JP2006066605A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】上流フローライナーと中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、上流フローライナーから半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置において、フローライナーの上流フローライナーと中間フローライナーとの間の隙間や中間フローライナーの底面とウエハートレイとの間の隙間からの半導体原料ガスの漏出量を減らし、チャンバの内壁やフローライナー外壁の反応生成物の付着を抑制する。
【解決手段】中間フローライナー3と下流フローライナー4との隙間の間隔を0.01〜3mmとする。そのために、中間フローライナー3と下流フローライナー4との間に詰め物11を設けて、隙間の間隔を0.01〜3mmとする。
【選択図】図1
【解決手段】中間フローライナー3と下流フローライナー4との隙間の間隔を0.01〜3mmとする。そのために、中間フローライナー3と下流フローライナー4との間に詰め物11を設けて、隙間の間隔を0.01〜3mmとする。
【選択図】図1
Description
この発明は、気相成長装置に関し、詳しくは半導体原料ガスを基板面に対して平行に流して基板表面に半導体薄膜を成長させる横型の気相成長装置に関する。
図8は、従来の気相成長装置の要部を示すものである。
図中符号1はフローライナーを示す。このフローライナー1は、上流フローライナー2と、中間フローライナー3と、下流フローライナー4とからなるもので、上流フローライナー2と中間フローライナー3と下流フローライナー4とがこの順番に水平に並べられ、三分割された構造となっている。これらフローライナー2、3、4の接続部分には隙間が存在しており、特に中間フローライナー3と下流フローライナー4との隙間は大きくなっており、その間隔は10mm程度となっている。これは、下流フローライナー4の入口側部分は拡がっているためであり、この部分からフローライナー1の外側を流れるパージガスをも吸引、排気するために拡げられているのである。
図中符号1はフローライナーを示す。このフローライナー1は、上流フローライナー2と、中間フローライナー3と、下流フローライナー4とからなるもので、上流フローライナー2と中間フローライナー3と下流フローライナー4とがこの順番に水平に並べられ、三分割された構造となっている。これらフローライナー2、3、4の接続部分には隙間が存在しており、特に中間フローライナー3と下流フローライナー4との隙間は大きくなっており、その間隔は10mm程度となっている。これは、下流フローライナー4の入口側部分は拡がっているためであり、この部分からフローライナー1の外側を流れるパージガスをも吸引、排気するために拡げられているのである。
また、これらのフローライナー2、3,4は、いずれも断面形状が角筒状となっており、石英などの耐熱性材料から構成されている。
さらに、中間フローライナー3の下壁には開口部が形成されており、この開口部をほぼ塞ぐようにしてウエハートレイ5が設けられている。このウエハートレイ5は、サセプタ6上に載せられており、サセプタ6の回転軸61によって回転可能となっている。
さらに、中間フローライナー3の下壁には開口部が形成されており、この開口部をほぼ塞ぐようにしてウエハートレイ5が設けられている。このウエハートレイ5は、サセプタ6上に載せられており、サセプタ6の回転軸61によって回転可能となっている。
また、サセプタ6の下方には円板状のカーボンヒータ7が設けられ、このカーボンヒータ7によりウエハートレイ5上の基板を加熱するようになっている。また、サセプタ6の下方にはカバー8が取り付けられ、サセプタ6,カーボンヒータ7などを覆うようになっている。
また、これらフローライナー1、カバー8等は、図示しないステンレス鋼などからなるチャンバ内に収容され、外気から遮断された状態となっている。
また、これらフローライナー1、カバー8等は、図示しないステンレス鋼などからなるチャンバ内に収容され、外気から遮断された状態となっている。
そして、上流フローライナー2から中間フローライナー3に向けて半導体原料ガスを流すことより、中間フローライナー3のウエハトレー5上に置かれた基板表面にCVD反応により半導体薄膜が成長し、反応後の排ガスがチャンバ内を流れるパージガスとともに下流フローライナー4から吸引されて排出されるようになっている。
この気相成長操作に際して、半導体原料ガスを上流フローライナー2から中間フローライナー3に流すと、フローライナー1の上流側と下流側とで圧力差が生じ、上流フローライナー2と中間フローライナー3との間の隙間や中間フローライナー3の底面とウエハートレイ5との間の隙間から大量の半導体原料ガスが漏れ出す。この漏れ出した半導体原料ガスは、カーボンヒータ7の熱によって反応生成物となり、フローライナー1の外壁やチャンバの内壁に付着するだけではなく、半導体原料ガスの使用効率が低下し、プロセスの不均一の原因にもなる。
上記圧力差の原因は、下流フローライナー4の入口部分からのチャンバ内のパージガスを吸引する際に生じるエジャクター効果によるもので、中間フローライナー3と下流フローライナー4との間の隙間が大きいため、ここからの吸い込み量(排気量)が大きなものとなって、上流フローライナー2と中間フローライナー3との間の隙間や中間フローライナー3の底面とウエハートレイ5との間の隙間からの半導体原料ガスの漏出が多くなるのである。
特開平6−97094号公報
よって、本発明における課題は、フローライナー1の上流フローライナー2と中間フローライナー3との間の隙間や中間フローライナー3の底面とウエハートレイ5との間の隙間からの半導体原料ガスの漏出量を減らし、チャンバの内壁やフローライナー1外壁の反応生成物の付着を抑制することにある。
かかる課題を解決するため、
請求項1にかかる発明は、少なくとも中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、中間フローライナーに半導体半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置であって、
中間フローライナーと下流フローライナーとの間の隙間の間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする気相成長装置である。
請求項1にかかる発明は、少なくとも中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、中間フローライナーに半導体半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置であって、
中間フローライナーと下流フローライナーとの間の隙間の間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする気相成長装置である。
請求項2にかかる発明は、中間フローライナーと下流フローライナーとの間に詰め物を設けることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置である。
請求項3にかかる発明は、詰め物を移動可能としたことを特徴とする請求項2記載の気相成長装置である。
請求項3にかかる発明は、詰め物を移動可能としたことを特徴とする請求項2記載の気相成長装置である。
請求項4にかかる発明は、中間フローライナーの出口側を拡げることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置である。
請求項5にかかる発明は、下流フローライナーの入口端を狭めることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置である。
請求項5にかかる発明は、下流フローライナーの入口端を狭めることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置である。
請求項6にかかる発明は、下流フローライナーの入口側と中間フローライナーの出口側とが互いに重なり合うようにすることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置である。
請求項7にかかる発明は、重なり合う部分の重なり幅が可変となっていることを特徴とする請求項6記載の気相成長装置である。
請求項7にかかる発明は、重なり合う部分の重なり幅が可変となっていることを特徴とする請求項6記載の気相成長装置である。
請求項8にかかる発明は、中間フローライナーと下流フローライナーとに跨る筒体を設けることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置である。
請求項9にかかる発明は、筒体が移動可能とされたことを特徴とする請求項8記載の気相成長装置である。
請求項9にかかる発明は、筒体が移動可能とされたことを特徴とする請求項8記載の気相成長装置である。
本発明によれば、フローライナーの上流フローライナーと中間フローライナーとの間の隙間や中間フローライナーの底面とウエハートレイとの間の隙間からの半導体原料ガスの漏出量が減少し、チャンバの内壁やフローライナーの外壁への反応生成物の付着が抑制される。また、半導体原料ガスの使用効率が向上し、プロセスの均一性も改善される。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図1は、本発明の気相成長装置の第1の例を示すものである。なお、以下の図1ないし図7においては、図8に示した従来の気相成長装置と同一構成部分には同一符号を付してその説明を簡略化する。
図1は、本発明の気相成長装置の第1の例を示すものである。なお、以下の図1ないし図7においては、図8に示した従来の気相成長装置と同一構成部分には同一符号を付してその説明を簡略化する。
この例の気相成長装置では、下流フローライナー4の入口側に詰め物11を設けている。この詰め物11は、石英、窒化ホウ素、炭化ケイ素、サファイア、ステンレス鋼などの耐熱性材料からなる筒状物であって、その外周面が下流フローライナー4の入口側の断面形状に沿う形状になっており、内周面が中間フローライナー3の出口側の断面形状に沿う形状となっている。
また、この詰め物11は、その外周面が下流フローライナー4の入口側の内周面に接するように下流フローライナー4に取り付けられており、詰め物11の内周面と中間フローライナー3の出口側の外周面との間に小さな隙間が形成されるようになっている。
この隙間の間隔は、0.01〜3mmとなっており、間隔が0.01mmを越えると半導体原料ガスの漏出防止効果が得られず、3mm未満ではフローライナー1の外側を流れるパージガスの排気が困難となる。
この隙間の間隔は、0.01〜3mmとなっており、間隔が0.01mmを越えると半導体原料ガスの漏出防止効果が得られず、3mm未満ではフローライナー1の外側を流れるパージガスの排気が困難となる。
図2は、上述の第1の例の変形例を示すもので、この例では詰め物11の長さが長くなっており、その前半部分が中間フローライナー3の出口側の外壁に重なり合い、かつ両者の間に0.01〜3mmの間隔が生じるようになっている。このものでは、詰め物11と下流フローライナー4とを長手方向に移動可能としてもよく、これによってパージガスの吸入量を可変とすることができる。
図3は、この発明の気相成長装置の第2の例を示すもので、この例は、中間フローライナー3の出口側を拡げて、これの出口端と下流フローライナー4の入口端とをほぼ同じ大きさとし、両者の間の隙間の間隔を0.01〜3mmとしたものである。
図4は、この発明の第3の例を示すもので、この例では、下流フローライナー4の入口側を狭くして、これの入口端と中間フローライナー3の出口端とをほぼ同じ大きさにして、両者間の隙間の間隔を0.01〜3mmとしたものである。なお、図4において、下流フローライナー4の中間部分が外方に膨出しているが、これに限られることはなく、直管状としてもよい。
図5は、この発明の第4の例を示すもので、この例では、下流フローライナー4の入口側部分にその厚さ方向に段差を形成してその部分の内周面を拡げ、この部分に中間フローライナー3の出口側を挿入し、下流フローライナー4の入口側と中間フローライナー3の中間フローライナー3の出口側とが互いに重なり合うようにし、これにより中間フローライナー3の出口側と下流フローライナー4の入口側との間に間隔が0.01〜3mmの隙間を形成したものである。
また、この例では、下流フローライナー4を中間フローライナー3に対してその長手方向に移動可能としてもよく、パージガスの吸入量を可変とすることができる。この場合も、その間隔を0.01〜3mmに保つことは勿論である。
また、この例では、下流フローライナー4を中間フローライナー3に対してその長手方向に移動可能としてもよく、パージガスの吸入量を可変とすることができる。この場合も、その間隔を0.01〜3mmに保つことは勿論である。
図6は、図5に示した気相成長装置の変形例を示すものであって、このものは、下流フローライナー4の入口側部分に中間フローライナー3の出口側部分を挿入し、両者の隙間の間隔を0.01〜3mmとし、かつ下流フローライナー5をその長手方向に移動可能にしたものである。
図7は、本発明の第5の例を示すもので、下流フローライナー4の入口側の外周面に筒体12を取り付け、この筒体12内に中間フローライナー3の出口側の部分を挿入し、筒体12が中間フローライナー3と下流フローライナー4とに跨るようにし、筒体12の内周面と中間フローライナー3の外側部分との間隔を0.01〜3mmとしたものである。この例では、下流フローライナー4を長手方向に移動可能とし、その重なり幅を可変とすることもできる。これによりパージガスの吸入量を可変にできる。
このような気相成長装置であっては、中間フローライナー3の出口と下流フローライナー4の入口との隙間の間隔を0.01〜3mmとしたので、下流フローライナー4によるエジェクター効果が抑えられ、その結果として、フローライナー1の上流フローライナー2と中間フローライナー3との間の隙間や中間フローライナー3の底面とウエハートレイ5との間の隙間からの半導体原料ガスの漏出量が減少する。このため、チャンバの内壁やフローライナー1の外壁への反応生成物の付着が抑制されるとともに半導体原料ガスの使用効率が向上し、プロセスの均一性も改善される。
なお、図1ないし図8に示した例では、上流フローライナーと中間フローライナーとが別体となったものを示したが、本発明では、これに限らす上流フローライナーと中間フローライナーとが一体となったものでもよい。
なお、図1ないし図8に示した例では、上流フローライナーと中間フローライナーとが別体となったものを示したが、本発明では、これに限らす上流フローライナーと中間フローライナーとが一体となったものでもよい。
以下、具体例を示す。
(具体例1)
図1に示す気相成長装置を用いて、サファイア基板に窒化ガリウムの薄膜を成長させた。詰め物11には、窒化ホウ素製のものを使用し、詰め物11と中間フローライナー3の出口端との隙間の間隔を約1mmとした。成膜条件は以下の通りである。
ヒータ温度:1150℃
原料ガス流量条件
アンモニア:10SLM
水素 :10SLM
窒素 :20SLM
トリメチルガリウム供給量:260μmol/分
成長時間:60分
(具体例1)
図1に示す気相成長装置を用いて、サファイア基板に窒化ガリウムの薄膜を成長させた。詰め物11には、窒化ホウ素製のものを使用し、詰め物11と中間フローライナー3の出口端との隙間の間隔を約1mmとした。成膜条件は以下の通りである。
ヒータ温度:1150℃
原料ガス流量条件
アンモニア:10SLM
水素 :10SLM
窒素 :20SLM
トリメチルガリウム供給量:260μmol/分
成長時間:60分
その成膜操作を10回繰り返したところ、詰め物11を設けない従来の装置に比べて、フローライナー1外壁やチャンバの内壁に付着した反応生成物は極めて少なくなっていた。また、成膜速度は約3.6μm/時間であり、従来の約3.0μm/時間に比べて、20%大きく、半導体原料ガスの使用効率が向上したことが明らかになった。
(具体例2)
図4に示した気相成長装置を用いて、具体例1と同様の成膜を行った。中間フローライナー3の出口端と下流フローライナー4の入口側との隙間の間隔を約1mmとした。
成膜条件は、具体例1と同様である。
成膜操作を10回繰り返したところ、中間フローライナー3の出口端と下流フローライナー4の入口端との隙間の間隔が約10mmである従来の装置に比べて、フローライナー1外壁やチャンバの内壁に付着した反応生成物は極めて少なくなっていた。また、成膜速度は約3.6μm/時間であり、従来の約3.0μm/時間に比べて、20%大きく、半導体原料ガスの使用効率が向上したことが明らかになった。
図4に示した気相成長装置を用いて、具体例1と同様の成膜を行った。中間フローライナー3の出口端と下流フローライナー4の入口側との隙間の間隔を約1mmとした。
成膜条件は、具体例1と同様である。
成膜操作を10回繰り返したところ、中間フローライナー3の出口端と下流フローライナー4の入口端との隙間の間隔が約10mmである従来の装置に比べて、フローライナー1外壁やチャンバの内壁に付着した反応生成物は極めて少なくなっていた。また、成膜速度は約3.6μm/時間であり、従来の約3.0μm/時間に比べて、20%大きく、半導体原料ガスの使用効率が向上したことが明らかになった。
1・・・フローライナー、2・・・上流フローライナー、3・・・中間フローライナー、4・・・下流フローライナー、11・・・詰め物、12・・・筒体
Claims (9)
- 少なくとも中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、中間フローライナーに半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置であって、
中間フローライナーと下流フローライナーとの間の隙間の間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする気相成長装置。 - 中間フローライナーと下流フローライナーとの間に詰め物を設けることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 詰め物を移動可能としたことを特徴とする請求項2記載の気相成長装置。
- 中間フローライナーの出口側を拡げることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 下流フローライナーの入口端を狭めることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 下流フローライナーの入口側と中間フローライナーの出口側とが互いに重なり合うようにすることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 重なり合う部分の重なり幅が可変となっていることを特徴とする請求項6記載の気相成長装置。
- 中間フローライナーと下流フローライナーとに跨る筒体を設けることにより、上記間隔を0.01〜3mmとしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 筒体が移動可能とされたことを特徴とする請求項8記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004246770A JP2006066605A (ja) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004246770A JP2006066605A (ja) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | 気相成長装置 |
Publications (1)
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Country | Link |
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JP (1) | JP2006066605A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153357A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長装置 |
JP2008166668A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
JP2013026429A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
-
2004
- 2004-08-26 JP JP2004246770A patent/JP2006066605A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008153357A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長装置 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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