JP2008115337A - ジスチルベンポリカーボネート、それを用いた電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ - Google Patents
ジスチルベンポリカーボネート、それを用いた電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ジスチルベンポリカーボネートユニットを複数含むポリカーボネート、及びジスチルベンポリカーボネートユニットを複数含むポリカーボネートと炭素−炭素二重結合を有する重合性電荷輸送物質とからの重合反応生成物を含む層を有することを特徴とする電子写真感光体。
【選択図】図1
Description
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基を表わす。)
(2)下記一般式(2)で示されるジスチルベンカーボネートユニットとビスフェノール誘導体型カーボネートユニットとを複数含むポリカーボネート共重合体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、R3、R4は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Aは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−SiO(CH3)2−、−CR5R6−(R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、トリフオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基である。)、炭素数5〜11の1,1−シクロアルキリデン基を表わし、a,bはそれぞれ独立に0〜4の整数を表わし、h,iは共重合mol%を表わし、hは5〜80、iは20〜95を表わす。)
(3)下記一般式(1)で示されるジスチルベンポリカーボネートユニットを複数含むポリカーボネートと、炭素−炭素二重結合を有する重合性電荷輸送物質とからの重合反応生成物を含む層を有することを特徴とする電子写真感光体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基を表わす。)
(4)下記一般式(2)で示されるジスチルベンカーボネートユニットとビスフェノール誘導体型カーボネートユニットとを複数含むポリカーボネート共重合体と、前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質とからの硬化させられた最上層を有することを特徴とする電子写真感光体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、R3、R4は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Aは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−SiO(CH3)2−、−CR5R6−(R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、トリフオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基である。)、炭素数5〜11の1,1−シクロアルキリデン基を表わし、a,bはそれぞれ独立に0〜4の整数を表わし、h,iは共重合mol%を表わし、hは5〜80、iは20〜95を表わす。)
(5)前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質が下記一般式(3)、一般式(4)で示されるものであることを特徴とする前記(3)又は(4)に記載の電子写真感光体。
(式中、Actは、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基から選択される炭素−炭素二重結合を表わし、R7,R8,R9,R10,R11,R12は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基を表わし、c,dは1≦c+d≦4を満たす整数、e,fは1≦e+f≦4を満たす整数である。)
(6)前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質が下記一般式(5)で示されるものであることを特徴とする前記(3)又は(4)に記載の電子写真感光体。
(式中、Actは炭素−炭素二重結合を表わし、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基を表わし、R20,R21は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基を表わし、Ar1は置換、無置換のアリーレン基を表わし、g,k,oはそれぞれ独立に0〜2の整数を表わし、vは0又は1を表わす。)
(7)前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質が下記一般式(6)で示されるものであることを特徴とする前記(3)又は(4)に記載の電子写真感光体。
(式中、Actは、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基から選択される炭素−炭素二重結合を表わし、R22,R23は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基を表わし、炭素数1〜4のアルコキシ基を表わし、p,qはそれぞれ独立に0〜2の整数を表わす。)
(8)前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質が下記一般式(7)で示されるものであることを特徴とする前記(3)又は(4)に記載の電子写真感光体。
(9)前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質が下記一般式(8)で示されるものであることを特徴とする前記(3)又は(4)に記載の電子写真感光体。
(式中、Actは、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基から選択された炭素−炭素二重結合を表わし、Ar4は置換、無置換のアリール基を表わし、s,uはそれぞれ独立に0〜2の整数を表わす。)
(10)下記一般式(1)又は一般式(2)で示されるポリカーボネート共重合体、炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質、及びアクリロイルオキシ基及び/又はメタクリロイルオキシ基を有するラジカル重合性モノマーの重合反応性生成物が感光層の最上層に含有されたことを特徴とする電子写真感光体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、R3、R4は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Aは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−SiO(CH3)2−、−CR5R6−(R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、トリフオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基である。)、又は炭素数5〜11の1,1−シクロアルキリデン基を表わし、a,bはそれぞれ独立に0〜4の整数を表わし、h,iは共重合mol%を表わし、hは5〜80、iは20〜95を表わす。)
(11)前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質は、上記一般式(3)乃至(8)の群から選択できることを特徴とする前記(10)に記載の電子写真感光体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、a,bは1〜4の整数を表わす。)
[ジスチルベンユニットを有するポリカーボネート、前記一般式(2)で示される共重合体]
前記一般式(1)で示されるポリカーボネートは、以下のスキームで合成される。モノマーの合成はヒドロキベンズアルデヒドとジベンジルホスフォネートとのウィティヒ反応でジスチルベンを合成した。ポリカーボネート化はピリジン中で溶液重合法でトリホスゲンを作用させ、ポリカーボネートを合成した。
本発明においては、ジスチルベンユニットを有するポリカーボネートとして、下記一般式(2)で示される共重合体も好ましく用いることができる。
ジヒドロキシジスチルベンの単重合ポリマーは高い結晶性を示し、反応途中から析出してしまい、また溶媒に溶けなくなるが、他のビスフェノールとの共重合によって溶媒可溶にフィルム形成を行なう。共重合比率は全モル数で70%以下、あるいは重量比率でも70%以下が好ましい。
(R3、R4は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Aは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−SiO(CH3)2−、−CR5R6−(R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、トリフオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基である。)、炭素数5〜11の1,1−シクロアルキリデン基を表わし、c,dはそれぞれ独立に0〜4の整数を表わす。)
具体例としては、例えば、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジフルオロ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジシクロヘキシルビフェニル等の4,4’−ジヒドロキシビフェニル類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(別名:ビスフェノールA)、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(2−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロパン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)イソブタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ヘプタン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−1−フェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2−メチル−5−tert−ペンチルフェニル)ブタン、ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(別名:テトラフルオロビスフェノールA)、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(別名:テトラクロロビスフェノールA)、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(別名:テトラブロモビスフェノールA)、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシ−5−クロロフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1−フェニル−1,1−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(3−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン等のビス(4−ヒドロキシフェニル)アルカン類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル等のビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド等のビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン等のビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン類;4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
炭素−炭素二重結合を有する重合性電荷輸送材は、下記一般式(3)、一般式(4)で示されるベンジジン化合物であり、構造式中Actは、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基から選択された炭素−炭素二重結合を表わし、R7,R8,R30,R31,R32,R33は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基を表わし、e,fは1≦e+f≦4、l,mは1≦l+m≦4で示される。
式中、Actは炭素−炭素二重結合を表わし、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基を表わし、R9,R10は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基を表わし、Ar1は置換、無置換のアリーレン基を表わし、g,k、oはそれぞれ独立に0〜2の整数、好ましくは1≦g+k+o≦4を満たす整数を表わし、vは0〜1の整数を表わす。
式中、Actは炭素−炭素二重結合を表わし、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基を表わし、R11,R12は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基を表わし、p,qは、それぞれ独立に0〜2の整数、好ましくは1≦p+q≦4を満たす整数を表わす。
式中、Actは、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基から選択された炭素−炭素二重結合を表わしを表わし、Ar4は置換、無置換のアリール基を表わし、s,uはそれぞれ独立に0〜2の整数、好ましくは1≦s+u≦4を満たす整数を表わす。
本発明の架橋表面層の膜厚は、架橋表面層が用いられる感光体の層構造によって異なるため、層構造とともに以降に記載する。
<電子写真感光体の層構造について>
本発明に用いられる電子写真感光体を図面に基づいて説明する。
導電性支持体(31)としては、体積抵抗1010Ω・cm以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらを押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理を施した管などを使用することができる。また、特開昭52−36016号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体(31)として用いることができる。
次に感光層について説明する。感光層は積層構造でも単層構造でもよい。
(電荷発生層)
電荷発生層(35)は、電荷発生機能を有する電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を併用することもできる。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
電荷輸送層(37)は電荷輸送機能を有する層で、本発明の一般式(1)又は一般式(2)で示されるユニットを有するポリカーボネート樹脂、炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質を有する架橋表面層は電荷輸送層として有用に用いられる。架橋表面層が電荷輸送層(37)の全体である場合、前述の架橋表面層作製方法に記載したように電荷発生層(35)上に塗工液を塗布、必要に応じて乾燥後、外部エネルギーにより硬化反応を開始させ、架橋表面層が形成される。このとき、架橋表面層の膜厚は、10〜30μm、好ましくは10〜25μmである。10μmより薄いと充分な帯電電位が維持できず、30μmより厚いと硬化時の体積収縮により下層との剥離が生じやすくなる。
単層構造の感光層は電荷発生機能と電荷輸送機能を同時に有する層で、本発明の電荷輸送性構造を有する架橋表面層は電荷発生機能を有する電荷発生物質を含有させることにより、単層構造の感光層として有用に用いられる。上記の電荷発生層のキャスティング形成方法に記載したように、電荷発生物質を本発明の一般式(1)又は一般式(2)で示されるユニットを持つポリカーボネート樹脂、炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質を含有する塗工液と共に分散し、導電性支持体(31)上に塗布、必要に応じて乾燥後、光と熱エネルギーにより硬化反応を開始させ、架橋表面層が形成される。なお、電荷発生物質はあらかじめ溶媒と共に分散した液を本架橋表面層用塗工液に加えてもよい。このとき、架橋表面層の膜厚は、10〜30μm、好ましくは10〜25μmである。10μmより薄いと充分な帯電電位が維持できず、30μmより厚いと硬化時の体積収縮により導電性基体又は下引き層との剥離が生じやすくなる。
本発明の感光体においては、架橋表面層が感光層の表面部分となる場合、架橋表面層と下層感光層の間に中間層を設けることが可能である。この中間層はラジカル重合性組成物を含有する架橋表面層中に下部感光層組成物の混入により生ずる、硬化反応の阻害や架橋表面層の凹凸を防止する。また、下層の感光層と表面架橋層の接着性を向上させることも可能である。
本発明の感光体においては、導電性支持体(31)と感光層との間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、表面架橋層、感光層、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、中間層等の各層に酸化防止剤を添加することができる。
(フェノール系化合物)
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアッシド]クリコ−ルエステル、トコフェロール類など。
N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミンなど。
2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−3,3’−チオジプロピオネートなど。
トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキシ)ホスフィンなど。
次に図面に基づいて本発明の画像形成方法ならびに画像形成装置を詳しく説明する。
1、4−ビス(3−ヒドロキシスチリル)ベンゼンの合成
3−ヒドロキシベンズアルデヒド 25g(0.2047mol)、1,4−キシリレン−ビス(ホスホニックアッシドジエチルエステル)34.8g(0.092mol)、DMF 300mlを四径フラスコにとり、室温下攪拌溶解させる。これに40℃を超えない温度範囲でカリウムタシャリーブチルオキシドを1時間30分で加えた、その後5時間反応し、反応物を水400ml中に注ぎ、酢酸で酸性に析出物をロ別した。ロ過物を500mlの水で3回洗浄後、乾燥し、エタノール:酢酸エチル=300:100volで熱ろ過し再結晶した。黄色 20.9g m.p.:279〜281℃ LCMS m/z 314
I.R.:図5
ポリカーボネートの合成
上記ジスチリル体2.22g(7.06mmol)、ビスフェノールA 1.62g(7.1mmol)、脱水ピリジン100mlを四径フラスコにとり、氷−水浴で5℃に冷却し、冷却後、氷−水浴を取り除き、トリホスゲン2.63g(8.86mmol)の塩化メチレン30ml溶液を強攪拌下20分で滴下した、黄色物が析出しエマルジョン状態になり、26℃まで発熱した、その後2時間反応し、塩化メチレン200ml添加し、有機層を分離した、有機層は透明にはならず、7%塩酸水溶液150mlで3回洗浄、2%塩酸水溶液で2回洗浄、イオン交換水150mlで5回洗浄した、有機層は透明になった。有機層をメタノール1.5Lに注ぎ析出させポリカーボネートを3g得た。
GPCでポリスチレン換算分子量はMn:4400,Mw:10500であった。これによって作成されたポリカーボネート共重合体を合成例1とする。
I.R.:図6
また、同様にして実施例2、3を下記表1のモノマーを用いて共重合した。この実施例2、3によって作成されたポリカーボネート共重合体をそれぞれ合成例2、3とする。
φ30mmのアルミニウムシリンダー上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布、乾燥することにより、3.5μmの下引き層、0.2μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層を形成した。メタルハライドランプ:160W/cm、照射距離:120mm、照射強度:500mW/cm2、照射時間:30秒の条件で光照射を行ない、その後150℃で30分間乾燥し本発明の電子写真感光体を得た。
〔下引き層用塗工液〕
アルキッド樹脂 6部
(ベッコゾール1307−60−EL、大日本インキ化学工業製)
メラミン樹脂 4部
(スーパーベッカミン G−821−60、大日本インキ化学工業製)
酸化チタン 40部
メチルエチルケトン 50部
〔電荷発生層用塗工液〕
下記構造式(I)のビスアゾ顔料 2.5部
ポリビニルブチラール(XYHL、UCC製) 0.5部
シクロヘキサノン 200部
メチルエチルケトン 80部
〔電荷輸送層用塗工液〕
合成例1のポリカーボネート共重合体 2部
炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質No.1 2部
トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA) 0.5部
光重合開始剤 0.2部
1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製)
テトラヒドロフラン(THF) 16部
1%シリコーンオイル(KF50 信越化学社製)THF溶液 0.1部
<実施例5〜8>
実施例4と同様にして表2の電荷輸送層用塗工液のポリカーボネート樹脂と電荷輸送物質に変えて本発明の感光体を作成した。
実施例4と同様に下引き層、電荷発生層を設けた上に下記電荷輸送層22μmを設けた。
〔電荷輸送層用塗工液〕
ビスフェノールZポリカーボネート 10部
(パンライトTS−2050、帝人化成製)
下記構造式(II)の低分子電荷輸送物質(D−1) 7部
テトラヒドロフラン 100部
1%シリコーンオイルのテトラヒドロフラン溶液 0.2部
(KF50−100CS、信越化学工業製)
<比較例2>
実施例4と同様に下引き層、電荷発生層を設けた上に下記電荷輸送層22μmを設けた。
〔電荷輸送層用塗工液〕
合成例1のポリカーボネート共重合体 2部
下記構造式(II)の低分子電荷輸送物質(D−1) 1.4部
テトラヒドロフラン 14部
1%シリコーンオイルのテトラヒドロフラン溶液 0.1部
(KF50−100CS、信越化学工業製)
<評価>
硬度計測にはフィシャー・インストルメンツ社製、微小硬度計 H−100を用いて、ビッカース圧子9.8mNの力で30秒で押し込み、5秒保持し、9.8mNの力で30秒間で抜き、マルテンス硬度、変形回復率を求めた。結果を以下に示す。
φ100mmアルミニウムシリンダー上に、下記組成の中間層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、3.5μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、20μmの電荷輸送層を形成した。更に、その上に架橋表面層用塗工液をスプレー法で塗工して、光硬化装置で光硬化させ、その後150℃で30分間乾燥させ7μ硬化電荷輸送層を設けた。
〔中間層用塗工液〕
下記組成をボールミルで24時間分散して調整した。
(ベッコゾール 1307−60−EL,大日本インキ化学工業製)
メラミン樹脂 4部
(スーパーベッカミン G−821−60,大日本インキ化学工業製)
酸化チタン(CREL 石原産業社製) 40部
メチルエチルケトン 200部
〔電荷発生層用塗工液〕
下記組成をボールミルで24時間分散して調整した。
ポリビニルブチラール(UCC:XYHL) 0.2部
テトラヒドロフラン 50部
〔電荷輸送層用塗工液〕
下記組成を溶解し調整した。
下記構造式(V)の低分子電荷輸送物質 12部
THF 90部
1%シリコーンオイル(KF50信越シリコーン社製)ジクロルメタン溶液
1部
〔架橋表面層用塗工液〕
合成例2のポリカーボネート共重合体 1部
No.20の化合物 1部
ペンタエリスリトールテトラアクリレート
(SR−295、日本化薬製) 0.5部
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
(SR−355、日本化薬製) 0.25部
光重合開始剤 0.2部
1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製)
テトラヒドロフラン 30部
シクロヘキサノン 10部
<実施例10>
実施例9と同様にして下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を設けた上に下記表面架橋層を実施例9と同様に設けた。
〔架橋表面層用塗工液〕
合成例1のポリカーボネート共重合体 1部
No.24の化合物 1部
ペンタエリスリトールテトラアクリレート
(SR−295、日本化薬製) 0.5部
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
(SR−355、日本化薬製) 0.25部
光重合開始剤 0.2部
1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製)
テトラヒドロフラン 30部
シクロヘキサノン 10部
<比較例3>
実施例9と同様に中間層、電荷発生層を設けた上に電荷輸送層バインダー樹脂をZポリカ樹脂(TS2050 帝人化成社製)に変え、膜厚を27μmを順次、塗布乾燥することにより感光体を作成した。
(分散液1)
15cmボールミルポットに下記電荷発生物質、溶剤を仕込み、10φジルコニアメディアを用いて48時間ボールミルし、その後シクロヘキサノン500部を加えミルベースを調整した。
(塗工液1)
テトラヒドロフラン(THF) 66部
合成例2のポリカーボネート共重合体 8部
No.24化合物 4部
ポリエチレングリコール 0.2部
(イオネットMC1400 三洋化成社)
シリコーンオイル(KF50 信越化学社製) 0.01部
分散液1を12部、塗工液1を20部、混合攪拌して塗工液2を調整した。
(塗工液3)
テトラヒドロフラン(THF) 66部
ポリカーボネート樹脂(C1400 帝人化成社製) 8部
下記構造式(II)の低分子電荷輸送物質(D−1) 4部
ポリエチレングリコール
(イオネットMC1400、三洋化成社) 0.2部
シリコーンオイル(KF50 信越化学社製) 0.01部
分散液1を12部、塗工液3を20部、混合攪拌して塗工液4を調整した。
2 除電ランプ
3 帯電チャージャ
4 イレーサ
5 画像露光部
6 現像ユニット
7 転写前チャージャ
8 レジストローラ
9 転写紙
10 転写チャージャ
11 分離チャージャ
12 分離爪
13 クリーニング前チャージャ
14 ファーブラシ
15 クリーニングブレード
31 導電性支持体
33 感光層
35 電荷発生層
37 電荷輸送層
39 保護層
101 感光ドラム
102 帯電装置
103 露光
104 現像装置
105 転写体
106 転写装置
107 クリーニングブレード
Claims (14)
- 下記一般式(2)で示されるジスチルベンカーボネートユニットとビスフェノール誘導体型カーボネートユニットとを複数含むポリカーボネート共重合体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、R3、R4は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Aは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−SiO(CH3)2−、−CR5R6−(R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、トリフオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基である。)、炭素数5〜11の1,1−シクロアルキリデン基を表わし、a,bはそれぞれ独立に0〜4の整数を表わし、h,iは共重合mol%を表わし、hは5〜80、iは20〜95を表わす。) - 下記一般式(2)で示されるジスチルベンカーボネートユニットとビスフェノール誘導体型カーボネートユニットとを複数含むポリカーボネート共重合体と、前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質とからの硬化させられた最上層を有することを特徴とする電子写真感光体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、R3、R4は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Aは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−SiO(CH3)2−、−CR5R6−(R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、トリフオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基である。)、炭素数5〜11の1,1−シクロアルキリデン基を表わし、a,bはそれぞれ独立に0〜4の整数を表わし、h,iは共重合mol%を表わし、hは5〜80、iは20〜95を表わす。) - 下記一般式(1)又は(2)で示されるポリカーボネート共重合体、炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質、及びアクリロイルオキシ基及び/又はメタクリロイルオキシ基を有するラジカル重合性モノマーの重合反応性生成物が感光層の最上層に含有されたことを特徴とする電子写真感光体。
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基を表わす。)
(式中、R1,R2は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、R3、R4は水素、同一、又は異なる炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜7のシクロアルキル基、炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Aは単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−SiO(CH3)2−、−CR5R6−(R5及びR6はそれぞれ独立に水素原子、トリフオロメチル基、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜12の置換若しくは無置換のアリール基である。)、又は炭素数5〜11の1,1−シクロアルキリデン基を表わし、a,bはそれぞれ独立に0〜4の整数を表わし、h,iは共重合mol%を表わし、hは5〜80、iは20〜95を表わす。) - 前記炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質は、上記一般式(3)乃至(8)の群から選択できることを特徴とする請求項10に記載の電子写真感光体。
- 電子写真感光体が請求項3乃至11のいずれか一項に記載のものである電子写真感光体を用い、少なくとも該電子写真感光体に帯電、画像露光、現像の過程を経た後、画像保持体へのトナー画像の転写、定着及び該電子写真感光体表面のクリーニングによって画像形成を行うことを特徴とする画像形成方法。
- 少なくとも、帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段及び電子写真感光体を具備した画像形成装置において、該電子写真感光体が請求項3乃至11のいずれか一項に記載のものであることを特徴とする画像形成装置。
- 請求項3乃至11のいずれか一項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、クリーニング手段より選ばれる少なくとも1つの手段とを一体的に支持し、画像形成装置本体に着脱自在であることを特徴とする画像形成装置用プロセスカートリッジ。
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