JP2008156732A - マグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部30が1つの磁石によって構成されるため、材料コストの削減を図ることができる。また、磁界形成部30は複雑な構造を有していないため、冷却部の冷却能力を損なうことが無い。更に、磁界形成部30と冷却部とを分離することが可能となり、冷却部の防水措置及び構造の大幅な簡素化、磁界形成部30及びその駆動系の動作信頼性の向上、メンテナンス作業の軽減等を図ることができる。
【選択図】図3
Description
マグネトロンスパッタリング装置において、
真空チャンバ10と、
前記真空チャンバ10内に設けられて、所定の材料からなるターゲット15を保持する平坦な保持面を有するカソード電極16と、
前記保持面と所定の間隙を有して対向配置されたアノード電極14と、
前記カソード電極16における前記アノード電極14とは反対側に設けられて所定の磁界を形成する磁界形成部30と、
を有し、
前記磁界形成部30は、前記保持面に対して略直交する方向に沿う磁軸を有する磁石を備えると共に、前記ターゲット15を前記保持面で保持した際に、前記磁石の一方の磁極から発生した磁力線が、前記ターゲット15を通過して前記磁石の他方の磁極に収束するように配置したことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置を提供することにより、上記課題を解決する。
備えたことを特徴とする上記のマグネトロンスパッタリング装置を提供することにより、上記課題を解決する。
備えたことを特徴とする上記のマグネトロンスパッタリング装置を提供することにより、上記課題を解決する。
前記アノード電極14は、前記カソード電極16側にワーク13を保持するワーク保持部を有し、
前記ワーク保持部で前記ワーク13を保持した状態で、前記ターゲット15から前記ワーク13の表面に前記所定の材料を成膜するマグネトロンスパッタリング装置を用いた成膜方法を提供することにより、上記課題を解決する。
(1)永久磁石の個数が減少することでコスト削減を図れるとともに、磁界形成部の構造を簡素化することができる。
(2)磁界形成部の構造が単純なため、冷却水中に磁界形成部を設置しても冷却水の流動を妨げず、冷却部の冷却能力を損なうことが無い。
(3)磁界形成部の形成する磁界は磁界形成部の外側にも生じるため、磁界形成部はターゲットの外縁下部を移動する必要が無い。よって、そのスペースに冷却部を設けることが可能となり、磁界形成部を冷却水中に設置せずとも、ターゲットの冷却と磁界形成部のターゲットへの近接配置を両立することができる。これにより、冷却部の防水対策にかかるコストや磁界形成部等のメンテナンス作業を軽減することができる。
(4)本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置を用いた成膜方法は、低コストなマグネトロンスパッタリング装置を用いながら、良好な膜を効率良く成膜することができる。
15 ターゲット
16 カソード電極
16a、16b カソード筺体
30 磁界形成部
32 ベース板
34 回転軸
36、36a 駆動装置
Claims (5)
- マグネトロンスパッタリング装置において、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられて、所定の材料からなるターゲットを保持する平坦な保持面を有するカソード電極と、
前記保持面と所定の間隙を有して対向配置されたアノード電極と、
前記カソード電極における前記アノード電極とは反対側に設けられて所定の磁界を形成する磁界形成部と、
を有し、
前記磁界形成部は、前記保持面に対して略直交する方向に沿う磁軸を有する磁石を備えると共に、前記ターゲットを前記保持面で保持した際に、前記磁石の一方の磁極から発生した磁力線が、前記ターゲットを通過して前記磁石の他方の磁極に収束するように配置したことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。 - 前記磁軸の方向を維持した状態で前記磁界形成部を前記保持面に沿って移動する移動手段を、
備えたことを特徴とする請求項1記載のマグネトロンスパッタリング装置。 - 前記カソード電極における前記アノード電極とは反対側に、冷却水が流動する冷却水路を、前記磁界形成部を囲うように設けたことを特徴とする請求項1または請求項2記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記磁界形成部を前記保持面に離接する方向に沿って移動する移動手段を、
備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のマグネトロンスパッタリング装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のマグネトロンスパッタリング装置を用いた成膜方法であって、
前記アノード電極は、前記カソード電極側にワークを保持するワーク保持部を有し、
前記ワーク保持部で前記ワークを保持した状態で、前記ターゲットから前記ワークの表面に前記所定の材料を成膜するマグネトロンスパッタリング装置を用いた成膜方法。
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