JP2008078561A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子3と、半導体素子3に設けられた電極と接続される電極を有するリード4と、半導体素子3の電極とリード4の電極とを電気的に接続する金属膜6とを備える。
【選択図】図3
【解決手段】半導体素子3と、半導体素子3に設けられた電極と接続される電極を有するリード4と、半導体素子3の電極とリード4の電極とを電気的に接続する金属膜6とを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導体素子の電極とリードの電極との間の抵抗を低減する電流経路部材が設けられた半導体装置及びその製造方法に関する。
半導体装置の一例として、電流のスイッチングや増幅に使用されるFETを含むトランジスタパッケージを挙げることができる。このトランジスタパッケージにおいて、半導体素子上の電極とリードの電極とは、金(Au)やアルミニウム(Al)等の導電性を有する金属から形成された複数本のワイヤによって電気的に接続されている。
近年の半導体市場では、高速に動作し高い処理能力を有しつつ、動作中の消費電力は低い半導体装置が求められている。このような相反する2つの課題を克服するために、半導体装置の回路の微細化が進められるとともに、供給された電力を半導体装置全体で効率よく利用するために、内部抵抗(ON抵抗)の低抵抗化が進められている。
この内部抵抗の例としては、半導体素子とリードとを接続する電流経路部材の抵抗成分と、この電流経路部材と各電極間の接続抵抗成分を挙げることができる。この電流経路部材として通常金属ワイヤが用いられるが、この金属ワイヤの抵抗が半導体装置全体の内部抵抗値に対して無視できない程に大きくなっている。従って、金属ワイヤを用いても金属ワイヤに関係する抵抗を低くすることができれば半導体素子の電極とリードの電極との接続抵抗成分も低くすることが可能である。
そのために、例えば、金属ワイヤの太線化や多線化が考えられるが、隣接する金属ワイヤ同士の短絡や取り付け本数と取り付け空間の制限のため、技術的に困難な点が生ずる。一方で、金属ワイヤ自身の抵抗値を低くする方法として、金属ワイヤを形成する金属材料を金(Au)やアルミニウム(Al)よりも低抵抗の材料に変更することが考えられる。但し、この方法では使用できる金属の種類が限定的であること、接合部分の信頼性があまり高くないことから採用は難しい。
このような問題を解決するための1つの方法として、以下の特許文献1には、半導体装置全体の低抵抗化を図るため、導電性を有する平板状の金属材料を用いて半導体素子の電極とリードの電極とを電気的に接続する半導体装置が提示されている。すなわち、この方法により半導体素子の電極とリードの電極との間の電流の流路断面積が拡大されるので、電極とリードとの間における抵抗を下げることができるとされる。この発明においては、平板状の金属材料に塑性変形を起こしやすいアルミニウム(Al)を採用し、超音波接合を用いて半導体素子の電極とリードの電極とを金属接合している。
特開2002−314018号公報
しかしながら、上記特許文献1に開示された発明においては、アルミニウム(Al)の平板を超音波接合させるために大きな加重を印加する必要がある。そのため、半導体素子自体がこの加重に耐える必要があることから一定の大きさ以下の半導体素子や大きな加重を掛けることのできない半導体素子に対しては採用することができない。また、平板がアルミニウム(Al)であり、大幅な低抵抗化を図ることは困難である。
また、このような弊害を避けるために平板状の金属材料と半導体素子の電極及びリードの電極とを電気的に接続する部分にはんだまたは導電性ペーストを使用する方法もある。但し、一般にはんだや導電性ペーストは、温度差が激しく、かつ急激に温度が変化する、いわゆる温度サイクル試験において接合部界面にクラックや脆化が発生することから、温度変化に対する耐久性が低い。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
本発明の実施の形態に係る第1の特徴は、半導体装置において、半導体素子と、半導体素子に設けられた電極と接続される電極を有するリードと、半導体素子の電極とリードの電極とを電気的に接続する金属膜とを備える。
本発明の実施の形態に係る第2の特徴は、半導体装置の製造方法において、半導体素子に設けられた電極と、半導体素子の電極と接続される電極を有するリードとの間に樹脂を充填する工程と、樹脂を間に挟んで半導体素子の電極とリードの電極とを電気的に接続する金属膜を設ける工程とを備える。
本発明によれば信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
まず、第1の実施の形態に係る半導体装置の構成を説明する。本発明の実施の形態に係る半導体装置1は、第1のリード2に載置された半導体素子3と、半導体素子3に設けられた電極と接続される電極を有する第2のリード4と、半導体素子3と第2のリード4との間に充填される樹脂5と、半導体素子3の電極と第2のリード4の電極とを電気的に接続する金属膜6と、第1のリード2と、半導体素子3と、第2のリード4と、樹脂5と、金属膜6とを覆う外囲器7とを備える。
まず、第1の実施の形態に係る半導体装置の構成を説明する。本発明の実施の形態に係る半導体装置1は、第1のリード2に載置された半導体素子3と、半導体素子3に設けられた電極と接続される電極を有する第2のリード4と、半導体素子3と第2のリード4との間に充填される樹脂5と、半導体素子3の電極と第2のリード4の電極とを電気的に接続する金属膜6と、第1のリード2と、半導体素子3と、第2のリード4と、樹脂5と、金属膜6とを覆う外囲器7とを備える。
図1は半導体装置1の全体を示す斜視図である。半導体装置1は、そのほぼ外部全体を封止樹脂(以下、「外囲器7」と表わす。)で覆われている。本発明の実施の形態では、半導体装置1は第1のリード2と第2のリード4を各4本ずつ、計8本有している。
図2は、図1に示す半導体装置1をX−X線において切断して見た半導体装置1の平面図である。また、図3は、図2に示す半導体装置1をY−Y線において切断して見た半導体装置1の切断断面図である。第1のリード2と第2のリード4の一端部が、対向するように外囲器7の両側から外側に露出されている。図3に示すように、第1のリード2上にはダイボンド材Dを介して半導体素子3が電気的に接続されている。
半導体素子3のダイボンド材Dを介して第1のリード2と接続されている一方の面3aにはドレイン電極が設けられており、この面と対向する他方の面3b(以下、「表面3b」という。)には、ゲート電極及びソース電極が設けられている。第2のリード4において外囲器7の内部に含まれる端部の表面4aには、リード電極が設けられている。
半導体素子3の表面3bと第2のリード4の表面4aは、同一平面となるようにされている。すなわち、第2のリード4の曲げ加工を行う際に、第1のリード2上に載置される半導体素子3の表面3bの高さと第2のリード4の表面4aの高さが同一となるよう、その高さが調節されている。
また、第1のリード2、半導体素子3と第2のリード4の間に充填される樹脂5(以下、単に「樹脂5」という。)もその高さが表面3b及び表面4aの高さと同一となるように充填される。このように樹脂5が充填されることで、図3に示すように、半導体素子3の表面3bと第2のリード4の表面4aは充填された樹脂5の表面と同一平面を構成することになる。
半導体素子3の表面3bに設けられたゲート電極及びソース電極と、第2のリード4の表面4aに設けられたリード電極とをつなぐように導電性ペースト8が塗布されている。また、この導電性ペースト8の上には金属膜6が導電性ペースト8を覆うように設けられている。そして、これらが外囲器7に覆われることで半導体装置1となる。
次に、図4ないし図8を用いて、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体装置1の製造方法を説明する。
まず、図4に示すように、第1のリード2の上にダイボンド材Dを介して半導体素子3を接続する。第2のリード4は、配置したときにその表面4aの高さが半導体素子3の表面3bの高さと同一となるように曲げ加工を行い、第1のリード2と第2のリード4とが対向する位置に配置する。
次に、図5に示すように、金型Mに図4で示したリードと半導体素子とを入れて、樹脂5を充填する。金型Mは、底面に樹脂5を注入する孔を有する器状部材M1と、器状部材M1に被せる蓋状部材M2とから構成されている。蓋状部材M2は、蓋状部材M2の器状部材M1の内部空間に対する面が半導体素子3の表面3bと第2のリード4の表面4aと密着する状態で器状部材M1に被せられる。この器状部材M1に蓋状部材M2が被せられた状態で、図5の矢印に示すように器状部材M1の底面の孔から樹脂5が注入される。注入された樹脂5は、器状部材M1の内部に充填される。なお、この樹脂5は、半導体素子3の特性を阻害するものでなければその種類は問わない。
図6は、樹脂5を充填した後、金型Mを外した状態を示す図である。樹脂5が充填されて固化することで図6のような状態となる。図5で示すように、蓋状部材M2と半導体素子3の表面3b及び第2のリード4の表面4aとの間は密着していることから、蓋状部材M2と表面3bと表面4aとの間に樹脂5は充填されない。そのため、図6に示すように、蓋状部材M2を外せば表面3bと表面4aとの間に充填された樹脂5は、表面3bと表面4aと同一平面を形成する。
同一平面となっている半導体素子3の表面3b、第2のリード4の表面4a及び樹脂5の上に導電性ペースト8を塗布し、加熱硬化する(図7参照)。樹脂5が表面3bと表面4aと同一平面となるように充填されていることから、導電性ペースト8が塗布されても半導体素子3と第2のリード4との間から落ちるということはなく、例えば、平面の板に塗布したのと同様に平らに塗布される。この導電性ペースト8は、半導体素子3の表面3bに設けられたゲート電極及びソース電極と、第2のリード4の表面4aに設けられたリード電極とを電気的に接続する役割を果たす。導電性ペースト8の塗布の方法については、ディスペンス、スクリーン印刷転写等、どのような方法で塗布されても良い。また、導電性ペースト8の導電率、硬化条件は電解めっきが可能な範囲であれば任意に定めることができる。
さらに、図8に示すように、この導電性ペースト8を核としてその上から金属膜6を被せる。導電性ペースト8自体にも導通性はあるが、金属膜に比べれば抵抗が大きいことから、さらに金属膜6を形成して、半導体素子3の表面3bに設けられているゲート電極及びソース電極と、第2のリード4の表面4aのリード電極とを電気的に接続する。金属膜6の形成は、具体的には、例えば、第2のリード4を介して導電性ペースト8及び半導体素子3の電極に通電して行う。形成される金属膜6の金属は、体積電気抵抗率が低く、かつ、めっき可能な金属であればその種類は問わない。例えば、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)等を好適に用いることができる。
この金属膜6は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング、蒸着、塗布のいずれの方法によって形成されても構わない。また、半導体素子3の電極上の一部、或いは全体に厚付けすることで、金属膜6の表面を流れる電流経路が増加し、表面抵抗が低下することにより接続抵抗全体を下げることができる。なお、金属膜6の厚さは、厚ければ厚いほど流れる電流が増加することになるが、具体的には、例えば、1μmないし数μmである。
その後、外囲器7で樹脂5を覆う。この外囲器7については、半導体素子の特性を阻害するものでなければその種類は問わない。また、外囲器7の形状は、金属膜6が形成された部分を保護するように覆っていれば、樹脂5の一部分が外囲器7の外部に露出されるようにモールドされても良い。このような製造工程を経ることで、図1に示すような半導体装置1を得ることができる。
図9は、本発明の第1の実施の形態における半導体装置1の変形例である。上述した第1の実施の形態における半導体装置1では、半導体素子3の電極と第2のリード4の電極とが、樹脂5の表面と同一面を構成していることを特徴としている。
一方、この変形例においては、第2のリード4は第1の実施の形態における第2のリード4のように曲げ加工されておらず平板な板状である。従って、半導体素子3の電極と第2のリード4の電極の第1のリード2の底面及び第2のリード4の底面からの高さは異なる。そのため、例えば図9に示すように、樹脂5の表面は、半導体素子3の電極が設けられている半導体素子3の表面3bに対して第2のリード4に向けて傾斜し、樹脂5の表面と半導体素子3の表面3b、第2のリード4の表面4aは連続した面を構成する。また、半導体素子3の電極と第2のリード4の電極とを接続する導電性ペースト8及び金属膜6も充填された樹脂5の形状に従って半導体素子3の電極から第2のリード4の電極に向かって傾斜する。
このように、高い信頼性と製造の容易さを確保した上で、半導体素子3の電極と第2のリード4の電極とが同一面を構成するように半導体素子3と第2のリードとの間に樹脂5が充填され、半導体素子3の電極及び第2のリード4の電極を電気的に接続する金属膜6を形成することで、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
なお、第1の実施の形態においては、樹脂5は、半導体素子3の表面3bと第2のリード4の表面4aとの間において、表面3bと表面4aと同一平面を構成するように充填されることを例に挙げて説明した。しかし、表面3bと表面4aとの間をつなぐ金属膜6が半導体素子3と第2のリード4との間にできる間隙(図4参照)に落ちないようにされていれば、この樹脂5は必ずしも表面3bと表面4aと同一平面を構成するように充填されなくても良い。
(第2の実施の形態)
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、第2の実施の形態において、上述の第1の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、第2の実施の形態において、上述の第1の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。
第1の実施の形態においては、上述したように、樹脂5を充填する際にはリードと半導体素子とを金型Mに入れる。蓋状部材M2を半導体素子3及び第2のリード4の表面に密着させることで樹脂5が半導体素子3及び第2のリード4の表面に充填されることが防止されている。このようにすることで、半導体素子3の電極及び第2のリード4の電極は樹脂5の表面と同一平面を構成する。
但し、半導体装置1の製造工程において蓋状部材M2を半導体素子3及び第2のリード4の表面に密着させることができないこともあり、その場合には、半導体素子3及び第2のリード4の表面に樹脂5が充填されてしまうこともある。第2の実施の形態においては、このような状態における半導体装置10の製造方法を示している。
図10は、図示しない金型Mを用いて、半導体素子13及び第2のリード14に樹脂15を充填し、金型Mを取り外した状態を示している。この状態では、半導体素子13の電極と第2のリード14の電極は樹脂15に覆われているので、それぞれの電極を露出させる必要がある。そこで、半導体素子13の表面3bにおいて電極が設けられている領域及び第2のリード14の表面4aにおいて電極が設けられている領域に、例えば、レーザを照射して電極を露出させる(図11参照)。露出される半導体素子13の電極を含む表面13b、第2のリード14の電極を含む表面14aの大きさは、導通が図れる大きさであればレーザによる加工によって任意に設定することができる。
図12に示すように、開口された半導体素子13の電極及び第2のリード14の電極を埋めて樹脂15の表面も覆う範囲で導電性ペースト18を塗布する。導電性ペースト18の塗布にあたっては、印刷等、どのような方法で塗布されても良い。
さらに、図13に示すように、この導電性ペースト18を核としてその上から金属膜16を形成して、半導体素子13のゲート電極及びソース電極と、第2のリード14のリード電極とを電気的に接続する。形成される金属膜16の金属は、体積電気抵抗率が低く、かつ、めっき可能な金属であればその種類は問わない。例えば、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)等を好適に用いることができる。この金属膜16は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング、蒸着、塗布のいずれの方法によって付けられても構わない。また、半導体素子13の電極上の一部、或いは全体に厚付けすることで、金属膜16の表面を流れる電流経路が増加し、表面抵抗が低下することにより接続抵抗全体を下げることができる。このような製造方法を採用することで、図14に示すような半導体装置10を得ることができる。
このようにすることで、たとえ半導体素子13の電極及び第2のリード14の電極を樹脂15が覆ってしまっても各電極領域を開口させることができる。そして、高い信頼性と製造の容易さを確保した上で、半導体素子13の電極及び第2のリード14の電極を電気的に接続する金属膜16を形成することで、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
なお、この発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1…半導体装置、2…第1のリード、3…半導体素子、4…第2のリード、5…樹脂、6…金属膜、7…外囲器、8…導電性ペースト。
Claims (7)
- 半導体素子と、
前記半導体素子に設けられた電極と接続される電極を有するリードと、
前記半導体素子の電極と前記リードの電極とを電気的に接続する金属膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属膜は、めっきにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属膜は、蒸着により形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属膜は、スパッタにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属膜は、塗布されることにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体素子に設けられた電極と、前記半導体素子の電極と接続される電極を有するリードとの間に樹脂を充填する工程と、
前記樹脂を間に挟んで前記半導体素子の電極と前記リードの電極とを電気的に接続する金属膜を設ける工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子に設けられた電極と、前記半導体素子の電極と接続される電極を有するリードとの間に樹脂を充填する工程と、
前記半導体素子上及び前記リード上に充填された前記樹脂を取り除いて、前記半導体素子の電極及び前記リードの電極をそれぞれ露出させる工程と、
前記樹脂を間に挟んで前記半導体素子の電極と前記リードの電極とを電気的に接続する金属膜を設ける工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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