JP2014034473A - ダイヤモンドの製造方法及び直流プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Sを保持したステージ電極12と電圧印加電極13との間に、直流電圧を印加する直流プラズマCVD法により、少なくとも炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを原料として、基板S上にダイヤモンドを成長させるダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモンド成長用直流電圧を印加してダイヤモンドを成長させている時に、前記ステージ電極12と電圧印加電極13との間に前記ダイヤモンド成長用直流電圧とは逆極性の単パルス電圧を所定のタイミングで印加する。
【選択図】図1
Description
なお、本発明に関連する先行技術として、下記特許文献1,2がある。
〔1〕 基板を保持したステージ電極と電圧印加電極との間に、直流電圧を印加する直流プラズマCVD法により、少なくとも炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを原料として、基板上にダイヤモンドを成長させるダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモンド成長用直流電圧を印加してダイヤモンドを成長させている時に、前記ステージ電極と電圧印加電極との間に前記ダイヤモンド成長用直流電圧とは逆極性の単パルス電圧を所定のタイミングで印加することを特徴とするダイヤモンドの製造方法。
〔2〕 前記ダイヤモンド成長用直流電圧の印加時には、前記ステージ電極をアノードとし、前記電圧印加電極をカソードとすることを特徴とする〔1〕に記載のダイヤモンドの製造方法。
〔3〕 前記ステージ電極と電圧印加電極の間のチャージアップ電圧がダイヤモンド成長用直流電圧の1/3以上となった時に、前記逆極性の単パルス電圧を印加することを特徴とする〔1〕又は〔2〕に記載のダイヤモンドの製造方法。
〔4〕 100μsに1回以下の一定周期で前記逆極性の単パルス電圧を印加することを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のダイヤモンドの製造方法。
〔5〕 前記逆極性の単パルス電圧の大きさが前記ダイヤモンド成長用直流電圧値の1/30倍以上1倍以下であることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載のダイヤモンドの製造方法。
〔6〕 真空槽と、真空槽内に組合せて配置される、基板を保持するステージ電極及び電圧印加電極と、ステージ電極と電圧印加電極との間に直流電圧を印加する直流電源と、直流電源の出力電圧にパルス電圧を重畳するパルス電圧重畳器と、真空槽内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを備え、ステージ電極と電圧印加電極との間にダイヤモンド成長用直流電圧を印加して基板上にダイヤモンドを成長させている時に、前記ステージ電極と電圧印加電極との間に前記ダイヤモンド成長用直流電圧とは逆極性の単パルス電圧を印加する電圧制御を所定のタイミングで行うことを特徴とするダイヤモンド製造用の直流プラズマCVD装置。
まず、本発明で利用する直流プラズマCVD法とは、プラズマを援用する形式の化学気相合成(CVD)法であって、2つの電極間に直流(DC)電圧を印加して原料ガスをプラズマ状態にして基板上に堆積させる方法である。この直流プラズマCVD法は、装置構成が簡単であり、大面積に高速で成長が可能であるという特徴を有している。
しかしながら、前述のように、従来の直流プラズマCVD装置でダイヤモンドを成長させる場合には、ダイヤモンドが導体ではないため、ダイヤモンドの厚みが増すと次第に基板上におけるチャージアップ量も増加し、ダイヤモンドの成長速度が低下してしまう。また、CVD法を行うと他方の電圧印加電極の表面にも次第に表面に絶縁性の堆積物が形成され、結果としてチャージアップして成長速度を低下させることになる。更に、基板表面や電極表面でのチャージアップは、時にはスパークを引き起こすため、ダイヤモンド膜に欠陥が混入する原因にもなるという問題があった。
そこで、本発明者は、このような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。
本発明では、例えば図1に示す直流プラズマCVD装置を用いてダイヤモンドを製造する。
図1に示すように、直流プラズマCVD装置10は、真空槽であるチャンバー11と、チャンバー11内で組合せて配置される、基板Sを保持するステージ電極12及び電圧印加電極13と、ステージ電極12と電圧印加電極13の間に直流電圧を印加する直流電源14と、直流電源14の出力電圧にパルス電圧を重畳するパルス電圧重畳器15と、原料ガス供給手段16と、装置全体を制御する制御部18とを備える。
(手順3) 次に、原料ガス供給手段16から少なくとも炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガス、例えば水素ガスで希釈したメタンガスをチャンバー11内に導入して、所定の圧力に調整する。
ダイヤモンドを分離することなく、そのままダイヤモンドと基板Sの積層基板として用いてもよい。
本発明のダイヤモンドの製造方法に基づき、以下の条件でダイヤモンドを製造した。
(基板の準備)
直径25.0mm、厚み1.00mmで方位(100)の両面研磨加工した単結晶MgO基板を用意した。この単結晶MgO基板上にイリジウム(Ir)膜をヘテロエピタキシャル成長させた。製膜は、Irをターゲットとし、RFマグネトロンスパッタリング法で、Arガス6×10-2Torr、基板温度700℃の条件で単結晶Irを膜厚が1.5μmになるまでスパッタ製膜して仕上げた。
また、バイアス処理及び直流プラズマCVD処理を行う際の電気的導通を確保するために、基板温度を100℃とした他は同じ条件で、裏面にも厚さ1.5μmのIrを製膜した。
(バイアス処理)
次に、この基板の単結晶Ir膜の表面にダイヤモンドの核を形成するためのバイアス処理を行った。先ず、基板をバイアス処理装置の負電圧印加電極(カソード)上にセットし、真空排気を行った。次に、基板を600℃に加熱してから、3vol%水素希釈メタンガスを導入し、圧力を160hPa(120Torr)とし、バイアス処理を行った。すなわち、両電極間に直流電圧を印加して、所定の直流電流を流した。
(ダイヤモンド成長)
次に、このバイアス処理済み基板上に、図1に示す直流プラズマCVD装置10を用いた直流プラズマCVD法により、単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させた。詳しくは、基板をステージ電極12上に載せてチャンバー11内を真空排気した後に、基板を基板温度900℃まで加熱し、次いで原料ガスとして4vol%水素希釈メタンガスを導入して、チャンバー11内の圧力を160hPa(120Torr)とした。
次いで、アースされたステージ電極12をアノードとし、電圧印加電極13をカソードとして、ダイヤモンド成長用直流電圧(−500V)を印加して、15時間のダイヤモンド成長を行った(第1回成長)。なお、逆電圧パルスの印加条件として、ダイヤモンド成長中に、チャージアップ電圧が直流電圧の半分(電位−V/2)になった時に、パルス電圧重畳器15から直流電源14の出力電圧にその直流電圧の逆極性の単パルス電圧を印加して、ステージ電極12と電圧印加電極13の間に電圧V/10の逆電圧パルスを印加時間5μsだけ印加した。
第1回成長の終了後、チャンバー11から取り出した製造物は、ダイヤモンドの厚みが75μmであった(成長速度5μm/h)。
その後、第1回成長と同一の条件でもう一度直流プラズマCVD装置10を用いた直流プラズマCVD法により15時間の成長を行った(第2回成長)。第2回成長の終了後、チャンバー11から取り出した製造物は、ダイヤモンドの厚みが150μmとなっていた(成長速度5μm/h)。
第1回成長、第2回成長ともに、高い成長速度が維持された。
実施例1において、ダイヤモンド成長における電圧印加条件として、逆電圧パルスの印加条件を次の通りとした他は、実施例1と同様な条件でダイヤモンドを製造した。
(逆電圧パルス条件)
ダイヤモンド成長中に、成長時間250μsごとに(すなわち、f=4kHzとして)、パルス電圧重畳器15から直流電源14の出力電圧(電位V)にその成長用直流電圧の逆極性の単パルス電圧を印加して、ステージ電極12と電圧印加電極13の間に電圧V/20(電位−V/20)の逆電圧パルスを印加時間5μsだけ印加した。
第1回成長の終了後、チャンバー11から取り出した製造物は、ダイヤモンドの厚みが75μmであった(成長速度5μm/h)。
その後、第1回成長と同一の条件でもう一度直流プラズマCVD装置10を用いた直流プラズマCVD法により15時間の成長を行った(第2回成長)。第2回成長の終了後、チャンバー11から取り出した製造物は、ダイヤモンドの厚みが150μmとなっていた(成長速度5μm/h)。
第1回成長、第2回成長ともに、高い成長速度が維持された。
得られた単結晶ダイヤモンド基板は、ラマン分光分析、X線ロッキングカーブ、断面透過電子顕微鏡(TEM)観察、カソードルミネッセンス(CL)で評価したところ、欠陥がなく良好な結晶性を示すことが確認できた。
実施例1において、ダイヤモンド成長における電圧印加条件として、ダイヤモンド成長用直流電圧を印加するのみで逆電圧パルスの印加なしとした他は、実施例1と同様な条件でダイヤモンドを製造した。
第1回成長の終了後、チャンバー11から取り出した製造物は、ダイヤモンドの厚みが75μmであった(成長速度5μm/h)。
その後、第1回成長と同一の条件でもう一度直流プラズマCVD装置10を用いた直流プラズマCVD法により15時間の成長を行った。第2回成長の終了後、チャンバー11から取り出した製造物は、ダイヤモンドの厚みが105μmとなっていた(成長速度2μm/h)。第1回成長に比べて第2回成長の成長速度が大幅に低下した。更に、第2回成長の途中でスパークの発生が起こり、基板の一部が破損した。
11 チャンバー
12 ステージ電極
13 電圧印加電極
14 直流電源
15 パルス電圧重畳器
16 ガス供給手段
18 制御部
S 基板
Claims (6)
- 基板を保持したステージ電極と電圧印加電極との間に、直流電圧を印加する直流プラズマCVD法により、少なくとも炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを原料として、基板上にダイヤモンドを成長させるダイヤモンドの製造方法であって、ダイヤモンド成長用直流電圧を印加してダイヤモンドを成長させている時に、前記ステージ電極と電圧印加電極との間に前記ダイヤモンド成長用直流電圧とは逆極性の単パルス電圧を所定のタイミングで印加することを特徴とするダイヤモンドの製造方法。
- 前記ダイヤモンド成長用直流電圧の印加時には、前記ステージ電極をアノードとし、前記電圧印加電極をカソードとすることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンドの製造方法。
- 前記ステージ電極と電圧印加電極の間のチャージアップ電圧がダイヤモンド成長用直流電圧の1/3以上となった時に、前記逆極性の単パルス電圧を印加することを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンドの製造方法。
- 100μsに1回以下の一定周期で前記逆極性の単パルス電圧を印加することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイヤモンドの製造方法。
- 前記逆極性の単パルス電圧の大きさが前記ダイヤモンド成長用直流電圧値の1/30倍以上1倍以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のダイヤモンドの製造方法。
- 真空槽と、真空槽内に組合せて配置される、基板を保持するステージ電極及び電圧印加電極と、ステージ電極と電圧印加電極との間に直流電圧を印加する直流電源と、直流電源の出力電圧にパルス電圧を重畳するパルス電圧重畳器と、真空槽内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを備え、ステージ電極と電圧印加電極との間にダイヤモンド成長用直流電圧を印加して基板上にダイヤモンドを成長させている時に、前記ステージ電極と電圧印加電極との間に前記ダイヤモンド成長用直流電圧とは逆極性の単パルス電圧を印加する電圧制御を所定のタイミングで行うことを特徴とするダイヤモンド製造用の直流プラズマCVD装置。
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