JP4204919B2 - コンタクト部品及びその製造方法、並びに該コンタクト部品を有する検査治具 - Google Patents
コンタクト部品及びその製造方法、並びに該コンタクト部品を有する検査治具 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4204919B2 JP4204919B2 JP2003206066A JP2003206066A JP4204919B2 JP 4204919 B2 JP4204919 B2 JP 4204919B2 JP 2003206066 A JP2003206066 A JP 2003206066A JP 2003206066 A JP2003206066 A JP 2003206066A JP 4204919 B2 JP4204919 B2 JP 4204919B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- insulating substrate
- probe
- plating
- contact component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検査対象物上に形成された接触対象部（電極等）に対して電気的な接触を行なうためのコンタクト部品等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体回路等の検査に用いられるコンタクト部品として、例えば、絶縁性基板と、絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路と、絶縁性基板の他方の面に突出して設けられた導電性材料からなるプローブ接点の一形態であるバンプ接点（凸状の接点）を有し、導電性回路とバンプ接点とが、絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続されているコンタクト部品が知られている。
従来、バンプ接点は、ニッケルやニッケル合金などの導電性の金属が用いられ、製造の容易さから、バンプ接点の形成には電解メッキ法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
バンプ接点は、半導体回路などの検査時に、測定対象物である接触対象部（電極等）に対し繰り返し加圧接触を行う。
そのため、バンプ接点の硬度が低いと、バンプ接点に変形・磨耗が生じ、正確な検査が行えず、バンプ接点の寿命が短いという問題があった。また、バンプ接点の硬度を高くすると、バンプ接点にクラックが生じ易くなり、絶縁性基板からバンプ接点が破損しやすくなるという相反する問題があった。
さらに、形成されたバンプ接点が、バンプ接点形成時や繰り返し加圧接触の際に、脱離しやすいという問題があった。このようなバンプ接点の脱離の問題は、従来全く考慮されていなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、以下の構成を有する。
（構成１） メッキ法で形成された接触対象部と接触を行うためのプローブ接点を有するコンタクト部品であって、
前記プローブ接点は、結晶粒径が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の多結晶材料で構成されることを特徴とするコンタクト部品。
（構成２） メッキ法で形成された接触対象部と接触を行うためのプローブ接点を有するコンタクト部品であって、
前記プローブ接点は、金属と炭素を含む材料からなり、前記炭素の含有量が０．２ａｔ％〜１．２ａｔ％であることを特徴とするコンタクト部品。
（構成３） 前記炭素が、金属の炭化物の形で含まれることを特徴とする構成２に記載のコンタクト部品。
（構成４） 前記プローブ接点を構成する主材料がニッケル又はニッケル合金であり、前記炭素が、ニッケルカーバイドの形で含まれることを特徴とする構成２又は３に記載のコンタクト部品。
（構成５） 前記プローブ接点を構成する材料の硬度が、ビッカース硬度で４５０Ｈｖ〜９５０Ｈｖであり、かつ応力が３０ｋｇ／ｍｍ2以下であることを特徴とする構成１〜４のいずれかに記載のコンタクト部品。
（構成６） 構成１〜５のいずれかに記載のコンタクト部品が、
絶縁性基板と、絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路と、絶縁性基板の他方の面に設けられた導電性材料からなるプローブ接点を有し、
前記導電性回路とプローブ接点とが、絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続されていることを特徴とするコンタクト部品。
（構成７） 半導体デバイスの検査に使用される検査治具であって、
構成１〜６のいずれか１つに記載のコンタクト部品と、
絶縁性基板上に配線層が形成された配線基板と、
を少なくとも有することを特徴とする検査治具。
（構成８） 前記配線基板は、絶縁性基板の両面に配線層が形成され、前記配線層が前記絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続された両面配線基板であることを特徴とする構成７に記載の検査治具。
（構成９） 前記配線基板は、絶縁性基板上に多層構造を有する配線層と、絶縁層とを交互に積層した構造を有するとともに、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して隣接する配線層どうしを電気的に接続した多層配線基板であることを特徴とする構成７に記載の検査治具。
（構成１０） 構成６に記載のコンタクト部品の製造方法であって、
絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路となる導電性金属膜が形成された絶縁性基板を準備する工程と、
前記絶縁性基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と、
前記導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続し、メッキ溶液中に浸漬して電解メッキを行い、前記導電性金属膜と電気的に接続されたプローブ接点を形成する工程と、を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。
（構成１１） 前記プローブ接点は、前記メッキ溶液中におけるメッキ溶液に溶解する有機物質の量を調整して、プローブ接点中に含まれる炭素の量を制御することを特徴とする構成１０記載のコンタクト部品の製造方法。
（構成１２） 前記電解メッキは、メッキ電流密度を１Ａ／ｄｍ2以上６０Ａ／ｄｍ2以下とすることを特徴とする構成１０又は１１記載のコンタクト部品の製造方法。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明者は、バンプ接点などのプローブ接点の硬度及び脱離耐性が、プローブ接点の結晶粒経及びプローブ接点中に含まれる炭素の量と密接な関係にあることを見出し、これらを調整することで、プローブ接点の硬度及び脱離耐性をコントロールすることが可能であるとの知見を得た。
【０００６】
具体的には第１に、プローブ接点の硬度及び脱離耐性は、電解メッキ法等で形成されるプローブ接点を構成する材料の結晶粒径を調整することで、コントロールできることが判った。
具体的には、プローブ接点の硬度及び脱離耐性と、結晶粒径との関係に関し、以下の知見を得た。
（１）結晶粒径が大きすぎると、十分な硬度が得られず、又、プローブ接点が脱離しやすいこと。
（２）結晶粒径を小さくすると、硬度は高くなること。
（３）結晶粒径を小さくすると、プローブ接点の表面粗さが小さくなるため、絶縁性基板へのプローブ接点の密着性は良くなり、プローブ接点の脱離耐性が向上すること。
（４）結晶粒径が小さすぎると、硬度が上がりすぎ、プローブ接点にクラック等の欠陥が発生しやすいこと。また、プローブ接点の応力が高くなりこれがプローブ接点の脱離の原因となるため好ましくないこと。
（５）上記（１）〜（４）から、好ましい結晶粒径は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、更に好ましくは１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下であること。プローブ接点材料がニッケル又はニッケル合金の場合は、１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が好ましいこと（構成１）。
以上のように、本第１発明は、硬度を高くする（所定の硬度を得る）目的で結晶粒径を小さくした（所定の結晶粒径とした）ものである。
【０００７】
第２に、プローブ接点を電解メッキ法等で製造する際に、金属と炭素を含む材料からなるプローブ接点中に炭素が所定量（０．２ａｔ％〜１．２ａｔ％）含まれるようにする（構成２）と、硬度を高く（具体的には４５０Ｈｖ以上９５０Ｈｖ以下に）できることが判った。プローブ接点中に含まれる炭素の量コントロールすることで、結果的に所望の結晶粒径を有するプローブ接点が得られ、プローブ接点の硬度を所定の範囲に調整することができると考えられる。そのメカニズムは定かではないが、電解メッキ法等でプローブ接点が形成されていく過程において、炭素添加によりプローブ接点を構成する結晶の粒径が小さくなるとともに、各金属結晶の粒界に炭素が集中することで硬度が高くなるか、又は、プローブ接点を構成する結晶の粒径が小さくなるとともに、金属の結晶の間に硬度が高い金属の炭化物入り込みプローブ接点全体として硬度が高くなると考えられる。
また、プローブ接点中に含まれる炭素は、金属の炭化物（例えばニッケルカーバイドなどのニッケルの炭化物等）の形で存在することが好ましいことが判った（構成３、４）。
また、プローブ接点中に炭素を含むことで、プローブ接点の耐摩耗性、耐蝕性を向上できること、更には、プローブ接点に含まれるＮｉなどの金属が、接触対象部（例えば、Ａｌ電極等）へ拡散する拡散性を低下させるため好ましいことが判った。
プローブ接点中に含まれる炭素量は、メッキ溶液中にメッキ溶液に溶解する有機物質（後述）を入れ、メッキ条件を調整することによって、調整できる。メッキ溶液中に入れる有機物質に応じて、その量及びメッキ条件を適宜調整する。
プローブ接点中に含まれる炭素含有量は、０．２〜１．５ａｔ％、特に０．２〜１．２ａｔ％であることが好ましく（構成２）、０．３〜１．０５ａｔ％であることが更に好ましい。プローブ接点中に含まれる炭素含有量は、金属の炭化物として含まれる炭素の含有量であることが好ましい。
炭素が少なすぎると、十分な硬度が得られない。炭素が多すぎると、応力が高くなりすぎるとともに、プローブ接点にクラックなどの欠陥が発生しやすくなる。
以上のように、本第２発明は、本第２発明は、硬度を高くする（所定の硬度を得る）目的で所定量の炭素（好ましくは金属の炭化物の形で）を含む構成としたものである。また、結晶粒径を小さくする（所定の結晶粒径を得る）目的で所定量の炭素（好ましくは金属の炭化物の形で）を含む構成としたものである。
【０００８】
本発明において、プローブ接点の好ましい硬度は、ビッカース硬度で４５０〜９５０Ｈｖ（構成５）、更に好ましくは５００〜８００Ｈｖである。
硬度が小さいと、被検査物との接触での変形・摩耗が生じ、正確な測定ができなくなるため、プローブの寿命が短くなる。硬度が高すぎると、プローブ接点にクラックなどの欠陥が発生しやすい。
なお、本発明では、このような、硬度が得られるように、結晶粒径及び炭素含有量を調整する。
【０００９】
本発明において、プローブ接点の好ましい応力（膜応力として測定）は、３０ｋｇ／ｍｍ2以下（構成５）、更に好ましくは２０ｋｇ／ｍｍ2以下、より好ましくは１５ｋｇ／ｍｍ2以下である。
応力が大きすぎると、プローブ接点の脱離が生じ易くなる。
なお、本発明では、このような、応力が得られるように、結晶粒径及び炭素含有量を調整する。
【００１０】
以上のように、本発明によれば、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品が得られる。
このように、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品は、半導体デバイス等の検査に使用される検査治具におけるコンタクト部品として適する。
特に、バーンイン試験などのコンタクトボードに使用されるコンタクト部品に適した硬度のプローブ接点を有し、かつプローブ接点の脱離を防止できるプローブ接点を備えるコンタクトボードが得られる。
【００１１】
なお、本第１及び第２発明は、プローブ接点のメッキ被膜としても有用である。つまり、上記構成１〜５等において、「プローブ接点」を「プローブ接点のメッキ被膜」と読み替えた場合においても有用である。
本発明で言うメッキ法には、電解メッキ法、無電解メッキ法などが含まれ、いずれも本発明に適用できる。半導体デバイス等の検査に使用される検査治具におけるコンタクト部品用のプローブ接点の場合、孔径が数μｍ〜数百μｍと小さい径の場合、電解メッキ法が品質良く作製できるので有利である。孔径がｍｍオーダーと大きい径の場合は、無電解メッキ法でも作製できる。
【００１２】
（添加剤の種類）
メッキ溶液中に入れる有機物質としては、メッキ溶液に溶解する有機物質であって、プローブ接点を電解メッキ法（電気メッキ法）等で製造する際に、プローブ接点中に炭素が取り込まれる作用を有する有機物質であれば良い。例えば、炭酸（Ｈ2ＣＯ3）、二酸化炭素（ＣＯ2）、サッカリン、ショ糖、ブドウ糖などであっても良い。
このような有機物質としては、一般にメッキで使用される光沢剤などの添加剤を使用することができる。添加剤として、膜の硬度を上昇させる作用を有するもの（以下硬度増強剤）を使用すると、本発明との相乗作用を期待できるので、好ましい。硬度が高くなるに従い、一般に膜応力が高くなる傾向にあるため、応力の緩和作用を有する添加剤（以下応力緩和剤）を組み合わせて使用すると、本発明との相乗作用を期待できるので、好ましい。
硬度増強剤の例としては、（１）ＣとＯの二重結合（Ｃ＝Ｏ）を有するもの（例えば、カーボンモノオキサイド、ケトン、アルデヒド、ホルマリン、タマリン、アルコキシタマリン、カルボン酸、ギ酸ニッケル、ギ酸ナトリウム、ゼラチンのようなタンパク質など）、（２）ＣとＣの二重結合（Ｃ＝Ｃ）を有するもの（例えば、アルキレンカルボキシエステル、アルキレンアルデヒド、アリルアルデヒド、アリルアルデヒドのスルフォン化物、アリルビニルアルカロイド、タマリンとその誘導体など）、（３）ＣとＣの三重結合（Ｃ≡Ｃ）を有するもの（例えば、アセチレン誘導体、アセチレン系アルコール、１，４ブチンジオール、プロパギルアルコールなど）、（４）各種染料、（５）ＣとＮの三重結合（Ｃ≡Ｎ）を有するもの（例えば、エチレンシアノヒドリンなど）、（６）Ｎ−Ｃ＝Ｓ結合を有するもの（例えば、チオ尿素、チオリンゴ酸、チオ尿素の環状化合物など）、（７）ＮとＮの二重結合（Ｎ＝Ｎ）を有するもの（アゾ染料など）、（８）ＣとＯの一重結合（Ｃ−Ｏ）を有するもの（例えば、ブドウ糖）、が挙げられる。
応力緩和剤の例としては、以下に列挙するような「＝Ｃ−」の結合を有する物質、（１）芳香族炭化水素（ベンゼン、ナフタレンなど）、（２）芳香族炭化水素の置換体（トルエン、キシレン、ナフチルアミン、トルイジン、ベンジルナフタレンなど）、（３）アルキル鎖状化合物（ビニル、アニルなど）、（４）スルフォン酸、スルフォン酸塩（モノ，ジ，トリのナフタリンスルフォン酸ナトリウムなど）、スルフォン酸アミド（サッカリンパラトルエンスルフォンアミドなど）、スルフォン酸イミド、スルフォンなど、が挙げられる。
【００１３】
次に、本発明のコンタクト部品について説明する。
図１は本発明によるコンタクト部品の一形態を模式的に示す断面図である。同図に示すコンタクト部品では、絶縁性基板１の一方の面にバンプ接点２が設けられ、絶縁性基板１の他方の面に導電性回路の一部を構成する電極３が設けられている。絶縁性基板１にはスルーホール５が形成されており、バンプ接点２と導電性回路の一部を構成する電極３とは、絶縁性基板を挟んで互いに表裏に位置するもの同士が、スルーホール５内部の導電性物質からなる導通部４によって導通されている。
【００１４】
コンタクト部品に使用する絶縁性基板は、電気絶縁性を有するものであれば特に限定されないが、絶縁性とともに可撓性を有するものが好ましく、具体的には、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ＡＢＳ系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂など、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず目的に応じて選択できる。これらの樹脂のうち、バーインボードやプローブカードなどの用途で使用されるコンタクト部品では、優れた耐熱性や耐薬品性、さらに機械的強度を発揮するポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。絶縁性基板の厚さは任意に選択できるが、十分な機械的強度や可撓性を有するようにするため、通常、２μｍ〜５００μｍ、好ましくは１０μｍ〜１５０μｍである。さらに、バーインボードやプローブカードなどの用途で使用されるコンタクト部品では、１０μｍ〜５０μｍ程度の絶縁性樹脂フィルムが良い。
【００１５】
導電性回路の一部を構成する電極は、絶縁性基板に対してバンプ接点を形成すべき位置の内部または裏面に相当する位置に形成され、バンプ接点と導通されるものである。導電性回路は、導体・半導体によって形成された回路パターンの他に、接点部、コイル、抵抗体、コンデンサなどの回路を構成する要素を包含する。よって導電性回路は導電性パターンと言うこともできる。導電性回路は絶縁性基板外（例えば配線基板など）に形成することもできる。導電性回路やその一部を構成する電極の材料としては、導体・半導体を問わず導電性を有するものであれば特に限定されないが、公知の良導体金属が好ましい。例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、鉄、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれらを成分とする各種合金、例えば半田、ニッケル−錫、金−コバルトなどが挙げられる。また、上記金属、合金などから複数種類を用いて積層構造としてもよい。また、導電性回路やその一部を構成する電極の厚みは限定されない。
導電性回路やその一部を構成する電極を形成する方法としては、絶縁性基板の全面に導電性材料層を形成し、目的の回路パターンを残すように他の部分をエッチング等によって除去する方法等が挙げられる。
【００１６】
導電性回路の一部を構成する電極とバンプ接点とを連通させるためのスルーホールの孔径は限定されないが、隣合ったスルーホール同士がつながらない程度にまで大きくすることによって、導通部の電気抵抗を小さくできるので好ましい。スルーホールの実用的な孔径は、５μｍ〜２００μｍ、特に１０μｍ〜８０μｍ程度が好ましい。スルーホールの形成方法としては、レーザー加工法、フォトリソグラフィー加工法、絶縁性基板と耐薬品性の異なるレジストなどを用いた化学エッチング法、プラズマ加工法、パンチングなどの機械的加工法、などの方法が挙げられる。これらの方法のなかでも、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーなどによるレーザー加工は、スルーホールを任意の孔径や孔間ピッチにて微細加工が可能であり、バンプ接点のファインピッチ化に対応でき、好ましい方法である。なお、スルーホールは、絶縁性基板面に対して垂直に形成するだけでなく、絶縁性基板面に対して所定の角度を成すように形成し、互いに真裏の位置から少しずれた関係にある電極とバンプ接点とを導通させることもできる。
【００１７】
導通部はスルーホール内に形成されて接点部と導電性回路の一部を構成する電極とを電気的に接続しうるものであれば良く、スルーホール内に導電性物質を充填してなるもの、スルーホールメッキのように貫通孔の壁面に導通性物質の層を形成してなるものなどが例示される。導通部の形成方法としては、電解メッキ法や無電解メッキ法、ＣＶＤ法などの成膜方法、機械的に導電性物質をスルーホール内にはめ込む方法、などが挙げられる。これらの方法のなかでも、スルーホール内に導電性回路の一部を構成する電極を露出させ、この電極を負極として電解メッキによってスルーホール内に導電性物質を充填する方法が、確実な導通が得られ、かつ簡便であるので好ましい。
【００１８】
プローブ接点（バンプ接点を含む）の形状は、絶縁性基板面からの突出の有無を問わず、接触対象部の形状に応じて、凸状、凹状、平坦パッド状、どのような形状であっても良いが、公知のバンプ接点と同様、半球状に突起したものが最も有用である。ここでいう半球状とは完全な半球だけではなく、単調な曲面をもって突起した形状をも含む。
プローブ接点の表面は滑らかな鏡面の状態であっても、粗面化していても良い。接触信頼性を向上させるためには、粗面化している方が好ましい。粗面化の方法としては、やすりなどで機械的に粗らす方法や、薬液などで化学的に粗らす方法、フォトリソで凹凸を形成する方法、粗面が形成される条件（無光沢など）でプローブ接点表面に表層を形成する方法などがある。表層の材料としては、ロジウム、ルテニウム、コバルト、クロム、タングステンなどを使用することができる。
プローブ接点（バンプ接点を含む）の形成材料としては、特に限定されないが、メッキ法で形成するため、金属や合金であって、公知のバンプに用いられる安価な良導体金属が好ましいものであり、ニッケル、ニッケル・錫合金、ニッケル・パラジウム合金、銅などが例示される。
【００１９】
次に、本発明のコンタクト部品の製造方法について説明する。
本発明のコンタクト部品の製造方法は、絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路となる導電性金属膜が形成された絶縁性基板を準備する工程と、前記絶縁性基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と、前記導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続し、メッキ溶液中に浸漬して電解メッキを行い、前記導電性金属膜と電気的に接続されたプローブ接点を形成する工程と、を有している（構成１０）。
絶縁性基板、導電性金属膜、及びプローブ接点の材料は上述に挙げたものを使用することができる。
また、前記プローブ接点は、メッキ溶液中におけるメッキ溶液に溶解する有機物質の量を調整して、プローブ接点中に含まれる炭素の量を制御して所望の硬度と所望の応力となるようにする（構成１１）。
メッキ溶液中に溶解する有機物質は上述に挙げたものを使用することができる。
また、前記電解メッキにおけるメッキ電流密度は主にプローブ接点の応力を制御することができる。メッキ電流密度は１Ａ／ｄｍ2以上６０Ａ／ｄｍ2以下とすることが好ましい（構成１２）。
メッキ溶液中に溶解する有機物質を添加した場合、メッキ電流密度が大きくなるにしたがって、プローブ接点の応力が小さくなる傾向になる。メッキ電流密度が１〜５Ａ／ｄｍ2以下の範囲では、メッキ電流密度が大きくなるに従ってプローブ接点の応力が急激に大きくなり（メッキ電流密度が小さくなるに従ってプローブ接点の応力が急激に小さくなり）、５Ａ／ｄｍ2以上の範囲では、メッキ電流密度が大きくなるに従ってプローブ接点の応力は緩やかに小さくなる（メッキ電流密度が小さくなるに従ってプローブ接点の応力は緩やかに大きくなる）傾向になる。
メッキ電流密度が１Ａ／ｄｍ2より小さいとプローブ接点の硬度、応力ともに変化量が大きくなるので制御しずらくなるとともに、応力が３０ｋｇ／ｍｍ2を超えるのでプロープ接点の脱離が生じ易くなる。また、メッキ電流密度が６０Ａ／ｄｍ2を超えると、プローブ接点の硬度、応力ともに変化量が小さくなるが、メッキ効率が低下するので好ましくない。また、絶縁性基板に設けられた貫通孔内に水素がたまりやすくなり、メッキが成長しずらくなるので好ましくない。
好ましいメッキ電流密度は、４Ａ／ｄｍ2超４０Ａ／ｄｍ2以下とすることが望ましい。
また、メッキ溶液の温度は、多数設けられた貫通孔内全てに空孔なくメッキ成長させるために、３５℃以上８０℃以下、さらに好ましくは４０℃以上６５℃以下が望ましい。
【００２０】
【実施例】
（実施例１〜５及び比較例１〜２）
図１に示すコンタクト部品の作製例を以下に示す。
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板である市販のポリイミドフィルム１１と、導電性回路となる鋼箔１３とを貼り合わせた構造の２層フィルム（例えば、住友金属鉱山（株）社製：エスパーフレックス；ポリイミド膜厚２５μｍ、鋼箔厚１６μｍ）を用い、図２（ｂ）に示すように、ポリイミドフィルム１１におけるバンプ接点を形成する位置にＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を照射し、内径３０μｍのスルーホール１５を形成し、このスルーホールの底面に銅箔１３を露出させた。
次いで、エキシマレーザによるスルーホール加工を行った際にポリイミド表面に付着したカーボンの除去及びポリイミド面のメッキ液に対する濡れ性改善のために、プラズマアッシング処理を行った。
次に、表面側の銅箔面がメッキされないように保護した後、銅箔１３の一部にメッキ用電極を接続しスルーホール１５内に露出した銅箔を負極として、ニッケル合金の電解メッキ（電気メッキ）を行った。詳しくは、図２（ｃ）に示すように、ニッケル合金をスルーホール１５内に析出させて充填し、さらに析出を継続して、ポリイミド面から２５μｍ突出した高さまで半球状に成長させ、バンプ接点１２ａとした。なお、電気メッキの際に、メッキ液へ硬度増強剤及び応力緩和剤を添加するとともに、メッキ条件並びに硬度増強剤及び応力緩和剤の量を調整することによって、結晶粒径及び炭素含有量を変化させた。
最後に、銅箔１３をエッチングによりパターニングして、導電性回路（図示せず）やその一部を構成する電極を形成し、図１に示すコンタクト部品を得た。
【００２１】
バンプ接点部の結晶粒径（ｎｍ）、バンプ接点中の炭素含有量（ニッケルの炭化物として含有される炭素の量）（ａｔ％）、バンプ接点部の硬度（Ｈｖ）、バンプ接点部の応力（ｋｇ／ｍｍ2）、バンプ接点作製直後のバンプ接点部のクラックの有無、バンプ接点作製直後のバンプ接点の脱離性、繰り返し接触に対するバンプ接点の耐久性の有無、を表１それぞれ示す。
なお、バンプ接点部の結晶粒径は、Ｘ線ディフラクトメータにより平均粒子経を測定した。
また、バンプ接点中の炭素の量は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：X-ray Photoelectro Spectroscopy）にて測定した。同様に、金属炭化物の存在は、ＸＰＳにて確認した。
また、バンプ接点部の硬度は、銅板の上に膜厚３０μｍ以上にメッキし、マイクロビッカース硬度計で測定した。
また、バンプ接点部の応力は、スパイラルメッキ応力計で膜応力として測定した。
また、バンプ接点部のクラックの有無は、顕微鏡観察にて実施した。
また、バンプ接点の脱離性の試験は、粘着テープ（例えば、ニチバン（株）社製のセロテープ（登録商標））を用いてテープ脱離（剥離）試験にて実施した。また、バンプ接点の耐久性の有無は、後述するウエハ一括検査用のコンタクトボードの繰り返し接触にて実施した。
【００２２】
【表１】
【００２３】
上記表１から、結晶粒径が大きすぎる場合（比較例２）、十分な硬度が得られず、又、バンプ接点が脱離しやすいことが判る。
また、実施例１〜５から、結晶粒径が小さくなるに従い、硬度が高くなることことが判る。
さらに、結晶粒径が小さすぎる場合（比較例１）、硬度が上がりすぎ、バンプ接点にクラック等の欠陥が発生すること、及び、バンプ接点の応力が高くなること、これらがバンプ接点の脱離の原因となることが判る。
上記表１から、好ましい結晶粒径は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが判る。
また、上記表１から、炭素が少なすぎる場合（比較例２）、十分な硬度が得られないことが判る。また、炭素が多すぎる場合（比較例１）、応力が高くなりすぎるとともに、バンプ接点にクラックなどの欠陥が発生しやすくなり、バンプ接点が脱離しやすくなることが判る。
なお、ＥＳＣＡで分析したところ、各バンプ接点には、ニッケルの炭化物がニッケルカーバイドの形で形成されていることが確認された。
なお、上記表１に示すように、実施例１〜５のコンタクト部品においては、粘着テープによりバンプ接点部の脱離は起こらなかった。比較例２のコンタクト部品では、結晶粒径が大きすぎて密着性が悪いので、バンプ接点部が容易に脱離した。又、比較例１のコンタクト部品においては、バンプ接点作製直後のクラック及び高い応力が高のためと思われるが、やはりバンプ接点の脱離が観察された。
【００２４】
（実施例６）
本実施例では、上記で製造したコンタクト部品を有するウエハ一括検査用のコンタクトボードを製造した。
図３は、本実施例のコンタクトボードを示す図である。
まず、炭化珪素製のリング１６に広げた状態で支持されたポリイミドフィルム１１に、図１で説明したコンタクト部品が形成された、メンブレンリング１０を作製した。
また、メンブレンリング１０のバンプ接点部が突出している側と反対の面に形成された電極等と、ガラス多層配線基板とを電気的に接続するための異方性導電ゴムシート２０を重ね合わせ、更には、ガラス多層配線基板３０を異方性導電ゴムシート２０上に設置し、更にガラス多層配線基板３０上にプリントボードを設置して、ウエハ一括検査用のコンタクトボードを得た。
尚、上述のガラス多層配線基板は、絶縁性基板であるガラス基板上に、多層構造を有する配線層（例えば基板側から、Ｃｒ／Ｃｕ／ＮｉやＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ等）と、絶縁層（例えばポリイミド）とを交互に積層した構造を有するとともに、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して隣接する配線層どうしを電気的に接続したものである。
（バンプ接点の耐久性の評価）
次に、実施例及び比較例のコンタクト部品を用いたコンタクトボードにつき、耐久性の武験を行った。
耐久性の試験は、製造したコンタクトボードを用いて、Ａｌ電極を有する半導体素子が形成されたシリコンウエハ上のＡｌ電極にバンプ接点を繰り返しコンタクトを行い、バンプ接点部の形状と寸法を顕微鏡で観察することにより行った。コンタクト回数は５０００回、接触条件は、１０ｇ／ピン（１バンプ当たり１０ｇ荷重）とした。
実施例１〜５のコンタクトボードは５０００回の接触後も、変形、摩耗がほとんど見られず、２００万回の接触後でも２μｍ程度の変形しかなかった。一方、比較例２のコンタクト部品を用いたコンタクトボードは、５０００回の接触後、硬度が低いため、バンプ接点部の変形が生じるとともに、２０μｍ程度の磨耗が生じていた。比較例１のコンタクト部品を用いたコンタクトボードでは、５０００回コンタクト後には、接点部に予めあるクラックや高い応力に起因して、バンプ接点部の破損、脱離が観察された。以上の結果を、耐久性の有無として表１に示す。
なお上述の実施例６におけるコンタクトボードには、ガラス多層配線基板を挙げたがこれに限らず、ガラス基板などの絶縁性基板の両面に配線層を形成し、この配線層が絶縁性基板を貫通する貫通孔に設けられた導電部材を介して電気的に接続された両面配線基板を用いても良い。もちろん、この両面配線基板における配線層は、上述のように絶縁層を介して積層された多層の配線層を有する多層構造としても良く、このような多層両面配線基板を用いても良い。
【００２５】
なお、本発明のコンタクト部品は、実施例に記載したウエハ一括バーイン試験の用途に使用される以外に、ＣＳＰ（Chip Size Package）検査用、１チップバーイン検査用のテープキャリア用、バーンインプローブカード用、メンブレンプローブカード用、などとして好適に用いることができる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、プローブ接点の結晶粒経やプローブ接点中に含まれる炭素の量を調整することで、プローブ接点の硬度及び脱離耐性をコントロールすることが可能なる。従って、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品が得られる。
このように、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品は、半導体デバイスの検査に使用される検査治具におけるコンタクト部品として適する。
特に、バーンイン試験などのコンタクトボードに使用されるコンタクト部品に適した硬度のバンプ接点を有し、かつバンプ接点の脱離を防止できるバンプ接点を備えるコンタクトボードが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかるコンタクト部品を説明するための部分断面図である。
【図２】本発明の一実施例におけるコンタクト部品の製造工程を説明するための部分断面図である。
【図３】本発明の実施例で作製したウエハ一括検査用のコンタクトボードを説明するための模式面である。
【符号の説明】
１ 絶縁性基板
２ バンプ接点
３ 導電性回路の一部を構成する電極
４ 導通部
５ スルーホール
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検査対象物上に形成された接触対象部（電極等）に対して電気的な接触を行なうためのコンタクト部品等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体回路等の検査に用いられるコンタクト部品として、例えば、絶縁性基板と、絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路と、絶縁性基板の他方の面に突出して設けられた導電性材料からなるプローブ接点の一形態であるバンプ接点（凸状の接点）を有し、導電性回路とバンプ接点とが、絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続されているコンタクト部品が知られている。
従来、バンプ接点は、ニッケルやニッケル合金などの導電性の金属が用いられ、製造の容易さから、バンプ接点の形成には電解メッキ法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
バンプ接点は、半導体回路などの検査時に、測定対象物である接触対象部（電極等）に対し繰り返し加圧接触を行う。
そのため、バンプ接点の硬度が低いと、バンプ接点に変形・磨耗が生じ、正確な検査が行えず、バンプ接点の寿命が短いという問題があった。また、バンプ接点の硬度を高くすると、バンプ接点にクラックが生じ易くなり、絶縁性基板からバンプ接点が破損しやすくなるという相反する問題があった。
さらに、形成されたバンプ接点が、バンプ接点形成時や繰り返し加圧接触の際に、脱離しやすいという問題があった。このようなバンプ接点の脱離の問題は、従来全く考慮されていなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、以下の構成を有する。
（構成１） メッキ法で形成された接触対象部と接触を行うためのプローブ接点を有するコンタクト部品であって、
前記プローブ接点は、結晶粒径が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の多結晶材料で構成されることを特徴とするコンタクト部品。
（構成２） メッキ法で形成された接触対象部と接触を行うためのプローブ接点を有するコンタクト部品であって、
前記プローブ接点は、金属と炭素を含む材料からなり、前記炭素の含有量が０．２ａｔ％〜１．２ａｔ％であることを特徴とするコンタクト部品。
（構成３） 前記炭素が、金属の炭化物の形で含まれることを特徴とする構成２に記載のコンタクト部品。
（構成４） 前記プローブ接点を構成する主材料がニッケル又はニッケル合金であり、前記炭素が、ニッケルカーバイドの形で含まれることを特徴とする構成２又は３に記載のコンタクト部品。
（構成５） 前記プローブ接点を構成する材料の硬度が、ビッカース硬度で４５０Ｈｖ〜９５０Ｈｖであり、かつ応力が３０ｋｇ／ｍｍ2以下であることを特徴とする構成１〜４のいずれかに記載のコンタクト部品。
（構成６） 構成１〜５のいずれかに記載のコンタクト部品が、
絶縁性基板と、絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路と、絶縁性基板の他方の面に設けられた導電性材料からなるプローブ接点を有し、
前記導電性回路とプローブ接点とが、絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続されていることを特徴とするコンタクト部品。
（構成７） 半導体デバイスの検査に使用される検査治具であって、
構成１〜６のいずれか１つに記載のコンタクト部品と、
絶縁性基板上に配線層が形成された配線基板と、
を少なくとも有することを特徴とする検査治具。
（構成８） 前記配線基板は、絶縁性基板の両面に配線層が形成され、前記配線層が前記絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続された両面配線基板であることを特徴とする構成７に記載の検査治具。
（構成９） 前記配線基板は、絶縁性基板上に多層構造を有する配線層と、絶縁層とを交互に積層した構造を有するとともに、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して隣接する配線層どうしを電気的に接続した多層配線基板であることを特徴とする構成７に記載の検査治具。
（構成１０） 構成６に記載のコンタクト部品の製造方法であって、
絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路となる導電性金属膜が形成された絶縁性基板を準備する工程と、
前記絶縁性基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と、
前記導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続し、メッキ溶液中に浸漬して電解メッキを行い、前記導電性金属膜と電気的に接続されたプローブ接点を形成する工程と、を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。
（構成１１） 前記プローブ接点は、前記メッキ溶液中におけるメッキ溶液に溶解する有機物質の量を調整して、プローブ接点中に含まれる炭素の量を制御することを特徴とする構成１０記載のコンタクト部品の製造方法。
（構成１２） 前記電解メッキは、メッキ電流密度を１Ａ／ｄｍ2以上６０Ａ／ｄｍ2以下とすることを特徴とする構成１０又は１１記載のコンタクト部品の製造方法。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明者は、バンプ接点などのプローブ接点の硬度及び脱離耐性が、プローブ接点の結晶粒経及びプローブ接点中に含まれる炭素の量と密接な関係にあることを見出し、これらを調整することで、プローブ接点の硬度及び脱離耐性をコントロールすることが可能であるとの知見を得た。
【０００６】
具体的には第１に、プローブ接点の硬度及び脱離耐性は、電解メッキ法等で形成されるプローブ接点を構成する材料の結晶粒径を調整することで、コントロールできることが判った。
具体的には、プローブ接点の硬度及び脱離耐性と、結晶粒径との関係に関し、以下の知見を得た。
（１）結晶粒径が大きすぎると、十分な硬度が得られず、又、プローブ接点が脱離しやすいこと。
（２）結晶粒径を小さくすると、硬度は高くなること。
（３）結晶粒径を小さくすると、プローブ接点の表面粗さが小さくなるため、絶縁性基板へのプローブ接点の密着性は良くなり、プローブ接点の脱離耐性が向上すること。
（４）結晶粒径が小さすぎると、硬度が上がりすぎ、プローブ接点にクラック等の欠陥が発生しやすいこと。また、プローブ接点の応力が高くなりこれがプローブ接点の脱離の原因となるため好ましくないこと。
（５）上記（１）〜（４）から、好ましい結晶粒径は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、更に好ましくは１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下であること。プローブ接点材料がニッケル又はニッケル合金の場合は、１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が好ましいこと（構成１）。
以上のように、本第１発明は、硬度を高くする（所定の硬度を得る）目的で結晶粒径を小さくした（所定の結晶粒径とした）ものである。
【０００７】
第２に、プローブ接点を電解メッキ法等で製造する際に、金属と炭素を含む材料からなるプローブ接点中に炭素が所定量（０．２ａｔ％〜１．２ａｔ％）含まれるようにする（構成２）と、硬度を高く（具体的には４５０Ｈｖ以上９５０Ｈｖ以下に）できることが判った。プローブ接点中に含まれる炭素の量コントロールすることで、結果的に所望の結晶粒径を有するプローブ接点が得られ、プローブ接点の硬度を所定の範囲に調整することができると考えられる。そのメカニズムは定かではないが、電解メッキ法等でプローブ接点が形成されていく過程において、炭素添加によりプローブ接点を構成する結晶の粒径が小さくなるとともに、各金属結晶の粒界に炭素が集中することで硬度が高くなるか、又は、プローブ接点を構成する結晶の粒径が小さくなるとともに、金属の結晶の間に硬度が高い金属の炭化物入り込みプローブ接点全体として硬度が高くなると考えられる。
また、プローブ接点中に含まれる炭素は、金属の炭化物（例えばニッケルカーバイドなどのニッケルの炭化物等）の形で存在することが好ましいことが判った（構成３、４）。
また、プローブ接点中に炭素を含むことで、プローブ接点の耐摩耗性、耐蝕性を向上できること、更には、プローブ接点に含まれるＮｉなどの金属が、接触対象部（例えば、Ａｌ電極等）へ拡散する拡散性を低下させるため好ましいことが判った。
プローブ接点中に含まれる炭素量は、メッキ溶液中にメッキ溶液に溶解する有機物質（後述）を入れ、メッキ条件を調整することによって、調整できる。メッキ溶液中に入れる有機物質に応じて、その量及びメッキ条件を適宜調整する。
プローブ接点中に含まれる炭素含有量は、０．２〜１．５ａｔ％、特に０．２〜１．２ａｔ％であることが好ましく（構成２）、０．３〜１．０５ａｔ％であることが更に好ましい。プローブ接点中に含まれる炭素含有量は、金属の炭化物として含まれる炭素の含有量であることが好ましい。
炭素が少なすぎると、十分な硬度が得られない。炭素が多すぎると、応力が高くなりすぎるとともに、プローブ接点にクラックなどの欠陥が発生しやすくなる。
以上のように、本第２発明は、本第２発明は、硬度を高くする（所定の硬度を得る）目的で所定量の炭素（好ましくは金属の炭化物の形で）を含む構成としたものである。また、結晶粒径を小さくする（所定の結晶粒径を得る）目的で所定量の炭素（好ましくは金属の炭化物の形で）を含む構成としたものである。
【０００８】
本発明において、プローブ接点の好ましい硬度は、ビッカース硬度で４５０〜９５０Ｈｖ（構成５）、更に好ましくは５００〜８００Ｈｖである。
硬度が小さいと、被検査物との接触での変形・摩耗が生じ、正確な測定ができなくなるため、プローブの寿命が短くなる。硬度が高すぎると、プローブ接点にクラックなどの欠陥が発生しやすい。
なお、本発明では、このような、硬度が得られるように、結晶粒径及び炭素含有量を調整する。
【０００９】
本発明において、プローブ接点の好ましい応力（膜応力として測定）は、３０ｋｇ／ｍｍ2以下（構成５）、更に好ましくは２０ｋｇ／ｍｍ2以下、より好ましくは１５ｋｇ／ｍｍ2以下である。
応力が大きすぎると、プローブ接点の脱離が生じ易くなる。
なお、本発明では、このような、応力が得られるように、結晶粒径及び炭素含有量を調整する。
【００１０】
以上のように、本発明によれば、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品が得られる。
このように、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品は、半導体デバイス等の検査に使用される検査治具におけるコンタクト部品として適する。
特に、バーンイン試験などのコンタクトボードに使用されるコンタクト部品に適した硬度のプローブ接点を有し、かつプローブ接点の脱離を防止できるプローブ接点を備えるコンタクトボードが得られる。
【００１１】
なお、本第１及び第２発明は、プローブ接点のメッキ被膜としても有用である。つまり、上記構成１〜５等において、「プローブ接点」を「プローブ接点のメッキ被膜」と読み替えた場合においても有用である。
本発明で言うメッキ法には、電解メッキ法、無電解メッキ法などが含まれ、いずれも本発明に適用できる。半導体デバイス等の検査に使用される検査治具におけるコンタクト部品用のプローブ接点の場合、孔径が数μｍ〜数百μｍと小さい径の場合、電解メッキ法が品質良く作製できるので有利である。孔径がｍｍオーダーと大きい径の場合は、無電解メッキ法でも作製できる。
【００１２】
（添加剤の種類）
メッキ溶液中に入れる有機物質としては、メッキ溶液に溶解する有機物質であって、プローブ接点を電解メッキ法（電気メッキ法）等で製造する際に、プローブ接点中に炭素が取り込まれる作用を有する有機物質であれば良い。例えば、炭酸（Ｈ2ＣＯ3）、二酸化炭素（ＣＯ2）、サッカリン、ショ糖、ブドウ糖などであっても良い。
このような有機物質としては、一般にメッキで使用される光沢剤などの添加剤を使用することができる。添加剤として、膜の硬度を上昇させる作用を有するもの（以下硬度増強剤）を使用すると、本発明との相乗作用を期待できるので、好ましい。硬度が高くなるに従い、一般に膜応力が高くなる傾向にあるため、応力の緩和作用を有する添加剤（以下応力緩和剤）を組み合わせて使用すると、本発明との相乗作用を期待できるので、好ましい。
硬度増強剤の例としては、（１）ＣとＯの二重結合（Ｃ＝Ｏ）を有するもの（例えば、カーボンモノオキサイド、ケトン、アルデヒド、ホルマリン、タマリン、アルコキシタマリン、カルボン酸、ギ酸ニッケル、ギ酸ナトリウム、ゼラチンのようなタンパク質など）、（２）ＣとＣの二重結合（Ｃ＝Ｃ）を有するもの（例えば、アルキレンカルボキシエステル、アルキレンアルデヒド、アリルアルデヒド、アリルアルデヒドのスルフォン化物、アリルビニルアルカロイド、タマリンとその誘導体など）、（３）ＣとＣの三重結合（Ｃ≡Ｃ）を有するもの（例えば、アセチレン誘導体、アセチレン系アルコール、１，４ブチンジオール、プロパギルアルコールなど）、（４）各種染料、（５）ＣとＮの三重結合（Ｃ≡Ｎ）を有するもの（例えば、エチレンシアノヒドリンなど）、（６）Ｎ−Ｃ＝Ｓ結合を有するもの（例えば、チオ尿素、チオリンゴ酸、チオ尿素の環状化合物など）、（７）ＮとＮの二重結合（Ｎ＝Ｎ）を有するもの（アゾ染料など）、（８）ＣとＯの一重結合（Ｃ−Ｏ）を有するもの（例えば、ブドウ糖）、が挙げられる。
応力緩和剤の例としては、以下に列挙するような「＝Ｃ−」の結合を有する物質、（１）芳香族炭化水素（ベンゼン、ナフタレンなど）、（２）芳香族炭化水素の置換体（トルエン、キシレン、ナフチルアミン、トルイジン、ベンジルナフタレンなど）、（３）アルキル鎖状化合物（ビニル、アニルなど）、（４）スルフォン酸、スルフォン酸塩（モノ，ジ，トリのナフタリンスルフォン酸ナトリウムなど）、スルフォン酸アミド（サッカリンパラトルエンスルフォンアミドなど）、スルフォン酸イミド、スルフォンなど、が挙げられる。
【００１３】
次に、本発明のコンタクト部品について説明する。
図１は本発明によるコンタクト部品の一形態を模式的に示す断面図である。同図に示すコンタクト部品では、絶縁性基板１の一方の面にバンプ接点２が設けられ、絶縁性基板１の他方の面に導電性回路の一部を構成する電極３が設けられている。絶縁性基板１にはスルーホール５が形成されており、バンプ接点２と導電性回路の一部を構成する電極３とは、絶縁性基板を挟んで互いに表裏に位置するもの同士が、スルーホール５内部の導電性物質からなる導通部４によって導通されている。
【００１４】
コンタクト部品に使用する絶縁性基板は、電気絶縁性を有するものであれば特に限定されないが、絶縁性とともに可撓性を有するものが好ましく、具体的には、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ＡＢＳ系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂など、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず目的に応じて選択できる。これらの樹脂のうち、バーインボードやプローブカードなどの用途で使用されるコンタクト部品では、優れた耐熱性や耐薬品性、さらに機械的強度を発揮するポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。絶縁性基板の厚さは任意に選択できるが、十分な機械的強度や可撓性を有するようにするため、通常、２μｍ〜５００μｍ、好ましくは１０μｍ〜１５０μｍである。さらに、バーインボードやプローブカードなどの用途で使用されるコンタクト部品では、１０μｍ〜５０μｍ程度の絶縁性樹脂フィルムが良い。
【００１５】
導電性回路の一部を構成する電極は、絶縁性基板に対してバンプ接点を形成すべき位置の内部または裏面に相当する位置に形成され、バンプ接点と導通されるものである。導電性回路は、導体・半導体によって形成された回路パターンの他に、接点部、コイル、抵抗体、コンデンサなどの回路を構成する要素を包含する。よって導電性回路は導電性パターンと言うこともできる。導電性回路は絶縁性基板外（例えば配線基板など）に形成することもできる。導電性回路やその一部を構成する電極の材料としては、導体・半導体を問わず導電性を有するものであれば特に限定されないが、公知の良導体金属が好ましい。例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、鉄、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれらを成分とする各種合金、例えば半田、ニッケル−錫、金−コバルトなどが挙げられる。また、上記金属、合金などから複数種類を用いて積層構造としてもよい。また、導電性回路やその一部を構成する電極の厚みは限定されない。
導電性回路やその一部を構成する電極を形成する方法としては、絶縁性基板の全面に導電性材料層を形成し、目的の回路パターンを残すように他の部分をエッチング等によって除去する方法等が挙げられる。
【００１６】
導電性回路の一部を構成する電極とバンプ接点とを連通させるためのスルーホールの孔径は限定されないが、隣合ったスルーホール同士がつながらない程度にまで大きくすることによって、導通部の電気抵抗を小さくできるので好ましい。スルーホールの実用的な孔径は、５μｍ〜２００μｍ、特に１０μｍ〜８０μｍ程度が好ましい。スルーホールの形成方法としては、レーザー加工法、フォトリソグラフィー加工法、絶縁性基板と耐薬品性の異なるレジストなどを用いた化学エッチング法、プラズマ加工法、パンチングなどの機械的加工法、などの方法が挙げられる。これらの方法のなかでも、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーなどによるレーザー加工は、スルーホールを任意の孔径や孔間ピッチにて微細加工が可能であり、バンプ接点のファインピッチ化に対応でき、好ましい方法である。なお、スルーホールは、絶縁性基板面に対して垂直に形成するだけでなく、絶縁性基板面に対して所定の角度を成すように形成し、互いに真裏の位置から少しずれた関係にある電極とバンプ接点とを導通させることもできる。
【００１７】
導通部はスルーホール内に形成されて接点部と導電性回路の一部を構成する電極とを電気的に接続しうるものであれば良く、スルーホール内に導電性物質を充填してなるもの、スルーホールメッキのように貫通孔の壁面に導通性物質の層を形成してなるものなどが例示される。導通部の形成方法としては、電解メッキ法や無電解メッキ法、ＣＶＤ法などの成膜方法、機械的に導電性物質をスルーホール内にはめ込む方法、などが挙げられる。これらの方法のなかでも、スルーホール内に導電性回路の一部を構成する電極を露出させ、この電極を負極として電解メッキによってスルーホール内に導電性物質を充填する方法が、確実な導通が得られ、かつ簡便であるので好ましい。
【００１８】
プローブ接点（バンプ接点を含む）の形状は、絶縁性基板面からの突出の有無を問わず、接触対象部の形状に応じて、凸状、凹状、平坦パッド状、どのような形状であっても良いが、公知のバンプ接点と同様、半球状に突起したものが最も有用である。ここでいう半球状とは完全な半球だけではなく、単調な曲面をもって突起した形状をも含む。
プローブ接点の表面は滑らかな鏡面の状態であっても、粗面化していても良い。接触信頼性を向上させるためには、粗面化している方が好ましい。粗面化の方法としては、やすりなどで機械的に粗らす方法や、薬液などで化学的に粗らす方法、フォトリソで凹凸を形成する方法、粗面が形成される条件（無光沢など）でプローブ接点表面に表層を形成する方法などがある。表層の材料としては、ロジウム、ルテニウム、コバルト、クロム、タングステンなどを使用することができる。
プローブ接点（バンプ接点を含む）の形成材料としては、特に限定されないが、メッキ法で形成するため、金属や合金であって、公知のバンプに用いられる安価な良導体金属が好ましいものであり、ニッケル、ニッケル・錫合金、ニッケル・パラジウム合金、銅などが例示される。
【００１９】
次に、本発明のコンタクト部品の製造方法について説明する。
本発明のコンタクト部品の製造方法は、絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路となる導電性金属膜が形成された絶縁性基板を準備する工程と、前記絶縁性基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と、前記導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続し、メッキ溶液中に浸漬して電解メッキを行い、前記導電性金属膜と電気的に接続されたプローブ接点を形成する工程と、を有している（構成１０）。
絶縁性基板、導電性金属膜、及びプローブ接点の材料は上述に挙げたものを使用することができる。
また、前記プローブ接点は、メッキ溶液中におけるメッキ溶液に溶解する有機物質の量を調整して、プローブ接点中に含まれる炭素の量を制御して所望の硬度と所望の応力となるようにする（構成１１）。
メッキ溶液中に溶解する有機物質は上述に挙げたものを使用することができる。
また、前記電解メッキにおけるメッキ電流密度は主にプローブ接点の応力を制御することができる。メッキ電流密度は１Ａ／ｄｍ2以上６０Ａ／ｄｍ2以下とすることが好ましい（構成１２）。
メッキ溶液中に溶解する有機物質を添加した場合、メッキ電流密度が大きくなるにしたがって、プローブ接点の応力が小さくなる傾向になる。メッキ電流密度が１〜５Ａ／ｄｍ2以下の範囲では、メッキ電流密度が大きくなるに従ってプローブ接点の応力が急激に大きくなり（メッキ電流密度が小さくなるに従ってプローブ接点の応力が急激に小さくなり）、５Ａ／ｄｍ2以上の範囲では、メッキ電流密度が大きくなるに従ってプローブ接点の応力は緩やかに小さくなる（メッキ電流密度が小さくなるに従ってプローブ接点の応力は緩やかに大きくなる）傾向になる。
メッキ電流密度が１Ａ／ｄｍ2より小さいとプローブ接点の硬度、応力ともに変化量が大きくなるので制御しずらくなるとともに、応力が３０ｋｇ／ｍｍ2を超えるのでプロープ接点の脱離が生じ易くなる。また、メッキ電流密度が６０Ａ／ｄｍ2を超えると、プローブ接点の硬度、応力ともに変化量が小さくなるが、メッキ効率が低下するので好ましくない。また、絶縁性基板に設けられた貫通孔内に水素がたまりやすくなり、メッキが成長しずらくなるので好ましくない。
好ましいメッキ電流密度は、４Ａ／ｄｍ2超４０Ａ／ｄｍ2以下とすることが望ましい。
また、メッキ溶液の温度は、多数設けられた貫通孔内全てに空孔なくメッキ成長させるために、３５℃以上８０℃以下、さらに好ましくは４０℃以上６５℃以下が望ましい。
【００２０】
【実施例】
（実施例１〜５及び比較例１〜２）
図１に示すコンタクト部品の作製例を以下に示す。
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板である市販のポリイミドフィルム１１と、導電性回路となる鋼箔１３とを貼り合わせた構造の２層フィルム（例えば、住友金属鉱山（株）社製：エスパーフレックス；ポリイミド膜厚２５μｍ、鋼箔厚１６μｍ）を用い、図２（ｂ）に示すように、ポリイミドフィルム１１におけるバンプ接点を形成する位置にＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を照射し、内径３０μｍのスルーホール１５を形成し、このスルーホールの底面に銅箔１３を露出させた。
次いで、エキシマレーザによるスルーホール加工を行った際にポリイミド表面に付着したカーボンの除去及びポリイミド面のメッキ液に対する濡れ性改善のために、プラズマアッシング処理を行った。
次に、表面側の銅箔面がメッキされないように保護した後、銅箔１３の一部にメッキ用電極を接続しスルーホール１５内に露出した銅箔を負極として、ニッケル合金の電解メッキ（電気メッキ）を行った。詳しくは、図２（ｃ）に示すように、ニッケル合金をスルーホール１５内に析出させて充填し、さらに析出を継続して、ポリイミド面から２５μｍ突出した高さまで半球状に成長させ、バンプ接点１２ａとした。なお、電気メッキの際に、メッキ液へ硬度増強剤及び応力緩和剤を添加するとともに、メッキ条件並びに硬度増強剤及び応力緩和剤の量を調整することによって、結晶粒径及び炭素含有量を変化させた。
最後に、銅箔１３をエッチングによりパターニングして、導電性回路（図示せず）やその一部を構成する電極を形成し、図１に示すコンタクト部品を得た。
【００２１】
バンプ接点部の結晶粒径（ｎｍ）、バンプ接点中の炭素含有量（ニッケルの炭化物として含有される炭素の量）（ａｔ％）、バンプ接点部の硬度（Ｈｖ）、バンプ接点部の応力（ｋｇ／ｍｍ2）、バンプ接点作製直後のバンプ接点部のクラックの有無、バンプ接点作製直後のバンプ接点の脱離性、繰り返し接触に対するバンプ接点の耐久性の有無、を表１それぞれ示す。
なお、バンプ接点部の結晶粒径は、Ｘ線ディフラクトメータにより平均粒子経を測定した。
また、バンプ接点中の炭素の量は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：X-ray Photoelectro Spectroscopy）にて測定した。同様に、金属炭化物の存在は、ＸＰＳにて確認した。
また、バンプ接点部の硬度は、銅板の上に膜厚３０μｍ以上にメッキし、マイクロビッカース硬度計で測定した。
また、バンプ接点部の応力は、スパイラルメッキ応力計で膜応力として測定した。
また、バンプ接点部のクラックの有無は、顕微鏡観察にて実施した。
また、バンプ接点の脱離性の試験は、粘着テープ（例えば、ニチバン（株）社製のセロテープ（登録商標））を用いてテープ脱離（剥離）試験にて実施した。また、バンプ接点の耐久性の有無は、後述するウエハ一括検査用のコンタクトボードの繰り返し接触にて実施した。
【００２２】
【表１】
上記表１から、結晶粒径が大きすぎる場合（比較例２）、十分な硬度が得られず、又、バンプ接点が脱離しやすいことが判る。
また、実施例１〜５から、結晶粒径が小さくなるに従い、硬度が高くなることことが判る。
さらに、結晶粒径が小さすぎる場合（比較例１）、硬度が上がりすぎ、バンプ接点にクラック等の欠陥が発生すること、及び、バンプ接点の応力が高くなること、これらがバンプ接点の脱離の原因となることが判る。
上記表１から、好ましい結晶粒径は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが判る。
また、上記表１から、炭素が少なすぎる場合（比較例２）、十分な硬度が得られないことが判る。また、炭素が多すぎる場合（比較例１）、応力が高くなりすぎるとともに、バンプ接点にクラックなどの欠陥が発生しやすくなり、バンプ接点が脱離しやすくなることが判る。
なお、ＥＳＣＡで分析したところ、各バンプ接点には、ニッケルの炭化物がニッケルカーバイドの形で形成されていることが確認された。
なお、上記表１に示すように、実施例１〜５のコンタクト部品においては、粘着テープによりバンプ接点部の脱離は起こらなかった。比較例２のコンタクト部品では、結晶粒径が大きすぎて密着性が悪いので、バンプ接点部が容易に脱離した。又、比較例１のコンタクト部品においては、バンプ接点作製直後のクラック及び高い応力が高のためと思われるが、やはりバンプ接点の脱離が観察された。
【００２４】
（実施例６）
本実施例では、上記で製造したコンタクト部品を有するウエハ一括検査用のコンタクトボードを製造した。
図３は、本実施例のコンタクトボードを示す図である。
まず、炭化珪素製のリング１６に広げた状態で支持されたポリイミドフィルム１１に、図１で説明したコンタクト部品が形成された、メンブレンリング１０を作製した。
また、メンブレンリング１０のバンプ接点部が突出している側と反対の面に形成された電極等と、ガラス多層配線基板とを電気的に接続するための異方性導電ゴムシート２０を重ね合わせ、更には、ガラス多層配線基板３０を異方性導電ゴムシート２０上に設置し、更にガラス多層配線基板３０上にプリントボードを設置して、ウエハ一括検査用のコンタクトボードを得た。
尚、上述のガラス多層配線基板は、絶縁性基板であるガラス基板上に、多層構造を有する配線層（例えば基板側から、Ｃｒ／Ｃｕ／ＮｉやＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ等）と、絶縁層（例えばポリイミド）とを交互に積層した構造を有するとともに、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して隣接する配線層どうしを電気的に接続したものである。
（バンプ接点の耐久性の評価）
次に、実施例及び比較例のコンタクト部品を用いたコンタクトボードにつき、耐久性の武験を行った。
耐久性の試験は、製造したコンタクトボードを用いて、Ａｌ電極を有する半導体素子が形成されたシリコンウエハ上のＡｌ電極にバンプ接点を繰り返しコンタクトを行い、バンプ接点部の形状と寸法を顕微鏡で観察することにより行った。コンタクト回数は５０００回、接触条件は、１０ｇ／ピン（１バンプ当たり１０ｇ荷重）とした。
実施例１〜５のコンタクトボードは５０００回の接触後も、変形、摩耗がほとんど見られず、２００万回の接触後でも２μｍ程度の変形しかなかった。一方、比較例２のコンタクト部品を用いたコンタクトボードは、５０００回の接触後、硬度が低いため、バンプ接点部の変形が生じるとともに、２０μｍ程度の磨耗が生じていた。比較例１のコンタクト部品を用いたコンタクトボードでは、５０００回コンタクト後には、接点部に予めあるクラックや高い応力に起因して、バンプ接点部の破損、脱離が観察された。以上の結果を、耐久性の有無として表１に示す。
なお上述の実施例６におけるコンタクトボードには、ガラス多層配線基板を挙げたがこれに限らず、ガラス基板などの絶縁性基板の両面に配線層を形成し、この配線層が絶縁性基板を貫通する貫通孔に設けられた導電部材を介して電気的に接続された両面配線基板を用いても良い。もちろん、この両面配線基板における配線層は、上述のように絶縁層を介して積層された多層の配線層を有する多層構造としても良く、このような多層両面配線基板を用いても良い。
【００２５】
なお、本発明のコンタクト部品は、実施例に記載したウエハ一括バーイン試験の用途に使用される以外に、ＣＳＰ（Chip Size Package）検査用、１チップバーイン検査用のテープキャリア用、バーンインプローブカード用、メンブレンプローブカード用、などとして好適に用いることができる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、プローブ接点の結晶粒経やプローブ接点中に含まれる炭素の量を調整することで、プローブ接点の硬度及び脱離耐性をコントロールすることが可能なる。従って、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品が得られる。
このように、耐久性に優れたプローブ接点を有するコンタクト部品は、半導体デバイスの検査に使用される検査治具におけるコンタクト部品として適する。
特に、バーンイン試験などのコンタクトボードに使用されるコンタクト部品に適した硬度のバンプ接点を有し、かつバンプ接点の脱離を防止できるバンプ接点を備えるコンタクトボードが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかるコンタクト部品を説明するための部分断面図である。
【図２】本発明の一実施例におけるコンタクト部品の製造工程を説明するための部分断面図である。
【図３】本発明の実施例で作製したウエハ一括検査用のコンタクトボードを説明するための模式面である。
【符号の説明】
１ 絶縁性基板
２ バンプ接点
３ 導電性回路の一部を構成する電極
４ 導通部
５ スルーホール
Claims (11)
- メッキ法で形成された接触対象部と接触を行うためのプローブ接点を有するコンタクト部品であって、
前記プローブ接点は、
結晶粒径が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のニッケル又はニッケル合金を主材料とした多結晶材料で構成され、
該多結晶材料がビッカース硬度で４５０Ｈｖ〜９５０Ｈｖであり、かつ応力３０ｋｇ／ｍｍ 2 以下である
ことを特徴とするコンタクト部品。 - メッキ法で形成された接触対象部と接触を行うためのプローブ接点を有するコンタクト部品であって、
前記プローブ接点は、
ニッケル又はニッケル合金に炭素がニッケルカーバイドの形で含まれる材料で形成され、
該材料中の炭素の含有量が０．２ａｔ％以上１．２ａｔ％以下であることを特徴とするコンタクト部品。 - 前記プローブ接点を構成する材料の硬度が、ビッカース硬度で４５０Ｈｖ〜９５０Ｈｖであり、かつ応力が３０ｋｇ／ｍｍ2以下であることを特徴とする請求項２に記載のコンタクト部品。
- 請求項１〜３のいずれかに記載のコンタクト部品が、
絶縁性基板と、絶縁性基板の一方の面に設けられた導電性回路と、絶縁性基板の他方の面に設けられた導電性材料からなるプローブ接点を有し、
前記導電性回路とプローブ接点とが、絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続されていることを特徴とするコンタクト部品。 - 半導体デバイスの検査に使用される検査治具であって、
請求項１〜４のいずれか１つに記載のコンタクト部品と、
絶縁性基板上に配線層が形成された配線基板と、
を少なくとも有することを特徴とする検査治具。 - 前記配線基板は、絶縁性基板の両面に配線層が形成され、前記配線層が前記絶縁性基板を貫通する貫通孔を通じて電気的に接続された両面配線基板であることを特徴とする請求項５に記載の検査治具。
- 前記配線基板は、絶縁性基板上に多層構造を有する配線層と、絶縁層とを交互に積層した構造を有するとともに、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して隣接する配線層どうしを電気的に接続した多層配線基板であることを特徴とする請求項５に記載の検査治具。
- 導電性金属膜が一方の面に形成された絶縁性基板を準備する第１工程と、
前記絶縁性基板の所定位置に貫通孔を形成する第２工程と、
前記導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続し、メッキ溶液中に浸漬して電解メッキを行い、前記導電性金属膜と電気的に接続されたプローブ接点を形成する第３工程と、
を有するコンタクト部品の製造方法であって、
前記第３工程は、結晶粒径１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、ビッカース硬度４５０Ｈｖ〜９５０Ｈｖ及び応力３０ｋｇ／ｍｍ 2 以下のニッケル又はニッケル合金を主材料とした多結晶材料でプローブ接点を形成する工程を含む
ことを特徴とするコンタクト部品の製造方法。 - 導電性金属膜が一方の面に形成された絶縁性基板を準備する第１工程と、
前記絶縁性基板の所定位置に貫通孔を形成する第２工程と、
前記導電性金属膜にメッキ用電極の一方を接続し、メッキ溶液中に浸漬して電解メッキを行い、前記導電性金属膜と電気的に接続されたプローブ接点を形成する第３工程と、
を有するコンタクト部品の製造方法であって、
前記第３工程は、前記メッキ溶液中におけるメッキ溶液に溶解する有機物質の量を調整して、プローブ接点中に含まれる炭素の量を制御する工程を含むことを特徴とするコンタクト部品の製造方法。 - 前記第３工程は、 前記プローブ接点は、前記メッキ溶液中におけるメッキ溶液に溶解する有機物質の量を調整して、プローブ接点中に含まれる炭素含有量を０．２ａｔ％以上１．２ａｔ％以下に制御する工程を含むことを特徴とする請求項９記載のコンタクト部品の製造方法。
- 前記電解メッキは、メッキ電流密度を１Ａ／ｄｍ2以上６０Ａ／ｄｍ2以下とすることを特徴とする請求項９又は１０記載のコンタクト部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003206066A JP4204919B2 (ja) | 2002-08-07 | 2003-08-05 | コンタクト部品及びその製造方法、並びに該コンタクト部品を有する検査治具 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002229447 | 2002-08-07 | ||
| JP2003206066A JP4204919B2 (ja) | 2002-08-07 | 2003-08-05 | コンタクト部品及びその製造方法、並びに該コンタクト部品を有する検査治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004125782A JP2004125782A (ja) | 2004-04-22 |
| JP4204919B2 true JP4204919B2 (ja) | 2009-01-07 |
Family
ID=32300875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003206066A Expired - Fee Related JP4204919B2 (ja) | 2002-08-07 | 2003-08-05 | コンタクト部品及びその製造方法、並びに該コンタクト部品を有する検査治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4204919B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011065250A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-11 | アルプス電気株式会社 | フォースセンサ |
-
2003
- 2003-08-05 JP JP2003206066A patent/JP4204919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004125782A (ja) | 2004-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101047682B1 (ko) | 콘택 부품과 그 제조방법 및 콘택 부품을 구비한 검사 기구 | |
| TW508440B (en) | Probe structure and manufacturing method thereof | |
| KR20110038457A (ko) | 무전해 니켈 도금층을 갖는 금속배선 구조 및 그 제조방법 | |
| US7688095B2 (en) | Interposer structures and methods of manufacturing the same | |
| US7504839B2 (en) | Flexible circuit with micro-sized probe tips and a method of making the same | |
| JP4204919B2 (ja) | コンタクト部品及びその製造方法、並びに該コンタクト部品を有する検査治具 | |
| JP3246841B2 (ja) | プローブ構造 | |
| JP3601697B2 (ja) | プローブ構造及びその製造方法、並びにウエハ一括コンタクトボード及びその製造方法 | |
| JP2010038803A (ja) | コンタクトプローブ及びコンタクトプローブの製造方法 | |
| JPH06347480A (ja) | プローブ構造 | |
| JPH09101326A (ja) | プローブ構造 | |
| JP3645202B2 (ja) | コンタクト部品及びその製造方法 | |
| JP2002198635A (ja) | 配線板及びその製造方法 | |
| JP2008311017A (ja) | 接続装置 | |
| JP4074297B2 (ja) | プローブユニットの製造方法 | |
| CN110178181B (zh) | 布线电路基板及其制造方法 | |
| JP6904194B2 (ja) | 配線基板用積層体及びその製造方法 | |
| TWI482539B (zh) | 用於記憶卡之印刷電路板及其製造方法 | |
| JP6904195B2 (ja) | フレキシブル配線基板及びその製造方法 | |
| JP2005200708A (ja) | メッキ層の製造方法、及び前記メッキ層の製造方法を用いた接続装置の製造方法 | |
| CN116819142A (zh) | 一种晶圆测试探针及其制备方法 | |
| JP2000124571A (ja) | ボンディング用プリント配線板 | |
| JP2006294420A (ja) | 半田付用端子、及びその製造方法 | |
| JP2000162240A (ja) | 検査治具及びその製造方法 | |
| JPH10321976A (ja) | 接点部を有する回路基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040422 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060313 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071009 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071210 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081014 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081015 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131024 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |