JP2008147318A - 高耐圧半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平面構造において高濃度コレクタ拡散層を含む、比較的高濃度なコレクタバッファ層を包囲するように、低濃度のドリフト拡散層を形成する。これにより、短いターンオフ時間を維持しながら、高濃度コレクタ拡散層のコーナー部分で起こる電流集中を抑制し、オン耐圧の向上を実現する。
【選択図】図1
Description
上記の高耐圧半導体装置において、前記第2オーバーラップ領域におけるコーナー部分の第2導電型の不純物濃度は、前記第2導電型ドリフト拡散層の不純物濃度よりも低いことが好ましい。
(第1の実施形態)
以下は本発明の第1の実施形態に係る高耐圧半導体装置であるIGBTについて、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明による第2の実施形態に係る高耐圧半導体装置であるIGBTについて、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明による第3の実施形態に係る高耐圧半導体装置であるIGBTについて、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明による第4の実施形態に係る高耐圧半導体装置であるIGBTの製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図4(a)に示すように、IGBTはシリコン基板101と埋込酸化膜102と、p型シリコン層103(SOI活性層)とから構成されるSOI基板を用いて形成する。このSOI基板のp型シリコン層103の表面に、約3〜5μm程度の比較的厚膜のレジストを塗布し、任意の領域にレジストパターン(図示せず)を形成する。形成されたレジストパターンをマスクとして、n型不純物を高エネルギーでイオン注入することにより、n−型ドリフト拡散層104を形成する。例えば、n型不純物としてリンを使用し、注入量は1×1012〜1×1013cm−2程度で加速エネルギーは0.5〜3MeV程度とする。
2、102 埋込酸化膜
3、103 p型シリコン層(SOI活性層)
4、104 n−型ドリフト拡散層
5 p−型ベース拡散層
6、106 p型ベース拡散層
7、107 n+型エミッタ拡散層
8、108 LOCOS酸化膜
9、109 n+型コレクタバッファ拡散層
10、110 p+型コレクタ拡散層
11、111 ゲート酸化膜
12、112 ゲート電極
13、113 分離溝
114 分離絶縁膜
15、115 層間絶縁膜
16、116 エミッタ電極
17、117 コレクタ電極
118 n−型ドリフト拡散層とn+型コレクタバッファ拡散層の平面距離
119 n−型ドリフト拡散層とp+型コレクタ拡散層の平面距離(余裕)
Claims (6)
- 半導体基板上に絶縁膜を介して接合された第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層内の所定領域に形成された第2導電型ドリフト拡散層と、
前記第1導電型半導体層内で前記第2導電型ドリフト層から離して形成された第1導電型ベース拡散層と、
前記第1導電型ベース拡散層内に形成された第2導電型エミッタ拡散層と、
前記第1導電型半導体層内で前記第2導電型ドリフト拡散層を挟んだ前記第1導電型ベース拡散層の反対側に形成された第2導電型コレクタバッファ層と、
前記第2導電型コレクタバッファ層内に形成された第1導電型コレクタ拡散層と、
少なくとも前記第2導電型エミッタ領域と前記第2導電型ドリフト拡散層とに挟まれた前記第1導電型ベース拡散層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2導電型ドリフト層上に形成されたフィールド絶縁膜と
を備え、前記第2導電型ドリフト拡散層は、
前記第2導電型コレクタバッファ層を包囲するように形成され、該直線部分では両端から第2導電型の不純物が拡散して中央に第1オーバーラップ領域が形成され、前記第2導電型ドリフト拡散層と前記第2導電型コレクタバッファ層とが重なった第2オーバーラップ領域が形成されていることを特徴とする
高耐圧半導体装置。 - 前記第2オーバーラップ領域における第2導電型の不純物濃度は、直線部分よりもコーナー部分が低いことを特徴とする
請求項1に記載の高耐圧半導体装置。 - 前記第2オーバーラップ領域におけるコーナー部分の第2導電型の不純物濃度は、前記第2導電型ドリフト拡散層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする
請求項1又は請求項2に記載の高耐圧半導体装置。 - 前記第2オーバーラップ領域における第2導電型の不純物の表面濃度は、前記第2導電型コレクタバッファ層の直下の不純物濃度よりも低いことを特徴とする
請求項1から請求項3の何れかに記載の高耐圧半導体装置。 - 前記第2導電型コレクタバッファ層は逆凸形状に形成され、該形状の外側部分が前記第2導電型ドリフト拡散層とオーバーラップしていることを特徴とする
請求項1から請求項4の何れかに記載の高耐圧半導体装置。 - 半導体基板上に絶縁膜を介して接合された第1導電型半導体層内の所定領域に第2導電型ドリフト拡散層を形成する工程と、
前記第2導電型ドリフト拡散層を拡散するための熱処理工程と、
少なくとも前記第2導電型のドリフト拡散層上の前記第1導電型半導体層を選択酸化してフィールド酸化膜を形成する工程と、
前記第2導電型のドリフト拡散層に隣接した前記フィールド酸化膜の形成されていない領域から該フィールド酸化膜の端部に亘って開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記フィールド酸化膜の端部越しに第2導電型の不純物を注入して第2導電型コレクタバッファ層を形成する工程と、
前記第2導電型コレクタバッファ層の反対側の前記第2導電型ドリフト拡散層に隣接して第1導電型ベース拡散層を形成する工程と、
少なくとも第1導電型ベース拡散層の表面にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記第1導電型ベース拡散層の一部に第2導電型の不純物を注入して第2導電型エミッタ拡散層を形成する工程と、
前記フィールド酸化膜をマスクとして前記第2導電型コレクタバッファ層に第1導電型の不純物を注入して第1導電型コレクタ拡散層を形成する工程と
を備え、前記第2導電型コレクタバッファ層は逆凸形状に形成され、該形状の外側部分が前記第2導電型ドリフト拡散層とオーバーラップしていることを特徴とする
高耐圧半導体装置の製造方法。
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