JP2008138250A - 真空蒸着装置および真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着装置および真空蒸着方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008138250A JP2008138250A JP2006325259A JP2006325259A JP2008138250A JP 2008138250 A JP2008138250 A JP 2008138250A JP 2006325259 A JP2006325259 A JP 2006325259A JP 2006325259 A JP2006325259 A JP 2006325259A JP 2008138250 A JP2008138250 A JP 2008138250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- film
- deposition material
- vacuum
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
光吸収のないフッ化物からなる蒸着材料をプラスチックフィルム上に電子ビーム加熱蒸着法により安定的に高速で形成する光学薄膜の成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】
フッ化物からなる蒸着材料をターゲットとした電子ビーム加熱蒸着法によりプラスチックフィルム基板上に無加熱で光学薄膜を形成する際、蒸着材料として焼結体を用いることで成膜安定性を保つ。さらにランプ5によりターゲット材料6を照射して加熱をアシストする。このとき蒸着材料6の温度を赤外放射温度計7により測定し、蒸着材料6の温度を制御回路装置を介して電子ビーム投入電力、またはランプ強度にフィードバックして蒸着材料6の温度を所定の範囲に保ち、成膜速度を一定にする。
【選択図】 図1
Description
該蒸着材料がフッ化物の焼結体からなり、かつ、該蒸着材料を連続的に供給する手段を備えることを特徴とする真空蒸着装置である。
該温度測定手段の出力に基づいて、該電子ビームの出力および該ランプ光の強度を制御する制御手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着装置である。
通常のスパッタリング装置では原子間結合が切れてターゲットからMgやFといった原子が跳び出すために光学吸収を持った膜になりやすい。一方、焼結体からなる蒸着材料の温度を電子ビームならびにランプで上昇させておくと熱振動により結合力の強い箇所と弱い箇所ができ、跳び出す粒子の形態がMgF2分子となる場合が生じる。この場合には、可視域で光吸収がないMgF2膜を形成することができる。
該蒸着材料がフッ化物の焼結体からなり、かつ、該蒸着材料を連続的に供給することを特徴とする真空蒸着方法である。
該蒸着材料が所定の温度になるように、該電子ビームの出力および該ランプ光の強度を制御することを特徴とする請求項3に記載の真空蒸着方法である。
本発明の真空蒸着装置は、真空槽1内に巻出し部2および巻取り部3、プラスチックフィルム4を連続的に供給可能なメインロール5、メインロール5に対向配置されている焼結体からなる蒸着材料6、蒸着材料6に向かって電子銃7ならびにレーザーランプ8が設置されている。
蒸着材料であるフッ化物としては、MgF2、AlF3、LiF、NaF、CaF2、SrF2、BaF2、CeF3、NdF3、LaF3、SmF3、Na3AlF6、Na5Al3F14の内、一種又は二種以上を選択して用いることができるが、これらに限定されるものではない。さらに、温湿度の変化に対する耐久性の高い膜を得ることができることから、MgF2を主成分としたターゲットを用いることが好ましい。
図2に示す装置において、100μm厚のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを真空槽1内に設置した後、図示していない真空ポンプにより真空槽1内を5×10−4Paまで排気した。このときPETフィルムはメインロール内の冷却水により10℃に冷却されている。
蒸着材料6としてMgF2を用い、電子銃7により電子ビームを照射し、さらにYAGレーザーランプ8によりターゲット表面の加熱をアシストする。この電子ビームにより、焼結体を含む蒸着材料6は加熱され、同時にYAGレーザーランプ8のアシストにより材料表面の結合が軟化した部分がアタックされる。赤外放射温度計10で計測された蒸着材料6の温度が1050℃に保たれるように電子ビーム7の投入電力を制御した。このとき投入電力は5kVの加速電圧で20〜30mA程度となった。ここで、メインロール5を回転させてPETフィルムを連続的に流し、シャッター12を開けると、PETフィルム上にMgF2膜が成膜される。分光感度センサー11により膜厚及び成膜速度を監視し、PETフィルム基板上に形成されるMgF2膜の膜厚が物理的膜厚にして100nmとなるようメインロール5の回転速度を決定した。このときのドラム搬送速度は10.5m/minであった。また、MgF2焼結体材料の入ったリングハース13は、0.6cm/minの速度で回転しながら連続的に供給した。その後、膜厚を分光感度センサー11で監視しながらYAGレーザーランプ8の投入電力を微調整して、安定した成膜速度を継続させた。
実施例1と同様の真空蒸着装置、材料を用いて光学薄膜をPETフィルム上に成膜した。本比較例では、蒸着材料表面温度をフィードバックせず、電子ビーム投入電力を5.0kV加速で30mA一定とした。このときの材料表面温度、投入電力、成膜速度の変化を図5に示す。材料表面温度は経時的に不安定であり、また成膜速度が安定していない。また、同じ条件で100m成膜して、5m置きに測定したフィルムの特性は、膜の光吸収が増えたり、膜の機械的強度が劣化したりするものがあり、再現性に乏しかった。
実施例1と同様の真空蒸着装置を用いて、蒸着材料に焼結体を含まない粒径1〜2mmのMgF2顆粒を用いて電子ビームを印加し、リングハースを回転して材料を供給しながらPETフィルム上に成膜したところ、顆粒材料の溶解部が均一にならず、レートが経時的に不安定になり、さらにスプラッシュも発生して欠陥の多い膜となってしまった。
本発明の実施例1と同じ真空蒸着装置を用いた。蒸着材料6には、MgF2とAlF3を重量比で2:1に混合し、焼結した材料を用いた。電子銃用には5.0kVの加速電圧で30〜35mAの電力を投入した。
本発明の実施例3を図1に基づいて説明する。図1は本実施例で用いる真空蒸着装置を示す概略構成図である。本実施例の成膜装置には、蒸着材料6に向かって、電子銃7、YAGレーザーランプ8が設置されている。さらに、ターゲット加熱をアシストするためにリングハース下部にシーズヒーター9を設置した。そして、赤外放射温度計10により測定した蒸着材料6の温度が所定の値となるように、制御回路装置により電子銃7の出力、YAGレーザーランプ8の出力ならびにシーズヒーター9の出力を制御することができるように構成されている。
その他の構成は、実施例1の真空蒸着装置と同様である。
本発明の実施例1〜3ではMgF2の単層反射防止膜を成膜する例を示してきたが、他の高屈折率層等と組み合わせて、多層の反射防止膜やハーフミラー、エッジフィルター等を形成することができる。ここでは1例として、表1に示す膜構成からなる4層の反射防止膜の例を示す。
2 巻出し部
3 巻取り部
4 プラスチックフィルム
5 メインロール
6 蒸着材料(焼結体)
7 電子銃
8 ランプ
9 加熱ヒータ
10 温度計
11 光学式分光感度センサー
12 シャッター
13 リングハース
Claims (4)
- 真空槽と、該真空槽の内部に配置されプラスチックフィルムを連続的に繰り出す巻出し部と、該巻出し部から繰り出された該プラスチックフィルムを巻き取る巻取り部と、該巻出し部と該巻取り部との間に配置されたメインロールと、該メインロールに対向配置されたフッ化物からなる蒸着材料と、電子銃およびレーザーランプを備え、該蒸着材料に該電子銃および該レーザーランプより電子ビームおよびランプ光を照射することで、該プラスチックフィルムに該蒸着材料を成膜する真空蒸着装置であって、
該蒸着材料がフッ化物の焼結体からなり、かつ、該蒸着材料を連続的に供給する手段を備えることを特徴とする真空蒸着装置。 - 前記蒸着材料の温度を測定する温度測定手段を有し、
該温度測定手段の出力に基づいて、該電子ビームの出力および該ランプ光の強度を制御する制御手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着装置。 - 真空雰囲気内でプラスチックフィルムを連続的に送り出し、該プラスチックフィルムをメインロールに密着させながら、フッ化物からなる蒸着材料に電子ビームおよびランプ光を照射することで、該プラスチックフィルムに該蒸着材料を蒸着させる真空蒸着方法であって、
該蒸着材料がフッ化物の焼結体からなり、かつ、該蒸着材料を連続的に供給することを特徴とする真空蒸着方法。 - 前記蒸着材料の温度を測定する温度計を有し、
該蒸着材料が所定の温度になるように、該電子ビームの出力および該ランプ光の強度を制御することを特徴とする請求項3に記載の真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006325259A JP4858127B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006325259A JP4858127B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008138250A true JP2008138250A (ja) | 2008-06-19 |
JP4858127B2 JP4858127B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=39600025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006325259A Expired - Fee Related JP4858127B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4858127B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010106320A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着装置 |
JP2010121204A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Fujikura Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2012206913A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Ngk Insulators Ltd | フッ化マグネシウム焼結体、その製法及び半導体製造装置用部材 |
JP2013100567A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Showa Shinku:Kk | 電子ビーム蒸着装置 |
CN111647855A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-09-11 | 合肥邦诺科技有限公司 | 一种基于红外检测技术的真空镀膜基板温度监控组件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04346656A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-12-02 | Hitachi Ltd | 金属蒸気の加速方法および高速金属蒸気発生装置 |
JPH06228743A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着装置 |
JPH09209130A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-12 | Toyo Metallizing Co Ltd | 金属酸化物薄膜の蒸着方法 |
JPH11140635A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-25 | Toyo Metallizing Co Ltd | 電子ビーム蒸着方法及び電子ビーム蒸着装置 |
JP2006291328A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子線補助照射レーザアブレーション成膜装置 |
-
2006
- 2006-12-01 JP JP2006325259A patent/JP4858127B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04346656A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-12-02 | Hitachi Ltd | 金属蒸気の加速方法および高速金属蒸気発生装置 |
JPH06228743A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着装置 |
JPH09209130A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-12 | Toyo Metallizing Co Ltd | 金属酸化物薄膜の蒸着方法 |
JPH11140635A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-25 | Toyo Metallizing Co Ltd | 電子ビーム蒸着方法及び電子ビーム蒸着装置 |
JP2006291328A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子線補助照射レーザアブレーション成膜装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010121204A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Fujikura Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2010106320A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着装置 |
JP2012206913A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Ngk Insulators Ltd | フッ化マグネシウム焼結体、その製法及び半導体製造装置用部材 |
JP2013100567A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Showa Shinku:Kk | 電子ビーム蒸着装置 |
CN111647855A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-09-11 | 合肥邦诺科技有限公司 | 一种基于红外检测技术的真空镀膜基板温度监控组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4858127B2 (ja) | 2012-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4858127B2 (ja) | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 | |
JP2008266728A (ja) | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 | |
US5993614A (en) | Method of manufacturing substrate with thin film, and manufacturing apparatus | |
US7483226B2 (en) | ND filter, manufacturing method thereof, and aperture device | |
JP2011256427A (ja) | 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置 | |
JP2004091858A (ja) | 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法 | |
KR100736664B1 (ko) | Ito 투명 전도성 필름을 포함하는 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2007248828A (ja) | 光学薄膜形成方法および装置 | |
JP2008304497A (ja) | 光学薄膜成膜方法、光学基板及び光学薄膜成膜装置 | |
JP2010106339A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2004339602A (ja) | フィルム用真空成膜装置及びそれを用いたプラスチックフィルム | |
JP2008114444A (ja) | 透明複層フィルムの製造方法及びその方法で製造したガスバリア性透明複層フィルム並びに封止フィルム | |
JP2007284772A (ja) | フッ素化合物薄膜の製造方法 | |
JP2014133907A (ja) | 成膜装置 | |
JP2012067331A (ja) | 成膜方法およびスパッタリング装置 | |
JP2005325399A (ja) | 積層フィルムの製造方法 | |
JP2013503969A (ja) | 気相から基板を被覆するための方法及び装置 | |
JP2004346354A (ja) | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 | |
JP2007321170A (ja) | スパッタ成膜方法、光吸収膜並びにndフィルター | |
JP2014052381A (ja) | シンチレータパネル | |
JPH06330318A (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法及び製造装置 | |
JP5128030B2 (ja) | 光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法と誘電体膜成膜装置 | |
JP5458277B1 (ja) | 機能性膜及びその成膜装置、成膜方法 | |
JP3346309B2 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法 | |
JP2004325691A (ja) | 熱可塑性樹脂フィルムの保管方法及び積層体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111017 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |