JP2008120877A - 樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材樹脂中にセラミックス粒子を含有し、基材樹脂に対する前記セラミックス粒子のtanδ比が0.82以下でかつ、熱伝導率比が1.5以上である樹脂組成物であって、前記セラミックス粒子が以下の要件(I)乃至(III)を満たす樹脂組成物。
(I)セラミックス組成中に、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量が80重量%以上、(II)Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比[(Al2O3またはMgO)/SiO2]が0.1〜15、(III)球形度が0.9以上。
【選択図】なし
Description
(I)セラミックス組成中に、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量が80重量%以上。
(II)Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比[(Al2O3またはMgO)/SiO2]が0.1〜15。
(III)球形度が0.9以上。
(IV)セラミックス組成中に、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量が80重量%以上。
(V)Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比[(Al2O3またはMgO)/SiO2]が0.1〜17。
本発明の樹脂組成物は、セラミックス粒子を基材樹脂(以下「基材」と略称する場合がある)中に含有するものであるが、セラミックス粒子が要件(I)乃至(III)を満たす第1の実施様態と、セラミックス粒子が要件(IV)及び(V)を満たす粉末粒子を火炎中で溶融して得られるものである第2の実施様態の何れでもよい。
第1の実施態様は、基材中にセラミックス粒子を含有してなる、樹脂組成物であって、該セラミックス粒子が以下の要件(I)乃至(III)を満たすものである。
(I)セラミックス組成中に、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量が80重量%以上。
(II)Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比[(Al2O3またはMgO)/SiO2]が0.1〜15。
(III)球形度が0.9以上。
第2の実施態様は、基材中にセラミックス粒子を含有してなる、樹脂組成物であって、該セラミックス粒子が以下の要件(IV)及び(V)を満たす粉末粒子を、火炎中で溶融して得られるものである樹脂組成物である。
(IV)セラミックス組成中に、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量が80重量%以上。
(V)Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比[(Al2O3またはMgO)/SiO2]が0.1〜17。
(PL:単位体積当りの吸収電力、W:角周波数、D0:マイクロ波の電位、E0:マイクロ波の電界強度)
すなわち本式は電気・電子材料の使用される絶縁材料のtanδが大きい場合、電気・電子機器から発生する電磁波をより多く吸収する特性があることを示している。電磁波吸収が大きい場合の弊害としては、電気信号の減衰にともなうエラーやノイズの発生や消費電力の増加がある。また、吸収された電磁波は熱となることから、電気・電子機器の熱による損傷を引き起こすリスクが高くなる。従って、樹脂組成物のtanδは小さいものが望まれている。
蛍光X線法(JIS R2216「耐火れんが及び耐火モルタルの蛍光X線分析法」)による元素分析を行って、Al、Mg、Siの各原子の組成を定量する。X線回折測定を行い、回折パターンから、Al2O3、MgO、SiO2あるいはこれらの複合化合物の存在を確認する。回折パターンが得られない場合は、ラマン分光、IR、NMR等の測定によりAl2O3、MgO、SiO2の存在を確認する。以上から、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量、及び、Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比〔(Al2O3またはMgO)/SiO2〕を算出する。
平均粒径は、D50(体積基準の50%の中位粒径)を意味し、堀場製作所LA−920によるレーザー回折/散乱法で測定する。
球形度は、セラミックス粒子について、リアルサーフェースビュー顕微鏡(VF−7800、キーエンス社製)で測定して得られたSEM像の粒子投影断面の面積及び該断面の周囲長を求め、次いで、〔粒子投影断面の面積と同じ面積の真円の円周長〕/〔粒子投影断面の周囲長〕を計算し、任意の50個の粒子につき、それぞれ得られた値を平均して求める。
70mmΦ×3mmのサンプルを誘電体損失自動測定装置TR−1100型(安藤電気製)を用いて測定する。その際、サンプルの温度を25℃、測定周波数を1MHzとする。
50mmΦ×3mmのサンプルを熱伝導率測定装置GH−1(アルバック理工製)を用いてASTM E1530に基づき定常熱流測法で測定する。その際、測定温度を52℃とする。
70mmΦ×3mmのサンプルをハイレジスタンスメータHP4339A(ヒューレッドパッカード製)を用いて体積抵抗率を測定する。
平均粒径1μmのアルミナ(純度99.9%)100重量部と平均粒径2.5μmのシリカ(純度99.5%)39.2重量部をボールミルで混合し、1600℃、4時間で焼成した。えられた焼成物を粉砕し、平均粒径12μmの焼成体粉末を得た。この焼成体粉末を酸素をキャリアガスとして用い、プロパンガスを対酸素比(容量比)1.1で燃焼させた火炎中(火炎温度約2000℃)に投入し、平均粒径12μm、球形度0.98のセラミックス粒子1を得た。得られたセラミックス粒子のX線回折スペクトル解析を行った結果、主たるピークがJCPDS No.15−776記載のムライトに帰属された。また、Al2O3/SiO2重量比は2.6であり、Al2O3とSiO2との合計量はセラミックス組成中99.7重量%であった。
平均粒径4μmの水酸化マグネシウム(純度99.2%)100重量部と平均粒径2.5μmのシリカ(純度99.5%)51.5重量部をボールミルで混合し、1600℃、4時間で焼成した。えられた焼成物を粉砕し、平均粒径6μmの焼成体粉末を得た。この焼成体粉末を酸素をキャリアガスとして用い、プロパンガスを対酸素比(容量比)1.1で燃焼させた火炎中(火炎温度約2000℃)に投入し、平均粒径6μm、球形度0.95のセラミックス粒子2を得た。得られたセラミックス粒子のX線回折スペクトル解析を行った結果、主たるピークがJCPDS No.34−189記載のフォルステライトに帰属された。またMgO/SiO2重量比は1.3であり、MgOとSiO2との合計量はセラミックス組成中96.1重量%であった。
平均粒径13μmのシリカ(純度99.5%)を酸素をキャリアガスとして用い、プロパンガスを対酸素比(容量比)1.1で燃焼させた火炎中(火炎温度約2000℃)に投入し、平均粒径13μm、球形度0.90の球状シリカ(比較粒子1)を得た。
平均粒径10μmのアルミナ(純度99.9%)を酸素をキャリアガスとして用い、プロパンガスを対酸素比(容量比)1.1で燃焼させた火炎中(火炎温度約2000℃)に投入し、平均粒径10μm、球形度0.94の球状アルミナ(比較粒子2)を得た。
セラミックス粒子2の製造例において、焼成物の粉砕条件を変えて得られた焼成体粉末(平均粒径約290μm)を火炎中で溶融すること以外は、同様にして、平均粒径
260μm、球形度0.98の比較粒子3を得た。得られたセラミックス粒子のX線回折スペクトル解析を行った結果、セラミックス粒子2と同等のフォルステライト組成であった。
ノボラック型フェノール樹脂100重量部、ヘキサメチレンテトラミン12重量部、ステアリン酸亜鉛1重量部、セラミックス粒子1を66.7重量部を100℃でロール混練し、冷却、粉砕して樹脂組成物1を得た。これを170℃に加熱した金型内にトランスファー注入硬化し、セラミックス粒子1が23vol%添加された70Φ×3mmの円盤状のフェノール樹脂成形体を作製した。この成形体の誘電特性、熱伝導率、体積抵抗を測定した結果を表1に示す。
セラミックス粒子1をセラミックス粒子2に変えて、実施例1と同様の方法でセラミックス粒子2を23vol%含有するフェノール樹脂成形体を作製した。成形体の物性を表1に示す。
ノボラック型エポキシ樹脂100重量部、ノボラック型フェノール樹脂41.2重量部、2−エチル−4(5)−メチルイミダゾール1重量部、カルナバワックス1.4重量部、セラミックス粒子1を110重量部を100℃でロール混練し、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。これを170℃に加熱した金型内にトランスファー注入硬化し、セラミックス粒子1が24vol%添加された70Φ×3mmの円盤状のエポキシ樹脂成形体を作製した。この成形体の誘電特性、熱伝導率、体積抵抗を測定した結果を表1に示す。
セラミックス粒子1をセラミックス粒子2に変えて、実施例3と同様の方法でセラミックス粒子2を24Vol%含有したエポキシ樹脂成形体を作製した。成形体の物性を表1に示す。
セラミックス粒子1を66.7重量部のかわりに比較粒子1を68.3重量部添加して、実施例1と同様の方法で比較粒子1を23Vol%含有したフェノール樹脂成形体を作製した。成形体の物性を表1に示す。
セラミックス粒子1を66.7重量部のかわりに比較粒子2を100重量部添加して、実施例1と同様の方法で比較粒子2を23Vol%含有したフェノール樹脂成形体を作製した。成形体の物性を表1に示す。
ノボラック型フェノール樹脂100重量部、ヘキサメチレンテトラミン12重量部、ステアリン酸亜鉛1重量部を100℃でロール混練し、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。これを170℃に加熱した金型内にトランスファー注入硬化し、セラミックス粒子を含まない70Φ×3mmの円盤状のフェノール樹脂成形体を作製した。この成形体の誘電特性、熱伝導率、体積抵抗を測定した結果を表1に示す。
セラミックス粒子1を110重量部添加するかわりに比較粒子1を94.1重量部添加して、実施例3と同様の方法で比較粒子1を24Vol%含有したエポキシ樹脂成形体を作製した。成形体の物性を表1に示す。
セラミックス粒子1を110重量部添加するかわりに比較粒子2を141重量部添加して、実施例3と同様の方法で比較粒子2を24Vol%含有したエポキシ樹脂成形体を作製した。成形体の物性を表1に示す。
ノボラック型エポキシ樹脂100重量部、ノボラック型フェノール樹脂41.2重量部、2−エチル−4(5)−メチルイミダゾール1重量部、カルナバワックス1.4重量部を100℃でロール混練し、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。これを170℃に加熱した金型内にトランスファー注入硬化し、セラミックス粒子を含まない70Φ×3mmの円盤状のエポキシ樹脂成形体を作製した。この成形体の誘電特性、熱伝導率、体積抵抗を測定した結果を表1に示す。
セラミックス粒子1を比較粒子3(大粒径の球状フォルステライト)に変えて、実施例1と同様の方法で比較粒子3を23vol%含有するフェノール樹脂成形体を作製した。成形体の物性を表1に示す。
Claims (4)
- 基材樹脂中にセラミックス粒子を含有し、基材樹脂に対する前記セラミックス粒子のtanδ比が0.82以下でかつ、熱伝導率比が1.5以上である樹脂組成物であって、前記セラミックス粒子が以下の要件(I)乃至(III)を満たす樹脂組成物。
(I)セラミックス組成中に、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量が80重量%以上。
(II)Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比[(Al2O3またはMgO)/SiO2]が0.1〜15。
(III)球形度が0.9以上。 - セラミックス粒子が火炎溶融法により製造されたものである請求項1記載の樹脂組成物。
- 基材樹脂中にセラミックス粒子を含有し、基材樹脂に対する前記セラミックス粒子のtanδ比が0.82以下でかつ、熱伝導率比が1.5以上である樹脂組成物であって、前記セラミックス粒子が、以下の要件(IV)及び(V)を満たす粉末粒子を、火炎中で溶融して得られるものである樹脂組成物。
(IV)セラミックス組成中に、Al2O3またはMgOと、SiO2との合計量が80重量%以上。
(V)Al2O3またはMgOと、SiO2の重量比[(Al2O3またはMgO)/SiO2]が0.1〜17。 - 電気・電子材料用に使用されるものである請求項1〜3いずれか記載の樹脂組成物。
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