JP2008084375A - レーザユニットおよび光ピックアップ - Google Patents

Abstract

【課題】通常はディスクのトラック方向に対して直交方向に配置される楕円集光スポットの長軸の方位を、再生信号の分解能向上や隣接トラックからのクロストークを低減して記録再生性能を向上させるために斜め向きに配置する構成が実用に供されている。しかし、レーザユニットを用いた小型薄型な光ピックアップ装置において、小型薄型な構成を損なうことなく、楕円集光スポットの長軸の方位をディスクのトラック方向に対して斜め向きに配置した光ピックアップを構成することが困難である。
【解決手段】半導体レーザの発光面部の活性層が基板の上面となす角度をθとし、半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーの反射面の等高線と基板の外形線とがなす角度をφとしたとき、レーザユニットをθ＋φ≠０°なる関係に構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光学的に情報の記録や再生を行う光ピックアップ、およびそれに用いられるレーザユニットの構成に関する。

近年、光学的に情報の記録再生を行う情報処理装置、例えば、コンパクトディスク（以下「ＣＤ」と略称する。）、Ｍｉｎｉ−Ｄｉｓｋ（以下「ＭＤ」と略称する。）、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（以下「ＤＶＤ」と略称する。）、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（以下［ＢＤ］と略称する。）などの記録媒体に映像や画像、音声などの各種情報（データ）を記録再生する装置が広く普及している。これらの装置においては、光ピックアップというデバイスにより記録媒体である各種ディスクへ光を照射し、情報の記録や再生が行われている。光ピックアップは光源である半導体レーザや、半導体レーザからの光を曲げるミラー、光を集光するレンズ、ディスクからの反射光を検出してディスク上の集光スポットの位置制御を行うためのフォーカス、トラッキングエラー信号や、ディスク上のマークやピット情報を検出する光検出器等によって構成されている。

光ピックアップにおいては、装置の小型薄型化、高信頼性化、低コスト化等のために半導体レーザと光検出器とが同一パッケージ内に格納されたレーザユニットやレーザカプラと呼ばれるデバイスが広く実用に供されている（例えば、非特許文献１参照。）。

図７にレーザユニットを用いた光ピックアップの構成例を示す。レーザユニット１内には半導体レーザ２、マイクロミラー３、基板４、光検出器５ａ、５ｂが格納されており、基板４上に半導体レーザ２、マイクロミラー３、光検出器５ａ、５ｂが配置されている。半導体レーザ２から出射した光はマイクロミラー３を反射しコリメートレンズ６により平行光束となり、反射ミラー７を反射して偏光ホログラム８および１／４波長板９を透過し、集光レンズ１０によりディスク１１の記録面上に集光される。ディスク１１から反射した光は逆の光路を辿り光源側へ戻るが、再度透過した１／４波長板９により往路とは偏光方向が直交する方向へ変換され、偏光ホログラム８によって回折される。回折光は光検出器５ａ、５ｂへと入射し、ディスク記録面上の集光スポットの位置制御用誤差信号の生成や、ディスクに記録された情報信号の検出を行う。光検出器５ａ、５ｂの構成や、各種信号の検出方式は本発明の本質的な構成要素ではなく、また様々な構成が既に公知であるためその説明は省略する。この構成例のようにレーザユニットを用いた構成では光ピックアップの構成を簡素化できるため、小型薄型な光ピックアップを実現できる。また、半導体レーザと光検出器が同一基板上に固定されているため、光ピックアップの組立調整が容易となり、ピックアップ製造コスト上のメリットや、動作環境や経時的なストレスによる半導体レーザと光検出器との相対的な位置ずれが発生しにくい、高い信頼性を実現できるというメリットのある優れた構成である。

一方で、ディスクに記録する情報の高密度化や高速化が進み、ディスクに集光する光スポットの形状や品質に対する要求が高まる中で、一般に楕円形状となる光スポットの長軸の方向をディスクのトラックに対して斜めに傾ける（以下、「斜めスポット配置」と略称する。）ことにより、再生信号の分解能の向上や隣接トラックからのクロストークを低減して情報の読み取りや書き込み性能の向上を図る構成が提案されている（例えば、特許文献２参照）。図８に斜めスポット配置の光ピックアップ構成例を示す。半導体レーザ２から出射した光は第１の波長板１２を透過し、偏光ビームスプリッタ１３を反射してコリメートレンズ６により平行光束となり、反射ミラー７を反射、第２の波長板１４を透過し、集光レンズ１０によりディスク１１の記録面上に集光される。ディスク１１から反射した光は逆の光路を辿り偏光ビームスプリッタ１３、検出レンズ１５を透過して光検出器５へと入射し、ディスク記録面上の集光スポットの位置制御用誤差信号の生成や、ディスクに記録された情報信号の検出を行う。光検出器５の構成や、各種信号の検出方式は本発明の本質的な構成要素ではなく、また様々な構成が既に公知であるためその説明は省略する。

半導体レーザから出射される光の遠視野像は一般に楕円形状をしており、活性層と垂直な方位が長軸となる。これを凸レンズで集光するとフーリエ変換作用により遠視野像の長軸方向の方が短軸方向よりも絞れるため、半導体レーザの活性層と垂直な方位が集光スポット形状としては短軸方向な楕円形状となる。そのため、図８の構成例では半導体レーザ２を格納するパッケージ１６を光軸中心に所望の角度だけ回転させることによって半導体レーザ２の活性層の方位を傾けてディスク記録面上のトラックの方位に対する集光スポットの楕円の向きを設定している。この例では、半導体レーザ２を納めるパッケージ１６は略回転対称な形状をしており、光軸中心に回転させても光ピックアップのサイズや厚みにほとんど影響を与えないため、斜めスポット配置の光ピックアップを容易に構成することができる。しかし、本構成例では半導体レーザ２と光検出器５は独立した部品として配置されているため、光ピックアップを構成する光学部品の数が多く、光ピックアップの低コスト化や小型薄型化が困難であり、また、各部品の取り付けや調整に要する工数も多いため、光ピックアップ製造上のコスト的にも不利である。また、動作環境や経時的なストレスによる半導体レーザと光検出器との相対的な位置ずれが発生しやすい構成のため、高信頼性を確保することも一般には困難な構成といえる。

図７で説明したレーザユニットを用いた小型薄型、高信頼性な光ピックアップの構成において、図８で説明した例のように光軸中心にレーザユニットを回転させると、同様に斜めスポットの生成は可能であるが、図９に示すように光ピックアップの厚みが増え、また、光検出器５ａ、５ｂと偏光ホログラム８からの回折光との位置関係が崩れるといった課題が生じてしまう。
特開平８−６３７７７号公報 わかる半導体レーザの基礎と応用／Ｐ．１６６（ＣＱ出版社）

解決しようとする問題点は、レーザユニットを用いた高信頼性、小型薄型な光ピックアップにおいて、小型薄型の構成を損なうことなく斜めスポット配置を実現することが困難であるという点である。

本発明は、半導体レーザと、半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、記録媒体から反射した光を受光する光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットにおいて、マイクロミラーの反射面は基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、半導体レーザから出射した光はマイクロミラーを反射して基板の上面から略垂直に出射し、半導体レーザの発光面部の活性層は基板の上面に対してθ傾斜し、マイクロミラーの反射面の等高線と基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°に構成されているレーザユニットであること、あるいはレーザユニットから出射した光を記録媒体へと導く反射ミラーと、レーザユニットから出射した光を記録媒体へ集光する集光レンズとを有し、反射ミラーと集光レンズ間の光軸は基板またはレーザユニットの長手方向と略直交するように配置された光ピックアップであることを第１の主要な特徴とする。

また、第１の半導体レーザと、第２の半導体レーザと、第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、第１の半導体レーザから出射され記録媒体から反射した光を受光する第１の光検出器と、第２の半導体レーザから出射され記録媒体から反射した光を受光する第２の光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットにおいて、マイクロミラーの反射面は基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザから出射した光はマイクロミラーを反射して基板の上面から略垂直に出射し、第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザの発光面部の活性層は基板の上面に対してθ傾斜し、マイクロミラーの反射面の等高線と基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°であり、第１の光検出器と第２の光検出器の中心を結ぶ線の方位は基板の外形線に対してＴａｎ^−１（Ｓｉｎ（θ）×Ｃｏｓ（４５°）／Ｃｏｓ（θ））＋φ傾いているレーザユニットであること、あるいはレーザユニットから出射した光を記録媒体へと導く反射ミラーと、レーザユニットから出射した光を記録媒体へ集光する集光レンズとを有し、反射ミラーと集光レンズ間の光軸は基板またはレーザユニットの長手方向と略直交するように配置された光ピックアップであることを第２の主要な特徴とする。

本発明は、レーザユニットを用いた小型薄型で高信頼性を有する光ピックアップにおいて、斜めスポット配置を実現できるというものである。

レーザユニットを用いた小型薄型で高信頼性を有する光ピックアップにおいて、斜めスポット配置を実現する構成を発明した。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面において同じ参照記号は同一または同等のものを示す。

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１のレーザユニットの構成図である。半導体レーザ２は基板４の上面に対して発光点を中心に活性層の方位がθだけ傾いて配置されている。また、マイクロミラー３の等高線１８はレーザユニット１の外形線１９ｘとφの角度を為すように配置されている。このマイクロミラー３を反射してレーザユニット１上方へ基板４から垂直に光が出射するように、半導体レーザ２は図１に示すように基板４上でレーザユニット１の外形線１９ｙに対してφだけ斜め向きに配置されている。図１では、半導体レーザ２と基板４との間に台座１７を配することにより半導体レーザ２の活性層の方位を基板４の上面に対して傾けているが、台座１７を用いる代わりに、基板４の半導体レーザ２マウント部を斜めにエッチングして傾斜を形成してもよい。この構成の場合、レーザユニット１の上方から見た仮想発光点は従来構成と変わらないが、半導体レーザ２から出射され、マイクロミラー３を反射してレーザユニット１上方へ放射される光の遠視野像の長軸の方位は、レーザユニット１の外形基準に対してθ＋φ傾けることができる。θ＋φの値は、使用する半導体レーザやディスクに合わせて任意の値に設定することができるが、一般には３０°や４５°という値が使用される。本構成はθ＝０またはφ＝０の構成としても構わない。

近年、光ディスク装置における情報の記録速度の向上に対するニーズに応えるために、光ピックアップに用いられる半導体レーザは高出力化が進んでいる。その結果として、レーザチップの長共振器化が進んでいるが、図７に示した従来のレーザユニットを用いた光ピックアップの構成ではレーザの共振器方向は光ピックアップの厚さ方向に一致するため、レーザチップの長共振器化はレーザユニット構成の光ピックアップにとっては小型薄型化の観点から好ましくないものであった。しかし、本実施の形態１では基板４上でレーザチップを斜め方向に配置するため、基板４やレーザユニット１の外形的制約から、これまで長くて載せることのできなかった長い共振器長のレーザチップの搭載が可能になるというメリットも有している。

図２に実施の形態１のレーザユニットを用いた光ピックアップ構成例を示す。光の動作は図７で説明した従来構成と同様のため省略するが、この構成によれば、レーザユニットの外形の方位は従来構成のまま、つまり、小型薄型な光ピックアップの構成のまま、斜めスポット配置を実現することができるという優れた効果が得られる。

（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２のレーザユニットの構成図である。レーザユニット２０は、基板４上に半導体レーザ２ａ、２ｂ、マイクロミラー３、光検出器５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが配置された２波長レーザユニットである。ここで、半導体レーザ２ａ、２ｂはモノリシック２波長レーザでも、単色の半導体レーザを２個並べたハイブリット構成でも構わない。図３では、半導体レーザ２ａおよび２ｂと基板４との間に台座１７を配することにより半導体レーザ２ａおよび２ｂの活性層の方位を基板４上面に対して傾けているが、台座１７を用いる代わりに、基板４の半導体レーザ２ａおよび２ｂマウント部を斜めにエッチングして傾斜を形成してもよい。

本構成例では半導体レーザ２ａおよび２ｂは基板４の上面に対して発光点を中心に活性層の方位がθだけ傾いて配置されている。本構成では実施の形態１で説明したφについてはφ＝０とした構成例を説明する。

レーザユニット２０を基板４の上方から見た図を図４に示す。レーザチップの傾斜により半導体レーザ２ａおよび２ｂの仮想発光点位置はそれぞれ２１ａ、２１ｂのように、レーザチップが基板に平行に配置されている構成に対して、図４中に示すｙ方向にｄｙだけずれる。半導体レーザレーザ２ａおよび２ｂがモノリシック２波長レーザで、チップの傾き角度θを３０°に設定した場合、光ピックアップ用の一般的なモノリシック２波長レーザの発光点間隔△は１１０μｍなので、ｄｙ＝△×Ｓｉｎ（θ）×Ｃｏｓ（４５°）＝３９μｍとなる（４５°はマイクロミラー３の角度である）。また、図４に示すｄｘはｄｘ＝△×Ｃｏｓ（θ）となる。偏光ホログラムを用いた検出方式の場合には、±１次の回折光を受光する構成が一般的であるが、この場合、仮想発光点２１ａから出射した光は５ｂと５ｃへ入射し、仮想発光点２１ｂから出射した光は５ａと５ｄへと入射する。本構成例では仮想発光点のｙ方向シフトに対応するために光検出器（５ａ、５ｄ）と光検出器（５ｂ、５ｃ）のｙ方向の距離をｄｙだけシフトさせ、光検出器５ａと５ｃの中心を結ぶ線、および、光検出器５ｂと５ｄの中心を結ぶ線と、レーザユニット２０のｘ方向基準線とはψ＝Ｔａｎ^−１（ｄｙ／ｄｘ）の角度をなすように配置して光検出器へ入射するビームと光検出器の位置の最適化を図っている。この構成により、２波長レーザを用いたレーザユニットでも、小型薄型な光ピックアップを構成するのに適した構成のまま、斜めスポット配置の構成を実現することができる。θの値は、使用する半導体レーザやディスクに合わせて任意の値に設定することができるが、一般には３０°や４５°という値が使用される。

また、図４におけるｘ方向の仮想発光点隔差ｄｘはθ＝０°の場合に比べてＣｏｓθ倍へ縮小することができるため、レンズで発生する軸外収差や、半導体レーザ２１ａおよび２１ｂから出射する光の相対的な強度分布中心の角度ずれに起因する、集光レンズ面上での各光の相対的な強度分布ずれの影響を抑制することができるという利点も有する。

（実施の形態３）
図５は本発明の実施の形態３のレーザユニットの構成図である。これは実施の形態２に対してθ＝０、φ≠０とした構成例である。レーザユニット２０は、基板４上に半導体レーザ２ａ、２ｂ、マイクロミラー３、光検出器５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが配置された２波長レーザユニットである。ここで、半導体レーザ２ａ、２ｂはモノリシック２波長レーザでも、単色の半導体レーザを２個並べたハイブリット構成でも構わない。マイクロミラー３の等高線１８は基板４上にてレーザユニット２０の外形線１９ｘとφの角度を為すように配置されており、このマイクロミラー３を反射してレーザユニット２０上方へ基板４から垂直に光が出射するように、半導体レーザ２ａおよび２ｂは図５に示すように基板４上でレーザユニット２０の外形線１９ｙに対してφだけ斜め向きに配置されている。本構成により斜めスポット配置が実現できる。

レーザユニット２０を基板４の上方から見た図を図６に示す。レーザチップを基板４上で斜め方向に配置したことにより半導体レーザ２ａおよび２ｂの仮想発光点位置はそれぞれ２１ａ、２１ｂのように、レーザチップが基板に平行に配置されている構成に対して、図１１中に示すｙ方向にｄｙ’だけずれる。半導体レーザ２ａおよび２ｂがモノリシック２波長レーザで、チップの傾き角度θを３０°に設定した場合、光ピックアップ用の一般的なモノリシック２波長レーザの発光点間隔△は１１０μｍなのでｄｙ’＝△×Ｓｉｎ（φ）＝５５μｍとなる。偏光ホログラムを用いた検出方式の場合には、±１次の回折光を受光する構成が一般的であるが、この場合、仮想発光点２１ａから出射した光は５ｂと５ｃへ入射し、仮想発光点２１ｂから出射した光は５ａと５ｄへと入射する。本構成例では仮想発光点のｙ方向シフトに対応するために光検出器（５ａ、５ｄ）と光検出器（５ｂ、５ｃ）のｙ方向の距離をｄｙ’だけシフトさせ、光検出器５ａと５ｃの中心を結ぶ線、および、光検出器５ｂと５ｄの中心を結ぶ線と、レーザユニット２０のｘ方向基準線とはφの角度をなすように配置して光検出器へ入射するビームと光検出器の位置の最適化を図っている。この構成により、２波長レーザを用いたレーザユニットでも、小型薄型な光ピックアップを構成するのに適した構成のまま、斜めスポット配置の構成を実現することができる。φの値は、使用する半導体レーザやディスクに合わせて任意の値に設定することができるが、一般には３０°や４５°という値が使用される。

近年、光ディスク装置における情報の記録速度の向上に対するニーズに応えるために、光ピックアップに用いられる半導体レーザは高出力化が進んでいる。その結果として、レーザチップの長共振器化が進んでいるが、従来のレーザユニット構成ではレーザの共振器方向は光ピックアップの厚さ方向に一致するため、レーザチップの長共振器化はレーザユニット構成の光ピックアップにとっては小型薄型化の観点から好ましくないものであった。しかし、本実施の形態では基板４上でレーザチップを斜め方向に配置するため、基板４やレーザユニット２０の外形的制約から、これまで長くて載せることのできなかった長い共振器長のレーザチップの搭載が可能になるというメリットも有している。

また、実施の形態３と実施の形態４は同時に実施することが可能である。このとき、斜めスポットの方位はθ＋φ、光検出器５ａと５ｃの中心を結ぶ線、および、光検出器５ｂと５ｄの中心を結ぶ線と、レーザユニット２０のｘ方向基準線とのなす角はψ＋φ＝Ｔａｎ^−１（ｄｙ／ｄｘ）＋φ＝Ｔａｎ^−１（Ｓｉｎ（θ）×Ｃｏｓ（４５°）／Ｃｏｓ（θ））＋φにより得られる。

本発明にかかるレーザユニットならびに光ピックアップは、半導体レーザと、前記半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、記録媒体から反射した光を受光する光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットにおいて、前記マイクロミラーの反射面は前記基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、前記半導体レーザから出射した光は前記マイクロミラーを反射して前記基板の上面から略垂直に出射し、前記半導体レーザの発光面部の活性層は前記基板の上面に対してθ傾斜し、前記マイクロミラーの反射面の等高線と前記基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°に構成されているレーザユニットであること、あるいは前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へと導く反射ミラーと、前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へ集光する集光レンズとを有し、前記反射ミラーと前記集光レンズ間の光軸は前記基板または前記レーザユニットの長手方向と略直交するように配置された光ピックアップとすることにより、小型薄型かつ高信頼性を有するレーザユニットを用いた光ピックアップにおいて、斜めスポット配置が可能となり、記録媒体への情報の記録再生性能を向上させることができるというメリットがある。

あるいは、第１の半導体レーザと、第２の半導体レーザと、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、前記第１の半導体レーザから出射され記録媒体から反射した光を受光する第１の光検出器と、前記第２の半導体レーザから出射され記録媒体から反射した光を受光する第２の光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットにおいて、前記マイクロミラーの反射面は前記基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザから出射した光は前記マイクロミラーを反射して前記基板の上面から略垂直に出射し、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザの発光面部の活性層は前記基板の上面に対してθ傾斜し、前記マイクロミラーの反射面の等高線と前記基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°であり、前記第１の光検出器と前記第２の光検出器の中心を結ぶ線の方位は前記基板の外形線に対してＴａｎ^−１（Ｓｉｎ（θ）×Ｃｏｓ（４５°）／Ｃｏｓ（θ））＋φ傾いているレーザユニットであること、あるいは前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へと導く反射ミラーと、前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へ集光する集光レンズとを有し、前記反射ミラーと前記集光レンズ間の光軸は前記基板または前記レーザユニットの長手方向と略直交するように配置された光ピックアップとすることにより、小型薄型かつ高信頼性を有する２波長レーザユニットを用いた光ピックアップにおいて、斜めスポット配置が可能となり、記録媒体への情報の記録再生性能を向上させることができるというメリットがある。

本発明の実施の形態１のレーザユニットの構成図 本発明の実施の形態１の光ピックアップの構成図 本発明の実施の形態２のレーザユニットの構成図 本発明の実施の形態２のレーザユニットの構成図 本発明の実施の形態３のレーザユニットの構成図 本発明の実施の形態３のレーザユニットの構成図 従来のレーザユニットを用いた光ピックアップ構成図 斜めスポット配置の光ピックアップの従来構成例を表した図 従来の斜めスポット配置手段を従来のレーザユニットを用いた光ピックアップに適用した構成例を表した図

符号の説明

１、２０ レーザユニット
２、２ａ、２ｂ 半導体レーザ
３ マイクロミラー
４ 基板
５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ 光検出器
６ コリメートレンズ
７ 反射ミラー
８ 偏光ホログラム
９、１２、１４ 波長板
１０ 集光レンズ
１１ ディスク
１３ 偏光ビームスプリッタ
１５ 検出レンズ
１６ 半導体レーザを格納するパッケージ
１７ 台座
１８ マイクロミラーの等高線
１９ｘ、１９ｙ 基板の外形線
２１ａ、２１ｂ 仮想発光点

Claims (6)

1. 半導体レーザと、前記半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、記録媒体から反射した光を受光する光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットにおいて、前記マイクロミラーの反射面は前記基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、前記半導体レーザから出射した光は前記マイクロミラーを反射して前記基板の上面から略垂直に出射し、前記半導体レーザの発光面部の活性層は前記基板の上面に対してθ傾斜し、前記マイクロミラーの反射面の等高線と前記基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°に構成されていることを特徴とするレーザユニット。
2. 第１の半導体レーザと、第２の半導体レーザと、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、前記第１の半導体レーザから出射され記録媒体から反射した光を受光する第１の光検出器と、前記第２の半導体レーザから出射され前記記録媒体から反射した光を受光する第２の光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットにおいて、前記マイクロミラーの反射面は前記基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザから出射した光は前記マイクロミラーを反射して前記基板の上面から略垂直に出射し、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザの発光面部の活性層は前記基板の上面に対してθ傾斜し、前記マイクロミラーの反射面の等高線と前記基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°であり、前記第１の光検出器と前記第２の光検出器の中心を結ぶ線の方位は前記基板の外形線に対してＴａｎ^−１（Ｓｉｎ（θ）×Ｃｏｓ（４５°）／Ｃｏｓ（θ））＋φ傾いていることを特徴とするレーザユニット。
3. θ＋φ≧３０°に構成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のレーザユニット。
4. 半導体レーザから出射した光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う情報処理装置であって、前記半導体レーザと、前記半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、前記記録媒体から反射した光を受光する光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットと、前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へと導く反射ミラーと、前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へ集光する集光レンズとを有し、前記マイクロミラーの反射面は前記基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、前記半導体レーザから出射した光は前記マイクロミラーを反射して前記基板の上面から略垂直に出射し、前記半導体レーザの発光面部の活性層は前記基板の上面に対してθ傾斜し、前記マイクロミラーの反射面の等高線と前記基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°であり、前記反射ミラーと前記集光レンズ間の光軸は前記基板または前記レーザユニットの長手方向と略直交するように配置された光ピックアップ。
5. 複数の半導体レーザから出射した光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う情報処理装置であって、第１の半導体レーザと、第２の半導体レーザと、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザから出射した光を反射するマイクロミラーと、前記第１の半導体レーザから出射され記録媒体から反射した光を受光する第１の光検出器と、前記第２の半導体レーザから出射され前記記録媒体から反射した光を受光する第２の光検出器とが同一基板上に配置されたレーザユニットと、前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へと導く反射ミラーと、前記レーザユニットから出射した光を前記記録媒体へ集光する集光レンズとを有し、前記マイクロミラーの反射面は前記基板の上面に対し略４５度の角度で配置され、前記半導体レーザから出射した光は前記マイクロミラーを反射して前記基板の上面から略垂直に出射し、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザの発光面部の活性層は前記基板の上面に対してθ傾斜し、前記マイクロミラーの反射面の等高線と前記基板の外形線とはφの角度をなし、θ＋φ≠０°であり、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザに対して同じ側にある前記第１の光検出器と前記第２の光検出器の中心を結ぶ線の方位は前記基板の外形線に対してＴａｎ^−１（Ｓｉｎ（θ）×Ｃｏｓ（４５°）／Ｃｏｓ（θ））＋φ傾いており、前記反射ミラーと前記集光レンズ間の光軸は前記基板または前記レーザユニットの長手方向と略直交するように配置された光ピックアップ。
6. θ＋φ≧３０°に構成されていることを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の光ピックアップ。

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