JP2006049603A - 膜形成材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 化学気相成長方法により膜を形成する為の材料であって、
下記の[I]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物と、
下記の[II]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物
とを含む。
[I]
HSi(OCH3)3,H2Si(OCH3)2,HSi(CH3)(OCH3)2
[II]
(CH2=CH)Si(OCH3)3,(CH2=CH)Si(OC2H5)3,(CH2=CH)Si(CH3)(OCH3)2,(CH2=CH)Si(CH3)(OC2H5)2,(CH2=CH)Si(CH3)2(OCH3),(CH2=CH)Si(CH3)2(OC2H5)
Description
例えば、本願出願人により、Si,O,C,Hで構成された酸化膜が提案(特開2003−151972)されている。すなわち、HSi(OC2H5)3や(CH2=CH)Si(OCH3)3を導入し、プラズマ処理を行うことにより、Si−O−C−H酸化膜を得ている。
上記知見を基にして本発明が達成されたものである。
下記の[I]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物と、
下記の[II]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物
とを含むことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
[I]
HSi(OCH3)3,H2Si(OCH3)2,HSi(CH3)(OCH3)2
[II]
(CH2=CH)Si(OCH3)3,(CH2=CH)Si(OC2H5)3,(CH2=CH)Si(CH3)(OCH3)2,(CH2=CH)Si(CH3)(OC2H5)2,(CH2=CH)Si(CH3)2(OCH3),(CH2=CH)Si(CH3)2(OC2H5)
下記の[I]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物と、
下記の[IIa]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物
とを含むことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
[I]
HSi(OCH3)3,H2Si(OCH3)2,HSi(CH3)(OCH3)2
式[IIa]
(CH2=CH)Si(OCH3)3,(CH2=CH)Si(CH3)(OCH3)2,(CH2=CH)Si(CH3)2(OCH3)
(1) 上記[I]の化合物は、HSi(OC2H5)3より蒸気圧が高く、安定した成膜が出来る。
(2) Si,O,C,Hの組成比がより均一である。
(3) 20Vの電圧時に10−8A/cm2を越えるリーク電流が起きない。
以下、具体的な実施例を挙げて説明する。
図1は本発明になる化学気相成長方法が実施されるCVD装置の概略図である。
図1中、1a,1bは原料容器、2はプラズマ放電用電極・加熱器、3は反応炉である。4はプラズマ放電用電極・加熱器2の上に置かれた基板である。5はガスの流量制御器、6はプラズマ放電用電極・ガス吹出シャワーヘッドである。7は反応ガス入口、8はキャリアーガス入口である。9は排気、10は熱フィラメント、11は光照射器である。
すなわち、容器1a内にHSi(OCH3)3を、容器1b内に(CH2=CH)Si(OCH3)3を入れた。尚、容器1a,1b内は0〜100℃に保持されている。
そして、キャリアガスを各々20ml/minの割合で供給した。又、同時に、反応ガスとして窒素で5%以下に希釈した酸素を60ml/min以下の割合で供給した。
気化したHSi(OCH3)3や(CH2=CH)Si(OCH3)3は、配管を経て、酸素及びキャリアガスと共に、反応炉3に導かれた。この時、系内は500torr以下に排気されている。Si基板4は、プラズマ放電用電極・加熱器2によって、250〜450℃に加熱されている。反応炉3内にはプラズマ放電が起こされている。
このようにしてSi基板4上に膜が形成された。
更に、膜の容量−電圧特性を調べた。そして、膜厚と電極から誘電率を算出した処、誘電率は2.5以下であった。
実施例1において、HSi(OCH3)3の代わりにH2Si(OCH3)2を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例1で形成された膜と同様なものであった。
実施例1において、HSi(OCH3)3の代わりにHSi(CH3)(OCH3)2を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例1で形成された膜と同様なものであった。
実施例1において、(CH2=CH)Si(OCH3)3の代わりに(CH2=CH)Si(CH3)(OCH3)2を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例1で形成された膜と同様なものであった。
実施例1において、(CH2=CH)Si(OCH3)3の代わりに(CH2=CH)Si(CH3)2(OCH3)を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例1で形成された膜と同様なものであった。
実施例1において、(CH2=CH)Si(OCH3)3の代わりに(CH2=CH)Si(OC2H5)3を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例1で形成された膜とほぼ同様なものであった。
但し、実施例1の場合に比べて、膜の組成の面内均一性の点では劣るものであった。
実施例6において、(CH2=CH)Si(OC2H5)3の代わりに(CH2=CH)Si(CH3)(OC2H5)2を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例6で形成された膜と同様なものであった。
実施例6において、(CH2=CH)Si(OC2H5)3の代わりに(CH2=CH)Si(CH3)2(OC2H5)を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例6で形成された膜と同様なものであった。
実施例1において、プラズマ放電の代わりに光照射を行った以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例1で形成された膜と同様なものであった。
実施例1において、HSi(OCH3)3の代わりにHSi(OC2H5)3を用いた以外は、同様に行った。
そして、この形成された膜は、実施例1,6で形成された膜より劣ったものであった。
すなわち、基板面内におけるSi,O,C,Hの組成比の均一性に劣っていた。又、10箇所中4箇所の位置において、20Vでリーク電流は10-8A/cm2を越えていた。
2 プラズマ放電用電極・加熱器
3 反応炉
4 基板
6 プラズマ放電用電極・ガス吹出シャワーヘッド
10 熱フィラメント
11 光照射器
代 理 人 宇 高 克 己
Claims (5)
- 膜を形成する為の材料であって、
下記の[I]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物と、
下記の[II]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物
とを含むことを特徴とする膜形成材料。
[I]
HSi(OCH3)3,H2Si(OCH3)2,HSi(CH3)(OCH3)2
[II]
(CH2=CH)Si(OCH3)3,(CH2=CH)Si(OC2H5)3,(CH2=CH)Si(CH3)(OCH3)2,(CH2=CH)Si(CH3)(OC2H5)2,(CH2=CH)Si(CH3)2(OCH3),(CH2=CH)Si(CH3)2(OC2H5) - 膜を形成する為の材料であって、
下記の[I]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物と、
下記の[IIa]に属する群の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物
とを含むことを特徴とする膜形成材料。
[I]
HSi(OCH3)3,H2Si(OCH3)2,HSi(CH3)(OCH3)2
[IIa]
(CH2=CH)Si(OCH3)3,(CH2=CH)Si(CH3)(OCH3)2,(CH2=CH)Si(CH3)2(OCH3) - Si,O,C,Hを含む絶縁膜を形成する為のものであることを特徴とする請求項1又は請求項2の膜形成材料。
- 誘電率が2.5以下の層間絶縁膜を形成する為のものであることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの膜形成材料。
- 化学気相成長方法により基板上に膜を形成する為のものであることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの膜形成材料。
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2004
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2005
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