JP2008127652A - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 エアロゾルガスデポジション法において、形成される膜の密着力の向上、及び成膜条件の効率的な制御、及び成膜レートの向上を目的とする。
【解決手段】 複数のノズルによって同一組成の異なる粒経範囲をもつ超微粒子を基板上に噴射するための構成を備えた成膜装置。かつ、二つのノズルによって噴射される、同一組成の異なる粒径範囲については、粒径の大きい方を1μm〜1.5μm、粒径の小さい方を0.1μm〜0.5μmにする。
【選択図】 図4

Description

本発明は、ガスデポジション法により超微粒子を基板上に供給して膜形成する成膜装置に関するものである。
従来、金属、セラミック等の超微粒子の成膜技術としては、ガスデポジション法のように超微粒子をガス攪拌等によりエアロゾル化し微小なノズルを通し加速して、あるいは静電微粒子コーティング法のように電気的に帯電させて電場勾配を用いて加速して、これを基板上に噴射、衝突させることで、強固な超微粒子膜を形成する成膜技術が知られている。
従来のガスデポジション法としては、エアロゾルの形成方法により、材料を蒸発させて微粒子を生成した後エアロゾルを形成するする蒸発法と、材料微粒子である場合にその微粒子からエアロゾルを形成するエアロゾル法がある。特許文献1に記載されているように、蒸発法を適用した超微粒子成膜装置は、図1に示すような構成を採用している。超微粒子生成室101内において、超微粒子生成材料103を加熱し、発生した蒸発原子は、超微粒子生成室101内に導入される不活性ガスとの衝突で急冷され、粒成長し、超微粒子を生成する。超微粒子を生成する際の加熱機構としては、アーク加熱104の他、高周波誘導加熱、抵抗加熱、電子ビーム、通電加熱、レーザービーム加熱等が適用できる。超微粒子生成室101内で生成された微粒子は不活性ガスと共に超微粒子搬送管107内を移動し、不活性ガス105と共に超微粒子膜形成室102に導かれ、超微粒子膜形成室102内で超微粒子搬送管107の先端に取り付けられたノズル108から超微粒子を不活性ガスと共に高速で噴射し、膜形成対象物である基板109に衝突させ、超微粒子膜等を形成する方法である。
エアロゾル法を適用した超微粒子成膜装置は、特許文献2に記載されているように、図2に示すような構成を採用している。エアロゾル室202内の超微粒子はエアロゾル室201内に導入される不活性ガス201と共に、超微粒子搬送管204を移動し、不活性ガスと共に超微粒子膜形成室206に導かれ、超微粒子膜形成室206内で超微粒子搬送管204の先端に取り付けられたノズル205から超微粒子を不活性ガスと共に高速で噴射し、膜形成対象物である基板207に衝突させ、超微粒子膜等を形成する方法である。
上記の従来の従来のガスデポジション法では、不活性ガスの流量、電流、電圧等の変者により時間経過と共に超微粒子の粒径、超微粒子生成量は徐々に変化するため、粒径、蒸発量の制御が必須とされている。
また、上記の従来のガスデポジション法で機能性材料を成膜する場合、被膜化した際にその結晶構造を維持することが困難で、特に超微粒子材料が金属の場合、その表面は酸化膜などが形成されやすく、十分な導電率と基板へ密着力を有する膜を得ることは困難であった。さらに、セラミックス材料などの脆性材料を成膜する場合は、粒子速度を増加させても圧粉体が基板上に堆積するだけで成膜体が形成できず、基板への密着力が悪くなるという現象が見られることがあり、問題であった。
また、超微粒子を用いないPVD、CVDによる薄膜形成手法の場合は、原子、分子状態からの成長過程を経るため、酸化物セラミック材料の場合など、高温での熱処理が必要になることが多く、また、成膜レートも超微粒子を用いた成膜過程より2桁以上低く、膜厚が数μm以上である膜の形成が困難であった。
上記課題に対して、特許文献3では、上記の従来のガスデポジション法において、セラミック材料などの脆性材料微粒子は平均粒子径が50nm以上で、かつ形状が非球形の不定形形状であることによって、高温の熱処理工程を必要せず、室温での脆性材料成膜方法によって高緻密や高密着性をもつ脆性材料微粒子成膜体が形成できる方法を試みている。しかしながら、この場合の脆性材料微粒子の形状において、尖った角の尖り角度に対して適性範囲がある(例えば、尖り角度は140°以下)など、材料の形状における限定があり、使用する微粒子材料の調整(選別工程等の)が必要になるという欠点がある。
特登録2524622号公報 特開昭59−80361号公報 特開2003−73855号公報
そこで、従来の上述したような欠点を除去するために、本発明は、超微粒子をエアロゾル化し搬送気体と共に基材に吹き付けることにより薄膜を形成するガスデポジション法において、基板へ形成される成膜体の密着力向上、及び、成膜条件を効率的に制御でき、かつ成膜レートの向上を可能にした成膜装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の成膜装置は、超微粒子を搬送気体と混合してエアロゾル化してノズルを通して加速して基材表面に吹き付けることにより薄膜を形成するガスデポジション法において、前記エアロゾル化した前記超微粒子を、前記ノズル毎に粒子の粒径範囲が異なるようにして、複数の超微粒子搬送管の先端に取り付けられた前記ノズルから噴射することを特徴とする。
さらに、前記噴射させる粒子の粒径範囲が一つの前記ノズルにおいては平均粒径1μm〜1.5μmであり、もう一つの前記ノズルにおいては平均粒径0.1μm〜0.5μmであることを特徴とする。
上述したように、本発明の請求項1の成膜装置によれば、超微粒子を搬送気体と混合してエアロゾル化してノズルを通して加速して基材表面に吹き付けることにより薄膜を形成するガスデポジション法であって、
前記エアロゾル化した同一組成の前記超微粒子を、前記ノズル毎に粒子の粒径範囲が異なるようにして、複数の超微粒子搬送管の先端に取り付けられた前記ノズルから噴射することを特徴とする成膜装置において、複数ノズルよって同時に同一箇所を成膜することができるため、成膜レートを効果的に向上させることができる。かつ、複数のノズルにおいて、各々のノズルから噴射される粒子の粒子濃度を計測し、独立に成膜条件を制御することができ、任意の粒度分布をもつ成膜体を基板に形成させることができるため、膜厚が一定な成膜体を得ることができる。
また、本発明の請求項2に記載の成膜装置であって、前記噴射させる粒子の粒径範囲が一つの前記ノズルは平均粒径1μm〜1.5μm、もう一つの前記ノズルは平均粒径0.1μm〜0.5μmとすることによって、密着力が強固な成膜体を効率的に形成することができる。
以下、本発明の実施の形態及び、実施例について図面を参照して説明する。
本実施形態は、超微粒子膜形成室内で超微粒子搬送管の先端に取り付けられたノズルから不活性ガスと共に高速噴射される超微粒子の粒径範囲をノズル毎に変化させて、複数のノズルによって基板上に成膜体を形成する場合の例である。
図3は本発明の第1の実施形態における成膜装置の全体構成を示すものである。図2に示す従来の超微粒子成膜装置と同様の構成をもった、エアロゾル形成室・超微粒子搬送管・ノズル室によって構成されるものを一システムとして、本実施例においては二システムを用いた。それぞれのシステムにおいて、エアロゾル形成室内302(302´)にAl203超微粒子303(303´)を満たし、乾燥空気301(301´)を導入することにより、Al203超微粒子と乾燥空気のエアロゾルを形成した。形成したエアロゾルを超微粒子搬送管304(304´)へ導き、超微粒子搬送管の先端に取り付けられたノズル305(305´)から、乾燥ガスと共に噴射させ、基板308上へAl203の超微粒子膜を形成した。
この時、図4は、本発明の一実施形態の前記成膜装置を構成する超微粒子膜形成室内の一部の拡大図を示し、以下、本実施例における詳細を説明する。この場合の2つのノズル405及び405´は、基板に対して60°±5°の角度を持たせるようにして、2つのノズルによって基板407の同一箇所を成膜できるように配置した。超微粒子の膜が形成される基板407は、ステージ408によって2つのノズル405及び405´に対して相対的に動作できるようになっている。超微粒子によって基板上に形成された成膜体は、断面TEM(透過型電子顕微鏡)によって膜厚方向の観察を行ない、2種類の粒径から構成される断面の粒子分布と膜厚の経時変化を計測した。
形成される成膜体の膜厚は時間経過と共に減少しており、このことはノズルから噴射される粒子濃度が時間経過と共に下がっていくことに対応していることがわかっている。そのため、2つのノズル405、及び405´のそれぞれについて、噴射される粒子の粒子濃度を、光散乱法を利用しナノメーターサイズの微粒子をミクロンサイズまで成長させて計測する凝縮核計測器によって測定し、エアロゾル形成室内に導入するガス流量、超微粒子の振動条件及び粒子供給量の条件を設定して粒子濃度を制御し、かつノズル405からは粒径が1μm、ノズル405´からは粒径が0.1μmのAl203超微粒子を噴射させるように制御した。このようにして2種類の粒径の超微粒子によって基板上に形成された成膜体について、膜厚を接触式の膜厚計で計測したところ、膜厚が20μmであり、膜厚分布は±5〜8%であった。
本実施例によると、従来のエアロゾル法によって行なった場合と比較すると、膜厚制御を効率的に行なうことができる。2種類の粒径の超微粒子を初期は分岐させておいて、搬送途中で混合させて単ノズルから2種類の粒径をもつ超微粒子を噴射させる方法も実施できるが、粒子濃度の制御、つまり膜厚制御を効率的に行なうためには、本実施例の形態が望ましい。さらに、従来のエアロゾル法によって粒径が1μm、あるいは粒径が0.1μmのAl23超微粒子を用いて上述の膜厚(20μm)を形成する場合と比較すると、成膜レートを20〜30%向上していることが確認できた。
本発明の第2の実施形態における成膜装置は上記の実施例1と同様であるが、本実施形態は、複数ノズルから噴射される超微粒子についての適正な粒径範囲を求めるための例である。
以下、上記した本実施の形態にて、本成膜装置において基板上に形成されたAl23膜の密着力と2種類の粒径範囲との相関を求めるために実施した実験の結果を図4を参照して説明する。
この時、図4は、本発明の第2の実施形態の成膜装置を構成する超微粒子膜形成室内、ノズルから噴射される超微粒子の様子を説明する図である。
本発明においては、図4に示されているように、一つのノズル405からは超微粒子409が、もう一つのノズル405´からは超微粒子409´が噴射され、この時、超微粒子409の粒径範囲が超微粒子409´の粒径範囲より大きい値となるようにエアロゾル化の条件を制御した。さらに2つのノズルから噴射される粒子濃度が一定になるように制御した。はじめに超微粒子409´の粒径範囲を0.1〜0.5μmになるように制御して、もう一方の超微粒子409の粒径範囲を1μm〜5μmまで変化させた。さらに、超微粒子409´の粒径範囲を0.1μm以下、及び0.5μm〜0.8μmとして、前記と同様にしてもう一方の超微粒子409の粒径範囲を1μm〜5μmまで変化させた。このようにして本実施例において、2つのノズルから噴射される粒径範囲を可変に制御することにより、本実施例における成膜装置によって求められた粒径の範囲は、粒径の大きい方が1μm〜1.5μm、粒径の小さい方が0.1〜0.5μmという結果が得られた。ここで得られた0.1〜0.5μmの粒径範囲は1次粒径に相当していると思われる。形成された膜の粒径範囲及び粒径分布は、膜表面のSEM観察、及び断面TEM観察において確認した。尚、この実施例において、2種類の粒径範囲と膜の密着力との相関は、形成された膜に対して同一面積を等分にクロスカットして粘着テープによる剥れ試験を行ない、膜の密着力の相対値に換算することにより求めた。粒径範囲がブロードな従来の成膜装置において形成された膜より本実施例のような粒径範囲に2つのピーク値をもつことを可能にした成膜装置において形成された膜が強固となるのは、基板に噴射された粒径の小さい粒子が連続して噴射される粒径の大きい粒子によって下地の基板に食い込んで密着が強固になる効果の影響によるものと思われる。
上述してきたように、今回の実施例では、図4に示したように、複数のノズルによって同一組成の異なる粒経範囲をもつ超微粒子を基板上に噴射するための構成を備えた成膜装置によって、形成される成膜体の膜厚が一定であって、かつ成膜レートを効率的に向上させることができた。さらに、二つのノズルによって噴射される、同一組成の異なる粒径範囲について、粒径の大きい方を1μm〜1.5μm、粒径の小さい方を0.1μm〜0.5μmにすることによって、基板上に形成された膜の密着力を効率的に強固にすることができた。
以上、一実施例の形態を詳細に説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
従来例に係る蒸発法による超微粒子成膜装置の構成の模式図である。 従来例に係るエアロゾル法による超微粒子成膜装置の構成の模式図である。 本発明に係るエアロゾル法による超微粒子成膜装置の構成の模式図である。 本発明の一実施の形態の前記成膜装置を構成するノズル部の拡大図である。
符号の説明
101 超微粒子生成室
102及び206及び306 超微粒子膜形成室
103 超微粒子生成材料
104 電極
105及び201及び301(301´) 不活性ガス
106 余分粒子排出機構
107及び204及び304(304´) 超微粒子搬送管
108及び205及び305(305´) ノズル
109及び207及び307 基板
110及び208及び308 ステージ
202 エアロゾル形成室
203 超微粒子
411 成膜体

Claims (2)

  1. 超微粒子を搬送気体と混合してエアロゾル化してノズルを通して加速して基材表面に吹き付けることにより薄膜を形成するガスデポジション法において、
    前記エアロゾル化した同一組成の前記超微粒子を、前記ノズル毎に粒子の粒径範囲が異なるようにして、複数の超微粒子搬送管の先端に取り付けられた前記ノズルから噴射することを特徴とする成膜装置。
  2. 前記噴射させる粒子の粒径範囲が、一つの前記ノズルにおいては平均粒径1μm以上1.5μm以下であり、もう一つの前記ノズルにおいては平均粒径0.1μm以上0.5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013157524A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板

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