JP2007042352A - 電界電子放出源及びそれを用いたマグネトロン及びマイクロ波応用装置 - Google Patents
電界電子放出源及びそれを用いたマグネトロン及びマイクロ波応用装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】陰極基板5の表面を機械的に粗すか、エッチング処理を施すことで陰極基板5の表面に活性化された活性領域6と活性化されていない未活性領域7が分布するようにする。この陰極基板5に熱CVD法を用いて炭素繊維を製膜すると、導電性の粒子を陰極基板5上に配置することなく、厚く成長した炭素繊維膜8と薄く成長した炭素繊維膜9の分布する凹凸形状のついた電界電子放出源11が形成される。また、本発明の電界電子放出源に形成した炭素繊維10は、従来の陰極基板を活性化せずに形成した電界電子放出源の炭素繊維の径よりも太く、優れた電子放出特性が得られる。
【選択図】図2
Description
図1は本発明の実施の形態1における炭素繊維成膜前の陰極基板の断面図であり、図2は本発明の実施の形態1における炭素繊維成膜後の電界電子放出源の断面図、図3は本発明の実施の形態1における電界電子放出源と従来型電界電子放出源との電界強度に対する電流密度の関係比較グラフ、図4は本発明の実施の形態1における陰極基板の表面の粗さ値Rz[μm]に対する電界電子放出源から放出される電流密度の関係グラフである。
2FeCn + 2CO → 2FeCn+1 +O2
炭素と結合しながら炭化鉄は膨張し、やがて過飽和状態になり、これを核として炭素繊維が成長する。
3V/μmの電圧強度を印加した際のRzと電界電子放出源から放出される電流密度との関係は、図4のグラフに示されるように、Rzが12μm以上では放電し電子放出の動作が不安定であり、Rzが少ないと電界集中効果が得られずに電流密度が低くなる。よって、Rzは7〜10μm、RSmは上記式より140〜200μmが最適となる。
本発明の実施の形態2における電界電子放出源は、陰極基板5としてステンレスを用い、陰極基板5を硝酸と塩酸の混合液に10秒ほど浸した後に取り出し水洗いした。陰極基板5の表面には酸によって腐食した活性領域6と、腐食しなかった未活性領域7が混在した。この陰極基板5を実施の形態1と同様に炭素繊維膜を成膜したところ、同じように良好な結果が得られた。また、アルカリ性溶液で表面を腐食しても同様の効果が得られた。
本発明の実施の形態3における電界電子放出源は、陰極基板5としてステンレスを用い、陰極基板5の表面に直径10μmのダイヤモンドビーズを高圧で衝突させるブラスト処理を行った。表面にはダイヤモンドビーズが衝突した活性領域6と、衝突しなかった未活性領域7が混在した。この陰極基板5を実施の形態1と同様に炭素繊維膜を成膜したところ、同じように良好な結果が得られた。
図5は本発明における電界電子放出源を用いたマグネトロンの要部を示す縦断面図である。
6 活性領域
7 未活性領域
8 炭素繊維膜の厚い領域
9 炭素繊維膜の薄い領域
10 炭素繊維
11 電界電子放出源
12 陰極部
14 グラファイトナノファイバー
15 エンドハット
16 陽極ベイン
17 直流磁界
18 作用空間
Claims (11)
- 陰極基板の表面に活性領域と未活性領域とを形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に熱CVD法を用いて前記陰極基板の表面に炭素繊維膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とする電界電子放出源の製造方法。
- 前記第1の工程は、前記陰極基板の表面に高速回転するワイヤブラシのグラインダを当接させて機械的に前記陰極基板の表面を粗し、前記陰極基板の表面に活性領域と未活性領域とを形成することを特徴とする請求項1に記載の電界電子放出源の製造方法。
- 前記第1の工程は、前記陰極基板を酸またはアルカリ溶液によってエッチングし、前記陰極基板の表面に活性領域と未活性領域とを形成することを特徴とする請求項1に記載の電界電子放出源の製造方法。
- 前記第1の工程は、前記陰極基板の表面にダイヤモンドビーズの粒子を高圧で衝突させるブラスト処理を施し、前記陰極基板の表面に活性領域と未活性領域とを形成することを特徴とする請求項1に記載の電界電子放出源の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の電界電子放出源の製造方法にて表面を活性化した前記陰極基板の表面の粗さが、JIS B0601の規格により定義される評価方法において十点平均粗さ(Rz)が7〜10μm、平均長さ(RSm)が140〜200μmであることを特徴とする電界電子放出源。
- 前記陰極基板が、ステンレス材であることを特徴とする請求項5に記載の電界電子放出源。
- 前記炭素繊維が、カーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバーまたはそれらを含むカーボン材料からなる請求項1〜6のいずれかに記載の電界電子放出源。
- 前記炭素繊維がグラファイトナノファイバーであり、直径が300〜800nmであることを特徴とする請求項7に記載の電界電子放出源。
- 請求項5〜8のいずれかに記載の電界電子放出源を陰極部に備えていることを特徴とするマグネトロン。
- 請求項9に記載のマグネトロンを備えたことを特徴とする電子レンジ。
- 請求項9に記載のマグネトロンを備えたことを特徴とするマイクロ波応用装置。
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