JP2008134625A - 半導体装置、表示装置及び電子機器 - Google Patents

半導体装置、表示装置及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2008134625A
JP2008134625A JP2007277514A JP2007277514A JP2008134625A JP 2008134625 A JP2008134625 A JP 2008134625A JP 2007277514 A JP2007277514 A JP 2007277514A JP 2007277514 A JP2007277514 A JP 2007277514A JP 2008134625 A JP2008134625 A JP 2008134625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
switch
electrode
pixel
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007277514A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008134625A5 (https=
Inventor
Hajime Kimura
肇 木村
Tomoko Yamada
山田  智子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2007277514A priority Critical patent/JP2008134625A/ja
Publication of JP2008134625A publication Critical patent/JP2008134625A/ja
Publication of JP2008134625A5 publication Critical patent/JP2008134625A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
JP2007277514A 2006-10-26 2007-10-25 半導体装置、表示装置及び電子機器 Withdrawn JP2008134625A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007277514A JP2008134625A (ja) 2006-10-26 2007-10-25 半導体装置、表示装置及び電子機器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006291147 2006-10-26
JP2007277514A JP2008134625A (ja) 2006-10-26 2007-10-25 半導体装置、表示装置及び電子機器

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013105960A Division JP5502224B2 (ja) 2006-10-26 2013-05-20 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008134625A true JP2008134625A (ja) 2008-06-12
JP2008134625A5 JP2008134625A5 (https=) 2012-01-19

Family

ID=39559471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007277514A Withdrawn JP2008134625A (ja) 2006-10-26 2007-10-25 半導体装置、表示装置及び電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008134625A (https=)

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114213A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Sony Corp 薄膜トランジスタ基板および表示装置
JP2011100092A (ja) * 2009-11-04 2011-05-19 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2011100091A (ja) * 2009-11-04 2011-05-19 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置の製造方法
JP2013033228A (ja) * 2011-06-30 2013-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2013058199A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013258411A (ja) * 2010-01-29 2013-12-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014060451A (ja) * 2013-12-18 2014-04-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2014123742A (ja) * 2008-12-24 2014-07-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2015055872A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 表示パネル及びその製造方法
JP2015062229A (ja) * 2009-03-27 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015146028A (ja) * 2009-02-27 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、モジュール及び電子機器
US9111806B2 (en) 2008-10-24 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
JP2015173274A (ja) * 2009-12-04 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9330588B2 (en) 2011-07-29 2016-05-03 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
JP2016184165A (ja) * 2009-11-13 2016-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
WO2017072627A1 (ja) * 2015-10-28 2017-05-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、モジュール、電子機器および半導体装置の作製方法
JP2017098584A (ja) * 2008-10-31 2017-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9735282B2 (en) 2014-12-29 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
JP2017143268A (ja) * 2009-02-20 2017-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017183739A (ja) * 2011-06-17 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018037682A (ja) * 2009-09-16 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018049297A (ja) * 2009-03-27 2018-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018152581A (ja) * 2013-06-28 2018-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018163375A (ja) * 2009-07-18 2018-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018190992A (ja) * 2008-10-24 2018-11-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101926334B1 (ko) 2011-08-05 2018-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2019071456A (ja) * 2009-09-04 2019-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019079818A (ja) * 2009-09-04 2019-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2019124957A (ja) * 2011-11-29 2019-07-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2019165228A (ja) * 2010-09-15 2019-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2019179930A (ja) * 2009-07-18 2019-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2019208078A (ja) * 2012-01-26 2019-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2020113794A (ja) * 2011-01-12 2020-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020523635A (ja) * 2018-01-19 2020-08-06 昆山国顕光電有限公司Kunshan Go−Visionox Opto−Electronics Co., Ltd. 走査ドライバー及びその駆動方法、有機発光ディスプレイ
JP2021073678A (ja) * 2008-07-10 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2021092792A (ja) * 2011-09-14 2021-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2021122048A (ja) * 2014-03-28 2021-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
JP2022084595A (ja) * 2008-12-05 2022-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2023015041A (ja) * 2009-07-18 2023-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023024459A (ja) * 2017-12-06 2023-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023051763A (ja) * 2021-09-30 2023-04-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド ピクセル回路および表示装置
JP2024014950A (ja) * 2009-10-16 2024-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2024028719A (ja) * 2009-09-16 2024-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、発光表示装置、半導体装置
JP2024096060A (ja) * 2022-12-29 2024-07-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
US12176356B2 (en) 2011-10-18 2024-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and light-emitting element
JP2025094079A (ja) * 2011-10-19 2025-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002215096A (ja) * 2000-12-29 2002-07-31 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置、有機電界発光表示装置の駆動方法及び有機電界発光表示装置のピクセル回路
JP2004133240A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法
JP2004361640A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Sony Corp 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP2005189387A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の駆動方法
JP2005189381A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の駆動方法
JP2005227625A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
JP2005309150A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Seiko Epson Corp 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP2005326754A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その駆動方法および電子機器
JP2006215275A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Sony Corp 表示装置
JP2006235609A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002215096A (ja) * 2000-12-29 2002-07-31 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置、有機電界発光表示装置の駆動方法及び有機電界発光表示装置のピクセル回路
JP2004133240A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法
JP2004361640A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Sony Corp 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP2005189387A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の駆動方法
JP2005189381A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の駆動方法
JP2005227625A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
JP2005309150A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Seiko Epson Corp 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP2005326754A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その駆動方法および電子機器
JP2006235609A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2006215275A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Sony Corp 表示装置

Cited By (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023126869A (ja) * 2008-07-10 2023-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US11908976B2 (en) 2008-07-10 2024-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP7651622B2 (ja) 2008-07-10 2025-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2021073678A (ja) * 2008-07-10 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2018190992A (ja) * 2008-10-24 2018-11-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9647137B2 (en) 2008-10-24 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10141343B2 (en) 2008-10-24 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US11594555B2 (en) 2008-10-24 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9111806B2 (en) 2008-10-24 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10978490B2 (en) 2008-10-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10692894B2 (en) 2008-10-24 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9911860B2 (en) 2008-10-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9842942B2 (en) 2008-10-31 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11594643B2 (en) 2008-10-31 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10269978B2 (en) 2008-10-31 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2017098584A (ja) * 2008-10-31 2017-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US11107928B2 (en) 2008-10-31 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8237162B2 (en) 2008-11-05 2012-08-07 Sony Corporation Thin film transistor substrate and display device
US8426862B2 (en) 2008-11-05 2013-04-23 Sony Corporation Thin film transistor substrate and display device
JP2010114213A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Sony Corp 薄膜トランジスタ基板および表示装置
JP7362804B2 (ja) 2008-12-05 2023-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2022084595A (ja) * 2008-12-05 2022-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2017152704A (ja) * 2008-12-24 2017-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014123742A (ja) * 2008-12-24 2014-07-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9443888B2 (en) 2008-12-24 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device including transistor and resistor incorporating hydrogen in oxide semiconductor
US9941310B2 (en) 2008-12-24 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations
US9202827B2 (en) 2008-12-24 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US9859306B2 (en) 2009-02-20 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US10096623B2 (en) 2009-02-20 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US12136629B2 (en) 2009-02-20 2024-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US11011549B2 (en) 2009-02-20 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
JP2017143268A (ja) * 2009-02-20 2017-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11824062B2 (en) 2009-02-20 2023-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US10586811B2 (en) 2009-02-20 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US10930787B2 (en) 2009-02-27 2021-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
JP2016194723A (ja) * 2009-02-27 2016-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP2015146028A (ja) * 2009-02-27 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、モジュール及び電子機器
US11387368B2 (en) 2009-02-27 2022-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
JP2015062229A (ja) * 2009-03-27 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12294031B2 (en) 2009-03-27 2025-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10297693B1 (en) 2009-03-27 2019-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2018049297A (ja) * 2009-03-27 2018-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101722905B1 (ko) 2009-03-27 2017-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
US11916150B2 (en) 2009-03-27 2024-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11127858B2 (en) 2009-03-27 2021-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20150035928A (ko) * 2009-03-27 2015-04-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
US11575049B2 (en) 2009-03-27 2023-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10714630B2 (en) 2009-03-27 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2023015041A (ja) * 2009-07-18 2023-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020073952A (ja) * 2009-07-18 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018163375A (ja) * 2009-07-18 2018-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2019179930A (ja) * 2009-07-18 2019-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2019079818A (ja) * 2009-09-04 2019-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2021108374A (ja) * 2009-09-04 2021-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP7174093B2 (ja) 2009-09-04 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US12002818B2 (en) 2009-09-04 2024-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10629627B2 (en) 2009-09-04 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2019071456A (ja) * 2009-09-04 2019-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12408435B2 (en) 2009-09-04 2025-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11695019B2 (en) 2009-09-04 2023-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10854640B2 (en) 2009-09-04 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2018037682A (ja) * 2009-09-16 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2024028719A (ja) * 2009-09-16 2024-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、発光表示装置、半導体装置
KR20180133542A (ko) * 2009-09-16 2018-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR102111264B1 (ko) * 2009-09-16 2020-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
JP2024014950A (ja) * 2009-10-16 2024-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013138028A (ja) * 2009-11-04 2013-07-11 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光表示装置の製造方法
JP2011100091A (ja) * 2009-11-04 2011-05-19 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置の製造方法
US8399274B2 (en) 2009-11-04 2013-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of manufacturing the same
US8158979B2 (en) 2009-11-04 2012-04-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of manufacturing the same
JP2011100092A (ja) * 2009-11-04 2011-05-19 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2016184165A (ja) * 2009-11-13 2016-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP7599598B2 (ja) 2009-11-13 2024-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7839950B1 (ja) * 2009-11-13 2026-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7463602B2 (ja) 2009-11-13 2024-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10332912B2 (en) 2009-11-13 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
JP2026050402A (ja) * 2009-11-13 2026-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2024079803A (ja) * 2009-11-13 2024-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7554334B2 (ja) 2009-11-13 2024-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7815554B1 (ja) 2009-11-13 2026-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023178318A (ja) * 2009-11-13 2023-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018124564A (ja) * 2009-11-13 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023133346A (ja) * 2009-11-13 2023-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9411208B2 (en) 2009-12-04 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2017069568A (ja) * 2009-12-04 2017-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015173274A (ja) * 2009-12-04 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2013258411A (ja) * 2010-01-29 2013-12-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2019165228A (ja) * 2010-09-15 2019-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2020113794A (ja) * 2011-01-12 2020-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017183739A (ja) * 2011-06-17 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
USRE48576E1 (en) 2011-06-30 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9508759B2 (en) 2011-06-30 2016-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101900657B1 (ko) 2011-06-30 2018-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
JP2013033228A (ja) * 2011-06-30 2013-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9997585B2 (en) 2011-07-29 2018-06-12 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
US9330588B2 (en) 2011-07-29 2016-05-03 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
KR101926334B1 (ko) 2011-08-05 2018-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP7014919B2 (ja) 2011-09-14 2022-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2021092792A (ja) * 2011-09-14 2021-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2020187361A (ja) * 2011-10-18 2020-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2018151642A (ja) * 2011-10-18 2018-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2013058199A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2022180361A (ja) * 2011-10-18 2022-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US10056413B2 (en) 2011-10-18 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2025066813A (ja) * 2011-10-18 2025-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US9280931B2 (en) 2011-10-18 2016-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11587957B2 (en) 2011-10-18 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2022081475A (ja) * 2011-10-18 2022-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP7804801B2 (ja) 2011-10-18 2026-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20140092345A (ko) * 2011-10-18 2014-07-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101962097B1 (ko) 2011-10-18 2019-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US12176356B2 (en) 2011-10-18 2024-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and light-emitting element
JP7153151B2 (ja) 2011-10-18 2022-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI748545B (zh) * 2011-10-18 2021-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10615189B2 (en) 2011-10-18 2020-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2021073482A (ja) * 2011-10-18 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2025094079A (ja) * 2011-10-19 2025-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102271186B1 (ko) 2011-11-29 2021-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP2019124957A (ja) * 2011-11-29 2019-07-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7080418B1 (ja) 2011-11-29 2022-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
KR20200056971A (ko) * 2011-11-29 2020-05-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP2022081513A (ja) * 2011-11-29 2022-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP7031055B2 (ja) 2011-11-29 2022-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2022020716A (ja) * 2011-11-29 2022-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2019208078A (ja) * 2012-01-26 2019-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US11682677B2 (en) 2012-01-26 2023-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11081502B2 (en) 2012-01-26 2021-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US12191313B2 (en) 2012-01-26 2025-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2018152581A (ja) * 2013-06-28 2018-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015055872A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 表示パネル及びその製造方法
JP2014060451A (ja) * 2013-12-18 2014-04-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2021122048A (ja) * 2014-03-28 2021-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9735282B2 (en) 2014-12-29 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
WO2017072627A1 (ja) * 2015-10-28 2017-05-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、モジュール、電子機器および半導体装置の作製方法
JP7340672B2 (ja) 2017-12-06 2023-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7546124B2 (ja) 2017-12-06 2024-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023024459A (ja) * 2017-12-06 2023-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023169176A (ja) * 2017-12-06 2023-11-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7766149B2 (ja) 2017-12-06 2025-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2024164190A (ja) * 2017-12-06 2024-11-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020523635A (ja) * 2018-01-19 2020-08-06 昆山国顕光電有限公司Kunshan Go−Visionox Opto−Electronics Co., Ltd. 走査ドライバー及びその駆動方法、有機発光ディスプレイ
JP7100066B2 (ja) 2018-01-19 2022-07-12 昆山国顕光電有限公司 走査ドライバーの駆動方法、及び有機発光ディスプレイ
US11935482B2 (en) 2021-09-30 2024-03-19 Lg Display Co., Ltd. Pixel circuit and display device including the same
JP7499299B2 (ja) 2021-09-30 2024-06-13 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド ピクセル回路および表示装置
JP2023051763A (ja) * 2021-09-30 2023-04-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド ピクセル回路および表示装置
JP7675796B2 (ja) 2022-12-29 2025-05-13 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
JP2024096060A (ja) * 2022-12-29 2024-07-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
US12260821B2 (en) 2022-12-29 2025-03-25 Lg Display Co., Ltd. Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7535630B2 (ja) 表示装置
JP7673163B2 (ja) 表示装置
JP2008134625A (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP5508664B2 (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP7853491B2 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101014

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120412

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130319

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20130521