JP2008107377A - 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)多環環状炭化水素構造をカチオン部に有するアリールスルホニウム塩化合物を含有する感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法。
【選択図】なし
Description
このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させる光酸発生剤についても種々の化合物が開発されてきており、例えば特定の置換基を有するスルホニウム塩化合物が開示されている。(WO 00/08525号パンフレット、特開2000−47387号公報)。
しかしながら、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、光酸発生剤、添加剤、溶剤等の適切な組み合わせを見い出すことが極めて困難であるのが実情であり、更に線幅100nm以下のような微細なパターンを形成する際には、解像性能が優れていても、形成したラインパターンが倒れてしまい、デバイス製造時の欠陥となってしまうパターン倒れの問題や、密集パターンと孤立パターンにおける性能差、特に孤立パターンの膜減りにおいては十分ではなかった。
を含有することを特徴とする感光性組成物。
(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
X1及びX2は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。X1とX2が結合して環構造を形成していてもよい。
Ar1は、アリール基を表す。
Y1は、単結合又は2価の連結基を表す。
Y2は、多環環状炭化水素基を表す。
m1は、0〜2を表す。
m2は、0〜2を表す。
m3は、1〜3を表す。
但し、m1+m2+m3=3である。
m4は、1〜3を表す。
X-は、対アニオンを表す。
(7) (B)成分の樹脂が、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する樹脂であることを特徴とする(2)に記載のポジ型感光性組成物。
(8) (B)成分の樹脂が、シリコン原子を有する樹脂であることを特徴とする(2)に記載のポジ型感光性組成物。
(9) (B)成分の樹脂が、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有する樹脂であることを特徴とする(2)に記載のポジ型感光性組成物。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明の感光性組成物は、多環環状炭化水素構造をカチオン部に有するアリールスルホニウム塩化合物(「以下、(A)成分の化合物」ともいう)を含有する。
多環環状炭化水素構造をカチオン部に有するアリールスルホニウム塩化合物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。
多環環状炭化水素構造をカチオン部に有するアリールスルホニウム塩化合物としては、アリール基が硫黄カチオンと結合したアリールスルホニウム塩であって多環環状炭化水素構造をカチオン部に有していればいずれのものでも用いることができる。アリールスルホニウム塩としては、硫黄原子に結合する全ての置換基がアリール基でもよいし、硫黄原子に結合する置換基の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基でもよい。多環環状炭化水素構造は、アリール基、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基のいずれに設けられていてもよいが、アリール基に設けられていることが好ましい。
アリールスルホニウム化合物におけるアリール基としては、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基などの炭化水素アリール基、ピロール基、インドール基などのヘテロ原子を含有するヘテロアリール基が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基等を挙げることができる。
シクロアルキル基としては、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロへキシル基、ノルボルナン基、アダマンチル基等を挙げることができる。
アラルキル基としては、炭素数7〜20のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。
X1及びX2は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。X1とX2が結合して環構造を形成していてもよい。
Ar1は、アリール基を表す。
Y1は、単結合又は2価の連結基を表す。
Y2は、多環環状炭化水素基を表す。
m1は、0〜2を表す。
m2は、0〜2を表す。
m3は、1〜3を表す。
但し、m1+m2+m3=3である。
m4は、1〜3を表す。
X-は、対アニオンを表す。
X1及びX2に於けるアルキル基としては、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基等を挙げることができる。
X1及びX2に於けるシクロアルキル基としては、炭素数3〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロへキシル基、ノルボルナン基、アダマンチル基等を挙げることができる。
X1及びX2に於けるアラルキル基としては、炭素数7〜20のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。
X1及びX2は、X1及びX2の両方がフェニル基であるか、X1及びX2が結合してアルキレン基(好ましくは炭素数4〜6)を形成するが好ましい。
Y1の2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−SO2−、−SO3−、−C(=O)NRd−、−SO2NRd−、またはこれらの複数が組み合わさった2価の連結基を挙げることができる。式中、Rdは、水素原子又はアルキル基を表す。
Y2の多環環状炭化水素基は、2環以上の多環環状炭化水素基であり、好ましくは、アダマンチル基、ノルボルナン基、ビシクロ[2.2.2]オクタン基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基、ジアマンチル基などが挙げられる。好ましくはアダマンチル基である。
X-の対アニオンとしては、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビススルホニルイミドアニオン、トリススルホニルメチドアニオンなどの炭素原子を有する有機アニオン、BF4-、PF6 -、AsF6 -、ClO4 -などの無機アニオンが挙げられ、有機アニオンが好ましい。
Rc1は、有機基を表す。
Rc1における有機基として、炭素数1〜30のものが挙げられ、好ましくは置換していてもよいアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、−O−、−CO2−、−S−、−SO3−、−SO2N(Rd1)−などの連結基で連結された基を挙げることができる。Rd1は、水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基、アリール基と環構造を形成してもよい。
Rc1の有機基としてより好ましくは、1位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。Rc1において炭素原子を5個以上有する時、少なくとも1つの炭素原子は全ての水素原子がフッ素原子で置換されていないことが好ましく、水素原子の数がフッ素原子より多いことがより好ましい。炭素数5以上のパーフロロアルキル基を有さないことにより生態への毒性が軽減する。
Rc6は、炭素数4以下、より好ましくは2〜4、更に好ましくは2〜3のパーフロロアルキレン基、3〜4個のフッ素原子及び/又は1〜3個のフロロアルキル基で置換されたフェニレン基を表す。
Axは、単結合又は2価の連結基(好ましくは、−O−、−CO2−、−S−、−SO3−、−SO2N(Rd1)−)を表す。Rd1は、水素原子又はアルキル基を表し、Rc7と結合して環構造を形成してもよい。
Rc7は、水素原子、フッソ原子、置換していてもよい直鎖若しくは分岐状アルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基又は置換していてもよいアリール基を表す。置換していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、置換基としてフッソ原子を含有しないことが好ましい。
Rc3、Rc4及びRc5は、各々独立に、有機基を表す。
Rc3、Rc4及びRc5の有機基として、好ましくはRc1における好ましい有機基と同じものを挙げることができる。
Rc3とRc4が結合して環を形成していてもよい。Rc3とRc4が結合して形成される基としては、アルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数2〜4のパーフロロアルキレン基である。Rc3とRc4が結合して環を形成することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上し、好ましい。
Ar1、Y1、Y2、m1、m2、m3、m4及びX-は、一般式(I)に於ける、Ar1、Y1、Y2、m1、m2、m3、m4及びX-と同義である。
Ar2及びAr3は、アリール基を表す。
特に好ましい(A)成分の化合物を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
(A)成分の化合物は、例えば、多環環状炭化水素基を有するアリール化合物とスルホキシド化合物を反応させることによりカチオン部を形成し、これを塩交換により所望の対アニオンと交換することにより合成できる。
そのような酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
X-は、対アニオンを表し、一般式(I)に於けるX-の対アニオンと同様のものである。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
R201、R202及びR203としての有機基の具体例としては、後述する化合物(ZI−1)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基、などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1〜15の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているシクロアルキル基は、炭素数3
〜15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
R201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6−から14)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐状アルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201〜R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201〜R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
R201〜R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖、分岐2−オキソアルキル基である。
R201〜R203としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。R201〜R203としてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基であることがより好ましい。
R201〜R203としての直鎖、分岐、環状の2−オキソアルキル基は、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R201〜R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。
R201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基等によって更に置換されていてもよい。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
R1c〜R7c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c〜R7c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
X-は、対アニオンを表し、一般式(I)に於ける、X-の対アニオンと同様のものを挙げることができる。
R1c〜R7cとしてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
R1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
好ましくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1c〜R5cの炭素数の和が2〜15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、R1c〜R7cとしてのシクロアルキル基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、環状2−オキソアルキル基であることがより好ましい。
直鎖若しくは分岐状2−オキソアルキル基、環状2−オキソアルキル基は、R1c〜R7cとしてのアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c〜R5cとしての
アルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
Rx、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204〜R207のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
R204〜R207としてのアルキル基は、好ましくは、炭素数1〜10の直鎖若しくは分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
R204〜R207としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
R204〜R207は、置換基を有していてもよい。R204〜R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
X-は、対アニオンを表し、一般式(I)に於けるX-の対アニオンと同様のものを挙げることができる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R206は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
R207及びR208は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子吸引性基を表す。R207として、好ましくは、アリール基である。R208として、好ましくは、電子吸引性基であり、より好ましくは、シアノ基、フロロアルキル基である。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
(A)成分の化合物および併用してもよい酸発生剤の合計の組成物中の含量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%であり、特に好ましくは3〜7重量%である。
組成物の態様をとることができる。
(A)成分の化合物及び(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有する感光性組成物は、ポジ型感光性組成物であり、感光性膜を形成し、活性光線又は放射線を照射し、アルカリ現像液で現像した場合に、露光部が溶解除去され、パターンが形成される。
(A)成分の化合物、アルカリ現像液に可溶な樹脂及び酸の作用によりアルカリ現像液に可溶な樹脂を架橋する酸架橋剤を含有する感光性組成物は、ネガ型感光性組成物であり、感光性膜を形成し、活性光線又は放射線を照射し、アルカリ現像液で現像した場合に、未露光部が溶解除去され、パターンが形成される。
本発明のポジ型感光性組成物に用いられる、酸により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂(以下、「(B)成分の樹脂」ともいう)は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)、−C(R01)(R02)(OR39)、−C(R01)(R02)−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
R01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかはシクロアルキル基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
R11'及びR12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
R13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。
ここで、R5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は、単結合又は2価の連結基を表す。
R17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、アルコキシ基、−CO−NH−R6、−CO−NH−SO2−R6又はラクトン構造を有する基を表す。
R6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
nは、0又は1を表す。
護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。
Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは単結合、−COO−CH2−である。
Rp1は、上記式(pI)〜(pV)のいずれかの基を表す。
R11'、R12'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が挙げられる。
返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。
形成される脂環式炭化水素の骨格としては、一般式(pI)〜(pV)に於けるR12〜R25の脂環式炭化水素基と同様のものが挙げられる。
脂環式炭化水素の骨格には置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式(II−AB1)あるいは(II−AB2)中のR13'〜R16'を挙げることができる。
酸分解性繰り返し単位は、1種を用いてもよいが、酸脱離基の炭素数の異なる2種以上の酸分解性繰り返し単位を併用することが好ましい。これにより解像力、露光ラチチュードのバランスが良好になる。
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
Rb0は、水素原子又はメチル基が好ましい。
Abは、単結合、アルキレン基、単環若しくは多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。
Abは、好ましくは、単結合、−Ab1−CO2−で表される連結基である。Ab1は、直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基である。
Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−16)のうちのいずれかで示される基を表す。
R2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは水酸基又はシアノ基を表す。好ましくはR2c〜R4cのうち1つまたは2つが水酸基で残りが水素原子である。一般式(VIIa)において更に好ましくはR2c〜R4cのうち2つが水酸基で残りが水素原子である。
一般式(VIIa)〜(VIId)で表される基を表す)、又は下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位等を挙げることができる。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
R2c〜R4cは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、R2c〜R4cと同義である。
Z2は、−O−又は−N(R41)−を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は−OSO2−R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)等で置換されていてもよい。
R50〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50〜R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、R50〜R55の全てがフッ素原子であることが好ましい。
(式中、Rxy1は、水素原子またはメチル基を表し、Rxa1及びRxb1は、各々独立に、メチル基またはエチル基を表す。)
シリコン原子を有する樹脂としてはトリアルキルシリル構造、単環または多環の環状シロキサン構造を有する樹脂が好ましく、下記一般式(SS−1)〜(SS−4)で表される構造を有する繰り返しを有する樹脂がより好ましく、一般式(SS−1)〜(SS−4)で表される構造を有する(メタ)アクリル酸エステル系繰り返し単位、ビニル系繰り返し単位またはアリル系繰り返し単位がより好ましい。
Rsは、炭素数1〜5のアルキル基を表し、好ましくはメチル基、エチル基である。
は、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。重合開始剤とともにチオール化合物などの連鎖移動剤を併用してもよい。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは60〜100℃である。
(B)成分の樹脂の分子量分布(分散度)は、通常1〜5であり、好ましくは1〜2、更に好ましくは1.3〜2の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。
また、本発明において、樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
本発明の感光性組成物には、アルカリ可溶性基、親水基、酸分解性基から選ばれるすくなくとも1つを有する、分子量3000以下の溶解制御化合物(以下、「溶解制御化合物」ともいう)を加えてもよい。
溶解制御化合物としては、カルボキシル基、スルホニルイミド基、α位がフロロアルキル基で置換された水酸基などのようなアルカリ可溶性基を有する化合物、水酸基やラクトン基、シアノ基、アミド基、ピロリドン基、スルホンアミド基、などの親水性基を有する化合物、または酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基または親水性基を放出する基を含有する化合物が好ましい。酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基または親水性基を放出する基としてはカルボキシル基あるいは水酸基を酸分解性基で保護した基が好ましい。溶解制御化合物としては220nm以下の透過性を低下させないため、芳香環を含有しない化合物を用いるか、芳香環を有する化合物を組成物の固形分に対し20wt%以下の添加量で用いることが好ましい。
好ましい溶解制御化合物としては、アダマンタン(ジ)カルボン酸、ノルボルナンカルボン酸、コール酸などの脂環炭化水素構造を有するカルボン酸化合物、またはそのカルボ
ン酸を酸分解性基で保護した化合物、糖類などのポリオール、またはその水酸基を酸分解性基で保護した化合物が好ましい。
ネガ型感光性組成物に使用される、アルカリ現像液に可溶な樹脂(以下、「アルカリ可溶性樹脂」ともいう)のアルカリ溶解速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して20Å/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは200Å/秒以上のものである。
ドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−N−置換マレイミド共重合体、o/p−及びm/p−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する一部O−アルキル化物(例えば、5〜30モル%のO−メチル化物、O−(1−メトキシ)エチル化物、O−(1−エトキシ)エチル化物、O−2−テトラヒドロピラニル化物、O−(t−ブトキシカルボニル)メチル化物等)もしくはO−アシル化物(例えば、5〜30モル%のo−アセチル化物、O−(t−ブトキシ)カルボニル化物等)、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体、ポリビニルアルコール誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
本発明のネガ型感光性組成物には、酸の作用によりアルカリ可溶性樹脂と架橋する酸架橋剤(以下、「架橋剤」ともいう)が使用される。
(1)フェノール誘導体のヒドロキシメチル体、アルコキシメチル体、アシルオキシメチル体。
(2)N−ヒドロキシメチル基、N−アルコキシメチル基、N−アシルオキシメチル基を有する化合物。
(3)エポキシ基を有する化合物。
本発明の感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減あるいは、露光によって発生した酸の膜中拡散性を制御するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
好ましい含窒素塩基性化合物の構造として、下記一般式(A)〜(E)で示される部分構造を有する化合物を挙げることができる。
R250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル、炭素数3〜20のシクロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であり、R250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。これらは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基又は炭素数3〜20のアミノシクロアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3〜20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数3〜6のシクロアルキル基を示す。
塩基性化合物の使用量は、感光性組成物の固形分を基準として、通常0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。十分な添加効果を得る上で0.001質量%以上が好ましく、感度や非露光部の現像性の点で10質量%以下が好ましい。
本発明の感光性組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファッ
クF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
本発明の感光性組成物からなる感光性膜を、液浸水を介して露光する場合には、感光性組成部tに必要に応じてさらに表面疎水化樹脂を添加することができる。これにより、レジスト膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性をよくすることができる。
表面疎水化樹脂としては、表面の後退接触角が添加することにより向上する樹脂であれば何でもよいが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。添加量は、レジスト膜の後退接触角は60°〜80°になるよう適宜調整して使用できるが、好ましくは0.1〜5質量%である。
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
合溶剤としては水酸基を含有する溶剤、エステル構造を有する溶剤、ケトン構造を有する溶剤、ラクトン構造を有する溶剤、カーボネート構造を有する溶剤から選ばれる少なくとも2種を含有する混合溶剤が好ましい。
異なる官能基を有する2種以上の溶剤を含有する混合溶剤としては、以下の(S1)〜(S6)の混合溶剤が好ましい
(S1)水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S2)エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S3)エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S4)エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤と水酸基を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S5)エステル構造を有する溶剤とカーボネート構造を有する溶剤と水酸基を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤、
(S6)エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤とを少なくとも含有する混合溶剤。
これによりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減でき、また、塗布時の欠陥の発生を抑制することができる。
水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、シクロヘキサノンが特に好ましい。
ケトン構造を有する溶剤としては、シクロヘキサノン、2−ヘプタノンなどが挙げられ、好ましくは2−ヘプタノンである。
エステル構造を有する溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、酢酸ブチルなどが挙げられ、好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
ラクトン構造を有する溶剤としては、γ−ブチロラクトンが挙げられる。
カーボネート構造を有する溶剤としては、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートが挙げられ、好ましくはプロピレンカーボネートである。
(S2)における、エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤との混合比(質量)は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは40/60〜80/20である。エステル構造を有する溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
(S3)における、エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤との混合比(質量)は、70/30〜99/1、好ましくは80/20〜99/1、更に好ましくは90/10〜99/1である。エステル構造を有する溶剤を70質量%以上含有する混合溶剤が経時安定性の点で特に好ましい。
(S4)における、エステル構造を有する溶剤とラクトン構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80重量%、ラクトン構造を有する溶剤を1〜20重量%、水酸基を含有する溶剤を10〜60重量%含有することが好ましい。
(S5)における、エステル構造を有する溶剤とカーボネート構造を有する溶剤と水酸基を含有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80重量%、カーボネート構造を有する溶剤を1〜20重量%、水酸基を含有する溶剤を10〜60重量%含有することが好ましい。
(S6)における、エステル構造を有する溶剤とケトン構造を有する溶剤とラクトン構造を含有する溶剤を混合する際は、エステル構造を有する溶剤を30〜80重量%、ケトン構造を有する溶剤を10〜60重量%、ラクトン構造を含有する溶剤を1〜20重量%含有することが好ましい。
本発明の感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶
解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターは0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
露光量は適宜設定できるが、通常1〜100mJ/cm2である。露光後、好ましくはスピンまたは/かつベークを行い、現像、リンスを行い、パターンを得る。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜14.0である。
(a) 被加工基板上に有機材料からなる下層レジスト層を形成する。
(b) 下層レジスト層上に中間層及び放射線照射で架橋もしくは分解する有機材料からなる上層レジスト層を順次積層する。
(c) 該上層レジスト層に所定のパターンを形成後、中間層、下層及び基板を順次エッチングする。
中間層としては、一般にオルガノポリシロキサン(シリコーン樹脂)あるいはSiO2塗布液(SOG)が用いられる。下層レジストとしては、適当な有機高分子膜が用いられるが、各種公知のフォトレジストを使用してもよい。たとえば、フジフイルムアーチ社製FHシリーズ、FHiシリーズ或いは住友化学社製PFIシリーズの各シリーズを例示することができる。
下層レジスト層の膜厚は、0.1〜4.0μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜2.0μmであり、特に好ましくは0.25〜1.5μmである。0.1μm以上とすることは、反射防止や耐ドライエッチング性の観点で好ましく、4.0μm以下とすることはアスペクト比や、形成した微細パターンのパターン倒れの観点で好ましい。
トリフロロメタンスルホン酸銀5gとベンゼン50mlを混合し、これに1−ブロモアダマンタン4.2gをベンゼン50mlに溶解させたものを30分かけて加えた。暗所で12時間攪拌した。反応液を水300mlに注ぎ、これをヘキサンで抽出、有機相を水、飽和食塩水で洗浄、乾燥、濃縮すると粗生成物が得られた。これをカラムクロマトグラフィーで精製すると、1−フェニルアダマンタンが1.7g得られた。
1−フェニルアダマンタン1.6g、ジフェニルスルホキシド1.5gをジクロロメタン10mlと混合し、これにトリフロロ酢酸無水物10gを加えた。−30℃で、ノナフロロブタンスルホン酸2.4gを加え、2時間反応した。室温まで昇温しさらに1時間攪拌した後、反応液を氷に注いだ。これをクロロホルムで抽出し、有機相を飽和NaHCO3水溶液、水で洗浄、濃縮した。カラムクロマトグラフィーで精製すると、化合物(I−1)が2.9g得られた。
1H−NMR(CDCl3)
δ1.6〜2.2(m、15H)、δ7.6〜7.8(m、14H)
4−(1−アダマンチルメトキシメチル)フェニルジフェニルスルホニウムブロミド2gをメタノール30mlに溶解させ、これにノナフロロブタンスルホン酸カリウム1.36gを水/メタノール混合液に溶解させたものを加えた。反応液をクロロホルムで抽出し、有機相を水洗、濃縮すると粗生成物が得られた。これにジイソプロピルエーテルを加えて攪拌すると粉体が析出した。これをろ取、乾燥すると、化合物(I−2)が1.2g得られた。
1H−NMR(CDCl3)
δ1.6〜1.8(m、12H)、δ2.0(bs、3H)、δ3.1(s、2H)、δ4.6(s、2H)、δ7.6〜7.8(m、14H)
窒素気流下、シクロヘキサノン8.4gを3つ口フラスコに入れこれを80℃に加熱し
た。これにγブチロラクトンメタクリレート6.8g、3−ヒドロキシアダマンチル−1−メタクリレート4.7g、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート9.4g、重合開始剤V−60(和光純薬製)をモノマーに対し13mol%をシクロヘキサノン75gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で2時間反応させた。反応液を放冷後メタノール900m/水100mlの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂(RA−1)が178g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で6300、分散度(Mw/Mn)は、1.60であった。
<レジスト調製>
下記表1に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度7質量%の溶液を調製し、これを0.03ミクロンのポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価し、結果も表1に示した。
<レジスト評価>
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜DUV−42を600オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、各ポジ型レジスト溶液をスピンコーターで塗布し120℃で60秒乾燥を行い160nmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜に対し、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(ASML社製NA=0.75、ダイポール)で露光し、露光後直ぐに120℃で60秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを得た。
パターン倒れ評価法:
75nmライン/75nmスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量からさらに露光量を増大させて形成されるラインパターンの線幅を細らせた際に、パターンが倒れずに解像する線幅をもって定義した。値が小さいほど、より微細なパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れが発生しにくく、解像力が高いことを示す。
膜減り評価法:
75nmライン/75nmスペースのマスクパターンを再現する露光量における、90nmライン/900nmスペース(孤立パターン)のパターンプロファイルを評価した。矩形なものを○、やや膜減りしているものを△、膜減りが大きいものを×とした。
TPSA:トリフェニルスルホニウムアセテート
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
TEA:トリエタノールアミン
PBI:2−フェニルベンズイミダゾール
TMEA:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W‐4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)(シリコン系)
〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
S2:2−ヘプタノン
S3:シクロヘキサノン
S4:γ−ブチロラクトン
S5:プロピレングリコールメチルエーテル
S6:乳酸エチル
S7:プロピレンカーボネート
<レジスト調製>
表1の実施例1〜13および比較例1〜2の成分を溶剤に溶解させ固形分濃度5質量%の溶液を調整し、これを0.03μmのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調整した。調整したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価した。
<解像性評価>
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃、60秒ベークを行い78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト溶液を塗布し、115℃、60秒ベークを行い140nmのレジスト膜を形成した。
こうして得られたウエハーを液浸液としては純水を使用し、2光束干渉露光を行った(ウェット露光)。尚、2光束干渉露光(ウエット)では、図1に示すように、レーザー1、絞り2、シャッター3、3枚の反射ミラー4,5、6、集光レンズ7を使用し、プリズム8、液浸液(純水)9を介して反射防止膜及びレジスト膜を有するウエハー10に露光を行った。レーザー1の波長は、193nmを用い、65nmのラインアンドスペースパターンを形成するプリズム8を使用した。露光直後に115℃、90秒加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38%)で60秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得たレジストパターンについて走査型電子顕微鏡(日立製S−9260)を用い、観察した。実施例1〜13のポジ型レジスト溶液を用いたところ、65nmのラインアンドスペースパターンがパターン倒れを発生せずに解像した。比較例1、2のポジ型レジスト溶液を用いたところ、65nmのラインアンドスペースパターンは解像するものの、一部のパターンでパターン倒れが観測された。
本発明の感光性組成物は、液浸液を介した露光方法においても良好な画像形成能を有することが明らかである。
(1)下層レジスト層の形成
シリコンウエハにFHi−028DDレジスト(富士フィルムオーリン社製i線用レジスト)をスピンコーターを用い塗布し、90℃で、90秒間ベークし、膜厚0.55μmの均一膜を得た。
これを更に200℃で、3分間加熱し、膜厚0.40μmの下層レジスト層を形成させた。
(2)上層レジスト層の形成
下記表2に示す成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度8質量%の溶液を調製し、口径0.03μmのメンブレンフィルターで精密ろ過して上層レジスト組成物を調製した。
下層レジスト層の上に上層レジスト組成物を下層と同様に塗布し、130℃で、90秒間加熱して、膜厚0.20μmの上層レジスト層を形成させた。
(3)レジスト評価
こうして得られたウエハに、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(ASML社製 NA=0.75)で露光し、露光後直ぐに120℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを得た。
線幅90nmのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量より露光量を増大させ、ラインパターンを細らせていった際にパターンが倒れる線幅を観測した。値が小さいほど、パターン倒れを発生せずにより細いパターンを形成できパターン倒れ性能が良好である。
膜減り評価法:
90nmライン/90nmスペースのマスクパターンを再現する露光量における、100nmライン/1000nmスペース(孤立パターン)のパターンプロファイルを評価した。矩形なものを○、やや膜減りしているものを△、膜減りが大きいものを×とした。
評価結果を表2に示す。
<レジスト調製>
下記表3に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.05μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度14質量%のポジ型レジスト溶液を調製した。
<レジスト評価>
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.4μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜に対し、KrFエキシマレーザーステッパー(NA=0.63)を用いラインアンドスペース用マスクを使用してパターン露光し、露光後すぐに110℃で90秒間ホットプレート上て加熱した。更に2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で23℃下60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを形成した。
膜減り発生線幅評価法:
線幅130nmの孤立パターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量より露光量を増大させ、ラインパターンを細らせていった際に膜減りが発生する線幅を観測した。値が小さいほど、膜減りを発生せずにより細いパターンを形成でき性能が良好である。
<レジスト調製>
前記表3に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.05μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度11質量%のポジ型レジスト溶液を調製した。
<レジスト評価>
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、250nmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜を、電子線直描装置(加速電圧50keV)でパターン照射し、照射後直ぐに120℃で90秒間ホットプレート上て加熱した。更に濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインアンドスペースパターンを形成した。
パターン倒れ:
線幅120nmのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する照射量を最適照射
量とし、最適照射量より照射量を増大させ、ラインパターンを細らせていった際にパターンが倒れる線幅を観測した。値が小さいほど、パターン倒れを発生せずにより細いパターンを形成できパターン倒れ性能が良好である。
評価結果を表4に示す。
2 絞り
3 シャッター
4、5、6 反射ミラー
7 集光レンズ
8 プリズム
9 液浸液
10 反射防止膜及びレジスト膜を有するウエハー
11 ウエハーステージ
Claims (5)
- (A)多環環状炭化水素構造をカチオン部に有するアリールスルホニウム塩化合物
を含有することを特徴とする感光性組成物。 - (A)多環環状炭化水素構造をカチオン部に有するアリールスルホニウム塩化合物及び(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 - 多環環状炭化水素構造をカチオン部に有することを特徴とするアリールスルホニウム塩化合物。
- 請求項1又は2に記載の感光性組成物により、感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139443A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2011006402A (ja) * | 2009-05-28 | 2011-01-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
JP2011006399A (ja) * | 2009-05-28 | 2011-01-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
JP2011081044A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 |
JP2011085670A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Fujifilm Corp | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物 |
KR20110120251A (ko) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 화학 증폭형 레지스트 조성물, 이들 조성물을 사용한 레지스트막 및 패턴 형성 방법 |
US8338076B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-12-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator |
JP2013011870A (ja) * | 2011-05-27 | 2013-01-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物 |
US8415082B2 (en) | 2009-04-27 | 2013-04-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, compound and method of producing the same, acid generator |
WO2017135003A1 (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物 |
JP2020026427A (ja) * | 2018-08-08 | 2020-02-20 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5238216B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2013-07-17 | 東京応化工業株式会社 | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US8318403B2 (en) * | 2009-05-28 | 2012-11-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt and photoresist composition containing the same |
CN101899027A (zh) * | 2009-05-28 | 2010-12-01 | 住友化学株式会社 | 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物 |
JP6461919B2 (ja) * | 2014-04-14 | 2019-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法 |
US9685507B2 (en) | 2015-06-25 | 2017-06-20 | International Business Machines Corporation | FinFET devices |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03148256A (ja) * | 1989-07-22 | 1991-06-25 | Basf Ag | 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 |
JP2005534952A (ja) * | 2002-06-13 | 2005-11-17 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 光活性化合物の混合物を含む深紫外線リソグラフィ用のフォトレジスト組成物 |
JP2006079048A (ja) * | 2004-03-18 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2006195283A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 赤外線レーザー対応ポジ型平版印刷版原版 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047387A (ja) | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
TWI250379B (en) * | 1998-08-07 | 2006-03-01 | Az Electronic Materials Japan | Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator |
JP3812622B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2006-08-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4371206B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-11-25 | 信越化学工業株式会社 | エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
US20050271974A1 (en) * | 2004-06-08 | 2005-12-08 | Rahman M D | Photoactive compounds |
US7459261B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-12-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP4697443B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2011-06-08 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
US7678528B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-03-16 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
US8426101B2 (en) * | 2005-12-21 | 2013-04-23 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, pattern-forming method using the photosensitve composition and compound in the photosensitive composition |
TWI381246B (zh) * | 2005-12-27 | 2013-01-01 | Sumitomo Chemical Co | 適用於酸產生劑的鹽及含有該鹽之化學增幅型阻劑組成物 |
-
2006
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-
2007
- 2007-10-23 US US11/876,945 patent/US7799505B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03148256A (ja) * | 1989-07-22 | 1991-06-25 | Basf Ag | 光重合開始剤として有用な新規スルホニウム塩 |
JP2005534952A (ja) * | 2002-06-13 | 2005-11-17 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 光活性化合物の混合物を含む深紫外線リソグラフィ用のフォトレジスト組成物 |
JP2006079048A (ja) * | 2004-03-18 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2006195283A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 赤外線レーザー対応ポジ型平版印刷版原版 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139443A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US8338076B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-12-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator |
US8415082B2 (en) | 2009-04-27 | 2013-04-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, compound and method of producing the same, acid generator |
JP2011006402A (ja) * | 2009-05-28 | 2011-01-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
JP2011006399A (ja) * | 2009-05-28 | 2011-01-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 |
JP2011081044A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 |
JP2011085670A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Fujifilm Corp | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物 |
KR20110120251A (ko) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 화학 증폭형 레지스트 조성물, 이들 조성물을 사용한 레지스트막 및 패턴 형성 방법 |
KR101658411B1 (ko) | 2010-04-28 | 2016-09-21 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 화학 증폭형 레지스트 조성물, 이들 조성물을 사용한 레지스트막 및 패턴 형성 방법 |
JP2013011870A (ja) * | 2011-05-27 | 2013-01-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物 |
WO2017135003A1 (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物 |
JP2020026427A (ja) * | 2018-08-08 | 2020-02-20 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
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