JP5128030B2

JP5128030B2 - 光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法と誘電体膜成膜装置

Info

Publication number: JP5128030B2
Application number: JP2001087570A
Authority: JP
Inventors: 泰英松本; 哲郎和田
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date: 2001-03-26
Filing date: 2001-03-26
Publication date: 2013-01-23
Anticipated expiration: 2021-03-26
Also published as: JP2002286937A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本件発明の一つは、光ファイバの端面に誘電体膜を成膜する方法に関するものである。本件出願の他の一つは、光ファイバの端面に誘電体膜を成膜可能な装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバの端面（以下「ファイバ端面」）に誘電体膜を成膜するための装置として従来図９に示すような誘電体膜成膜装置がある。この誘電体膜成膜装置は、真空チャンバーＡの内に、少なくとも２基の電子ビーム銃（ＥＢガン）Ｂ、Ｂ’と、２つの容器（ルツボ）Ｃ、Ｃ’と、図示されていない光ファイバの端部をセット可能な回転ドームＤと、活性分子を照射可能なイオン銃Ｆと、負電荷の熱電子を照射可能なニュートライザＧが設けられたものである。
【０００３】
図９に示す誘電体膜成膜装置によって、ファイバ端面に誘電体膜を成膜するには次のようにする。図示されていないホルダーを介して前記回転ドームＤに光ファイバの端部をセットし、ファイバ端面を真空チャンバーＡ内に露出させる。次に、回転ドームＤを回転させながら、一方の電子ビーム銃Ｂから一方の容器Ｃ内に収容されている誘電体膜の原料（高屈折材料又は低屈折材料）に向けて電子ビームを照射して同原料を溶融させて蒸発させ、蒸発した原料分子又は原子をファイバ端面に蒸着させる。所定量の原料分子又は原子が蒸着したら、当該電子ビーム銃Ｂからの電子ビームの照射を停止すると共に、隣接するシャッターＨを回動させて当該容器Ｃを閉塞する。次いで、他方の電子ビーム銃Ｂ’から他方の容器Ｃ’内に収容されている誘電体膜の原料（低屈折材料又は高屈折材料）に向けて電子ビームを照射し、前記と同様にして先にファイバ端面に蒸着している原料分子又は原子の上に当該容器Ｃ’から蒸発した原料分子又は原子を蒸着させて積層する。所定量の原料分子又は原子が蒸着したら、当該電子ビーム銃Ｂ’からの電子ビームの照射を停止すると共に、隣接するシャッターＨ’を回動させて当該容器Ｃ’を閉塞する。以後、これを繰り返して、ファイバ端面に高屈折材料による膜（以下「高屈折材料膜」）と低屈折材料による膜（以下「低屈折材料膜」）を交互に積層して所定膜厚の誘電体膜を成膜する。
【０００４】
尚、図９に示す前記イオン銃Ｆは、形成される誘電体膜の緻密性を向上させるために、ファイバ端面に向けて活性分子（O₂活性分子、Ar活性分子、He活性分子、N₂活性分子、CO₂活性分子、H₂O活性分子等）を照射して、同端面に蒸着される原料分子又は原子にエネルギーを付与するものである。また、前記ニュートライザＧは、成膜中のファイバ端面が正に帯電するのを防ぐために、負電荷の熱電子を同端面に向けて照射して電気的中立を保つためのものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記のようにしてファイバ端面に誘電体膜を成膜することには次のような課題があった。
ファイバ端面への原料分子又は原子の蒸着開始時における真空チャンバーＡ内の温度は室温とほぼ同一であるが、蒸着開始後は電子ビーム銃Ｂ等の輻射熱やイオン銃Ｆのアシスト効果等によって真空チャンバーＡ内の温度に変化が生じる。かかる温度変化によってファイバ端面に積層される前記高屈折材料膜及び低屈折材料膜の屈折率が夫々変化し、結果として誘電体膜の光学特性が所期の光学特性とは異なったものとなってしまう。例えば、図９に示す誘電体膜成膜装置を使用して前記高屈折材料膜の一つであるTa₂O₅膜を成膜した際、真空チャンバーＡ内に図１０に示すグラフに表される温度変化が生じた。かかるグラフから、真空チャンバーＡ内の温度はTa₂O₅膜の成膜開始後、時間経過と共に上昇し、成膜開始時と終了時とでは６０℃の温度変化が生じていることがわかる。図１１は、真空チャンバーＡに設けられた光学式膜厚計（図示しない）によって測定された光量変化パターンを示すグラフであり、同グラフ中のＡ点における正弦波の山と谷の差Ｐ１は成膜開始から１５分後におけるTa₂O₅膜（膜厚９０nm）の屈折率を示し、Ｂ点における正弦波の山と谷の差Ｐ２は成膜開始から４２分後におけるTa₂O₅膜（膜厚２７０nm）の屈折率を示す。図１２は、前記図１１に示すグラフに基づいて算出したTa₂O₅膜の屈折率を表すグラフである。同グラフから、本来、膜厚に拘らず一定であるはずのTa₂O₅膜の屈折率が、成膜開始から１５分後の時点におけるTa₂O₅膜（膜厚９０nm）と、成膜開始から４２分後の時点におけるTa₂O₅膜（膜厚２７０nm）とでは、0.13も異なることがわかる。
【０００６】
以上のような真空チャンバー内の温度変化に起因する屈折率の変化は、Ta₂O₅膜以外の高屈折材料膜（例えば、TiO₂膜やNb₂O₅膜等）及び低屈折材料膜（例えば、SiO₂膜等）についても同様に発生する。従って、これら高屈折材料膜と低屈折材料膜とをファイバ端面に交互に積層して誘電体膜を成膜すると、成膜された誘電体膜の光学特性が所期の光学特性とは異なったものとなってしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的の一つは、ファイバ端面に誘電体膜を成膜するにあたって、周囲温度の変化を可及的に少なくし、所期の光学特性を備えた誘電体膜を成膜可能とした方法を提供することにある。本発明の目的の他の一つは、前記方法を実現可能な誘電体膜成膜装置を提供することにある。
【０００８】
本件出願の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法は、チャンバー内に光ファイバの端面を配置して、同端面に誘電体膜の原料原子又は分子を蒸着させる光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法において、前記チャンバー内を、誘電体膜の原料分子又は原子の蒸着開始時から蒸着終了時までのチャンバー内の温度変化が所定の温度範囲以内となる所定温度に予備加熱してから光ファイバの端面への原料分子又は原子の蒸着を開始し、前記誘電体膜が、高屈折材料膜と低屈折材料膜が交互に成膜された層からなり、前記高屈折材料膜と低屈折材料膜がそれぞれ１層成膜された後に、チャンバー内の温度が前記所定温度に低下するまで待ってから続く膜の成膜を開始するものである。
【０００９】
本件出願の誘電体膜成膜装置の一つは、チャンバー内に露出した光ファイバの端面に誘電体膜の原料分子又は原子を蒸着させて誘電体膜を成膜可能な誘電体膜成膜装置であって、光ファイバの端面への原料分子又は原子の蒸着を開始する前に、チャンバー内を予備加熱するための第１加熱源を備え、前記第１加熱源は誘電体膜の原料分子又は原子の蒸着開始時から蒸着終了時までのチャンバー内の温度変化が所定の温度範囲以内となる所定温度に予備加熱することができるものであり、前記誘電体膜の原料を溶融させて、その分子又は原子を蒸発させるための電子ビーム銃をチャンバー内に備え、その電子ビーム銃の近傍に、電子ビーム銃の脱ガスを行い、かつチャンバー内を前記所定温度に予備加熱するための第２加熱源を前記第１加熱源とは別にさらに備えたものである。
【００１０】
本件出願の誘電体膜成膜装置の他の一つは、前記チャンバー内に、光ファイバを固定するためのドームが備えられ、前記チャンバー内で前記ドームの電子ビーム銃と反対側に配置された温度計によって前記所定温度が測定されるものとすることもできる。
【００１１】
本件出願の誘電体膜成膜装置の他の一つは、前記チャンバー内に、光ファイバを固定するためのドームと、前記ドームの温度を測定するための放射温度計が備えられ、前記放射温度計から前記所定温度が導かれるものとすることもできる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法及び誘電体膜成膜装置の実施形態の一例を説明する。ここに示す本発明の誘電体膜成膜装置は図１に示すように、内部が密閉空間となる真空チャンバー１内に２基の電子ビーム銃（ＥＢガン）２ａ、２ｂと、誘電体膜の原料を収容可能な２つの容器（ルツボ）３ａ、３ｂと、図示されていない光ファイバの端部をセット可能な回転ドーム４と、活性分子を照射可能なイオン銃５と、負電荷の熱電子を照射可能なニュートライザ６と、当該真空チャンバー１内の温度を制御可能な温度制御機構７と、ファイバ端面に成膜された誘電体膜の膜厚を測定可能な光学式膜厚計８を設けたものである。電子ビーム銃２ａ、２ｂ、容器３ａ、３ｂ、回転ドーム４、イオン銃５、ニュートライザ６は、前記図９に示すそれらと同一の構造を備え、同一の作用を奏するものであり、ここでは説明を省略する。
【００１３】
前記温度制御機構７は、真空チャンバー１内に配置された第２加熱源（シースヒータ）１０と、シースヒータ１０へ給電するヒータ電源１１と、真空チャンバー１内の温度を検知するセンサ（熱電対）１２と、熱電対１２の検知結果に基づいて真空チャンバー１内の温度を測定し、測定結果に基づいて前記ヒータ電源１１を制御する温度コントローラー１３とから構成されている。この温度制御機構７では、温度コントローラー１３が測定された真空チャンバー１内の温度に基づいてヒータ電源１１に制御信号を出力し、同電源１１からシースヒータ１０へ給電される電力量を増減させて同ヒータ１０の発熱量を調整することによって真空チャンバー１内の温度を制御する。
【００１４】
前記光学式膜厚計８は、図１に示すガラス板２０、第１及び第２のミラー２１ａ、２１ｂ、光源２３、検出器２４から構成されている。前記ガラス板２０は前記回転ドーム４の回転軸２５の先端に配置されており、当該ガラス板２０の表面にファイバ端面と同一の条件で誘電体膜の原料分子又は原子が蒸着されるようにしてある。前記第１のミラー２１ａは光源２３から発生した光をガラス板２０に向けて反射させるものである。具体的には前記回転軸２５は中空としてあり、第１のミラー２１ａによって反射された光は回転軸２５の内部を光路として伝搬し、ガラス板２０に照射される。前記第２のミラー２１ｂはガラス板２０に照射された光のうち、反射した光を前記検出器２４に向けて反射させて、同検出器２４に入射させるものである。検出器２４は入射した光のうち、特定波長の光の光量変化に基づいてガラス板２０の表面に蒸着された原料分子又は原子の量（膜厚）を検出するものである。
【００１５】
ここに示す本発明の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法は、前記本発明の誘電体膜成膜装置を使用してファイバ端面に誘電体膜を成膜するものであり、具体的には次の工程からなる。
（１）図１に示す誘電体膜成膜装置の回転ドーム４に図示されていないホルダーを介して光ファイバの端部をセットし、ファイバ端面を真空チャンバー１内に露出させる。
（２）シースヒータ１０によって真空チャンバー１内を加熱し、同チャンバー１内の温度を７０℃（図１の温度コントローラ１３による測定値）まで上昇させる。
（３）真空チャンバー１内の温度が７０℃となったら、ファイバ端面への成膜を開始する。具体的には、回転ドーム４を回転させながら、一方の電子ビーム銃２ａ又は２ｂから一方の容器３ａ又は３ｂ内の高屈折材料（ここではTa₂O₅）に向けて電子ビームを照射して同材料を溶融させて、その分子又は原子を蒸発させ、これをファイバ端面に蒸着させる。所定量のTa₂O₅分子又は原子がファイバ端面に蒸着したら、即ち、ファイバ端面に所定膜厚のTa₂O₅膜が成膜されたら、当該電子ビーム銃２ａ又は２ｂからの電子ビームの照射を停止すると共に、隣接するシャッター３０ａ又は３０ｂを回動させて当該容器３ａ又は３ｂを閉塞する。
（４）次いで、他方の電子ビーム銃２ｂ又は２ａから他方の容器３ｂ又は３ａ内の低屈折材料（ここではSiO₂）に向けて電子ビームを照射し、前記（３）と同様にして先にファイバ端面に成膜されているTa₂O₅膜の上に当該容器３ｂ又は３ａから蒸発したSiO₂原子又は分子を蒸着させて積層する。所定膜厚のSiO₂膜が成膜されたら、当該電子ビーム銃２ｂ又は２ａからの電子ビームの照射を停止すると共に、隣接するシャッター３０ｂ又は３０ａを回動させて当該容器３ｂ又は３ａを閉塞する。尚、Ta₂O₅膜及びSiO₂膜の膜厚は前記光学式膜厚計８によって測定することは勿論である。
（５）以後、前記（３）（４）を繰り返して、ファイバ端面に所定膜厚のTa₂O₅膜及びSiO₂膜を交互に積層して所定膜厚の誘電体膜を成膜する。
【００１６】
図２〜図４は、図１に示す真空チャンバー１内を予備加熱してから、ファイバ端面への成膜を開始することによって、所期の光学特性を備えた誘電体膜を成膜可能であることを裏付けるために行った実験結果を示す図である。図２は前記図１に示す真空チャンバー１内を７０℃に予備加熱した上で、ファイバ端面に前記Ta₂O₅膜のみを成膜した際の当該真空チャンバー１内の温度変化を表すグラフである。このグラフから、真空チャンバー１内を予備加熱しておくことによって、成膜開始から終了までの間の当該真空チャンバー１内を温度変化が１０℃以内に抑えられていることがわかる。図３は前記図２に示すグラフ中のＣ点（成膜開始から４２分後）及びＤ点（成膜開始から６６分後）において図１に示す光学式膜厚計８が測定した光量変化パターンを表すグラフであり、同グラフ中のＣ点における正弦波の山と谷の差Ｐ１は成膜開始から１５分後におけるTa₂O₅膜（膜厚９０nm）の屈折率を示し、Ｄ点における正弦波の山と谷の差Ｐ２は成膜開始から６６分後におけるTa₂O₅膜（膜厚３６０nm）の屈折率を示す。図４は、前記図３に示すグラフに基づいて算出したTa₂O₅膜の屈折率を示すグラフである。同グラフから、成膜開始後１５分の時点におけるTa₂O₅膜（膜厚９０nm）と、成膜開始後６６分の時点におけるTa₂O₅膜（膜厚３６０nm）との屈折率差は0.03であることがわかる。
【００１７】
以上より、図１に示す真空チャンバー１内を予備加熱すると、成膜中のチャンバー１内の温度変化が一定範囲内に抑制され、所定屈折率のTa₂O₅膜を成膜可能であることがわかる。これはTa₂O₅膜以外の高屈折材料膜（例えば、TiO₂膜やNb₂O₅膜等）及び低屈折材料膜（例えば、SiO₂膜等）についても同様である。従って、本発明のように真空チャンバー１内を予備加熱すれば、ファイバ端面に所定の屈折率の高屈折材料膜及び低屈折材料膜が成膜され、所期の光学特定を備えた誘電体膜を成膜することができる。
【００１８】
（実施形態２）
以下、本発明の誘電体膜成膜装置の実施形態の他例を説明する。ここに示す本発明の誘電体膜成膜装置の基本構成は前記図１に示すものと同一である。異なるのは図５に示すように、真空チャンバー１内に前記シースヒータ１０とは別の加熱源（第２加熱源：ハロゲンランプ）４０を設け、シースヒータ１０及びハロゲンランプ４０の双方によって真空チャンバー１内の温度を制御可能としたことである。尚、ハロゲンランプ４０は主にファイバ端面への成膜開始前に真空チャンバー１内を予備加熱するために機能する。また、電子ビーム銃２ａ及び２ｂの近傍が最も温度変化が大きいので、真空チャンバー１内の温度変化を可及的に小さくする観点からは、当該ハロゲンランプ４０を電子ビーム銃２ａ及び２ｂの近傍に配置することが望ましい。さらに、ハロゲンランプ４０を電子ビーム銃２ａ及び２ｂの近傍に配置すると、同電子ビーム銃２ａ及び２ｂ回りの脱ガスを行うこともできる。もっとも、当該加熱源４０はハロゲンランプ以外のものとすることもできる。
【００１９】
図６は前記図５に示す真空チャンバー１内をハロゲンランプ４０によって７５℃に予備加熱した上で、ファイバ端面にTa₂O₅膜のみを成膜した際の当該真空チャンバー１内の温度変化を表すグラフである。このグラフから、成膜開始から終了まで真空チャンバー１内の温度変化が５℃以内に抑えられていることがわかる。図７は前記図６に示すグラフ中のＥ点（成膜開始から３２分後）及びＦ点（成膜開始から５６分後）において、図５に示す光学式膜厚計８が測定した光量変化パターンを表すグラフであり、同グラフ中のＥ点における正弦波の山と谷の差Ｐ１は成膜開始から３２分後におけるTa₂O₅膜（膜厚９０nm）の屈折率を示し、Ｆ点における正弦波の山と谷の差Ｐ２は成膜開始から５６分後におけるTa₂O₅膜（膜厚２６０nm）の屈折率を示す。図８は、前記図７に示すグラフに基づいて算出したTa₂O₅膜の屈折率を示すグラフである。同グラフから、成膜開始後３２分の時点におけるTa₂O₅膜（膜厚９０nm）と、成膜開始後５６分の時点におけるTa₂O₅膜（膜厚２７０nm）との屈折率差は0.0１以下であることがわかる。
【００２０】
図６〜図８に示されたグラフから、シースヒータ１０に加えてハロゲンランプ４０を備えた場合は、シースヒータ１０のみの場合に比べて、成膜中の真空チャンバー１内の温度変化がより小さくなり、高屈折材料膜及び低屈折材料膜の屈折率変化を一層抑制可能であることがわかる。
【００２１】
尚、前記図５に示す誘電体膜成膜装置を使用する場合も本発明の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法に含まれることは勿論である。要は、本発明の誘電体膜成膜装置を使用するか、それ以外の誘電体膜成膜装置を使用するかに拘らず、ファイバ端面の周囲を予備加熱し、成膜中の同端面の周囲の温度変化を抑制することによって、同端面に成膜される高屈折材料膜及び低屈折材料膜の屈折率変化を抑制するものは、全て本発明の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法に含まれる。
【００２２】
さらに、高屈折材料膜と低屈折材料膜を交互に成膜するにあたり、これらを連続して成膜するのではなく、断続的に成膜することによって、誘電体膜成膜装置の真空チャンバー内の温度変化を一定範囲内に抑制する場合も本発明の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法に含まれる。例えば、ファイバ端面に高屈折材料膜と低屈折材料膜を交互に４層積層された誘電体膜を成膜する場合、真空チャンバー内を７０℃又は７５℃に予備加熱してから１層目及び２層目を成膜する。その後、成膜を一時停止して上昇した真空チャンバー内の温度が７０℃又は７５℃に低下するまで待ってから、第３層目及び第４層目の成膜を開始する。このようにして成膜された誘電体膜の反射率は、設計値0.001％に対して0.003％であった。
【００２３】
前記図１及び図５に示す誘電体膜成膜装置では、真空チャンバー１内の温度を熱電対１２の検知結果に基づいて測定したが、当該熱電対１２に代えて、又は当該熱電対１２に加えて真空チャンバー１内に放射温度計を設け、回転ドーム４上の温度を直接測定可能としたものも本発明の誘電体膜成膜装置に含まれ、そのような装置を使用してファイバ端面に誘電体膜を成膜する場合も本発明の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法に含まれる。尚、同一条件下において、図１及び図５に示す熱電対１２の検知結果に基づいて測定されるチャンバー内温度と、当該放射温度計によって測定されるチャンバー内温度には約２０℃の差がある。例えば、前者が７０℃の場合、後者は９０℃となる。従って、予備加熱された真空チャンバー内の温度を放射温度計によって測定する場合は、前記測定温度差を考慮して成膜開始時期を決定することが好ましい。
【００２４】
【発明の効果】
本件出願の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法は、ファイバ端面への成膜が行われるチャンバー内を予備加熱してから成膜を開始するので、成膜中のチャンバー内の温度変化が一定範囲内に抑制される。この結果、誘電体膜を構成する高屈折率膜及び低屈折率膜の屈折率が温度変換に起因して変化することがなくなり、所期の光学特定を備えた誘電体膜を成膜することができる。
【００２５】
本件出願の誘電体膜成膜装置は、光ファイバの端面への原料分子又は原子の蒸着を開始する前に、チャンバーを所定温度に予備加熱可能な加熱源（第１加熱源、第２加熱源）を備えているので、成膜中のチャンバー内の温度変化が一定範囲内に抑制される。この結果、誘電体膜を構成する高屈折率膜及び低屈折率膜の屈折率が温度変換に起因して変化することがなくなり、所期の光学特定を備えた誘電体膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体膜成膜装置の実施形態の一例を示す説明図。
【図２】７０℃に予備加熱されたチャンバー内でTa₂O₅膜を成膜した際のチャンバー内温度の変化を示す図。
【図３】７０℃に予備加熱されたチャンバー内でTa₂O₅膜を成膜した際に光学式膜厚計によって測定された光量変化パターンを示す図。
【図４】７０℃に予備加熱されたチャンバー内で成膜されたTa₂O₅膜の屈折率を示す図。
【図５】本発明の誘電体膜成膜装置の実施形態の他例を示す説明図。
【図６】７５℃に予備加熱されたチャンバー内でTa₂O₅膜を成膜した際のチャンバー内温度の変化を示す図。
【図７】７５℃に予備加熱されたチャンバー内でTa₂O₅膜を成膜した際に光学式膜厚計によって測定された光量変化パターンを示す図。
【図８】７５℃に予備加熱されたチャンバー内で成膜されたTa₂O₅膜の屈折率を示す図。
【図９】従来の誘電体膜成膜装置の一例を示す説明図。
【図１０】予備加熱されていないチャンバー内でTa₂O₅膜を成膜した際のチャンバー内温度の変化を示す図。
【図１１】予備加熱されていないチャンバー内でTa₂O₅膜を成膜した際に光学式膜厚計によって測定された光量変化パターンを示す図。
【図１２】予備加熱されていないチャンバー内で成膜されたTa₂O₅膜の屈折率を示す図。
【符号の説明】
１真空チャンバー
２電子ビーム銃
３容器
４回転ドーム
５イオン銃
６ニュートライザ
７温度制御機構
８光学式膜厚計

Claims

チャンバー内に光ファイバの端面を配置して、同端面に誘電体膜の原料原子又は分子を蒸着させる光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法において、前記チャンバー内を、誘電体膜の原料分子又は原子の蒸着開始時から蒸着終了時までのチャンバー内の温度変化が所定の温度範囲以内となる所定温度に予備加熱してから光ファイバの端面への原料分子又は原子の蒸着を開始し、前記誘電体膜が、高屈折材料膜と低屈折材料膜が交互に成膜された層からなり、前記高屈折材料膜と低屈折材料膜がそれぞれ１層成膜された後に、チャンバー内の温度が前記所定温度に低下するまで待ってから続く膜の成膜を開始することを特徴とする光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法。
チャンバー内に露出した光ファイバの端面に誘電体膜の原料分子又は原子を蒸着させて誘電体膜を成膜可能な誘電体膜成膜装置であって、光ファイバの端面への原料分子又は原子の蒸着を開始する前に、チャンバー内を予備加熱するための第１加熱源を備え、当該第１加熱源は誘電体膜の原料分子又は原子の蒸着開始時から蒸着終了時までのチャンバー内の温度変化が所定の温度範囲以内となる所定温度に予備加熱することができるものであり、前記誘電体膜の原料を溶融させて、その分子又は原子を蒸発させるための電子ビーム銃をチャンバー内に備え、その電子ビーム銃の近傍に、電子ビーム銃の脱ガスを行い、かつチャンバー内を前記所定温度に予備加熱するための第２加熱源を前記第１加熱源とは別にさらに配置したことを特徴とする誘電体膜成膜装置。
前記チャンバー内には光ファイバを固定するためのドームが備えられ、前記チャンバー内で前記ドームの電子ビーム銃と反対側に配置された温度計によって前記所定温度が測定されることを特徴とする請求項２記載の誘電体膜成膜装置。
前記チャンバー内には光ファイバを固定するためのドームと、前記ドームの温度を測定するための放射温度計が備えられ、前記放射温度計から前記所定温度が導かれることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の誘電体膜成膜装置。