JP2008153357A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】気相成長装置1は、基板21の上面にガスG1〜G3を供給するためのフローチャネル4と、フローチャネル4の内部空間11において基板21を保持し、かつ回転可能なサセプタ17と、フローチャネル4とサセプタ17との上流側の隙間から下流側の方向に延びる流通路7とを備えている。流通路7の一部はサセプタ17によって構成されており、かつ流通路7は内部空間8に通じている。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における気相成長装置の構成を示す断面図であり、図2は図1の気相成長装置におけるサセプタ付近の平面図であり、図3は図2のIII−III線に沿う断面図である。図1〜図3を参照して、本実施の形態における気相成長装置1は、供給管としてのフローチャネル4と、フローチャネル5と、反応容器9と、保持台としてのサセプタ17と、ヒータ19と、流通路7とを備えている。反応容器9内にはフローチャネル4および5と、サセプタ17と、ヒータ19と、流通路7とが収納されている。フローチャネル4および5の各々は、紙面に垂直な面で切った場合に矩形の断面形状を有している。
図6は、本発明の実施の形態2における気相成長装置の構成を示す断面図である。図6を参照して、本実施の形態における気相成長装置1は、流通路7の構造において実施の形態1の気相成長装置と異なっている。本実施の形態における流通路7は、内壁に突起部13a〜13cを有している。突起部13aおよび13cは延在部6の内壁に形成されており、突起部13bは突起部13aおよび13cの間におけるサセプタ17の下面に形成されている。これにより、蛇行した流通路7が形成されている。
Claims (4)
- 基板の主面上にガスを供給するための供給管と、
前記供給管内部において前記基板を保持し、かつ回転可能な保持台と、
前記供給管と前記保持台との最上流側の隙間から下流側の方向に延びる流通路とを備え、
前記流通路の一部は前記保持台によって構成されており、かつ前記流通路は前記供給管外部に通じていることを特徴とする、気相成長装置。 - 前記流通路が蛇行していることを特徴とする、請求項1に記載の気相成長装置。
- 前記流通路は内壁に突起部を有する、請求項2に記載の気相成長装置。
- 前記保持台を加熱するための赤外線ヒータを備え、
前記流通路の一部は赤外線透過材料よりなり、かつ前記流通路は前記赤外線ヒータよりも前記保持台の中心側にまで延びることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の気相成長装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067775A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長方法および気相成長装置 |
JP2011108870A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板の製造方法およびエピタキシャル基板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291114A (ja) * | 1989-04-29 | 1990-11-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 化合物半導体膜の気相成長装置 |
JP2000012470A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置 |
JP2000114182A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2002246314A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 成膜装置 |
JP2006066605A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2006093557A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291114A (ja) * | 1989-04-29 | 1990-11-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 化合物半導体膜の気相成長装置 |
JP2000012470A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置 |
JP2000114182A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2002246314A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 成膜装置 |
JP2006066605A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
JP2006093557A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067775A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長方法および気相成長装置 |
JP2011108870A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板の製造方法およびエピタキシャル基板 |
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