JP2008109041A - 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008109041A JP2008109041A JP2006292685A JP2006292685A JP2008109041A JP 2008109041 A JP2008109041 A JP 2008109041A JP 2006292685 A JP2006292685 A JP 2006292685A JP 2006292685 A JP2006292685 A JP 2006292685A JP 2008109041 A JP2008109041 A JP 2008109041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- separation groove
- longitudinal direction
- film solar
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 262
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 349
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 47
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 42
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 39
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 36
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- -1 neodymium ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、少なくとも裏面電極層を分離する分離溝を備え、透明電極層が半導体光電変換層および裏面電極層よりも分離溝の長手方向に突出している薄膜太陽電池とその薄膜太陽電池の製造方法である。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の薄膜太陽電池の一例の模式的な平面図を示す。また、図2(a)に図1のIIA−IIAに沿った模式的な断面を示し、図2(b)に図1のIIB−IIBに沿った模式的な断面を示す。図1に示す本発明の薄膜太陽電池1は、図2(a)および図2(b)に示すように、透明絶縁基板2上に、透明電極層3、半導体光電変換層4および裏面電極層5がこの順序で積層された構成を有している。
図11に、本発明の薄膜太陽電池の他の一例の模式的な平面図を示す。また、図12(a)に図11のXIIA−XIIAに沿った模式的な断面を示し、図12(b)に図11のXIIB−XIIBに沿った模式的な断面を示す。
まず、図3(a)および図3(b)に示すように、SnO2からなる透明導電層3が形成された幅560mm×長さ925mmの矩形状の表面を有するガラス基板からなる透明絶縁基板2を用意した。
まず、図13(a)および図13(b)に示すように、SnO2からなる透明導電層3が形成された幅560mm×長さ925mmの矩形状の表面を有するガラス基板からなる透明絶縁基板2を用意した。
図21に示す表面ならびに図22(a)および図22(b)に示す断面を有する比較例1の薄膜太陽電池を作製した。この比較例1の薄膜太陽電池は、その周縁部分において透明電極層3が半導体光電変換層4および裏面電極層5よりも外側に突出していないことを特徴としている。なお、図22(a)は図21のXXIIA−XXIIAに沿った模式的な断面を示し、図22(b)は図21のXXIIB−XXIIBに沿った模式的な断面を示している。
図30に示す表面ならびに図31(a)および図31(b)に示す断面を有する比較例2の薄膜太陽電池を作製した。この比較例2の薄膜太陽電池は、分離溝の長手方向の両端のそれぞれの近傍に研磨による傷防止用の積層体13が形成されていることに特徴がある。なお、図31(a)は図30のXXXIA−XXXIAに沿った模式的な断面を示し、図31(b)は図30のXXXIB−XXXIBに沿った模式的な断面を示している。
Claims (7)
- 透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、
少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝を備え、
前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記分離溝の長手方向に突出していることを特徴とする、薄膜太陽電池。 - 前記透明電極層の突出長さが100μm以上1000μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜太陽電池。
- 前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記分離溝の長手方向に直交する方向に突出していることを特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜太陽電池。
- 前記分離溝の長手方向に直交する方向の端に位置する前記裏面電極層に電流取り出し用の電極が形成されていることを特徴とする、請求項3に記載の薄膜太陽電池。
- 請求項1から4のいずれかに記載の薄膜太陽電池を製造する方法であって、
透明絶縁基板上に透明電極層を積層する工程と、
前記透明電極層上に半導体光電変換層を積層する工程と、
前記半導体光電変換層上に裏面電極層を積層する工程と、
少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝を形成する工程と、
前記分離溝の長手方向に直交する方向に第1レーザ光を照射することによって前記第1レーザ光の照射領域における半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と、
前記第1レーザ光の照射領域よりも前記分離溝の長手方向のさらに外側の領域に第2レーザ光を照射することによって前記第2レーザ光の照射領域における透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と、
を含む、薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記第1レーザ光はYAGレーザ光の第2高調波またはYVO4レーザ光の第2高調波であることを特徴とする、請求項5に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記第2レーザ光はYAGレーザ光の基本波またはYVO4レーザ光の基本波であることを特徴とする、請求項5または6に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006292685A JP4485506B2 (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
CNA2007800401166A CN101529602A (zh) | 2006-10-27 | 2007-09-19 | 薄膜太阳能电池和薄膜太阳能电池的制造方法 |
EP07807524.9A EP2080231A4 (en) | 2006-10-27 | 2007-09-19 | THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
US12/446,699 US20090272434A1 (en) | 2006-10-27 | 2007-09-19 | Thin-film solar cell and method of fabricating thin-film solar cell |
PCT/JP2007/068137 WO2008050556A1 (en) | 2006-10-27 | 2007-09-19 | Thin film solar cell and method for manufacturing thin film solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006292685A JP4485506B2 (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010036236A Division JP2010118694A (ja) | 2010-02-22 | 2010-02-22 | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2010036235A Division JP2010118693A (ja) | 2010-02-22 | 2010-02-22 | 薄膜太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008109041A true JP2008109041A (ja) | 2008-05-08 |
JP4485506B2 JP4485506B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=39324365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006292685A Expired - Fee Related JP4485506B2 (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090272434A1 (ja) |
EP (1) | EP2080231A4 (ja) |
JP (1) | JP4485506B2 (ja) |
CN (1) | CN101529602A (ja) |
WO (1) | WO2008050556A1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008283023A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
WO2009139390A1 (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 株式会社アルバック | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2010021361A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Ulvac Japan Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
WO2010026849A1 (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | シャープ株式会社 | 集積型薄膜太陽電池 |
JP2010087041A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Ulvac Japan Ltd | レーザービームによる薄膜の除去方法及び薄膜太陽電池パネルの製造方法 |
WO2010119841A1 (ja) | 2009-04-15 | 2010-10-21 | シャープ株式会社 | 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネル検査方法および太陽電池パネルの製造方法 |
WO2011016490A1 (ja) | 2009-08-05 | 2011-02-10 | シャープ株式会社 | 積層型光起電力素子および積層型光起電力素子の製造方法 |
WO2011024867A1 (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | 積層型光起電力素子および積層型光起電力素子の製造方法 |
JP2011204757A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
WO2011125651A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネル |
WO2012043539A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2013016870A (ja) * | 2012-10-23 | 2013-01-24 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
WO2013125143A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | シャープ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
JP2014239086A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-18 | 三菱化学株式会社 | 有機薄膜太陽電池の製造方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008053595A1 (de) * | 2008-10-15 | 2010-04-29 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Schichtmaterialabtragverfahren mittels Laserstrahlung |
US8071420B2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-12-06 | Applied Materials, Inc. | Edge film removal process for thin film solar cell applications |
EP2473009B1 (en) * | 2009-08-27 | 2017-10-25 | Kaneka Corporation | Integrated organic light emitting device |
KR101070071B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2011-10-04 | 삼성전기주식회사 | 후면 전극형 태양전지 제조방법 |
JP2012023180A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Fujifilm Corp | 電子デバイス用基板および該基板を備えた光電変換装置 |
WO2012056715A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社アルバック | 薄膜太陽電池モジュールの製造装置及び製造方法 |
JP5134075B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2013-01-30 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
CN102842644A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-26 | 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 | 一种硅基薄膜太阳能电池制备方法 |
US20130186453A1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-07-25 | First Solar, Inc | Mitigating photovoltaic module stress damage through cell isolation |
KR101356216B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2014-01-28 | 참엔지니어링(주) | 태양전지기판의 가공방법 |
KR20140068320A (ko) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광전모듈 |
USD743329S1 (en) * | 2014-01-27 | 2015-11-17 | Solaero Technologies Corp. | Solar cell |
USD763787S1 (en) * | 2014-11-14 | 2016-08-16 | Solaria Corporation | Tiled solar cell |
EP3308404B1 (en) * | 2015-06-12 | 2020-07-08 | Flisom AG | Method of decreasing crack propagation damage in a solar cell device |
DE102018116466B3 (de) * | 2018-07-06 | 2019-06-19 | Solibro Hi-Tech Gmbh | Dünnschichtsolarmodul und Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US603873A (en) * | 1898-05-10 | Folding basket | ||
US4663494A (en) * | 1984-07-19 | 1987-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JP3819507B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2006-09-13 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置及びその製造方法 |
US6885444B2 (en) * | 1998-06-10 | 2005-04-26 | Boxer Cross Inc | Evaluating a multi-layered structure for voids |
JP2000150944A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール |
US6455347B1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-09-24 | Kaneka Corporation | Method of fabricating thin-film photovoltaic module |
JP4022038B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2007-12-12 | 三菱重工業株式会社 | 薄膜太陽電池パネルの製造方法及び製造装置 |
EP1320892A2 (en) * | 2000-07-06 | 2003-06-25 | BP Corporation North America Inc. | Partially transparent photovoltaic modules |
US6632993B2 (en) * | 2000-10-05 | 2003-10-14 | Kaneka Corporation | Photovoltaic module |
US7098395B2 (en) * | 2001-03-29 | 2006-08-29 | Kaneka Corporation | Thin-film solar cell module of see-through type |
JP3751539B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2006-03-01 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
US7560750B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-07-14 | Kyocera Corporation | Solar cell device |
JP2006332453A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池 |
US7855089B2 (en) * | 2008-09-10 | 2010-12-21 | Stion Corporation | Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials |
-
2006
- 2006-10-27 JP JP2006292685A patent/JP4485506B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-09-19 US US12/446,699 patent/US20090272434A1/en not_active Abandoned
- 2007-09-19 EP EP07807524.9A patent/EP2080231A4/en not_active Withdrawn
- 2007-09-19 WO PCT/JP2007/068137 patent/WO2008050556A1/ja active Application Filing
- 2007-09-19 CN CNA2007800401166A patent/CN101529602A/zh active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008283023A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
KR101171579B1 (ko) | 2008-05-15 | 2012-08-06 | 가부시키가이샤 아루박 | 박막 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 |
WO2009139390A1 (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 株式会社アルバック | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JPWO2009139390A1 (ja) * | 2008-05-15 | 2011-09-22 | 株式会社アルバック | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2010021361A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Ulvac Japan Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
US8907203B2 (en) | 2008-09-04 | 2014-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated thin-film solar battery |
JP2010062373A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Sharp Corp | 集積型薄膜太陽電池 |
CN102144299A (zh) * | 2008-09-04 | 2011-08-03 | 夏普株式会社 | 集成薄膜太阳能电池 |
WO2010026849A1 (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | シャープ株式会社 | 集積型薄膜太陽電池 |
JP2010087041A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Ulvac Japan Ltd | レーザービームによる薄膜の除去方法及び薄膜太陽電池パネルの製造方法 |
US8878562B2 (en) | 2009-04-15 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar battery panel inspection apparatus for inspecting the insulation state in the outer circumferential insulating region of a solar battery panel, method of inspecting, and method of manufacturing |
WO2010119841A1 (ja) | 2009-04-15 | 2010-10-21 | シャープ株式会社 | 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネル検査方法および太陽電池パネルの製造方法 |
WO2011016490A1 (ja) | 2009-08-05 | 2011-02-10 | シャープ株式会社 | 積層型光起電力素子および積層型光起電力素子の製造方法 |
WO2011024867A1 (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | 積層型光起電力素子および積層型光起電力素子の製造方法 |
JP2011204757A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
WO2011125651A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネル |
JP2012079730A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
WO2012043539A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
US9040815B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film solar cell and method of fabricating thin-film solar cell |
WO2013125143A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | シャープ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
JP2013016870A (ja) * | 2012-10-23 | 2013-01-24 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
JP2014239086A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-18 | 三菱化学株式会社 | 有機薄膜太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2080231A4 (en) | 2014-07-23 |
US20090272434A1 (en) | 2009-11-05 |
EP2080231A1 (en) | 2009-07-22 |
JP4485506B2 (ja) | 2010-06-23 |
WO2008050556A1 (en) | 2008-05-02 |
CN101529602A (zh) | 2009-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4485506B2 (ja) | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP2006332453A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池 | |
JP4791098B2 (ja) | 集積型薄膜太陽電池モジュール | |
JP2015198142A (ja) | 結晶シリコン太陽電池およびその製法、ならびに太陽電池モジュール | |
US8507310B2 (en) | Method for manufacturing thin-film photoelectric conversion device | |
US9040815B2 (en) | Thin-film solar cell and method of fabricating thin-film solar cell | |
JP5084868B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP6013200B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JP5800947B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP7089473B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換装置 | |
JP5829200B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP2010118694A (ja) | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 | |
WO2014103513A1 (ja) | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2013219143A (ja) | 薄膜太陽電池モジュールおよび薄膜太陽電池モジュールの製造方法 | |
WO2015141338A1 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JP6013198B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JP2010118693A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
CN107980180B (zh) | 太阳能电池 | |
WO2013125143A1 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP6333139B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JP2013258176A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
WO2013128566A1 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP2013214652A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール | |
JP2014135358A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
JP2011258661A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081002 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081014 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20081107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |