JP2008078061A - 弾性接触子及びその製造方法、ならびに前記弾性接触子を用いた接続装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 特に、従来に比べてバネ特性の向上を図るとともに、メッキ形成速度を速め、生産性を向上させることが可能な弾性接触子及びその製造方法、ならびに前記弾性接触子を用いた接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 スパイラル接触子２０の弾性変形部２２をＮｉＣｏ電鋳層４０で形成する。Ｃｏ組成比を１ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内に調整し、また平均結晶粒径を２０ｎｍ以下にて形成する。降伏応力を９００〜１１００ＭＰａの範囲内に出来る等、ばね特性を向上できるとともに、メッキ形成速度をＮｉＰを用いる場合の約１０倍速くでき、生産性を向上できる。
【選択図】 図５

Description

本発明は、弾性接触子のばね特性を向上させることが出来るとともに、前記弾性接触子のメッキ形成速度を速くでき、生産性を向上させることが可能な弾性接触子及びその製造方法、ならびに前記弾性接触子を用いた接続装置及びその製造方法に関する。

特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状弾性接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。

前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状弾性接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状弾性接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
特開２００２−１７５８５９号公報 特開２００５−２００７０８号公報 特開２００５−３２７０８号公報

上記特許文献１の例えば図３７では、前記スパイラル接触子を、Ｎｉの電鋳で形成している。Ｎｉ電鋳層で前記スパイラル接触子を形成することで、前記スパイラル接触子が適切に弾性変形しやすくなると期待されるが、Ｎｉは、熱処理等の原因により結晶化が急激に促進することで脆い性質になるため、スパイラル接触子が折れる等の破損が多発しやすくなっていた。

一方、特許文献２や特許文献３に記載された発明では、Ｎｉ−Ｘ（ＸはＰ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｂｅのうちいずれか一種）を電鋳、あるいは銅等で形成された芯材の周囲に無電解メッキで形成することが開示されている。これによりばね性を持たせており、特にＮｉＰはＮｉに比べてバネ特性に優れる。スパイラル接触子は、膜厚がミクロンオーダーの超微細接点で、従来からＩＣソケットに設けられてきたコンタクトピンに比べてＩＣの半田ボールとの接圧を小さくできる点で優位であり、繰り返し使用に対して高いばね性が求められる。

高いばね性は後述する実験によればＮｉＷでは得られなかった。一方、ＮｉＰは高いばね性を示したものの、ＮｉＰは、メッキ形成速度が遅いため生産性に劣るといった問題があった。

特許文献１〜３に記載された発明では、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ＸはＰ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｂｅのうちいずれか一種）に代わる新たなバネ材料は提示されていない。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、ＮｉＣｏで弾性接触子を形成し、従来に比べてバネ特性の向上を図るとともに、メッキ形成速度を速め、生産性を向上させることが可能な弾性接触子及びその製造方法、ならびに前記弾性接触子を用いた接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明は、弾性変形部を有する弾性接触子において、前記弾性変形部は、ＮｉＣｏ合金で形成されたＮｉＣｏ電鋳層を有して形成されることを特徴とするものである。
これにより前記弾性変形部のばね性を効果的に向上できる。

本発明では、ＮｉＣｏ合金のＣｏ組成比は、１ａｔ％以上で３０ａｔ％以下であることが好ましい。前記Ｃｏ組成比は５ａｔ％以上で２０ａｔ％以下であることがより好ましい。また、ＮｉＣｏ合金の平均結晶粒径は２０ｎｍ以下であることが好ましい。

上記Ｃｏ組成比を有する微細結晶構造のＮｉＣｏ合金で前記弾性変形部を形成することで、例えば、降伏応力を９００ＭＰａ以上、ビッカース硬度を３００〜４００ＨＶの範囲内に出来る。また後述する実験結果に示すように耐久性を向上でき、長寿命を得ることが出来る。

本発明では、前記弾性変形部は、前記ＮｉＣｏ電鋳層と、前記ＮｉＣｏ電鋳層の上面あるいは下面の少なくともどちらか一方に形成された前記ＮｉＣｏ電鋳層よりも比抵抗が低い表面層とで構成されることが、電気伝導率を向上でき、電子部品の外部接続端子等との接触抵抗を低減でき好適である。前記表面層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｉｒのうちいずれか１種にてメッキ形成されることが好ましい。

本発明では、前記弾性変形部は螺旋状に形成されることが好ましい。また、前記弾性変形部は立体成形されていることが好ましい。電子部品の外部接続部等との接触を確実なものに出来る。

本発明は、基台と、前記基台に設けられた弾性接触子とを有し、電子部品の外部接続端子が前記弾性接触子の弾性変形部に接触する接続装置において、
前記弾性変形部が上記のいずれかに記載された構成にて形成されていることを特徴とするものである。本発明では、前記弾性接触子の弾性変形部がＮｉＣｏ電鋳層を有して形成されており、ばね特性に優れ、前記外部接続端子との接圧が小さい弾性接触子を有する接続装置に出来る。

本発明は、弾性変形部を有する弾性接触子の製造方法において、
（ａ） 前記弾性変形部の形状に形成されたパターン内に、ＮｉＣｏ合金を電鋳する工程、
を含むことを特徴とするものである。

これにより前記弾性接触子の形成の際のメッキ速度を従来よりも速めることができ、生産性を向上させることが出来る。また、ＮｉＣｏ合金により前記弾性変形部を形成することでバネ特性に優れた前記弾性変形部を簡単且つ適切に製造できる。

本発明では、前記ＮｉＣｏ合金のＣｏ組成比を、１ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内で調整することが好ましい。前記Ｃｏ組成比を、５ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内で調整することがより好ましい。これにより、ＮｉＣｏ合金を２０ｎｍ以下の微細結晶構造にでき、バネ特性の向上を図ることができる。

また本発明では、前記（ａ）工程よりも後に、
（ｂ） 前記弾性変形部を３００℃以下の加熱下で立体成形する工程、
を含むことが好ましい。このように３００℃以下の加熱温度で立体成形することで、２０ｎｍ以下の微細結晶構造を保ち、またビッカース硬度の急激な低下を抑えることが可能である。

また本発明では、前記（ａ）工程において、前記パターン内に、ＮｉＣｏ合金で形成されたＮｉＣｏ電鋳層よりも比抵抗が低い表面層を、前記ＮｉＣｏ電鋳層を形成する前、あるいは形成した後の少なくともどちらかの時にメッキ形成し、これにより、前記ＮｉＣｏ電鋳層の上面あるいは下面の少なくとも一方に前記表面層を設けることが好ましい。このとき、前記表面層を、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｉｒのうちいずれか１種にてメッキ形成することが好ましい。

また本発明は、基台と、前記基台に設けられた弾性接触子とを有し、電子部品の外部接続端子が前記弾性接触子の弾性変形部に接触する接続装置の製造方法において、
前記弾性変形部を上記のいずれかに記載された構成にて製造方法にて形成することを特徴とするものである。これによりばね特性に優れた前記弾性接触子を速いメッキ形成速度で形成でき、前記接続装置の生産性を向上させることが可能である。

弾性接触子のばね特性を向上させることが出来るとともに、前記弾性接触子のメッキ形成速度を速くでき、生産性を向上させることが出来る。

図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置（例えばバーイン試験装置）を示す斜視図、図２は図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。

図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品１が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。

図２に示すように、前記電子部品１の下面には、多数の外部接続端子（例えば半田ボール）１ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されている。

図２に示すように、前記基台１１には所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の貫通孔（スルーホール）１１ａが、前記電子部品１の接続端子１ａに対応して設けられている。

前記貫通孔１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、弾性接触子が螺旋状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。

図３は前記スパイラル接触子２０の平面図、図４は前記外部接続端子１ａと非接触状態での前記スパイラル接触子２０の側面図と、前記スパイラル接触子２０が取り付けられる前記基台１１の断面図（図２に示す基台１１の拡大断面図）である。

各スパイラル接触子２０は、所定の膜厚で平面的な形状のマウント部２１と、このマウント部２１から延び出る弾性変形部（弾性腕）２２とが一体に形成されている。弾性変形部２２は、マウント部２１との境界部が基端２３であり、基端２３から先端２４に向かうほど半径寸法が短くなる螺旋（スパイラル）パターンで形成されている。前記弾性変形部２２の幅寸法は基端２３から先端２４に向かうほど小さくなっている。なお膜厚は、基端２３から先端２４までほぼ一定である。前記幅寸法及び膜厚は数μｍ〜数十μｍであり、前記弾性変形部２２の外周縁の輪郭直径の最大値は、０．５ｍｍ以下であり、例えば２０〜４００μｍ程度の微細接点で形成される。

図４に示すように基台１１に形成された貫通孔（スルーホール）１１ａの内周面には壁面導電体２５が設けられている。基台１１の表面には壁面導電体２５と導通する表面導電体２６が形成され、基台１１の裏面には壁面導電体２５と導通する背面導電体２１が形成されている。

マウント部２１はそのほぼ全域が表面導電体２６に導電性接着剤などを介して接着固定されている。

基台１１の表面には、多数のスパイラル接触子２０がマトリックス状に配置されている。隣り合うスパイラル接触子２０の配列ピッチは、例えば３０〜５００μｍの範囲である。複数のスパイラル接触子２０は、弾性変形部２２と対向する位置に貫通孔２７ａが設けられたポリイミド樹脂等の樹脂シート２７に接着剤等を介して支持され、前記樹脂シート２７及び前記マウント部２１が前記基台１１上に導電接着剤２９を介して接合されている。

図４に示すように、前記弾性変形部２２は、前記樹脂シート２７の貫通孔２７ａを通って、マウント部２１から見て上方に（基台１１に形成された貫通孔１１ａから離れる方向に）持ち上げられた立体形状となっている。

図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板３０が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板３０上に固定されている。前記プリント基板３０の表面には前記基台１１の底面に設けられ、前記背面導電体２１と電気的に接続される電極１８に対向する対向電極２８が設けられており、前記各電極１８が各対向電極２８にそれぞれ接触することにより、電子部品１とプリント基板３０とが検査装置１０を介して電気的に接続される。

一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品１を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。

前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品１を前記貫通孔１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品１を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。

蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、弾性変形部２２の先端２４に対し、電子部品１の外部接続端子１ａが図４に示す矢印に沿って下方に押し付けられ、弾性変形部２２が弾性変形させられる。このときスパイラル接触子２０の弾性変形部２２は元の立体形状に復元しようとするため、弾性変形部２２には外部接続端子１ａを上方に押し返す弾性力が発生する。

特に、接続の対象が半田ボールのように球状の接続端子１ａである場合には、外部接続端子１ａの外表面にスパイラル接触子２０の弾性変形部が螺旋状に巻き付いて接触する。このとき弾性変形部２２が有する鋭角な角や先端部が前記外部接続端子１ａの外表面に形成されている酸化膜を積極的に切り裂いて接触するため、スパイラル接触子２０と外部接続端子１ａ間の接触不良を防止することが可能となる。ただしこのとき、前記スパイラル接触子２０の前記外部接続端子１ａに対する接圧は小さく、前記外部接続端子１ａに対し損傷を与えることはなく、また多数ある外部接続端子１ａに対して均等な接圧を与えやすいため、バーンイン検査等を従来に比べて適切且つ高精度に行うことが出来る。

図５は、図３に示す弾性変形部２２をＡ−Ａ線に沿って膜厚方向に切断し、その切断面を矢印方向から見た断面図である。

本実施形態では、前記弾性変形部２２がＮｉＣｏ合金で形成されたＮｉＣｏ電鋳層４０で形成されている。

ここでＮｉＣｏ合金のＣｏ組成比は１ａｔ％以上で３０ａｔ％以下であることが好ましい。Ｃｏ組成比をこの範囲内に収めることで、微細結晶化でき、またビッカース硬度を３００〜４００Ｈｖの範囲内に収めることが出来る。Ｃｏ組成比を５ａｔ％以上で２０ａｔ％以下にすることがより好適である。

本実施形態では、ＮｉＣｏ合金の平均結晶粒径は２０μｍ以下であることが好ましい。微細結晶化は降伏応力の向上をもたらし、長寿命を得る上で重要な構成要素である。本実施形態では、降伏応力を９００〜１１００ＭＰａの範囲内に設定できる。微細結晶を得るには、上記したＣｏ組成比の適正化のほかに、使用環境温度（バーンイン温度等）や製造工程時に施される熱処理温度の調整も重要である。前記温度は、３００℃以下、好ましくは２００℃以下に設定する。

なお、ＮｉＣｏ合金の平均結晶粒径は、走査型電子顕微鏡にてランダムに３０個の結晶粒の長径を測定し、その平均を算出して特定したものである。

図１４は、ＣｏＮｉ合金の状態図である。図１４に示す斜線箇所が本実施形態での好ましい組成領域である。上記したように使用環境温度や製造工程時での熱処理温度を３００℃以下に設定することで、ＮｉＣｏ合金の結晶構造は面心立方構造（α相）が支配的だと考えられる。

図１５は、Ｎｉ及びＣｏ組成比の異なるＮｉＣｏ合金に対する熱処理温度とビッカース硬度との関係を示すグラフである。ビッカース硬度は、熱処理を施した後、室温（２５℃）にて測定している。

図１５に示すように、Ｎｉ、Ｎｉ_{８０ａｔ％}Ｃｏ_{２０ａｔ％}、Ｎｉ_{７３ａｔ％}Ｃｏ_{２７ａｔ％}、Ｎｉ_{６６．５ａｔ％}Ｃｏ_{３３．５ａｔ％}のいずれの試料でも熱処理温度が３００℃を超えると急激にビッカース硬度が低下する。また、Ｃｏ組成比が大きく成るとビッカース硬度が大きくなることもわかった。本実施形態では、ＮｉＣｏ合金のビッカース硬度は３００〜４００Ｈｖ程度であることが好適であり、あまりビッカース硬度が大きくなると脆くなりバネ折れが生じやすくなるので、図１５に示すＮｉＣｏ合金のうち、Ｎｉ_{８０ａｔ％}Ｃｏ_{２０ａｔ％}やＮｉ_{７３ａｔ％}Ｃｏ_{２７ａｔ％}が好適である。

図５に示す実施形態では、前記弾性変形部２２はＮｉＣｏ電鋳層４０の単層構造で形成される。このとき前記マウント部２１も前記弾性変形部２２と一体に電鋳にて形成されるので、前記マウント部２１もＮｉＣｏ電鋳層４０の単層構造となっている。以下の図６，図７でも同様にマウント部２１は弾性変形部２２と一体に電鋳にて形成されている。

また図５の実施形態に代えて、例えば図６に示すように前記ＮｉＣｏ電鋳層４０の上面４０ａに、ＮｉＣｏ合金よりも比抵抗が小さい、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｉｒのうちいずれか１種にて形成された表面層４１がメッキ形成されてもよい。これにより電子部品１に設けられた外部接続端子１ａのスパイラル接触子２０との接触抵抗を小さくでき好適である。

また図７のように、前記表面層４１は、前記ＮｉＣｏ電鋳層４０の下面４０ｂ側にもメッキ形成されてもよい。

例えば前記スパイラル接触子２０の上面側及び下面側の双方から外部接続端子１ａが接続されるような形態で前記スパイラル接触子２０を使用するときは、図６のような断面形状が外部接続端子１ａとの接触抵抗を適切に低減できる上で効果的である。

また、図示しないが、例えば前記表面層４１と前記ＮｉＣｏ電鋳層４０との間や、ＮｉＣｏ電鋳層４０の内部に、ＮｉＣｏ合金とは別の合金層がラミネートされているような形態も適用できる。別の合金層には例えばＮｉＣｏ合金と同様にばね特性に優れるＮｉＰ合金を提示できる。ただし、ＮｉＰのメッキ速度は、ＮｉＣｏ合金のメッキ速度に比べてかなり遅いので、生産性の向上を図るために、ＮｉＰ合金は薄い膜厚で形成し、大部分を前記ＮｉＣｏ電鋳層４０にて形成する。あるいは、例えば図５のＮｉＣｏ電鋳層４０の上面、下面及び両側面を囲むように無電解メッキ法にてＮｉＰ等のメッキ層を形成してもよい。

図５〜図７に示す弾性変形部２２を幅方向（幅方向とは弾性変形部２２の幅寸法を二分する中心線に対する接線と直交する法線の方向）に沿って膜厚方向へ切断した断面に占める前記ＮｉＣｏ電鋳層４０の断面積比｛（ＮｉＣｏ電鋳層４０の断面積／全体の断面積）×１００（％）｝は、５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。これによりばね特性に優れたスパイラル接触子２０に出来る。

前記スパイラル接触子２０の製造方法について説明する。図８ないし図１３は、前記基台１１上に前記スパイラル接触子２０を取付け、前記スパイラル接触子２０の弾性変形部２２を上方に向けて立体成形するまでの前記スパイラル接触子２０の製造方法を示す一工程図である。なお、各図のスパイラル接触子は、製造工程中のスパイラル接触子を図３に示すＢ−Ｂ線に沿って膜厚方向に切断し矢印方向から見た部分断面図である。

図８に示す工程では、例えばＣｕで形成された基板５０上にレジスト層５１を塗布し、前記レジスト層５１に対しスパイラル接触子２０の形状の抜きパターン５１ａを露光現像により形成する。

次に図９に示す工程では、前記抜きパターン５１ａ内に、ＮｉＣｏ合金を電鋳する。このときメッキ浴条件としては、メッキ浴中にスルファミン酸ニッケルを５００〜６５０ｇ／Ｌ、酸化ニッケルを５〜１５ｇ／Ｌ、ホウ酸を３５〜４５ｇ／Ｌ、Ｃｏを２〜７ｇ／Ｌ添加する。またメッキ浴温度を６０℃程度に設定し、電流密度を５〜６Ａ／ｄｍ^２程度に設定する。これによりＮｉＣｏ合金のＣｏ組成比を１ａｔ％〜３０ａｔ％、好ましくは５ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲に設定できる。

ＮｉＣｏ合金のメッキ速度は１μｍの膜厚をメッキするのに１分程度である。これに対しＮｉＰの場合、無電解メッキでは、メッキ速度が１μｍの膜厚をメッキするのに１０分ほどかかる。電解メッキ法ではさらにメッキ速度が遅い。またＮｉＷの場合でも、電解メッキで、１μｍの膜厚をメッキするのに５分ほどかかる。

このようにＮｉＣｏ合金を使用することで、メッキ速度をかなり速くでき、生産性を向上させることが可能である。

図６や図７のように表面層４１をメッキ形成する場合は、図８工程と図９工程の間や（すなわち抜きパターン５１ａから露出する基板５０表面に）、図９工程と図１０工程の間に（すなわち抜きパターン５１ａ内のＮｉＣｏ電鋳層４０上に）、前記表面層４１を電解メッキ法にてメッキ形成する。

以上によりＮｉＣｏ合金からなるスパイラル接触子２０を形成できる。続いて図１０工程では、前記基板５０に形成された多数のスパイラル接触子２０を夫々ばらばらにならないように、図４で説明した弾性変形部２２の位置に貫通孔２７ａが形成された樹脂シート（支持部材）２７を各スパイラル接触子２０のマウント部２１に接着剤等を介して貼り付ける。

そして基板５０を除去すると図１１のように、スパイラル接触子２０が樹脂シート２７にて支持された接触子シート５２が完成する。前記基板５０の除去にはドライエッチングやウエットエッチング等を用いることが出来る。

次に、図１２に示すように、貫通孔１１ａが設けられた基台１１上に、接触子シート５２を置き、このとき、ちょうど前記スパイラル接触子２０の弾性変形部２２が前記基台１１の貫通孔１１ａと高さ方向にて一致するように、前記弾性変形部２２と貫通孔１１ａとを位置合わせし、前記スパイラル接触子２０のマウント部２１及び樹脂シート２７を前記基台１１上に導電接着剤２９を用いて接合する。このとき、前記スパイラル接触子２０のマウント部２１は前記基台１１の表面導電部２６に導通接続される。

次に図１３に示すように、スパイラル接触子２０の下方から前記貫通孔１１ａ内に突出調整部材７０を介入させ、前記突出調整部材７０を上方へ押し上げる。

図１２に示すように前記突出調整部材７０の押し上げによって前記スパイラル接触子２０の弾性変形部２２は上方へ押し上げられる。このとき熱処理を施しながら前記突出調整部材７０の押し上げを行い、所定時間が経過した後、前記突出調整部材７０を取り除く。

上記のように前記弾性変形部２２に対する立体成形を、熱処理を施しながら行なうことで、前記突出調整部材７０を取り除いても前記弾性変形部２２は上方に突出した状態で維持される。

上記のように弾性変形部２２の立体成形工程は加熱下で行なわれるが、本実施形態では加熱温度を３００℃以下、好ましくは２００℃以下に設定する。これにより、前記弾性変形部２２を構成するＮｉＣｏ電鋳層４０の２０ｎｍ以下の微細結晶状態を適切に保つことができ、またビッカース硬度の低下も抑えることができる（図１５）。

なお前記スパイラル接触子２０の弾性変形部２２は螺旋形状以外の形状であってもかまわない。ただし前記弾性変形部２２が螺旋形状であると、前記電子部品１の接続端子１ａがどのような形状であっても、前記弾性変形部２２は、前記接続端子１ａの周囲を囲むように変形しやすく、前記弾性変形部２２と前記接続端子１ａとの接触面積が広がり前記接続端子１ａとの接触性を確実なものにできるため好ましい。

また立体成形の手法としては図１３に示す突出調整部材７０によって前記弾性変形部２２を上方に突き上げた状態で熱処理する手法によらず、例えば円錐状の基板上に渦巻き状の弾性変形部２２を形成し、前記基板を取り除いた後に上記した加熱処理、あるいは加熱処理を施した後、または前記加熱処理を施さず、前記基板を除去する手法により、前記弾性変形部２２を立体成形してもよい。

また検査装置としてバーイン試験装置を例に挙げたが他の検査装置にも本実施形態を適用できる。

また電子部品１を装置内に組み込んだときに、外部接続端子１ａとスパイラル接触子２０とを半田等で接合固定してしまう検査装置以外の装置（例えば携帯電話の小型電気機器等）に本実施形態を適用することが可能である。

銅箔の周囲に無電解メッキ法でＮｉ_{８１ａｔ％}Ｐ_{１９ａｔ％}合金を形成して図３に示すスパイラル接触子２０を形成した比較例１、電気メッキ法でＮｉ_{８５ａｔ％}Ｗ_{１５ａｔ％}合金より成るスパイラル接触子２０を形成した比較例２、電気メッキ法でＮｉ_{８５ａｔ％}Ｃｏ_{１５ａｔ％}合金より成るスパイラル接触子２０を形成した実施例の夫々を形成した。

比較例１、比較例２及び実施例の各スパイラル接触子に対し降伏応力、延性、メッキ速度、結晶状態を測定した。合わせて、寿命試験を行い、また使用可能温度を調べた。

寿命試験（耐久性試験）は、各スパイラル接触子の弾性変形部に対し、１０００ＭＰａから１５００ＭＰａの範囲内の応力がかかるまで突起部材を押し込み、その後、前記突起部材を元の位置に戻し、このような前記突起部材の昇降を３０００回まで行い、その間に前記スパイラル接触子が折れるか否かを調べた。

使用環境温度は上記の寿命（３０００回の昇降でも折れが生じない）が得られる温度とした。

表１に示すように、実施例１（ＮｉＣｏ合金）では、比較例１（ＮｉＰ合金）と同等の降伏応力、延性、寿命、使用環境温度を得られることがわかった。一方、比較例２（ＮｉＷ合金）は、金属間化合物が析出することで脆いスパイラル接触子２０となり、実施例１，比較例２に比べて降伏応力が低く、また寿命が短く、スパイラル接触子２０を構成するばね材料としては不適合であることがわかった。

また、実施例１（ＮｉＣｏ合金）では、比較例１（ＮｉＰ合金）に比べてメッキ速度が１０倍ほど速く生産性の点で優れていることがわかった。

電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、 図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、 本実施形態におけるスパイラル接触子の形状を示す平面図、 スパイラル接触子の側面図と、前記スパイラル接触子を取り付ける基台の断面図（図２の部分拡大断面図）、 図３に示す弾性変形部をＡ−Ａ線に沿って膜厚方向に切断し矢印方向から見た前記弾性変形部の拡大断面図、 図５とは異なる構造の前記弾性変形部の拡大断面図、 図５及び図６とは異なる構造の前記弾性変形部の拡大断面図、 本実施形態におけるスパイラル接触子の製造方法を示す一工程図（製造工程中のスパイラル接触子を図３に示すＢ−Ｂ線に沿って膜厚方向に切断し矢印方向から見た部分断面図）、 図８の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 図９の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 図１０の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、 基台１１上に前記スパイラル接触子を取付ける工程を示す一工程図（部分断面図）、 前記スパイラル接触子の弾性変形部を上方に向けて立体成形する工程を示す一工程図（部分断面図）、 ＮｉＣｏ合金の状態図、 Ｎｉ及びＣｏ組成比の異なるＮｉＣｏ合金に対する熱処理温度とビッカース硬度との関係を示すグラフ、

符号の説明

１ 電子部品
１ａ 外部接続端子
１０ 接続装置
１１ 基台
２０ スパイラル接触子
２２ 弾性変形部
２３ 基端
２４ 先端
２７ 樹脂シート
４０ ＮｉＣｏ電鋳層
４１ 表面層
５０ 基板
５１ レジスト層
５１ａ 抜きパターン
５２ 接触子シート
７０ 突出調整部材

Claims (16)

1. 弾性変形部を有する弾性接触子において、前記弾性変形部は、ＮｉＣｏ合金で形成されたＮｉＣｏ電鋳層を有して形成されることを特徴とする弾性接触子。
2. ＮｉＣｏ合金のＣｏ組成比は、１ａｔ％以上で３０ａｔ％以下である請求項１記載の弾性接触子。
3. 前記Ｃｏ組成比は５ａｔ％以上で２０ａｔ％以下である請求項２記載の弾性接触子。
4. ＮｉＣｏ合金の平均結晶粒径は２０ｎｍ以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の弾性接触子。
5. 前記弾性変形部は、前記ＮｉＣｏ電鋳層と、前記ＮｉＣｏ電鋳層の上面あるいは下面の少なくともどちらか一方に形成された前記ＮｉＣｏ電鋳層よりも比抵抗が低い表面層とで構成される請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性接触子。
6. 前記表面層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｉｒのうちいずれか１種にてメッキ形成される請求項５記載の弾性接触子。
7. 前記弾性変形部は螺旋状に形成される請求項１ないし６のいずれかに記載の弾性接触子。
8. 前記弾性変形部は立体成形されている請求項１ないし７のいずれかに記載の弾性接触子。
9. 基台と、前記基台に設けられた弾性接触子とを有し、電子部品の外部接続端子が前記弾性接触子の弾性変形部に接触する接続装置において、
   前記弾性変形部が請求項１ないし８のいずれかに記載された構成にて形成されていることを特徴とする接続装置。
10. 弾性変形部を有する弾性接触子の製造方法において、
    （ａ） 前記弾性変形部の形状に形成されたパターン内に、ＮｉＣｏ合金を電鋳する工程、
    を含むことを特徴とする弾性接触子の製造方法。
11. 前記ＮｉＣｏ合金のＣｏ組成比を、１ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内で調整する請求項１０記載の弾性接触子の製造方法。
12. 前記Ｃｏ組成比を、５ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内で調整する請求項１１記載の弾性接触子の製造方法。
13. 前記（ａ）工程よりも後に、
    （ｂ） 前記弾性変形部を３００℃以下の加熱下で立体成形する工程、
    を含む請求項１０ないし１２のいずれかに記載の弾性接触子の製造方法。
14. 前記（ａ）工程において、前記パターン内に、ＮｉＣｏ合金で形成されたＮｉＣｏ電鋳層よりも比抵抗が低い表面層を、前記ＮｉＣｏ電鋳層を形成する前、あるいは形成した後の少なくともどちらかの時にメッキ形成し、これにより、前記ＮｉＣｏ電鋳層の上面あるいは下面の少なくとも一方に前記表面層を設ける請求項１０ないし１３のいずれかに記載の弾性接触子の製造方法。
15. 前記表面層を、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｉｒのうちいずれか１種にてメッキ形成する請求項１４記載の弾性接触子の製造方法。
16. 基台と、前記基台に設けられた弾性接触子とを有し、電子部品の外部接続端子が前記弾性接触子の弾性変形部に接触する接続装置の製造方法において、
    前記弾性変形部を請求項１０ないし１５のいずれかに記載された製造方法にて形成することを特徴とする接続装置の製造方法。

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