生回路１８
は比較電圧発生回路にて得られる第１および第２
の参照信号VA，VBにより出力が定まる。こうし
て、フオトセンサ１から得られる情報はＡ−Ｄ変
換器１７を介してマイクロコンピユータMCへ転
送され、データ処理が可能となる。このデータ処
理の後次の光積分を行なうために同様な処理が繰
り返される。
なお、図において符号S1，S2，S3は電圧フオロ
ワ１９，１６，２０の入力端に接続されるスイツ
チ素子であり、各スイツチ素子S1，S2，S3はＡ−
Ｄ変換コントロールバスバツフア１２の信号φ1、
φ2、φ3によりそれぞれ制御される。また、C1，
C2は電圧フオロア１９，２０の入力端にそれぞ
れ接続されるマツチング用コンデンサである。さ
らに、D1，D2は電圧フオロア１９，２０の出力
端にそれぞれ接続されるスイツチ素子であり、こ
れらのスイツチ素子D1，D2はＡ−Ｄ変換コント
ロールバスバツフア１２の信号PDを受けてＡ−
Ｄ変換器１７に対する消費電力を制御するもので
ある。また、シフトレジスタ４は積分コントロー
ルバスバツフア９の信号SRSTにより、タイミン
グ発生回路２１はＡ−Ｄ変換コントロールバスバ
ツフア１２の信号CRSTによりそれぞれリセツト
され、積分タイミング発生回路８、サンプルホー
ルドタイミング発生回路１０はマイクロコンピユ
ータMCのリセツト信号RSTによりリセツトされ
るようになつている。
ワ１９，１６，２０の入力端に接続されるスイツ
チ素子であり、各スイツチ素子S1，S2，S3はＡ−
Ｄ変換コントロールバスバツフア１２の信号φ1、
φ2、φ3によりそれぞれ制御される。また、C1，
C2は電圧フオロア１９，２０の入力端にそれぞ
れ接続されるマツチング用コンデンサである。さ
らに、D1，D2は電圧フオロア１９，２０の出力
端にそれぞれ接続されるスイツチ素子であり、こ
れらのスイツチ素子D1，D2はＡ−Ｄ変換コント
ロールバスバツフア１２の信号PDを受けてＡ−
Ｄ変換器１７に対する消費電力を制御するもので
ある。また、シフトレジスタ４は積分コントロー
ルバスバツフア９の信号SRSTにより、タイミン
グ発生回路２１はＡ−Ｄ変換コントロールバスバ
ツフア１２の信号CRSTによりそれぞれリセツト
され、積分タイミング発生回路８、サンプルホー
ルドタイミング発生回路１０はマイクロコンピユ
ータMCのリセツト信号RSTによりリセツトされ
るようになつている。
以上説明してきたように、この発明によれば広
範囲に明るさが変化しかつ様々の光強度分布を有
する被測定物の情報であつても最大照度部に合わ
せて光積分時間を調節するので測定範囲を越える
ところがなく短時間に正確に光検出することが可
能となる。また、積分データのとり込みは一旦記
憶手段に蓄えられた後にスタテイツク（静的）に
行なわれるので、ダイナミツク動作時に見られる
MOS型のスイツチのノイズの影響は受けない。
範囲に明るさが変化しかつ様々の光強度分布を有
する被測定物の情報であつても最大照度部に合わ
せて光積分時間を調節するので測定範囲を越える
ところがなく短時間に正確に光検出することが可
能となる。また、積分データのとり込みは一旦記
憶手段に蓄えられた後にスタテイツク（静的）に
行なわれるので、ダイナミツク動作時に見られる
MOS型のスイツチのノイズの影響は受けない。
この光検出装置を合焦位置検出に使用するなら
ば、従来にもまして早く正確に検出できる。
ば、従来にもまして早く正確に検出できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す光検出装置
のブロツク図、第２図は被測定物（光学像）が暗
い場合で最大照度を受ける受光素子の出力と走査
の説明図、第３図〜第５図は被測定物が明るい場
合で最大照度を受ける受光素子の出力と走査の説
明図、第６図は第１図に示すブロツク図のさらに
詳細な実施例を示すブロツク図である。 １……フオトセンサ、１ａ……受光素子、２…
…光積分コントローラ、３……メモリ（記憶手
段）、４……シフトレジスタ（走査手段）、５……
比較器（比較手段）、６……タイマ（計時手段）、
VA，VB……参照信号。
のブロツク図、第２図は被測定物（光学像）が暗
い場合で最大照度を受ける受光素子の出力と走査
の説明図、第３図〜第５図は被測定物が明るい場
合で最大照度を受ける受光素子の出力と走査の説
明図、第６図は第１図に示すブロツク図のさらに
詳細な実施例を示すブロツク図である。 １……フオトセンサ、１ａ……受光素子、２…
…光積分コントローラ、３……メモリ（記憶手
段）、４……シフトレジスタ（走査手段）、５……
比較器（比較手段）、６……タイマ（計時手段）、
VA，VB……参照信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の光積分型の受光素子よりなる受光素子
配列と、 該受光素子毎に備えられ、光積分開始後任意の
瞬間における前記受光素子の出力信号をほぼ同時
に保持する記憶手段と、 前記受光素子配列の少なくとも一部を走査して
前記各受光素子の出力を逐次取り出す走査手段
と、 該走査手段により取り出された前記受光素子の
出力信号を参照信号と比較する比較手段と、 光積分時間を計数する計時手段と、 光積分開始後直ちに前記受光素子の出力を走査
開始して取り出された前記受光素子の各出力信号
を前記比較手段で予め設定された第１の参照信号
と比較し、前記出力信号中の少なくとも一つが前
記第１の参照信号に達した時前記記憶手段に前記
出力信号をすべてほぼ同時に保持させ、さらに前
記比較手段で別に設定された第２の参照信号と前
記第１の参照信号に達した出力信号とを比較し、
該出力信号が前記第２の参照信号に達していない
ときには光検出の過程を終了し、該第２の参照信
号に達しているときには光積分を最初からやり直
して前回の前記計時手段によつて計数された光積
分時間より一定比率だけ短縮された光積分時間経
過後に出力信号を保持し前記第２の参照信号と比
較する過程を繰り返すことにより保持された出力
信号が前記第２の参照信号値以下に収まるように
制御する制御手段とを有することを特徴とする光
検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008801A JPS58127132A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 光検出装置 |
| US06/460,627 US4547676A (en) | 1982-01-25 | 1983-01-24 | Photosensor apparatus with light integration control |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008801A JPS58127132A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127132A JPS58127132A (ja) | 1983-07-28 |
| JPH0245813B2 true JPH0245813B2 (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=11702950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008801A Granted JPS58127132A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 光検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4547676A (ja) |
| JP (1) | JPS58127132A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4691114A (en) * | 1984-02-29 | 1987-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Original reader with variable magnification and time delay |
| JPS61124171A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置 |
| US4710816A (en) * | 1985-09-30 | 1987-12-01 | Nippon Kogaku K. K. | Picture signal generating apparatus |
| US4684798A (en) * | 1985-10-03 | 1987-08-04 | Honeywell Inc. | Performance improvement for camera autofocus |
| US4707859A (en) * | 1985-12-16 | 1987-11-17 | Hughes Aircraft Company | Apparatus for high speed analysis of two-dimensional images |
| US4791446A (en) * | 1986-02-14 | 1988-12-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Light measuring device |
| GB8606200D0 (en) * | 1986-03-13 | 1986-04-16 | Crosfield Electronics Ltd | Operating radiation sensors |
| JP2623530B2 (ja) * | 1986-04-22 | 1997-06-25 | ミノルタ株式会社 | 固体撮像素子駆動装置 |
| US4714963A (en) * | 1986-07-03 | 1987-12-22 | Eastman Kodak Company | Asynchronous still timing for a video camera producing movie or still images |
| US4750210A (en) * | 1986-12-16 | 1988-06-07 | Tektronix, Inc. | Method and apparatus for finding objects within a visual display |
| NL8701847A (nl) * | 1987-08-05 | 1989-03-01 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Detectiestelsel voor een stralingsprofiellijn. |
| EP0489904B1 (en) * | 1990-07-02 | 1998-03-04 | Varian Associates, Inc. | Radiation therapy x-ray simulator |
| US5168532A (en) * | 1990-07-02 | 1992-12-01 | Varian Associates, Inc. | Method for improving the dynamic range of an imaging system |
| US5461419A (en) * | 1992-10-16 | 1995-10-24 | Casio Computer Co., Ltd. | Photoelectric conversion system |
| US6402328B1 (en) * | 1999-01-25 | 2002-06-11 | Gentex Corporation | Automatic dimming mirror using semiconductor light sensor with integral charge collection |
| US6873363B1 (en) * | 1999-02-16 | 2005-03-29 | Micron Technology Inc. | Technique for flagging oversaturated pixels |
| GB0411648D0 (en) * | 2004-05-25 | 2004-06-30 | Fillfactory N V | Method and pixel for performing correlated double sampling |
| US8620523B2 (en) | 2011-06-24 | 2013-12-31 | Gentex Corporation | Rearview assembly with multiple ambient light sensors |
| WO2013022731A1 (en) | 2011-08-05 | 2013-02-14 | Gentex Corporation | Optical assembly for a light sensor |
| US9207116B2 (en) | 2013-02-12 | 2015-12-08 | Gentex Corporation | Light sensor |
| US9870753B2 (en) | 2013-02-12 | 2018-01-16 | Gentex Corporation | Light sensor having partially opaque optic |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315131A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-10 | Canon Inc | Detecting method for sharpness of objective image |
| JPS55111921A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-29 | Asahi Optical Co Ltd | Focus detector of camera |
| JPS561022A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-08 | Asahi Optical Co Ltd | Focus detector of camera |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP57008801A patent/JPS58127132A/ja active Granted
-
1983
- 1983-01-24 US US06/460,627 patent/US4547676A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4547676A (en) | 1985-10-15 |
| JPS58127132A (ja) | 1983-07-28 |
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