JP2008096284A - 圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】焼成を行わず、かつ、半導体チップに形成される素子への高温による影響を抑制しつつ、半導体チップを金属ステムに接合できるようにする。
【解決手段】集積化チップ40をガラス板にて構成されたガラス台座50に陽極接合したのち、一体化されたガラス台座50と共に集積化チップ40を金属ステム10に搭載し、金属ステム10とガラス台座50とを陽極接合することで、これらが接合されるようにする。これにより、400℃以下での低温度で接合が可能になり、集積化チップ40に形成されたアンプ機能を実現する回路部への影響を抑制することが可能となる。
【選択図】図2
【解決手段】集積化チップ40をガラス板にて構成されたガラス台座50に陽極接合したのち、一体化されたガラス台座50と共に集積化チップ40を金属ステム10に搭載し、金属ステム10とガラス台座50とを陽極接合することで、これらが接合されるようにする。これにより、400℃以下での低温度で接合が可能になり、集積化チップ40に形成されたアンプ機能を実現する回路部への影響を抑制することが可能となる。
【選択図】図2
Description
本発明は、メタルダイアフラムが形成されたステムの上に歪ゲージとアンプ機能を実現する回路部とを集積化した集積化チップを接合する圧力センサに関するものである。
従来、この種の圧力センサでは、メタルダイアフラムが形成されたステムの表面に低融点ガラスを印刷する等によって配置したのち、この低融点ガラスの上に集積化チップを配置し、低融点ガラスを焼成することで、低融点ガラスを介して集積化チップがステムの表面に接合されるようにしている。
特開2003−302299号公報
上記のように低融点ガラスを用いて集積化チップを金属ステムに接合する場合、印刷形成した低融点ガラスを仮焼成したのち、その上に集積化チップを搭載し、その後さらに、焼成を行うことが低融点ガラスを介して集積化チップを金属ステムに接合させられる。このとき、低融点ガラスを用いているため、仮焼成や焼成を比較的低温で行うことが可能となる。
しかしながら、比較的低温とは言え、低融点ガラスを仮焼成・焼成しなければならないため、一般的には400℃を超える温度にする必要になる。このため、集積化チップに形成された素子、特に、アンプ機能を実現する回路部が高温によるダメージを受け、回路部に備えられたトランジスタの特性が変動してしまうなどの問題が発生する。これに対し、低融点ガラスの焼成を400℃以下の温度で行うという手法も考えられるが、焼成に掛かる時間が長くなる等、製造工程が煩雑になるという問題がある。
本発明は上記点に鑑みて、焼成を行わず、かつ、半導体チップに形成される素子への高温による影響を抑制しつつ、半導体チップを金属ステムに接合できるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では、半導体チップ(40)とガラス台座(50)とを陽極接合により接合し、かつ、ガラス台座(50)と金属ステム(10)とを陽極接合により接合することを特徴としている。
このように、半導体チップ(40)とガラス台座(50)とを陽極接合により接合し、かつ、ガラス台座(50)と金属ステム(10)とを陽極接合により接合することより、400℃以下での低温度で接合が可能になり、半導体チップ(40)に形成された素子への影響を抑制しつつ半導体チップを金属ステムに接合することが可能となる。特に、半導体チップ(40)が歪ゲージ(41)の出力を増幅するアンプ機能を実現する回路部が備えられた集積化チップである場合には、回路部が熱による影響を受け易いが、それを抑制することが可能となる。
例えば、ガラス板を陽極接合する工程やガラス台座(50)および金属ステム(10)を陽極接合する工程では、陽極接合時の電圧を550〜650Vとすることができる。
また、ガラス板を陽極接合する工程は、半導体チップ(40)を多数備えるウェハ状のものにガラス板を陽極接合しておき、その後、ダイシングカットによりチップ単位に分割することで、ガラス台座(50)が一体化された半導体チップ(40)を形成すれば良い。このようなガラス板としては、10〜200μmの板厚のものを用いることができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
(第1実施形態)
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1に本発明の実施形態に係る圧力センサS1の全体断面構成を示す。また、図2は、図1中の丸で囲んだA部の概略(集積化チップと金属ステムの断面)を拡大して示す斜視図である。
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1に本発明の実施形態に係る圧力センサS1の全体断面構成を示す。また、図2は、図1中の丸で囲んだA部の概略(集積化チップと金属ステムの断面)を拡大して示す斜視図である。
本実施形態の圧力センサS1は、例えば、自動車の燃料噴射系(例えばコモンレ−ル)における燃料パイプ(図示せず)に取り付けられ、この燃料パイプ内の圧力媒体としての液体または気液混合気の圧力を検出するものとして用いられる。
図1に示すように、金属ステム10は有底筒状を成しており、底面にて薄肉のダイアフラム11を構成すると共に、ダイアフラム11が形成された端部の他端側を中空部の開口部12とした構造とされている。金属ステム10は、ネジ部材20により、ハウジング30にネジ結合され固定されている。また、金属ステム10の他端側(開口部12側)には、一端側(ダイアフラム11側)に比べて外周径が大きい段付部13が形成されている。
金属ステム10のダイアフラム11の表面には、図2に示すように、半導体からなる集積化チップ40(本発明でいうセンサ基板)が、絶縁体となるガラス板で構成されたガラス台座50を介して接合固定されている。ガラス台座50を構成するガラス板としては、硬質ガラス(例えば、旭テクノガラス社製、パイレックス(登録商標)、SW2、SW3)等を用いることができる。
集積化チップ40は、開口部12から金属ステム10内部に導入された圧力媒体の圧力によってダイアフラム11が変形したときに発生する歪みを検出するものである。この集積化チップ40は、ダイアフラム11の歪みを電気信号に変換するための歪ゲージ41を備えていると共に、歪ゲージ41の出力を増幅するためのアンプ機能を実現する回路部(図示せず)などが形成されている。
金属ステム10の材料には、超高圧を受けることから高強度であること、及び、Siからなる集積化チップ40およびガラス台座50との陽極接合が行える材質であること、ガラス台座50に接合されるため低熱膨張係数であることが求められ、具体的には、コバール、SUS、42アロイなどの金属にて構成されている。
ハウジング30は、被取付対象となる上記燃料パイプに直接取り付けられるもので、外周面に該取付用のネジ31が形成されている。このハウジング30の内部には、金属ステム10の開口部12と連通する圧力導入通路32が形成されており、この圧力導入通路32により、ハウジング30が上記燃料パイプに取り付けられたときに上記燃料パイプ内と連通して、金属ステム10内へ圧力媒体が導入できるようになっている。
ネジ部材20は、金属ステム10の外周を覆う円筒形状を有し、その外周面に雄ネジ部21が形成され、一方、ハウジング30における雄ネジ部21と対応する部位には、雄ネジ部21に対応した形状の雌ネジ部33が形成されている。
そして、これら両ネジ部21、33のネジ結合により、金属ステム10において、ネジ部材20からの押圧力が段付部13に印加されるため、金属ステム10はハウジング30に押圧固定され、さらに、この押圧力によって、開口部12と圧力導入通路32との連通部、即ち、金属ステム10の開口部12側とハウジング30の圧力導入通路32側との境界部Kがシールされている。
このように、ハウジング30は、上記燃料パイプへの固定(超高圧シール及び機械的保持)、及び、金属ステム10のネジ部材20を利用しての固定(超高圧シール及び機械的保持)を行う。そのため、ハウジング30の要求品質としては、圧力媒体及び実車環境からの耐食性、また上記境界部Kにて高いシール面圧を発生させる軸力を維持するためのネジ強度などが挙げられる。そして、これらの要求品質から、ハウジング30の材質としては、耐食性と高強度を合わせもつ炭素鋼(例えばS15C等)に耐食性を上げるZnめっきを施したものや、耐食性を有するXM7、SUS430、SUS304、SUS630等を採用することができる。
また、ネジ部材20は、金属ステム10をハウジング30に固定し、高いシール面圧を発生させる軸力を維持するために高強度が求められるが、ハウジング30とコネクタケース80により構成されるパッケージの内部に収納されることから、ハウジング30と違い耐食性は必要なく、様々な材料、例えば炭素鋼等を採用できる。
セラミック基板60は回路基板を構成するものであり、ネジ部材20に接着され固定されることにより、ハウジング30内における集積化チップ40の周囲に配設されている。該基板60には、集積化チップ40から伝えられる信号の処理回路等が備えられたICチップ62が接着剤等を介して固定されている。また、図1では図示しないが、各ICチップ62とセラミック基板60とはボンディングワイヤにより電気的に接続されている。
また、セラミック基板60と集積化チップ40とは、超音波ワイヤボンディングにより形成されたAl(アルミニウム)等の細線であるボンディングワイヤ64によって結線され、電気的に接続されている。そして、コネクタターミナル70へ電気的接続するためのピン66が、銀ろうにてセラミック基板60に接合されている。
コネクタターミナル70は、ターミナル72が樹脂74にインサート成形により構成されたアッシー(ASSY)である。ターミナル72とセラミック基板60とはピン66にレーザ溶接等により接合されている。これによって、集積化チップ40からの出力は、ボンディングワイヤ64からピン66を介してターミナル72へ伝達可能となっている。また、コネクタターミナル70は、コネクタケース80の下面と接触することによりネジ部材20の壁面に押し付けられて固定保持され、ターミナル72は自動車のECU等へ配線部材を介して電気的に接続可能となっている。なお、ターミナル72は、図1では1本示されているが、上記アンプICチップ62を介して集積化チップ40へ電圧を入出力する入力用、出力用及び接地用など、複数本が備えられている。
コネクタケース80は、コネクタターミナル70の外形を成すもので、Oリング90を介してハウジング30の一端側(圧力導入通路32の他端側)の開口部に挿入され、ハウジング30の開口端をかしめることで一体化される。つまり、コネクタケース80は、ハウジング30に組みつけられるパッケージを構成するもので、該パッケージ内部の集積化チップ40、各種IC、電気的接続部を湿気・機械的外力より保護する機能を果たす。コネクタケース80の材質は、加水分解性の高いPPS(ポリフェニレンサルファイド)等を採用できる。
次に、集積化チップ40およびガラス台座50の詳細な構成およびこれらと金属ステム10との接合方法について図2を参照して述べる。
図2に示すように、本実施形態では、金属ステム10と集積化チップ40との接合は、ガラス台座50を用いて行われている。ガラス台座50は、集積化チップ40をダイシングカットする前の状態、つまり歪ゲージ41およびアンプ機能を実現する回路部が多数形成されたウェハ状態のものにガラス板を陽極接合したのち、それをチップ単位にダイシングカットすることで集積化チップ40に接合される。具体的には、ダイシングカットする前のウェハ状態の集積化チップ40の上に10〜200μm程度、例えば100μm程度の厚みのガラス板を配置したのち、集積化チップ40を陽極、ガラス板を陰極として例えば550〜650V(好ましくは590〜610V)の電圧を例えば10〜30分程度印加する。これにより、集積化チップ40とガラス板の間に電気的二重層を発生させ、静電引力によりこれらを接合することができる。このとき、陽極接合により370〜380℃程度の温度まで接合部が高温化するが、400℃以下の温度であり、集積化チップ40に形成されたアンプ機能を実現する回路部への影響を抑制することが可能となる。
そして、このようにガラス台座50と一体化した集積化チップ40をダイシングカットしてチップ単位に分割したのち、1チップ分を金属ステム10の表面に載せ、その後、ガラス台座50を金属ステム10の表面に陽極接合する。具体的には、金属ステム10を陽極、ガラス台座50を陰極として例えば550〜650V(好ましくは590〜610V)の電圧を例えば10〜30分秒程度印加する。これにより、金属ステム10がガラス台座50の間に電気的二重層を発生させ、静電引力によりこれらを接合することができる。このとき、上記と同様に、陽極接合により370〜380℃程度の温度まで接合部が高温化するが、400℃以下の温度であり、集積化チップ40に形成されたアンプ機能を実現する回路部への影響を抑制することが可能となる。
そして、このように全て陽極接合による接合としているため、ガラス台座50を溶融させることもないため、ガラス台座50の形状はほぼダイシングカットされたときの状態のまま維持される。このため、ガラス台座50の側面と集積化チップ40の側面とが面一となる。これに対して、従来のように、低融点ガラスを介して集積化チップ40を金属ステム10に貼り付けた場合には、図3に示す断面図のように、印刷形成した低融点ガラス100を溶融させているため、低融点ガラス100が金属ステム10の表面に濡れ広がった状態となる。このため、集積化チップ40が低融点ガラス100の上で移動してしまい、集積化チップ40の位置ずれしてしまう可能性もある。したがって、本実施形態のように、金属ステム10に対して、ガラス台座50と一体化した集積化チップ40を陽極接合にて接合することで、集積化チップ40の位置ずれ防止を図ることも可能となる。
以上説明したように、本実施形態では、集積化チップ40をガラス板にて構成されたガラス台座50に陽極接合したのち、一体化されたガラス台座50と共に集積化チップ40を金属ステム10に搭載し、金属ステム10とガラス台座50とを陽極接合することで、これらが接合されるようにしている。これにより、400℃以下での低温度で接合が可能になり、集積化チップ40に形成されたアンプ機能を実現する回路部への影響を抑制することが可能となる。
(他の実施形態)
上記実施形態では、集積化チップ40が多数形成されたウェハ状態のものにガラス板を配置し、それをダイシングカットすることで集積化チップ40にガラス台座50が接合された構造を実現したが、ダイシングカット後の集積化チップ40に対してガラス台座50を陽極接合することもできる。
上記実施形態では、集積化チップ40が多数形成されたウェハ状態のものにガラス板を配置し、それをダイシングカットすることで集積化チップ40にガラス台座50が接合された構造を実現したが、ダイシングカット後の集積化チップ40に対してガラス台座50を陽極接合することもできる。
10…金属ステム、11…ダイアフラム、20…ネジ部材、30…ハウジング、32…圧力導入通路、40…集積化チップ、41…歪ゲージ、50…ガラス台座、60…セラミック基板、64…ボンディングワイヤ、70…コネクタターミナル、72…ターミナル、80…コネクタケース。
Claims (10)
- 金属製のハウジング(30)と、
前記ハウジング内に収納され、圧力検出用のダイヤフラム(11)を有する金属ステム(10)と、
前記金属ステム(10)における前記ダイヤフラムの表面に、ガラス板にて構成されたガラス台座(50)を介して接合され、歪ゲージ(41)が形成された半導体チップ(40)とを有し、
前記半導体チップ(40)と前記ガラス台座(50)が陽極接合により接合されており、かつ、前記ガラス台座(50)と前記金属ステム(10)とが陽極接合により接合されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記ガラス台座(50)の側面と前記半導体チップ(40)の側面が面一となっていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記ガラス台座(50)を構成する前記ガラス板は10〜200μmの板厚で構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の圧力センサ。
- 前記半導体チップ(40)は、前記歪ゲージ(41)の出力を増幅するアンプ機能を実現する回路部が備えられた集積化チップであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 金属製のハウジング(30)と、
前記ハウジング内に収納され、圧力検出用のダイヤフラム(11)を有する金属ステム(10)と、
前記金属ステム(10)における前記ダイヤフラムの表面にガラス台座(50)を介して接合され、歪ゲージ(41)が備えられた半導体チップ(40)とを有してなる圧力センサの製造方法であって、
前記半導体チップ(40)の表面に前記ガラス台座(50)を構成するガラス板を陽極接合する工程と、
前記ガラス台座(50)と一体化された前記半導体チップ(40)を前記金属ステム(10)の表面に配置したのち、前記ガラス台座(50)および前記金属ステム(10)を陽極接合する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 前記ガラス板を陽極接合する工程は、前記半導体チップ(40)を多数備えるウェハ状のものに前記ガラス板を陽極接合する工程と、ダイシングカットによりチップ単位に分割することで、前記ガラス台座(50)が一体化された前記半導体チップ(40)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする請求項5に記載の圧力センサの製造方法。
- 前記ガラス板を陽極接合する工程では、前記ガラス板として膜厚が10〜200μmのものを用いることを特徴とする請求項5または6に記載の圧力センサの製造方法。
- 前記ガラス板を陽極接合する工程では、陽極接合時の電圧を550〜650Vとすることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1つに記載の圧力センサの製造方法。
- 前記ガラス台座(50)および前記金属ステム(10)を陽極接合する工程では、陽極接合時の電圧を550〜650Vとすることを特徴とする請求項5ないし8のいずれか1つに記載の圧力センサの製造方法。
- 前記半導体チップ(40)として、前記歪ゲージ(41)の出力を増幅するアンプ機能を実現する回路部が備えられた集積化チップを用いることを特徴とする請求項5ないし9のいずれか1つに記載の圧力センサの製造方法。
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JP2006278430A JP2008096284A (ja) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | 圧力センサおよびその製造方法 |
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