JP2008135711A - 半導体装置の製造方法、および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板1上にSiGe層/Si層13/SiGe層を成膜し、支持体用の溝を形成する。次に、Si基板1上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエッチングして支持体22を形成する。続いて、支持体22下から露出しているSiGe層/Si層13/SiGe層をドライエッチングして、SiGe層の側面を露出させる溝h2を形成する。この状態でSiGe層をフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体22にSi層13が支持された形でSi層13の上下に空洞部25、27がそれぞれ形成される。その後、Si基板1を熱酸化して空洞部25、27内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。
【選択図】図4
【解決手段】Si基板1上にSiGe層/Si層13/SiGe層を成膜し、支持体用の溝を形成する。次に、Si基板1上の全面に支持体膜を成膜し、これをドライエッチングして支持体22を形成する。続いて、支持体22下から露出しているSiGe層/Si層13/SiGe層をドライエッチングして、SiGe層の側面を露出させる溝h2を形成する。この状態でSiGe層をフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体22にSi層13が支持された形でSi層13の上下に空洞部25、27がそれぞれ形成される。その後、Si基板1を熱酸化して空洞部25、27内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、特に、上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした技術に関する。
SOI基板上に形成された電界効果型トランジスタは、素子分離の容易性、ラッチアップフリー、ソース/ドレイン接合容量が小さいなどの点から、その有用性が注目されている。特に、完全空乏型SOIトランジスタは、低消費電力かつ高速動作が可能で、低電圧駆動が容易なため、SOIトランジスタを完全空乏モードで動作させるための研究が盛んに行われている。SOI基板としては、例えば、SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)基板や貼り合わせ基板などが用いられているが、いずれもその製造法が特殊であり、通常のCMOSプロセスでは作ることができない。
このため、普通のバルクシリコンウェハから、通常のCMOSプロセスでSOI構造を作る方法であるSBSI(Separation by Bonding Silicon Island)法が知られている(例えば、非特許文献1参照。)。以下、SBSI法について図を参照しながら説明する。
図8〜図10は、従来例に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図8(A)〜図10(A)は平面図、図8(B)〜図10(B)は図8(A)〜図10(A)をX8−X´8〜X10−X´10線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図8〜図10は、従来例に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図8(A)〜図10(A)は平面図、図8(B)〜図10(B)は図8(A)〜図10(A)をX8−X´8〜X10−X´10線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図8(A)および(B)に示すように、まず始めに、シリコン(Si)基板101上にシリコンゲルマニウム(SiGe)層111とSi層113とを順次成膜し、そこに支持体用の溝h´1を形成する。Si層113とSiGe層111はエピタキシャル成長法で形成し、支持体用の溝h´1はドライエッチングで形成する。次に、Si基板101上の全面に支持体膜を成膜した後、支持体膜をドライエッチングして、図9(A)および(B)に示すような支持体122を形成し、さらに、支持体122下から露出しているSi層113/SiGe層111もドライエッチングする。この状態で、SiGe層111を図9(A)の矢印の方向からフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体122にSi層113がぶらさがった形でSi層113の下に空洞部125が形成される。
次に、図10(A)および(B)に示すように、Si基板101を熱酸化して空洞部125内にSiO2膜131を形成する(BOX酸化工程)。このようにして、SiO2膜131とSi層113とからなるSOI構造をバルクウェハ上に形成する。SOI構造を形成した後は、CVDによってSi基板101上の全面にSiO2膜(図示せず)を成膜する。そして、SiO2膜と支持体122とをCMPで平坦化し、さらにHF系溶液でウエットエッチング(即ち、HFエッチ)することで、Si層113の表面を露出させる。
T.Sakai et al."Separation by BondingSi Islands(SBSI) for LSI Application",Second International SiGe Technology and Device Meeting,Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004)
T.Sakai et al."Separation by BondingSi Islands(SBSI) for LSI Application",Second International SiGe Technology and Device Meeting,Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004)
上記のSBSI法における重要な要素として、BOX酸化工程がある。現状では、1000℃−1hの酸化処理によって上下から成長したSiO2膜131aおよび131bをその成長方向の中心付近で密着させBOX層を形成する方法を試みている。
しかしながら、図11に示すように、酸化後の断面をSEM(Scanning Electron Microscopy;走査型電子顕微鏡)で観察すると、上下から成長したSiO2膜が密着していない場合があった。その原因となっているのがSi層の反りである。成長したSiO2膜の膜厚自体は、上下でくっつくのに十分であるがSi層が上に凸状態に反っているため、反りが大きい中心辺りでは上下から成長したSiO2膜の間に隙間が残ってしまうことがある。このような状況で、後のプロセスであるBHF(バッファードフッ酸)エッチによるアクティブの表面出し、及びフッ酸系の洗浄を行った場合、隙間にBHFが染み込んでSiO2膜が意図せずエッチングされてしまい、Si基板上からSi層が剥がれてしまうおそれがある(問題点)。
しかしながら、図11に示すように、酸化後の断面をSEM(Scanning Electron Microscopy;走査型電子顕微鏡)で観察すると、上下から成長したSiO2膜が密着していない場合があった。その原因となっているのがSi層の反りである。成長したSiO2膜の膜厚自体は、上下でくっつくのに十分であるがSi層が上に凸状態に反っているため、反りが大きい中心辺りでは上下から成長したSiO2膜の間に隙間が残ってしまうことがある。このような状況で、後のプロセスであるBHF(バッファードフッ酸)エッチによるアクティブの表面出し、及びフッ酸系の洗浄を行った場合、隙間にBHFが染み込んでSiO2膜が意図せずエッチングされてしまい、Si基板上からSi層が剥がれてしまうおそれがある(問題点)。
ここで、本発明者は現在までの調査結果から、BOX酸化工程でのSi層の反りは図12(A)〜(D)に示すような現象を経て発生しているのではないか、と考えている。即ち、図12(A)および(B)に示すように、室温ではフラットである支持体122/Si層113の積層構造が、まず昇温の段階で下に凸の状態になる。これは、支持体122の構成材料であるSiO2と、Siとの熱膨張係数の違い(Si:4.15E−6/K、SiO2:0.55E−6/K)が大きく影響しているためと考えられる。しかし、図12(C)に示すように、昇温後の温度が高くなり、特に960℃以上になるとSi層113を覆っている支持体122に粘性が生じ(粘性流動)、反りが開放されるため一度フラットに戻る。その状態でSi層113の熱酸化が進む。酸化処理の終了後、今度は降温に入る。図12(D)に示す降温の段階では、支持体122に粘性流動は起こらないため、
再び熱膨張係数の違いが影響してくる。その結果、Si層113が上に凸の状態となってしまう。
再び熱膨張係数の違いが影響してくる。その結果、Si層113が上に凸の状態となってしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法、および半導体装置の提供を目的とする。
〔発明1〕 上記問題点を解決するために、発明1の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1半導体層、第2半導体層および第3半導体層を順次積層する工程と、前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を部分的に順次エッチングすることによって、前記半導体基板上に前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する工程と、前記第1溝が埋め込まれ且つ前記第3半導体層が覆われるようにして前記半導体基板上の全面に支持体膜を形成する工程と、前記支持体膜を部分的にエッチングすることによって、前記第2半導体層をその上方を覆った状態で支持する支持体を形成する工程と、前記支持体下から露出する第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を順次エッチングして、前記第3半導体層の側面と前記第1半導体層の側面とをそれぞれ露出させる第2溝を形成する工程と、前記第2半導体層よりも、前記第1半導体層および前記第3半導体層の方がエッチングされ易い条件で、前記第2溝を介して前記第1半導体層と前記第3半導体層とをエッチングすることによって、前記半導体基板と前記第2半導体層との間に第1空洞部を形成すると共に、前記第2半導体層と前記支持体との間に第2空洞部を形成する工程と、前記半導体基板を加熱して前記第1空洞部内に第1熱酸化膜を形成すると共に、前記第2空洞部内に前記第2熱酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。ここで、第1空洞部内に第1熱酸化膜を形成する工程は、「BOX酸化工程」とも呼ばれる。
上記の発明1の製造方法の一つの形態は、半導体基板上に第1半導体層、第2半導体層および第3半導体層を順次積層する第1の工程と、前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を部分的に順次エッチングすることによって、前記半導体基板上に前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する第2の工程と、前記第1溝を埋め且つ前記第3半導体層を覆うように前記半導体基板の上方の全面に支持体膜を形成する第3の工程と、前記第3半導体層を覆う部分を含む前記支持体膜を部分的にエッチングすることにより前記第3半導体層を露出させる第4の工程と、前記第4工程により前記第3半導体層を露出させた部分から、前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を順次エッチングすることにより、第2溝を形成する第5の工程と、前記第2溝の側面に露出した前記第1半導体層をエッチングし、第1空洞部を形成する第6の工程と、前記第2溝の側面に露出した前記第3半導体層をエッチングし、第2空洞部を形成する第7の工程と、前記半導体基板を加熱して前記第1空洞部内に第1熱酸化膜を形成すると共に、前記第2空洞部内に第2熱酸化膜を形成する第8の工程と、を含む半導体装置の製造方法である。上記の一つの形態において、前記第6の工程と前記第7の工程とを、同時に行うことが好ましい。
上記の発明1の製造方法の一つの形態は、半導体基板上に第1半導体層、第2半導体層および第3半導体層を順次積層する第1の工程と、前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を部分的に順次エッチングすることによって、前記半導体基板上に前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する第2の工程と、前記第1溝を埋め且つ前記第3半導体層を覆うように前記半導体基板の上方の全面に支持体膜を形成する第3の工程と、前記第3半導体層を覆う部分を含む前記支持体膜を部分的にエッチングすることにより前記第3半導体層を露出させる第4の工程と、前記第4工程により前記第3半導体層を露出させた部分から、前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を順次エッチングすることにより、第2溝を形成する第5の工程と、前記第2溝の側面に露出した前記第1半導体層をエッチングし、第1空洞部を形成する第6の工程と、前記第2溝の側面に露出した前記第3半導体層をエッチングし、第2空洞部を形成する第7の工程と、前記半導体基板を加熱して前記第1空洞部内に第1熱酸化膜を形成すると共に、前記第2空洞部内に第2熱酸化膜を形成する第8の工程と、を含む半導体装置の製造方法である。上記の一つの形態において、前記第6の工程と前記第7の工程とを、同時に行うことが好ましい。
このような方法によれば、第1熱酸化膜を形成する際に第2半導体層の反りを抑制することができ、第1空洞部内で上下方向からそれぞれ成長する第1熱酸化膜同士の界面に隙間が残らないようにすることができた。その結果、支持体を除去する際に上記界面へのエッチャントの侵入を防ぐことができ、半導体基板上からの第2半導体層の剥がれを防止することができた。
このような効果が得られた理由は、本発明者の考察によると、BOX酸化工程において、第2半導体層に対する上下の構造が(当該第2半導体層に近接する範囲で)ほぼ同一となっているからである。第1、第2熱酸化膜の熱膨張係数がほぼ同一であるため、BOX酸化の昇温または降温段階で、第2半導体層の下面が第1熱酸化膜から受ける外力と、第2半導体層の上面が第2熱酸化膜から受ける外力とがほぼ吊り合っていると考えられる。また、第2熱酸化膜は第2半導体層から支持体に向けて成長するため、第2熱酸化膜と支持体との密着性はそれほど高くなく、支持体の膨張または収縮に伴う力が第2半導体層に伝わりにくくなっていると考えられる。
〔発明2〕 発明2の半導体装置の製造方法は、発明1の半導体装置の製造方法において、前記第1熱酸化膜および前記第2熱酸化膜を形成した後で、前記半導体基板上の全面に絶縁層を堆積する工程と、前記絶縁層に少なくともCMP処理を施して当該絶縁層を前記第2半導体層上から除去する工程と、を含み、前記第2半導体層上から前記絶縁層を除去する工程では、前記第2半導体層上の前記第2熱酸化膜を前記CMP処理のストッパに使用することを特徴とするものである。このような方法によれば、CMP処理によって第2半導体層の表面が削られてしまうことを防ぐことができる。
上記の発明2の製造方法の一つの形態は、前記第1熱酸化膜および前記第2熱酸化膜を形成した後で、前記半導体基板の上方の全面に絶縁層を堆積する第9の工程と、前記絶縁層に少なくともCMP処理を施して、前記第2半導体層の上方から前記絶縁層及び前記支持体膜を除去する第10の工程と、を含み、前記第10の工程では、前記第2熱酸化膜を前記CMP処理のストッパに使用する半導体装置の製造方法である。
上記の発明2の製造方法の一つの形態は、前記第1熱酸化膜および前記第2熱酸化膜を形成した後で、前記半導体基板の上方の全面に絶縁層を堆積する第9の工程と、前記絶縁層に少なくともCMP処理を施して、前記第2半導体層の上方から前記絶縁層及び前記支持体膜を除去する第10の工程と、を含み、前記第10の工程では、前記第2熱酸化膜を前記CMP処理のストッパに使用する半導体装置の製造方法である。
〔発明3〕 発明3の半導体装置の製造方法は、発明1または発明2の半導体装置の製造方法において、前記第3半導体層を積層する工程では、後の工程で前記第1熱酸化膜と前
記第2熱酸化膜とを形成した後も前記第2熱酸化膜の上面と前記支持体との間に隙間が残
るように、当該第3半導体層を厚めに形成しておくことを特徴とするものである。
上記の発明3の製造方法の一つの形態は、発明1の製造方法の一つの形態または発明2の製造方法の一つの形態において、前記第1の工程において形成する前記第3半導体膜の厚さを、前記第8の工程で形成する前記第2熱酸化膜の厚さよりも厚くする半導体装置の製造方法である。
このような方法によれば、BOX酸化工程の始めから最後まで、第2の熱酸化膜の上面と支持体との間に隙間が確保されるので、支持体の膨張および収縮の影響を上記隙間の介在によって弱めることができる。それゆえ、第2半導体層の反りをさらに抑制することが可能である。
記第2熱酸化膜とを形成した後も前記第2熱酸化膜の上面と前記支持体との間に隙間が残
るように、当該第3半導体層を厚めに形成しておくことを特徴とするものである。
上記の発明3の製造方法の一つの形態は、発明1の製造方法の一つの形態または発明2の製造方法の一つの形態において、前記第1の工程において形成する前記第3半導体膜の厚さを、前記第8の工程で形成する前記第2熱酸化膜の厚さよりも厚くする半導体装置の製造方法である。
このような方法によれば、BOX酸化工程の始めから最後まで、第2の熱酸化膜の上面と支持体との間に隙間が確保されるので、支持体の膨張および収縮の影響を上記隙間の介在によって弱めることができる。それゆえ、第2半導体層の反りをさらに抑制することが可能である。
〔発明4〕 発明4の半導体装置の製造方法は、発明1から発明3の何れか一の半導体装置の製造方法であって、前記第1半導体層と前記第3半導体層は、それぞれエピタキシャル成長法で形成される単結晶のシリコンゲルマニウム(SiGe)層であり、前記第2半導体層は、エピタキシャル成長法で形成される単結晶のシリコン(Si)層であることを特徴とするものである。
このような方法によれば、第1空洞部内で上下方向からそれぞれ成長するSiO2膜同士の界面に隙間が残らないようにすることができ、半導体基板上からのSi層の剥がれを防止することができるので、Si/SiO2からなるSOI構造を歩留まり高く形成することが可能である。
〔発明5〕 発明5は、上記の発明1〜4のいずれか一の製造方法により製造された半導体装置である。その特徴としては、例えば、前記第2半導体膜が前記凸状に変形するのを防ぐ機能又は前記CMP処理のストッパの機能を有する、前記第2半導体膜から成長させた前記第2熱酸化膜を有することである。
このような方法によれば、第1空洞部内で上下方向からそれぞれ成長するSiO2膜同士の界面に隙間が残らないようにすることができ、半導体基板上からのSi層の剥がれを防止することができるので、Si/SiO2からなるSOI構造を歩留まり高く形成することが可能である。
〔発明5〕 発明5は、上記の発明1〜4のいずれか一の製造方法により製造された半導体装置である。その特徴としては、例えば、前記第2半導体膜が前記凸状に変形するのを防ぐ機能又は前記CMP処理のストッパの機能を有する、前記第2半導体膜から成長させた前記第2熱酸化膜を有することである。
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。
図1〜図5は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図1(A)〜図5(A)は平面図、図1(B)〜図5(B)は図1(A)〜図5(A)をX1−X´1〜X5−X´5線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図1(A)及び(B)に示すように、まず始めに、シリコン(Si)基板1上に図示しないシリコンバッファ(Si−buffer)層を形成し、その上に第1のシリコンゲルマニウム(SiGe)層11を形成し、その上にSi層13を形成する。さらに、このSi層13上に第2のSiGe層15を形成する。Si基板1はバルクウェハである。また、Si−buffer層、SiGe層11、Si層13、SiGe層15は、例えばエピタキシャル成長法で連続して形成する。SiGe層13とSiGe層15は、例えば同じ厚さに形成する。
図1〜図5は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図1(A)〜図5(A)は平面図、図1(B)〜図5(B)は図1(A)〜図5(A)をX1−X´1〜X5−X´5線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図1(A)及び(B)に示すように、まず始めに、シリコン(Si)基板1上に図示しないシリコンバッファ(Si−buffer)層を形成し、その上に第1のシリコンゲルマニウム(SiGe)層11を形成し、その上にSi層13を形成する。さらに、このSi層13上に第2のSiGe層15を形成する。Si基板1はバルクウェハである。また、Si−buffer層、SiGe層11、Si層13、SiGe層15は、例えばエピタキシャル成長法で連続して形成する。SiGe層13とSiGe層15は、例えば同じ厚さに形成する。
次に、図2(A)及び(B)に示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、SiGe層15、Si層13、SiGe層11及びSi−buffer層(図示せず)を部分的に順次エッチングする。これにより、Si基板1を底面とする溝h1を形成する。この溝h1は、支持体の脚部を配置するための溝である。なお、溝h1を形成するエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1をオーバーエッチングして溝h1を深くしてもよい。
次に、溝h1を埋め込むようにしてSi基板1上の全面に支持体膜を形成する。支持体膜は例えばシリコン酸化(SiO2)膜であり、その厚さは例えば400[nm]である。支持体膜の形成は例えばCVDで行う。そして、図3(A)および(B)に示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術により、この支持体膜を部分的にエッチングして、SiGe層15上を覆う支持体22を形成する。続いて、この支持体22下から露出しているSiGe層15、Si層13、SiGe層11及びSi−buffer層(図示せず)を順次エッチングして、支持体22で覆われているSiGe層15、Si層13及びSiGe層11のそれぞれの側面を露出させる溝h2を形成する。溝h2を形成するエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1をオーバーエッチングして溝h2を深くしてもよい。
次に、図4(A)および(B)の実線矢印で示すように、溝h2を介してフッ硝酸溶液をSiGe層15、Si層13及びSiGe層11のそれぞれの側面に接触させて、SiGe層15とSiGe層11とを選択的にエッチングして除去する。これにより、図6(A)および(B)に示すように、Si基板1とSi層13との間に第1の空洞部25を形成すると同時に、Si層13と支持体22との間に第2の空洞部27を形成する。ここで、フッ硝酸溶液を用いたウェットエッチングでは、Siと比べてSiGeのエッチングレートが大きい(即ち、Siに対するエッチングの選択比が大きい)ので、Si層13を残しつつSiGe層11、15だけをエッチングして除去することが可能である。空洞部25、27の形成後、Si層13はその側面が支持体22によって支えられることとなる。図4(B)に示すように、空洞部25、27の形成後、Si層13に対する上下の構造は(Si層13に近接する範囲で)ほぼ同一となる。
次に、図5(A)および(B)に示すように、Si基板1を熱酸化して、第1、第2の空洞部内にそれぞれ熱酸化膜31、33を形成する(BOX酸化工程)。このBOX酸化工程では、Si層13の反りを抑制することができ、空洞部25内で上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜31a、31b同士の界面に隙間が残らないようにすることができる。なお、この例では、第1、第2の空洞部の上下の面はそれぞれSiで構成されているので、熱酸化膜31、33は共にSiO2膜である。
熱酸化膜31、33を形成した後は、CVDなどの方法によりSi基板1上の全面に絶縁膜を成膜して、溝h1、h2を埋め込む。ここで成膜する絶縁膜は、例えばSiO2膜やシリコン窒化(Si3N4)膜である。次に、Si基板1の全面を覆う絶縁膜とその下の支持体22とを例えばCMPにより平坦化する。なお、このCMP工程では熱酸化膜33をCMP処理のストッパに使用すると良い。こうすることで、Si層13の表面が削られてしまうことを防ぐことができる。次に、CMP処理後の絶縁膜および熱酸化膜33を例えばBHFでウェットエッチングして、Si層13上から熱酸化膜33を完全に取り除く。このとき、熱酸化膜31の界面は密着しているので、当該界面へのBHFの侵入は防がれる。このようにして、支持体22および絶縁膜によって周囲から素子分離されたSOI構造を、Si基板1上に完成させる。
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、熱酸化膜31を形成する際にSi層13の反りを抑制することができ、熱酸化膜31aと熱酸化膜31bとの界面に隙間が残らないようにすることができる。このため、支持体22や絶縁膜をBHFでエッチングする際に、上記界面へのBHFの侵入を防ぐことができ、Si基板1上からのSi層13の剥がれを防止することができる。
また、このような効果が得られる理由については、本発明者の考察によると、BOX酸化工程において、Si層13に対する上下の構造が(当該Si層13に近接する範囲で)ほぼ同一となっているからである。熱酸化膜31、33の熱膨張係数がほぼ同一であるため、BOX酸化の昇温または降温段階で、Si層13の下面が熱酸化膜31から受ける外力と、Si層13の上面が熱酸化膜33から受ける外力とがほぼ吊り合っていると考えられる。また、熱酸化膜33はSi層13から支持体22に向けて成長するため、熱酸化膜33と支持体22との密着性はそれほど高くなく、支持体の膨張または収縮に伴う力がSi層13に伝わりにくくなっていると考えられる。
この実施の形態では、Si基板1が本発明の「半導体基板」に対応し、SiGe層11が本発明の「第1半導体層」に対応し、Si層13が本発明の「第2半導体層」に対応し、SiGe層15が本発明の「第3半導体層」に対応している。また、溝h1が本発明の「第1溝」に対応し、溝h2が本発明の「第2溝」に対応している。さらに、空洞部25が本発明の「第1空洞部」に対応し、空洞部27が本発明の「第2空洞部」に対応している。また、熱酸化膜31が本発明の「第1熱酸化膜」に対応し、熱酸化膜33が本発明の「第2熱酸化膜」に対応している。
なお、この実施の形態では、図6(A)〜(C)に示すように、熱酸化膜31、33を形成した後も熱酸化膜33の上面と支持体22との間に隙間が残るように、SiGe層15を必要以上に厚めに形成しても良い。即ち、図7(A)に示すように、空洞部25、27を形成する前のSi層13の(厚さ方向の中心から)上半分の厚さをTSiとし、SiGe層15の厚さをTSiGeとする。また、図7(B)に示すように、熱酸化膜31、33を形成した後のSi層13の(厚さ方向の中心から)上半分の厚さをTSi´とし、熱酸化膜33の厚さをTOXとする。そして、SiGe層15の形成工程では、(1)式を満たすようにSiGe層15を厚く形成する。
TSi+TSiGe>TSi´+TOX…(1)
このような方法によれば、BOX酸化工程の始めから最後まで、熱酸化膜33の上面と支持体22との間に隙間が確保されるので、支持体22の膨張および収縮の影響を上記隙間の介在によって弱めることができる。それゆえ、Si層の反りをさらに抑制することが可能である。
1 Si基板、11、15 SiGe層、13 Si層、22 支持体、25、27 空洞部、31、31a、31b 33 熱酸化膜、h1、h2 溝
Claims (6)
- 半導体基板上に第1半導体層、第2半導体層および第3半導体層を順次積層する第1の工程と、
前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を部分的に順次エッチングすることによって、前記半導体基板上に前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する第2の工程と、
前記第1溝を埋め且つ前記第3半導体層を覆うように前記半導体基板の上方の全面に支持体膜を形成する第3の工程と、
前記第3半導体層を覆う部分を含む前記支持体膜を部分的にエッチングすることにより前記第3半導体層を露出させる第4の工程と、
前記第4工程により前記第3半導体層を露出させた部分から、前記第3半導体層、前記第2半導体層および前記第1半導体層を順次エッチングすることにより、第2溝を形成する第5の工程と、
前記第2溝の側面に露出した前記第1半導体層をエッチングし、第1空洞部を形成する第6の工程と、
前記第2溝の側面に露出した前記第3半導体層をエッチングし、第2空洞部を形成する第7の工程と、
前記半導体基板を加熱して前記第1空洞部内に第1熱酸化膜を形成すると共に、前記第2空洞部内に第2熱酸化膜を形成する第8の工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記第6の工程と前記第7の工程とを、同時に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1熱酸化膜および前記第2熱酸化膜を形成した後で、前記半導体基板の上方の全面に絶縁層を堆積する第9の工程と、
前記絶縁層に少なくともCMP処理を施して、前記第2半導体層の上方から前記絶縁層及び前記支持体膜を除去する第10の工程と、を含み、
前記第10の工程では、前記第2熱酸化膜を前記CMP処理のストッパに使用すること、を特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程において形成する前記第3半導体膜の厚さを、前記第8の工程で形成する前記第2熱酸化膜の厚さよりも厚くすることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体層と前記第3半導体層は、それぞれエピタキシャル成長法で形成される単結晶のシリコンゲルマニウム(SiGe)層であり、
前記第2半導体層は、エピタキシャル成長法で形成される単結晶のシリコン(Si)層であることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項5の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法で製造した半導体装置。
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