JP2008130575A - 膜形成材料および膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】膜を形成する為の材料であって、炭素数が4〜7個のシクロアルキル基を一つ、炭素数が1〜3個のアルキル基を一つ、及び、炭素数が1〜3個のアルコキシ基を二つ持つSi化合物。
【選択図】なし
Description
すなわち、前記の課題は、
膜を形成する為の材料であって、
炭素数が4〜7個のシクロアルキル基を一つ、
炭素数が1〜3個のアルキル基を一つ、
及び、炭素数が1〜3個のアルコキシ基を二つ
持つSi化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
炭素数が4〜7個のシクロアルキル基を一つ、
炭素数が1〜3個のアルキル基を一つ、
及び、炭素数が1〜3個のアルコキシ基を二つ
持つSi化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
上記のSi化合物を供給する供給工程と、
前記供給工程で供給されたSi化合物の分解による分解生成物が前記基板上に堆積する分解・堆積工程
とを具備することを特徴とする膜形成方法によって解決される。
勿論、下記の実施例は単に実施例に過ぎず、本発明が下記実施例に限定されるもので無いことは当分野の技術者ならば当然に理解できる。
図1は、本発明になる化学気相成長方法が実施されるCVD装置の概略図である。
図1中、1は原料容器、2は加熱器兼プラズマ放電用電極、3は分解反応炉、4はSi基板、5はガス流量制御器、6はガス吹出しシャワーヘッド兼プラズマ放電用電極、7は不活性ガス供給路である。
尚、Si基板4は、加熱器兼プラズマ放電用電極2上に保持され、200〜500℃に加熱されている。
又、加熱器兼プラズマ放電用電極2とガス吹出しシャワーヘッド兼プラズマ放電用電極6との間の距離は100mmとなるように設定されている。そして、電極間には所定の電圧が印加されて200Wのプラズマ放電が起こされている。
実施例1において、c−C6H11Si(CH3)(OCH3)2の代わりに(c−C5H9)2Si(OCH3)2を用いた以外は実施例1に準じて行った。
実施例1において、c−C6H11Si(CH3)(OCH3)2の代わりにc−C5H9Si(CH3)(OCH3)2を用いた以外は実施例1に準じて行った。
その結果は、実施例1と同様な成績のものであった。
実施例1において、c−C6H11Si(CH3)(OCH3)2の代わりにc−C5H9Si(C2H5)(OCH3)2を用いた以外は実施例1に準じて行った。
その結果は、実施例1のSi化合物に比べたならば蒸気圧が多少低いことから、実施例1の成績よりも多少劣るものでは有ったが、比較例1の場合に比べたならば遥かに優れた成績であった。
実施例1において、c−C6H11Si(CH3)(OCH3)2の代わりにc−C6H11Si(C2H5)(OCH3)2を用いた以外は実施例1に準じて行った。
その結果は、実施例1のSi化合物に比べたならば蒸気圧が多少低いことから、実施例1の成績よりも多少劣るものでは有ったが、比較例1の場合に比べたならば遥かに優れた成績であった。
実施例1で成膜された膜に4.7mW/cm2(出力パワー)の紫外線を照射した。
その結果、照射時間に比例して膜の誘電率は低下した。すなわち、照射時間が約90秒程度で誘電率は最低値(照射前に比べて約15%低下)を示した。尚、更に照射を続けると、誘電率は徐々に大きくなったので、照射時間は約130秒以内であるのが好ましかった。
実施例1で成膜された膜を30分間加熱した。
その結果、加熱温度が高くなるにつれて誘電率が低下した。その結果を、下記の表に示す。
表
加熱温度 加熱時間 誘電率
300℃ 30分 2.08
350℃ 30分 2.00
400℃ 30分 1.88
450℃ 30分 1.82
Claims (18)
- 膜を形成する為の材料であって、
炭素数が4〜7個のシクロアルキル基を一つ、
炭素数が1〜3個のアルキル基を一つ、
及び、炭素数が1〜3個のアルコキシ基を二つ
持つSi化合物である
ことを特徴とする膜形成材料。 - Si−O−C系の膜を形成する為の材料であることを特徴とする請求項1の膜形成材料。
- 化学気相成長方法により膜を形成する為の材料であることを特徴とする請求項1又は請求項2の膜形成材料。
- 誘電率が2.1以下の絶縁膜または誘電膜を形成する為の材料であることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの膜形成材料。
- 弾性率が5GPa以上の絶縁膜または誘電膜を形成する為の材料であることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの膜形成材料。
- c−C6H11Si(CH3)(OCH3)2,c−C6H11Si(C2H5)(OCH3)2,c−C5H9Si(CH3)(OCH3)2,c−C5H9Si(C2H5)(OCH3)2の群の中から選ばれる少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかの膜形成材料。
- 化学気相成長方法により基板上に膜を形成する方法であって、
請求項1〜請求項6いずれかのSi化合物を供給する供給工程と、
前記供給工程で供給されたSi化合物の分解による分解生成物が前記基板上に堆積する分解・堆積工程
とを具備することを特徴とする膜形成方法。 - 供給工程は不活性ガスのバブリングによりSi化合物が供給されるものであることを特徴とする請求項7の膜形成方法。
- 不活性ガスの流量が10〜500sccmであることを特徴とする請求項8の膜形成方法。
- Si化合物と不活性ガスとの供給割合(圧力比)が前者/後者=1/20〜1/2であることを特徴とする請求項8又は請求項9の膜形成方法。
- Si化合物と不活性ガスとの合計供給量(分解室における合計圧力)が0.1〜100torrであることを特徴とする請求項8〜請求項10いずれかの膜形成方法。
- Si化合物の分解はプラズマ手段と加熱手段との併用によって行われることを特徴とする請求項7〜請求項11いずれかの膜形成方法。
- 分解・堆積工程にあっては電極間距離が20〜250mmの平行平板型電極によるプラズマ手段が用いられることを特徴とする請求項7〜請求項12いずれかの膜形成方法。
- 一方の電極が基板ステージを兼ねると共に他方の電極が吹出しシャワーを兼ねた平行平板型電極のプラズマ手段が用いられ、前記吹出しシャワーを兼ねた他方の電極からSi化合物が吹き出されることを特徴とする請求項13の膜形成方法。
- 堆積形成された膜に電磁波を照射する電磁波照射工程を更に具備することを特徴とする請求項7〜請求項14いずれかの膜形成方法。
- 電磁波は紫外線であって、その出力パワーが1〜10mW/cm2で、照射時間が0.1〜130secであることを特徴とする請求項15の膜形成方法。
- 堆積形成された膜を加熱する加熱工程を更に具備することを特徴とする請求項7〜請求項16いずれかの膜形成方法。
- 加熱温度が300〜500℃で、加熱時間が1秒〜1時間であることを特徴とする請求項17の膜形成方法。
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JP2006309891A JP2008130575A (ja) | 2006-11-16 | 2006-11-16 | 膜形成材料および膜形成方法 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003503849A (ja) * | 1999-06-26 | 2003-01-28 | トリコン ホールディングス リミティド | 基材上にフィルムを形成する方法及び装置 |
WO2006075578A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Tri Chemical Laboratories Inc. | 膜形成材料および膜形成方法 |
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2006
- 2006-11-16 JP JP2006309891A patent/JP2008130575A/ja active Pending
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WO2006075578A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Tri Chemical Laboratories Inc. | 膜形成材料および膜形成方法 |
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