JP2008144249A - 成膜装置および該成膜装置に用いる筒状陰極での異常放電発生防止方法 - Google Patents
成膜装置および該成膜装置に用いる筒状陰極での異常放電発生防止方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】真空成膜室6と、この真空成膜室6内に配置され内部に直流プラズマを発生し当該内部に配置した基板(導電性ワイヤ)10表面に成膜するための筒状陰極8とを備え、上記直流プラズマによりガスが分解して成膜が行われる過程で筒状陰極8に周期的にパルス状正電圧V2を印加する。
【選択図】図2
Description
4 真空排気系
6 真空成膜室
8 筒状陰極
10 導電性ワイヤ(基板、成膜対象)
20 パルス電圧生成部
Claims (5)
- 真空成膜室内に配置した筒状陰極に直流負電圧を印加し、その内部にプラズマを閉じ込め状態で生成して、真空成膜室に導入した炭素膜成膜用のガスを分解することにより、当該筒状陰極内部に配置した基板表面に炭素膜を成膜する成膜装置であって、
上記直流負電圧を印加して生成したプラズマにより上記ガスが分解して上記成膜が行われる過程で、パルス状正電圧を筒状陰極に繰り返し印加して該筒状陰極に付着した炭素物質に帯電する電荷を中和することにより、上記電荷のチャージアップによる異常放電の発生を防止可能とした、ことを特徴とする成膜装置。 - 1周期内における上記パルス状正電圧の印加期間を上記直流負電圧の印加期間より短い期間として該パルス状正電圧を周期的に繰り返し印加する、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 所定周波数における各周期内で上記直流負電圧の印加期間に対して上記パルス状正電圧の印加期間を、上記帯電した電荷をパルス状正電圧の印加で中和できる期間にデューティ制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 上記所定周波数が、1kHz〜20kHzであり、上記所定周波数における1周期内でパルス状正電圧の1回の印加期間が、5μs〜200μsである、ことを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 真空成膜室内に配置した筒状陰極に直流負電圧を印加し、その内部にプラズマを閉じ込め状態で生成して、真空成膜室に導入した炭素膜成膜用のガスを分解することにより、当該筒状陰極内部に配置した基板表面に炭素膜を成膜する過程で、パルス状正電圧を筒状陰極に繰り返し印加して該筒状陰極に付着した炭素物質に帯電する電荷を中和することにより、上記電荷のチャージアップによる異常放電の発生を防止する、ことを特徴とする成膜装置用筒状陰極での異常放電発生防止方法。
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