JP2008091611A - 半導体装置、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、信頼性の高い電子デバイス、及び、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、電極12が形成されている半導体基板10と、半導体基板10における電極が形成された面15に形成された樹脂突起20と、樹脂突起20上に配置された電気的接続部32を有する、電極12と電気的に接続された配線30と、面15に形成された金属バンプ40と、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置は、電極12が形成されている半導体基板10と、半導体基板10における電極が形成された面15に形成された樹脂突起20と、樹脂突起20上に配置された電気的接続部32を有する、電極12と電気的に接続された配線30と、面15に形成された金属バンプ40と、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法に関する。
電子デバイスを小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化及び電極の増加という要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。
この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、半導体装置の小型化が可能である。
特開平2−272737号公報
半導体装置が小型化、高集積化すれば、これを配線基板等に実装することが困難になる。しかし、電子デバイスの信頼性を確保するためには、実装後においても、半導体装置の信頼性を維持することが重要である。
本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、信頼性の高い電子デバイス、及び、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造する方法を提供することにある。
(1)本発明に係る半導体装置は、
電極が形成されている半導体基板と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記面に形成された金属バンプと、
を有する。
電極が形成されている半導体基板と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記面に形成された金属バンプと、
を有する。
本発明によると、半導体基板の電極が形成された面に金属バンプが形成されている。そのため、この半導体装置を配線基板等に実装する際に、金属バンプによって半導体基板と配線基板との間隔を規制することができ、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。すなわち、本発明によると、実装性に優れており、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
(2)この半導体装置において、
前記金属バンプは、前記樹脂突起よりも高さが低くてもよい。
前記金属バンプは、前記樹脂突起よりも高さが低くてもよい。
(3)この半導体装置において、
前記半導体基板の前記面の外形は矩形であり、
前記金属バンプは、前記面の四隅に配置されていてもよい。
前記半導体基板の前記面の外形は矩形であり、
前記金属バンプは、前記面の四隅に配置されていてもよい。
これによると、半導体装置を配線基板に実装する工程で、半導体基板(半導体チップ)の四隅で、半導体基板と配線基板との間隔が規制される。そのため、実装時の圧力等をうけて半導体基板(半導体チップ)に歪みが発生することを防止することができる。また、半導体装置が配線基板と平行になるように、半導体装置を配線基板に搭載することが可能になる。
なお、金属バンプは、半導体チップの前記面のそれぞれの角部の周辺領域に1個配置されていてもよい。ただし、金属バンプは、前記面のそれぞれの角部の周辺領域に複数個配置されていてもよい。
(4)この半導体装置において、
前記半導体基板には集積回路が形成されており、
前記金属バンプは前記集積回路と重複しないように配置されていてもよい。
前記半導体基板には集積回路が形成されており、
前記金属バンプは前記集積回路と重複しないように配置されていてもよい。
これによると、実装時に集積回路に大きな圧力がかかることを防止することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
(5)この半導体装置において、
前記半導体基板の前記面には導電パッドが形成されており、
前記金属バンプは、前記導電パッド上に形成されていてもよい。
前記半導体基板の前記面には導電パッドが形成されており、
前記金属バンプは、前記導電パッド上に形成されていてもよい。
(6)この半導体装置において、
前記半導体基板の前記面には、前記電極を露出させる開口を有するパッシベーション膜が形成されており、
前記金属バンプは、前記パッシベーション膜上に形成されていてもよい。
前記半導体基板の前記面には、前記電極を露出させる開口を有するパッシベーション膜が形成されており、
前記金属バンプは、前記パッシベーション膜上に形成されていてもよい。
(7)この半導体装置において、
前記金属バンプは、ニッケルバンプであってもよい。
前記金属バンプは、ニッケルバンプであってもよい。
(8)この半導体装置において、
前記金属バンプは、金バンプであってもよい。
前記金属バンプは、金バンプであってもよい。
(9)この半導体装置において、
前記金属バンプは、組成の異なる複数の金属層を含んでもよい。
前記金属バンプは、組成の異なる複数の金属層を含んでもよい。
(10)本発明に係る電子デバイスは、
ベース基板と配線パターンとを有する配線基板と、
電極が形成されている半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記面に形成された金属バンプとを有し、前記電気的接続部が前記配線パターンに接触するように、かつ、前記金属バンプが前記配線基板に接触するように前記配線基板に搭載されている半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含む。
ベース基板と配線パターンとを有する配線基板と、
電極が形成されている半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記面に形成された金属バンプとを有し、前記電気的接続部が前記配線パターンに接触するように、かつ、前記金属バンプが前記配線基板に接触するように前記配線基板に搭載されている半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含む。
本発明によると、配線基板と半導体装置(半導体チップ)との間隔が、金属バンプによって規制されている。そのため、本発明によると、配線基板と半導体チップとの間隔を設計通りに維持することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
なお、本発明では、金属バンプは、半導体チップの前記面の四隅に配置されていてもよい。これによると、半導体チップの四隅で、半導体チップと配線基板との間隔を規制することができるため、半導体チップの歪みを防止することが可能になる。ここで、金属バンプは、半導体チップの前記面のそれぞれの角部の周辺領域に1個配置されていてもよい。ただし、金属バンプは、前記面のそれぞれの角部の周辺領域に複数個配置されていてもよい。
(11)この電子デバイスにおいて、
前記金属バンプは、前記ベース基板と接触していてもよい。
前記金属バンプは、前記ベース基板と接触していてもよい。
(12)この電子デバイスにおいて、
前記金属バンプは、前記配線パターンと接触していてもよい。
前記金属バンプは、前記配線パターンと接触していてもよい。
(13)上記電子デバイスは、パネルモジュールとして構成されていてもよい。
(14)本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
ベース基板と配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成されている半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記面に形成された金属バンプとを有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部と前記配線パターンとを接触させて電気的に接続し、前記金属バンプを前記配線基板に接触させる工程と、
を含む。
ベース基板と配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成されている半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記面に形成された金属バンプとを有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部と前記配線パターンとを接触させて電気的に接続し、前記金属バンプを前記配線基板に接触させる工程と、
を含む。
本発明によると、半導体装置を配線基板に搭載する工程で、金属バンプによって半導体装置(半導体チップ)と配線基板との間隔を規制することができる。そのため、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
(15)この電子デバイスの製造方法において、
前記金属バンプは前記樹脂突起よりも高さが低く、
前記半導体装置を前記配線基板に搭載する工程では、前記電気的接続部を前記配線パターンに接触させた後に、前記金属バンプを前記配線基板に接触させてもよい。
前記金属バンプは前記樹脂突起よりも高さが低く、
前記半導体装置を前記配線基板に搭載する工程では、前記電気的接続部を前記配線パターンに接触させた後に、前記金属バンプを前記配線基板に接触させてもよい。
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
1.半導体装置
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置1について説明する。図1(A)〜図4(C)は、本実施の形態に係る半導体装置の構成、及び、その製造方法について説明するための図である。
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置1について説明する。図1(A)〜図4(C)は、本実施の形態に係る半導体装置の構成、及び、その製造方法について説明するための図である。
(1)半導体装置の構成
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置1の構成について説明する。図1(A)及び図1(B)は、半導体装置1の構成について説明するための図である。ここで、図1(A)は、半導体装置1の上視図であり、図1(B)は、図1(A)のIB−IB線断面の一部拡大図である。
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置1の構成について説明する。図1(A)及び図1(B)は、半導体装置1の構成について説明するための図である。ここで、図1(A)は、半導体装置1の上視図であり、図1(B)は、図1(A)のIB−IB線断面の一部拡大図である。
本実施の形態に係る半導体装置は、図1(A)及び図1(B)に示すように、複数の電極12が形成された半導体基板10を含む。半導体基板10は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板10は、チップ状をなしていてもよい。この場合、半導体基板10における電極12が形成された面15の外形は、図1(A)に示すように、矩形(長方形又は正方形)であってもよい。ただし、半導体基板10は、ウエハ状をなしていてもよい(図2(A)参照)。半導体基板10には、1つ又は複数の(半導体チップには1つの、半導体ウエハには複数の)集積回路14が形成されていてもよい(図1(B)参照)。集積回路14の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
半導体基板10には、図1(A)及び図1(B)に示すように、電極12が形成されている。電極12は、半導体基板10の内部と電気的に接続されていてもよい。電極12は、集積回路14と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路14に電気的に接続されていない導電体(導電パッド)を含めて、電極12と称してもよい。電極12は、半導体基板の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極12は、半導体基板の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極12は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。
半導体基板10は、図1(A)及び図1(B)に示すように、導電パッド16を有していてもよい。導電パッド16は、半導体基板10における電極12が形成されている面15に形成される。導電パッド16は、集積回路14と重複しないように配置されていてもよい。導電パッド16は、図1(A)に示すように、面15の四隅に1つずつ配置されていてもよい。導電パッド16は、集積回路14と電気的に接続されていてもよいが、集積回路14に電気的に接続されていなくてもよい。また、導電パッド16は、電極12と同じ構成をなしていてもよい。導電パッド16は、例えばアルミニウムによって形成されていてもよい。
半導体基板10は、図1(B)に示すように、パッシベーション膜18を有していてもよい。パッシベーション膜18は、電極12を露出させるように形成される。パッシベーション膜18は、また、導電パッド16を露出させるように形成される。すなわち、パッシベーション膜18には、電極12及び導電パッド16を露出させる開口が形成されていてもよい。なお、パッシベーション膜18は、電極12及び導電パッド16を部分的に覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜18は、図1(B)に示すように、電極12及び導電パッド16の周囲を覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜は、例えば、SiO2やSiN等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜18は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。
本実施の形態に係る半導体装置は、図1(A)及び図1(B)に示すように、樹脂突起20を含む。樹脂突起20は、半導体基板10の面15上に形成されている。樹脂突起20は、図1(B)に示すように、パッシベーション膜18上に形成されていてもよい。
樹脂突起20の形状は特に限定されるものではない。面15の外形が矩形をなす場合、樹脂突起20は、面15のいずれかの辺に平行に延びる形状をなしていてもよい。例えば、面15の外形が長方形である場合、樹脂突起20は、長方形の長辺に沿って延びる形状をなしていてもよい。この場合、樹脂突起20は、当該長辺の周辺領域に配置されていてもよい。あるいは、樹脂突起20は、上視図において円形をなしていてもよい。この場合、樹脂突起20は、半球状をなしていてもよい。なお、ここでいう半球状とは、厳密な半球形状のみならず、これに類する形状を含むものとする。
また、樹脂突起20の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。例えば、樹脂突起20は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB;benzocyclobutene)、ポリベンゾオキサゾール(PBO;polybenzoxazole)等の樹脂で形成してもよい。
本実施の形態に係る半導体装置は、図1(A)及び図1(B)に示すように、配線30を含む。配線30は、電極12と電気的に接続されている。配線30は、樹脂突起上に配置された電気的接続部32を含む。すなわち、配線30のうち、樹脂突起20上(樹脂突起20の上面)に配置された領域を指して、電気的接続部32と称してもよい。なお、電気的接続部32とは、配線30のうち、他の電子部品の導電部(配線基板の配線パターンなど)との電気的な接続に利用される部分である。本実施の形態では、配線30のうち、後述する金属バンプ40よりも上の領域(金属バンプ40から突出した領域)を指して、電気的接続部32と称してもよい。
配線30に適用可能な材料は特に限定されるものではない。配線30は、例えば、Au、TiW、Cu、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、NiV、鉛フリーはんだなどによって構成されていてもよい。また、配線30の構造も特に限定されるものではない。例えば、配線30は複数層で形成されていてもよい。このとき、配線30は、チタンタングステンによって形成された第1の層と、金によって形成された第2の層とを含んでいてもよい(図示せず)。あるいは、配線30は、単層で形成されていてもよい。配線30は、パッシベーション膜18と接触するように形成されていてもよい。配線30は、電極12上から樹脂突起20を越えて、パッシベーション膜18上に至るように形成されていてもよい。すなわち、配線30は、樹脂突起20の両側で、パッシベーション膜18(面15)と接触するように形成されていてもよい。
本実施の形態に係る半導体装置は、図1(A)及び図1(B)に示すように、半導体基板10の面15に形成された金属バンプ40を含む。金属バンプ40とは、金属で構成された突起であってもよい。金属バンプ40は、導電パッド16上に(少なくとも一部が導電パッド16と重複するように)形成されていてもよい。なお、金属バンプ40は、図1(B)に示すように、一部がパッシベーション膜18上に至るように形成されていてもよい。ただし、金属バンプ40は、パッシベーション膜18上に至らないように(パッシベーション膜18と非接触に)形成されていてもよい。金属バンプ40は、導電パッド16と電気的に接続されていてもよい。金属バンプ40は、また、集積回路14と電気的に接続されていてもよく、あるいは、集積回路14と電気的に接続されていなくてもよい。
金属バンプ40は、図1(B)に示すように、樹脂突起20よりも高さが低くてもよい。詳しくは、金属バンプ40は、樹脂突起20における配線30(電気的接続部32)と重複する部分よりも、高さが低くなっていてもよい。金属バンプ40の高さは、樹脂突起20よりも低く、かつ、樹脂突起20の半分よりも高くなっていてもよい。なお、ここで言う金属バンプ40の高さとは、金属バンプ40の、半導体基板10の厚み方向(面15と直交する方向)の大きさであってもよい。金属バンプ40の高さとは、例えば、半導体基板10の面15(パッシベーション膜18の表面)からの高さであってもよい。
金属バンプ40は、また、集積回路14上を避けて(集積回路14と重複しないように)配置されていてもよい。これによると、後述する半導体装置1を配線基板50に実装する工程で、集積回路14に大きな圧力が加えられることを防止することができるため、集積回路14の特性が変化してしまうことを防止することができる。金属バンプ40は、集積回路14の形成領域よりも外側の領域に配置されていてもよい。金属バンプ40は、電極12(樹脂突起20)の形成領域よりも外側の領域に配置されていてもよい。ただし、金属バンプ40は、集積回路14の形成領域上に配置されていてもよい。
金属バンプ40は、図1(B)に示すように、矩形の面15の四隅に配置されていてもよい。例えば、面15の各角部の周辺領域に、金属バンプ40が1つずつ形成されていてもよい。このとき、半導体装置は、4個の金属バンプ40を含んでいてもよい。ただし、本発明はこれに限られるものではない。例えば、半導体装置は、金属バンプ40を1つのみ有していてもよい。あるいは、半導体装置は、金属バンプ40を、2個、又は、3個、あるいは5個以上有していてもよい。なお、複数の金属バンプ40が形成されている場合、それぞれの金属バンプ40は同じ高さに形成されていてもよい。
なお、金属バンプ40の材料は特に限定されるものではない。金属バンプ40は、例えばニッケルバンプや金バンプであってもよい。金属バンプ40は、単一の金属材料のみで構成されていてもよいが、複数層の金属層によって構成されていてもよい。
本実施の形態に係る半導体装置1は以上の構成を備えていてもよい。なお、半導体装置1が奏する作用効果については後述する。
(2)半導体装置の製造方法
以下、本実施の形態に係る半導体装置1の製造方法について説明する。図2(A)〜図4(C)は、半導体装置1を製造する方法について説明するための図である。
以下、本実施の形態に係る半導体装置1の製造方法について説明する。図2(A)〜図4(C)は、半導体装置1を製造する方法について説明するための図である。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図2(A)及び図2(B)に示す、半導体基板11を用意することを含む。ここで、図2(A)は半導体基板11の概略図であり、図2(B)は半導体基板11の断面図の一部拡大図である。
半導体基板11は、図2(A)に示すように、ウエハ状をなす。そして、ウエハ状の半導体基板11は、複数の半導体チップ(半導体基板10)となる領域100を有する。ただし、半導体基板として半導体チップ(図1(A)参照)を用意して以下の各工程を行ってもよい。
半導体基板11には、図2(B)に示すように、電極12が形成されている。また、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板11は、導電パッド16を有する。さらに、半導体基板11は、パッシベーション膜18を有していてもよい。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図3に示すように、樹脂突起20を形成することを含む。樹脂突起20は、例えば、パッシベーション膜18上に(面15上に)パターニングされた樹脂材料を配置し、これを硬化(例えば熱硬化)させることによって形成してもよい。なお、樹脂突起20を形成する工程で、樹脂材料を溶融させ、その後硬化させることによって、表面が曲面になるように樹脂突起20を形成することができる。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図4(A)〜図4(C)に示すように、配線30を形成することを含む。図4(A)〜図4(C)は、配線30を形成する工程の一例を説明するための図である。
本工程は、図4(A)に示すように、金属層35を形成することを含む。金属層35は、電極12、導電パッド16、パッシベーション膜18、及び、樹脂突起20を覆うように形成してもよい。金属層35は、例えばスパッタリングによって形成することができる。金属層35は、単層の金属層であってもよく、複数層の金属層であってもよい。
そして、図4(B)に示すように、金属層35上にマスク37を形成する。マスク37は、金属層35のうち、配線30となる領域のみを覆うようにパターニングされていてもよい。
そして、図4(C)に示すように、金属層35におけるマスク37からの露出領域を除去することによって、配線30を形成することができる。
ただし、配線30を形成する方法はこれに限られるものではなく、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。配線30は、例えば、インクジェット法やメッキ法を適用して形成してもよい。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、金属バンプ40を形成することを含む(図1(B)参照)。本実施の形態では、金属バンプ40は、導電パッド16上に形成する。金属バンプ40は、例えば、無電解めっき工程で形成してもよい。なお、無電解めっき工程で金属バンプ40を形成する場合、めっき液の組成や、めっき処理の時間等を調整することによって、金属バンプ40の高さや形状を制御してもよい。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、マスク37を除去する工程を含む。この工程は、金属バンプ40を形成する工程の前後のいずれに行ってもよい。
そして、半導体基板11を切断する工程や、検査工程などをさらに経て、図1(A)及び図1(B)に示す、半導体装置1を製造することができる。
2.電子デバイス
以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス2について説明する。図5(A)〜図8は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス2について説明するための図である。
以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス2について説明する。図5(A)〜図8は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス2について説明するための図である。
(1)電子デバイスの製造方法
以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス2の製造方法について説明する。図5(A)〜図5(C)は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス2の製造方法について説明する。図5(A)〜図5(C)は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、半導体装置1を用意することを含む。半導体装置1は、上述したいずれかの構成をなす。
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、配線基板50を用意することを含む。以下、配線基板50の構成について説明する。
配線基板50は、ベース基板52と、配線パターン54とを含む。ベース基板52(配線基板50)は、電気光学パネル(液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等)の一部であってもよい。このとき、ベース基板52は、例えば、セラミック基板やガラス基板であってもよい。また、配線パターン54の材料についても特に限定されるものではないが、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、Cr、Alなどの金属膜、金属化合物膜、又は、これらの複合膜によって形成されていてもよい。なお、配線パターン54は、液晶を駆動する電極(走査電極、信号電極、対向電極等)に電気的に接続されていてもよい。ただし、配線基板50は、樹脂基板であってもよい。
本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、配線基板50に半導体装置1を搭載することを含む。本工程では、配線基板50に半導体装置1を搭載して、電気的接続部32と配線パターン54とを接触させて電気的に接続させる。また、本工程では、金属バンプ40を配線基板50に接触させる。以下、図5(A)〜図5(C)を参照して、配線基板50に半導体装置1を搭載する工程について説明する。
はじめに、図5(A)に示すように、半導体装置1と配線基板50とを間隔をあけて配置して、両者の位置合わせを行う。例えば、半導体装置1を配線基板50の上方に配置して、半導体装置1の電気的接続部32(樹脂突起20)と配線基板50の配線パターン54とが対向するように位置合わせをする。
例えば、図示しない治具(ボンディングツール)によって、半導体装置1を保持し、半導体装置1と配線基板50との位置合わせを行ってもよい。なお、治具にはヒータが内蔵されていてもよく、これにより、半導体装置1を加熱してもよい。半導体装置1を加熱することによって、電気的接続部32が加熱され、電気的接続部32と配線パターン54とを確実に電気的に接続することができる。
なお、半導体装置1と配線基板50との間には、予め、接着材料72を設けておいてもよい。接着材料72は、ペースト状あるいはフィルム状で設けてもよい。接着材料72は、導電粒子などを含まない絶縁性の材料(NCP,NCF)であってもよい。接着材料72は、例えば、配線基板50上に設けてもよい。
その後、図5(B)及び図5(C)に示すように、半導体装置1と配線基板50とを近接させて電気的接続部32と配線パターン54とを接触させて、両者を電気的に接続させ、金属バンプ40を配線基板50に接触させる。本工程では、半導体基板10と配線基板50とによって樹脂突起20を押しつぶして、図5(C)に示すように、樹脂突起20を弾性変形させてもよい。これによると、樹脂突起20の弾性力によって、電気的接続部32と配線パターン54とを押し付けることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子機器を製造することができる。
本工程では、半導体装置1と配線基板50とを近接させて、図5(B)に示すように電気的接続部32と配線パターン54とを接触させ、その後、半導体装置1と配線基板50とをさらに近接させて、金属バンプ40を配線基板50に接触させてもよい(図5(C)参照)。このとき、金属バンプ40は、配線基板50のベース基板52に接触させてもよい。ただし、金属バンプ40は、配線基板50の配線パターン54に接触させてもよい(図示せず)。
金属バンプ40を配線基板50に接触させることで、半導体基板10(半導体装置1)と配線基板50との間隔を規制することができるため、樹脂突起20の過度の変形を防止することができる。また、金属バンプ40を配線基板50に接触させることで、半導体基板10と配線基板50とを、容易に平行に配置することができる。そのため、樹脂突起20を均一に押しつぶすことができ、電気的接続部32と配線パターン54とが押し付けられる力を均一に制御することができる。さらに、金属バンプ40が半導体基板10(半導体チップ)の四隅に形成されている場合、半導体基板10の歪みの発生を防止することができる。なお、金属バンプ40の高さが樹脂突起20よりも低い場合、電気的接続部32と配線パターン54とを確実に接触させることが可能になり、両者の電気的な接続信頼性を高めることができる。
なお、金属バンプ40が集積回路14と重複しない領域に配置されている場合、半導体装置1(金属バンプ40)を配線基板50に向けて押圧しても、集積回路14に大きな圧力が加えられることを防止することができる。そのため、集積回路14の特性を維持することが可能になる。
また、半導体装置1を配線基板50に搭載する工程では、半導体装置1と配線基板50とによって、接着材料72を流動させてもよい(図5(B)及び図5(C)参照)。これにより、半導体装置1(半導体基板10)と配線基板50との間に、接着材料72を充填させてもよい。
そして、図5(C)に示すように、半導体装置1と配線基板50との間に、接着剤70を形成する。接着剤70は、接着材料72を硬化させることによって形成することができる。接着剤70によって、半導体装置1と配線基板50とを接着(固着)する。接着剤70によって、半導体基板10と配線基板50との間隔を維持してもよい。すなわち、接着剤70によって、樹脂突起20が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、樹脂突起20が弾性変形した状態で接着剤70を形成することで、樹脂突起20が弾性変形した状態を維持することができる。
以上の工程によって、図5(C)に示す、電子デバイス2を製造してもよい。
(2)電子デバイス2の構成
電子デバイス2は、配線基板50を有する。配線基板50は、ベース基板52と配線パターン54とを含む。電子デバイス2は、半導体装置1を有する。そして、電子デバイス2によると、半導体装置1は、配線基板50に搭載されている。半導体装置1は、電気的接続部32が配線パターン54と接触するように、配線基板50に搭載されている。半導体装置1は、また、金属バンプ40が配線基板50と接触するように、配線基板50に搭載されている。電子デバイス2は、半導体装置1と配線基板50とを接着する接着剤70を含んでいてもよい。
電子デバイス2は、配線基板50を有する。配線基板50は、ベース基板52と配線パターン54とを含む。電子デバイス2は、半導体装置1を有する。そして、電子デバイス2によると、半導体装置1は、配線基板50に搭載されている。半導体装置1は、電気的接続部32が配線パターン54と接触するように、配線基板50に搭載されている。半導体装置1は、また、金属バンプ40が配線基板50と接触するように、配線基板50に搭載されている。電子デバイス2は、半導体装置1と配線基板50とを接着する接着剤70を含んでいてもよい。
なお、電子デバイス2は、表示デバイス(パネルモジュール)であってもよい。そして、図6に、表示デバイスとしての電子デバイス2の概略図を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやEL(Electrical Luminescence)表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置1(半導体チップ)は、表示デバイスを制御するドライバICであってもよい。
また、図7及び図8には、電子デバイス2を有する電子機器の一例として、ノート型パーソナルコンピュータ1000及び携帯電話2000を示す。
3.効果
以下、本発明が奏する作用効果について説明する。
以下、本発明が奏する作用効果について説明する。
先に説明したように、半導体装置1は、金属バンプ40を有する。金属バンプ40は樹脂突起20よりも硬く、変形しにくいため、半導体装置1を配線基板50に搭載する工程において、金属バンプ40と配線基板50とを接触させることで、半導体装置1(半導体基板10)と配線基板50との間隔を容易に規制することができる。すなわち、樹脂突起20を設計通りの高さに変形させることができる。そのため、樹脂突起20が過剰に変形することによる樹脂突起20の破壊や、樹脂突起20の変形が足りないことによる電気的接続部32と配線パターン54との電気的な接続信頼性の低下を防止することができる。
また、半導体装置1によると、半導体基板10が配線基板50と平行になるように、配線基板50に実装することが可能になる。
従来、半導体装置を配線基板に搭載する工程では、ボンディングツールの精度や、電気的接続部のレイアウトや、接着材料の流動等の影響を受けて、半導体基板と配線基板を平行に保つことが困難な事態が生じることがあった。半導体基板と配線基板とが傾いていると、すべての電気的接続部32を均一な力で配線パターン54に押し付けることが困難になるおそれがある。
これに対して、半導体装置1によると、これを配線基板50に実装する工程で、半導体基板10と配線基板50とが平行になるように調整することができる。以下、この効果について、図面を参照して説明する。
例えば図9(A)に示すように、配線基板50と半導体装置1とが傾いており、電気的接続部32Lが、電気的接続部32Rよりも先に配線基板50に接触する場合を考える。この場合、配線基板50と半導体装置1とが傾いているため、金属バンプ40がなければ、配線基板50と半導体装置1とを近接させても、電気的接続部32Lのみが配線パターンと電気的に接続され、電気的接続部32Rが配線パターンと十分に電気的に接続されない事態が生じうる(図9(B)参照)。あるいは、樹脂突起20Lが樹脂突起20Rに較べて大きく変形し、大きなストレスがかかるおそれがある。
しかし、半導体装置1は、金属バンプ40を有する。金属バンプ40は樹脂突起20よりも硬いため、図9(B)に示すように金属バンプ40Lが配線基板50に接触すると、金属バンプ40Lによって半導体装置1と配線基板50との距離が規制される。そして、半導体装置1と配線基板50をとさらに押し付けると、半導体装置1及び配線基板50の傾きが補正される。そして、金属バンプ40L及び金属バンプ40Rを配線基板50に接触させることで、半導体装置1と配線基板50とを平行にすることができ、電気的接続部32Lと電気的接続部32Rとを、均一な力で配線基板50に押し付けることが可能になる(図5(C)参照)。すなわち、半導体装置1によると、電気的な接続信頼性の高い電子モジュールを容易に、かつ、効率よく製造することが可能になる。
なお、図9(A)及び図9(B)に示すように、半導体装置1(半導体基板10)と配線基板50とが傾いた状態で両者を近接させれば、半導体装置1を配線基板50に搭載する工程で、予め半導体装置1と配線基板50との間に設けておいた接着材料の流動方向を規制することができる。そのため、接着剤70の内部に気泡が生成されることを防止することが可能になり、信頼性の高い電子モジュールを製造することができる。
そして、本発明によると、信頼性の高い電子モジュールを容易に、かつ、効率よく製造することが可能な半導体装置、及び、信頼性の高い電子モジュール、並びに、信頼性の高い電子モジュールを容易に、かつ、効率よく製造する方法を提供することができる。
4.変形例
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
例えば、金属バンプ40は、図10に示すように、パッシベーション膜18上に形成されていてもよい。この場合であっても、上述の半導体装置1と同様の効果を奏することができる。また、金属バンプ40をパッシベーション膜18上に形成することで、導電パッド16を利用することなく金属バンプ40を形成することができるため、金属バンプ40の形成領域の自由度を高めることができる。
以下、図11〜図14を参照して、金属バンプ40がパッシベーション膜18上に形成される半導体装置3の製造方法について説明する。
はじめに、図11に示す、半導体基板80を用意する。半導体基板80は、電極12と、パッシベーション膜18とを有する。半導体基板80は、集積回路を含んでいてもよい(図示せず)。すなわち、半導体基板80の構成は、導電パッド16を有しない点で、半導体基板10(半導体基板11)と異なっていてもよい。
そして、図12に示すように、半導体基板80に樹脂突起20を形成し、金属層35を形成し、パターニングされたマスク38を形成する。ここで、マスク38は、金属層35における金属バンプ40を形成する領域が露出するようにパターニングされている。
そして、図13に示すように、金属層35におけるマスク38からの露出領域に、金属バンプ40を形成する。金属バンプ40は、例えば、電解メッキ処理によって形成してもよい。
そして、マスク38をさらにパターニングし(マスク38の一部を除去し)、図14に示すように、金属層35におけるマスク38からの露出領域を除去して、配線30を形成する。
そして、マスク38を除去することによって、図10に示す半導体装置3を製造することができる。
1…半導体装置、 2…電子デバイス、 3…半導体装置、 10…半導体基板、 11…半導体基板、 12…電極、 14…集積回路、 15…面、 16…導電パッド、 18…パッシベーション膜、 20…樹脂突起、 30…配線、 32…電気的接続部、 35…金属層、 37…マスク、 38…マスク、 40…金属バンプ、 50…配線基板、 52…ベース基板、 54…配線パターン、 70…接着剤、 72…接着材料、 80…半導体基板、 100…領域
Claims (15)
- 電極が形成されている半導体基板と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記面に形成された金属バンプと、
を有する半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記金属バンプは、前記樹脂突起よりも高さが低い半導体装置。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記面の外形は矩形であり、
前記金属バンプは、前記面の四隅に配置されている半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板には集積回路が形成されており、
前記金属バンプは前記集積回路と重複しないように配置されている半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記面には導電パッドが形成されており、
前記金属バンプは、前記導電パッド上に形成されている半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記面には、前記電極を露出させる開口を有するパッシベーション膜が形成されており、
前記金属バンプは、前記パッシベーション膜上に形成されている半導体装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置において、
前記金属バンプは、ニッケルバンプである半導体装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置において、
前記金属バンプは、金バンプである半導体装置。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体装置において、
前記金属バンプは、組成の異なる複数の金属層を含む半導体装置。 - ベース基板と配線パターンとを有する配線基板と、
電極が形成されている半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記面に形成された金属バンプとを有し、前記電気的接続部が前記配線パターンに接触するように、かつ、前記金属バンプが前記配線基板に接触するように前記配線基板に搭載されている半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含む電子デバイス。 - 請求項10記載の電子デバイスにおいて、
前記金属バンプは、前記ベース基板と接触している電子デバイス。 - 請求項10記載の電子デバイスにおいて、
前記金属バンプは、前記配線パターンと接触している電子デバイス。 - 請求項10から請求項12のいずれかに記載の電子デバイスにおいて、
パネルモジュールとして構成されている電子デバイス。 - ベース基板と配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成されている半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記面に形成された金属バンプとを有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部と前記配線パターンとを接触させて電気的に接続し、前記金属バンプを前記配線基板に接触させる工程と、
を含む電子デバイスの製造方法。 - 請求項14記載の電子デバイスの製造方法において、
前記金属バンプは前記樹脂突起よりも高さが低く、
前記半導体装置を前記配線基板に搭載する工程では、前記電気的接続部を前記配線パターンに接触させた後に、前記金属バンプを前記配線基板に接触させる電子デバイスの製造方法。
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