JP2008072048A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008072048A JP2008072048A JP2006251250A JP2006251250A JP2008072048A JP 2008072048 A JP2008072048 A JP 2008072048A JP 2006251250 A JP2006251250 A JP 2006251250A JP 2006251250 A JP2006251250 A JP 2006251250A JP 2008072048 A JP2008072048 A JP 2008072048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- cassette
- wafer
- tweezer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】ツィーザをセラミック製とすることによるパーティクルの問題をセルフメンテナンスによって解決することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ1をツィーザ25によって保持してカセット2とボート28との間で移載するウエハ移載装置23を有する酸化・拡散装置において、移載室内のウエハ移載装置23の待機位置30にツィーザ25にガス33を吹き付けるガス吹き付け機構31を設置し、ガス吹き付け機構31から吹き出されたガス33を吸引する吸引機構36をツィーザ33を挟んでガス吹き付け機構31に対向するように設置する。吸引機構36を構成する吸引排気配管38にはパーティクルモニタ39を取り付け、吸引機構36にはイオナイザ40を設ける。これによりツィーザに付着または吸着したパーティクル等を吹き付けたガスによって洗浄することができる。
【選択図】図3
【解決手段】ウエハ1をツィーザ25によって保持してカセット2とボート28との間で移載するウエハ移載装置23を有する酸化・拡散装置において、移載室内のウエハ移載装置23の待機位置30にツィーザ25にガス33を吹き付けるガス吹き付け機構31を設置し、ガス吹き付け機構31から吹き出されたガス33を吸引する吸引機構36をツィーザ33を挟んでガス吹き付け機構31に対向するように設置する。吸引機構36を構成する吸引排気配管38にはパーティクルモニタ39を取り付け、吸引機構36にはイオナイザ40を設ける。これによりツィーザに付着または吸着したパーティクル等を吹き付けたガスによって洗浄することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に酸化や拡散やCVD等の処理を施すのに利用して有効な技術に関する。
ICの製造方法において、ウエハに酸化や拡散を施すのにバッチ式ホットウオール形熱処理装置の一例であるバッチ式ホットウオール形酸化・拡散装置(以下、酸化・拡散装置という。)が、使用されている。
一般に、酸化・拡散装置は、オープンカセットやポッド(FOUP)等のキャリアに収容されたウエハを、スカラ形ロボット(selective compliance assembly robot arm SCARA)であるウエハ移載装置(wafer transfer equipment )のツィーザによって掬い取ってボートに移載するように、構成されている。
このようなウエハ移載装置においてウエハに直接接触する部位であるツィーザは、ウエハを支えるだけの強度や支持したウエハが遊動するのを抑止する適度な摩擦力が必要なために、酸化アルミニウム(Al2 O3 )等のセラミックによって製造されている。
このようなウエハ移載装置においてウエハに直接接触する部位であるツィーザは、ウエハを支えるだけの強度や支持したウエハが遊動するのを抑止する適度な摩擦力が必要なために、酸化アルミニウム(Al2 O3 )等のセラミックによって製造されている。
酸化・拡散装置にあってウエハ移載装置のセラミック製のツィーザは、部材劣化し難く熱負荷のない部位に使用されているが、セラミックの表面はシリコン製のウエハや石英製のボート表面と比べると、かなり凸凹が大きい。
このため、セラミック製のツィーザにおいては、パーティクルが表面の凸凹に付着し易く、また、付着したパーティクルを洗浄し難いという問題点がある。
また、セラミック製のツィーザは絶縁物であるために、ウエハとの接触により静電気を発生し、周囲のパーティクルを静電気力によって吸着してしまうという問題点がある。
このため、セラミック製のツィーザにおいては、パーティクルが表面の凸凹に付着し易く、また、付着したパーティクルを洗浄し難いという問題点がある。
また、セラミック製のツィーザは絶縁物であるために、ウエハとの接触により静電気を発生し、周囲のパーティクルを静電気力によって吸着してしまうという問題点がある。
このようなセラミック製のツィーザの問題点を解決するために、石英部材と同様にツィーザを清浄なワイプまたはエタノールもしくは純水を含ませたワイプで拭き取るという方法が、一般的に取られている。
しかし、前述したセラミック製のツィーザの物性上、ツィーザの表面を拭ってもパーティクルを充分に除去することができない。
また、セラミック製のツィーザの問題点を解決する他の方法としては、清浄なウエハにツィーザを接触させてパーティクルを転写させて除去する方法と、ツィーザを交換する方法とが採用されている。
前者の方法においては、適切な接触量というのはなくパーティクルがなくなるまでウエハとの接触を実施するため、ツィーザの清浄化のためだけに数枚から数十枚程度の清浄なウエハが使用されてしまうことになる。使用したウエハは再汚染を防ぐため、再接触を回避する必要がある。
また、後者の方法においては、清浄なツィーザをウエハ移載装置に組み付けるに際して、取り付け位置の再調整が必要となるために、調整時間が浪費されるばかりでなく、他の構成部品との干渉の弊害を引き起こす可能性があった。
しかし、前述したセラミック製のツィーザの物性上、ツィーザの表面を拭ってもパーティクルを充分に除去することができない。
また、セラミック製のツィーザの問題点を解決する他の方法としては、清浄なウエハにツィーザを接触させてパーティクルを転写させて除去する方法と、ツィーザを交換する方法とが採用されている。
前者の方法においては、適切な接触量というのはなくパーティクルがなくなるまでウエハとの接触を実施するため、ツィーザの清浄化のためだけに数枚から数十枚程度の清浄なウエハが使用されてしまうことになる。使用したウエハは再汚染を防ぐため、再接触を回避する必要がある。
また、後者の方法においては、清浄なツィーザをウエハ移載装置に組み付けるに際して、取り付け位置の再調整が必要となるために、調整時間が浪費されるばかりでなく、他の構成部品との干渉の弊害を引き起こす可能性があった。
本発明の目的は、ツィーザを前記したセラミック製とすることによる問題点をセルフメンテナンスによって解決することができる基板処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記処理室に連接して設けられた移載室と、
前記移載室内に設けられ、 前記支持具に対して基板を移載する基板移載装置と、
前記移載室内の前記基板移載装置の待機位置に設けられ、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部に対しガスを吹き付ける機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
(2)前記(1)において、 前記ガスを吹き付ける機構による吹き付け後のガスを吸引する吸引機構を、さらに有する基板処理装置。
(3)前記(2)において、 前記吸引機構は前記移載室内の圧力が前記吸引機構未使用時よりも低くならないように設定されている基板処理装置。
(4)前記(1)において、 前記ガスを吹き付ける機構は複数の孔が設けられた配管によって構成されており、この配管は前記基板移載装置の待機位置において、 待機時の基板移載装置の周囲に配置される基板処理装置。
(5)前記(2)において、 前記吸引機構を構成する吸引排気配管にはパーティクルモニタが取り付けられる基板処理装置。
(6)前記(2)において、 前記吸引機構にはイオナイザが取り付けられる基板処理装置。
(7)前記(1)において、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部はセラミック製である基板処理装置。
(8)前記(1)において、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部の上面に対し吹き付けるガスは、 クリーンエアまたは不活性ガスである基板処理装置。
(1)基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記処理室に連接して設けられた移載室と、
前記移載室内に設けられ、 前記支持具に対して基板を移載する基板移載装置と、
前記移載室内の前記基板移載装置の待機位置に設けられ、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部に対しガスを吹き付ける機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
(2)前記(1)において、 前記ガスを吹き付ける機構による吹き付け後のガスを吸引する吸引機構を、さらに有する基板処理装置。
(3)前記(2)において、 前記吸引機構は前記移載室内の圧力が前記吸引機構未使用時よりも低くならないように設定されている基板処理装置。
(4)前記(1)において、 前記ガスを吹き付ける機構は複数の孔が設けられた配管によって構成されており、この配管は前記基板移載装置の待機位置において、 待機時の基板移載装置の周囲に配置される基板処理装置。
(5)前記(2)において、 前記吸引機構を構成する吸引排気配管にはパーティクルモニタが取り付けられる基板処理装置。
(6)前記(2)において、 前記吸引機構にはイオナイザが取り付けられる基板処理装置。
(7)前記(1)において、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部はセラミック製である基板処理装置。
(8)前記(1)において、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部の上面に対し吹き付けるガスは、 クリーンエアまたは不活性ガスである基板処理装置。
前記(1)においては、移載室内の基板移載装置待機位置に基板移載装置の基板保持部に対しガスを吹き付ける機構が設けられているので、基板保持部をセルフメンテナンスによって清浄化することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ICの製造方法のフロントエンドにおける酸化や拡散工程を施す酸化・拡散装置(バッチ式ホットウオール形酸化・拡散装置)として構成されている。
図1および図2に示されているように、本実施の形態に係る酸化・拡散装置10においては、被処理基板であるウエハ1を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、オープンカセット(以下、カセットという。)2が使用されている。
酸化・拡散装置10は筐体11を備えている。筐体11の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口12が開設されており、正面メンテナンス口12には正面メンテナンス扉13が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉13にはカセット搬入搬出口14が筐体11内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口14はフロントシャッタ15によって開閉されるようになっている。
酸化・拡散装置10は筐体11を備えている。筐体11の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口12が開設されており、正面メンテナンス口12には正面メンテナンス扉13が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉13にはカセット搬入搬出口14が筐体11内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口14はフロントシャッタ15によって開閉されるようになっている。
カセット搬入搬出口14の筐体11の内部にはカセットステージ16が設置されている。カセット2はカセットステージ16の上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、カセットステージ16の上から搬出されるようになっている。
工程内搬送装置により、カセットステージ16にはカセット2が、カセット2内のウエハ1が垂直姿勢となり、カセット2のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ16はカセット2を筐体11の後方に縦方向に90度回転させ、カセット2内のウエハ1が水平姿勢となり、カセット2のウエハ出し入れ口が筐体11の後方を向く動作が可能となるように構成されている。
工程内搬送装置により、カセットステージ16にはカセット2が、カセット2内のウエハ1が垂直姿勢となり、カセット2のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ16はカセット2を筐体11の後方に縦方向に90度回転させ、カセット2内のウエハ1が水平姿勢となり、カセット2のウエハ出し入れ口が筐体11の後方を向く動作が可能となるように構成されている。
筐体11内の前後方向の略中央部には、カセット棚17が設置されている。カセット棚17には複数のカセット2が収納される移載棚18が複数段設けられており、カセット棚17は複数段複数列にて複数個のカセット2を保管するように構成されている。
また、カセットステージ16の上方には予備カセット棚19が設けられており、予備カセット棚19はカセット2を予備的に保管するように構成されている。
また、カセットステージ16の上方には予備カセット棚19が設けられており、予備カセット棚19はカセット2を予備的に保管するように構成されている。
カセットステージ16とカセット棚17との間には、カセット搬送装置20が設置されている。カセット搬送装置20は、カセット2を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ20aと、搬送機構としてのカセット搬送機構20bとによって構成されており、カセットエレベータ20aとカセット搬送機構20bとの連続動作により、カセットステージ16とカセット棚17と予備カセット棚19との間でカセット2を搬送するように構成されている。
カセット棚17の後方にはウエハ移載機構21が設置されている。ウエハ移載機構21はウエハ移載装置エレベータ22と、ウエハ移載装置エレベータ22によって昇降されるウエハ移載装置23とを備えている。
ウエハ移載装置エレベータ22は筐体11の右側端部に設置されている。
ウエハ移載装置23はツィーザホルダ24を二次元方向に移動させるように構成されており、ツィーザホルダ24にはウエハを保持する保持部としてのツィーザ25が複数枚(本実施の形態においては、5枚)、垂直方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。ツィーザ25はセラミックが使用されてフォーク形状に形成されている。
ウエハ移載装置エレベータ22は筐体11の右側端部に設置されている。
ウエハ移載装置23はツィーザホルダ24を二次元方向に移動させるように構成されており、ツィーザホルダ24にはウエハを保持する保持部としてのツィーザ25が複数枚(本実施の形態においては、5枚)、垂直方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。ツィーザ25はセラミックが使用されてフォーク形状に形成されている。
筐体11の後方上部には後記する処理炉が設置されており、処理炉の下方にはボートを処理炉に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ26が設置されている。
ボートエレベータ26は後記する駆動制御部に電気配線Aによって電気的に接続されており、駆動制御部によって制御されるようになっている。
ボートエレベータ26の昇降台に連結された連結具としてのアーム26aには、蓋体としてのシールキャップ27が水平に設置されており、シールキャップ27はボート28をを支持し、処理炉の下端開口(炉口)を閉塞可能なように構成されている。
処理室内でウエハを支持する支持具であるボート28は、複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜150枚程度)のウエハ1をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
なお、シールキャップ27が下方に下げられている時には、処理炉の炉口は炉口シャッタ29によって閉塞されるようになっている。
ボートエレベータ26は後記する駆動制御部に電気配線Aによって電気的に接続されており、駆動制御部によって制御されるようになっている。
ボートエレベータ26の昇降台に連結された連結具としてのアーム26aには、蓋体としてのシールキャップ27が水平に設置されており、シールキャップ27はボート28をを支持し、処理炉の下端開口(炉口)を閉塞可能なように構成されている。
処理室内でウエハを支持する支持具であるボート28は、複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜150枚程度)のウエハ1をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
なお、シールキャップ27が下方に下げられている時には、処理炉の炉口は炉口シャッタ29によって閉塞されるようになっている。
図1に示されているように、カセット棚17の上方にはファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニットCUが設置されており、クリーンユニットCUは清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体11の内部に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ22側と反対側である筐体11の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体11内の後部空間に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ22側と反対側である筐体11の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体11内の後部空間に流通させるように構成されている。
後記する処理室に連接して設けられたウエハ移載機構21が設置された移載室内におけるウエハ移載装置23が待機する位置30には、図3に示されているように、ツィーザ25にガスを吹き付けるガス吹き付け機構31が設置されている。
ガス吹き付け機構31は待機位置30の床面に敷設された給気ダクト32を備えており、給気ダクト32にはクリーンエアまたは不活性ガス(以下、ガスという。)33を供給するガス供給装置(図示せず)が接続されている。
給気ダクト32にはガスを吹き付ける配管としての複数本のノズル34が接続されており、各ノズル34にはガス33を吹き出す吹き出し孔35が複数個開設されている。
ガス吹き付け機構31は待機位置30の床面に敷設された給気ダクト32を備えており、給気ダクト32にはクリーンエアまたは不活性ガス(以下、ガスという。)33を供給するガス供給装置(図示せず)が接続されている。
給気ダクト32にはガスを吹き付ける配管としての複数本のノズル34が接続されており、各ノズル34にはガス33を吹き出す吹き出し孔35が複数個開設されている。
移載室内のウエハ移載装置の待機位置30にはガス吹き付け機構31による吹き付け後のガス33を吸引する吸引機構36が、ガス吹き付け機構31と対向するように設置されている。
吸引機構36は複数本のノズル34と全面にわたって対向するように敷設された吸引ダクト37を備えており、吸引ダクト37は複数本のノズル34の吹き出し孔35から吹き出されたガス33を全て吸引するように構成されている。
吸引ダクト37に接続された吸引排気配管38はコントローラによって制御される流量制御弁やポンプ(図示せず)に接続されており、コントローラは移載室内の圧力が吸引機構36の未使用時よりも低くならないように制御する。
吸引機構36を構成する吸引排気配管38にはパーティクルモニタ39が取り付けられている。
また、吸引機構36にはイオナイザ40が取り付けられている。
吸引機構36は複数本のノズル34と全面にわたって対向するように敷設された吸引ダクト37を備えており、吸引ダクト37は複数本のノズル34の吹き出し孔35から吹き出されたガス33を全て吸引するように構成されている。
吸引ダクト37に接続された吸引排気配管38はコントローラによって制御される流量制御弁やポンプ(図示せず)に接続されており、コントローラは移載室内の圧力が吸引機構36の未使用時よりも低くならないように制御する。
吸引機構36を構成する吸引排気配管38にはパーティクルモニタ39が取り付けられている。
また、吸引機構36にはイオナイザ40が取り付けられている。
図1および図2に示されているように、筐体11の上部には図4に示された処理炉41が設置されている。
図4に示された処理炉41は加熱機構としてのヒータ42を有する。ヒータ42は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース41Aに支持されることにより垂直に据え付けられている。
図4に示された処理炉41は加熱機構としてのヒータ42を有する。ヒータ42は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース41Aに支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ42の内側には、例えば、炭化珪素(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である均熱管(外管)43が、ヒータ42と同心円状に配設されている。
また、均熱管43の内側には、例えば石英(SiO2 )等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である反応管(内管)44が、均熱管43と同心円状に配設されている。
反応管44の筒中空部には処理室45が形成されており、基板としてのウエハ1をボート28によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容することができるように構成されている。
また、均熱管43の内側には、例えば石英(SiO2 )等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である反応管(内管)44が、均熱管43と同心円状に配設されている。
反応管44の筒中空部には処理室45が形成されており、基板としてのウエハ1をボート28によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容することができるように構成されている。
反応管44の天井壁には複数個のガス導入口46が開設されており、反応管44の天井壁の上にはガス溜め47がガス導入口46を被覆するように設けられている。
反応管44の下端部にはガス導入部49が設けられており、ガス導入部49から反応管44のガス溜め47に至るまで反応管44の外壁に添ってガス導入管としての細管48が配設されている。
ガス導入部49から導入されたガスは細管48内を流通してガス溜め47に至り、ガス溜め47に設けられた複数のガス導入口46から処理室45内に導入される。
反応管44の下端部にはガス導入部49が設けられており、ガス導入部49から反応管44のガス溜め47に至るまで反応管44の外壁に添ってガス導入管としての細管48が配設されている。
ガス導入部49から導入されたガスは細管48内を流通してガス溜め47に至り、ガス溜め47に設けられた複数のガス導入口46から処理室45内に導入される。
ガス導入部49にはガス供給管50が接続されている。
ガス供給管50のガス導入部49との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)51を介して、図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源および不活性ガス供給源が接続されている。
MFC51にはガス流量制御部62が電気配線Bによって電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
なお、処理室45内に水蒸気を供給する必要がある場合には、ガス供給管50のMFC51よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
ガス供給管50のガス導入部49との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)51を介して、図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源および不活性ガス供給源が接続されている。
MFC51にはガス流量制御部62が電気配線Bによって電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
なお、処理室45内に水蒸気を供給する必要がある場合には、ガス供給管50のMFC51よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
反応管44の下端部のガス導入部49と異なる位置には、反応管44内の雰囲気を排気口52から排気するガス排気部53が設けられている。
ガス排気部53にはガス排気管54が接続されている。
ガス排気管54のガス排気部53との接続側とは反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ55および圧力調整装置56を介して排気装置57が接続されており、処理室45内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。
圧力センサ55および圧力調整装置56には圧力制御部63が電気配線Cによって電気的に接続されており、圧力制御部63は圧力センサ55により検出された圧力に基づいて圧力調整装置56により処理室45内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス排気部53にはガス排気管54が接続されている。
ガス排気管54のガス排気部53との接続側とは反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ55および圧力調整装置56を介して排気装置57が接続されており、処理室45内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。
圧力センサ55および圧力調整装置56には圧力制御部63が電気配線Cによって電気的に接続されており、圧力制御部63は圧力センサ55により検出された圧力に基づいて圧力調整装置56により処理室45内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
均熱管43と反応管44との間には、温度検出器としての温度センサ58が設置されている。ヒータ42と温度センサ58には、温度制御部64が電気配線Dによって電気的に接続されており、温度センサ58によって検出された温度情報に基づきヒータ42への通電具合を調整することにより、処理室45内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
駆動制御部61、ガス流量制御部62、圧力制御部63および温度制御部64は、操作部および入出力部をも構成しており、酸化・拡散装置10全体を制御する主制御部65に電気的に接続されている。
これら、駆動制御部61、ガス流量制御部62、圧力制御部63、温度制御部64、主制御部65はコントローラ66として構成されている。
これら、駆動制御部61、ガス流量制御部62、圧力制御部63、温度制御部64、主制御部65はコントローラ66として構成されている。
次に、前記構成に係る酸化・拡散装置10の作用を説明する。
図1に示されているように、カセット2がカセットステージ16に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口14がフロントシャッタ15によって開放される。
その後、カセット2はカセット搬入搬出口14から搬入され、カセットステージ16の上にウエハ1が垂直姿勢であって、カセット2のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット2はカセットステージ16によって、カセット2内のウエハ1が水平姿勢となり、カセット2のウエハ出し入れ口が筐体11の後方を向けるように、筐体11の後方に縦方向に90度回転される。
次に、カセット2はカセット棚17ないし予備カセット棚19の指定された棚位置へ、カセット搬送装置20によって自動的に搬送されて受け渡される。
その後、カセット2はカセット搬入搬出口14から搬入され、カセットステージ16の上にウエハ1が垂直姿勢であって、カセット2のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット2はカセットステージ16によって、カセット2内のウエハ1が水平姿勢となり、カセット2のウエハ出し入れ口が筐体11の後方を向けるように、筐体11の後方に縦方向に90度回転される。
次に、カセット2はカセット棚17ないし予備カセット棚19の指定された棚位置へ、カセット搬送装置20によって自動的に搬送されて受け渡される。
一時的に保管された後、カセット2はカセット棚17ないし予備カセット棚19からカセット搬送装置20によって移載棚18に移載されるか、もしくは、直接、移載棚18に搬送される。
カセット2が移載棚18に移載されると、ウエハ移載装置23は5枚のツィーザ25によってカセット2内の5枚のウエハ1をカセット2のウエハ出し入れ口を通じて、一度にピックアップし、ウエハ1をカセット2内からボート28に搬送し、5枚のウエハ1を5枚のツィーザ25からボート28に一度に移載する。
以上のようにして、5枚のウエハ1をボート28に一度に移載すると、ウエハ移載装置23はツィーザ25をカセット2に戻し、次回の5枚のウエハ1を5枚のツィーザ25によって一度にピックアップする。
ウエハ移載装置23は以上の作動を繰り返すことによって、所定枚数のウエハ1を5枚ずつ順次に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ1が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ25を使用することにより、必要なウエハ1をボート28に移載する。
カセット2が移載棚18に移載されると、ウエハ移載装置23は5枚のツィーザ25によってカセット2内の5枚のウエハ1をカセット2のウエハ出し入れ口を通じて、一度にピックアップし、ウエハ1をカセット2内からボート28に搬送し、5枚のウエハ1を5枚のツィーザ25からボート28に一度に移載する。
以上のようにして、5枚のウエハ1をボート28に一度に移載すると、ウエハ移載装置23はツィーザ25をカセット2に戻し、次回の5枚のウエハ1を5枚のツィーザ25によって一度にピックアップする。
ウエハ移載装置23は以上の作動を繰り返すことによって、所定枚数のウエハ1を5枚ずつ順次に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ1が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ25を使用することにより、必要なウエハ1をボート28に移載する。
次に、上記構成に係る処理炉41を用いて半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ1に酸化や拡散等の処理を施す方法を、図4について説明する。
以下の説明において、酸化・拡散装置10を構成する各部の動作はコントローラ66により制御される。
以下の説明において、酸化・拡散装置10を構成する各部の動作はコントローラ66により制御される。
複数枚のウエハ1がボート28に装填(ウエハチャージ)されると、図4に示されているように、複数枚のウエハ1を保持したボート28はボートエレベータ26によって持ち上げられて処理室45に搬入(ボートローディング)される。
この状態で、シールキャップ27はベースやOリングを介して反応管44の下端開口をシールした状態となる。
この状態で、シールキャップ27はベースやOリングを介して反応管44の下端開口をシールした状態となる。
処理室45内が所望の圧力となるように排気装置57によって排気される。
この際、処理室45内の圧力は圧力センサ55で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置56がフィードバック制御される。
また、処理室45内が所望の温度となるようにヒータ42によって加熱される。
この際、処理室45内が所望の温度分布となるように温度センサ58が検出した温度情報に基づきヒータ42への通電具合がフィードバック制御される。
この際、処理室45内の圧力は圧力センサ55で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置56がフィードバック制御される。
また、処理室45内が所望の温度となるようにヒータ42によって加熱される。
この際、処理室45内が所望の温度分布となるように温度センサ58が検出した温度情報に基づきヒータ42への通電具合がフィードバック制御される。
次いで、処理ガス供給源およびキャリアガス供給源から供給され、MFC51によって所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管50からガス導入部49および細管48を流通してガス溜め47に至り、複数のガス導入口46から処理室45内にシャワー状に導入される。
なお、ウエハ1に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、MFC51にて所望の流量となるように制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気(H2 O)を含むガスが処理室45に導入される。
導入されたガスは処理室45内を流下し、排気口52を流通してガス排気部53から排気される。
ガスは処理室45内を通過する際にウエハ1の表面と接触し、ウエハ1に対して酸化や拡散等の処理がなされる。
なお、ウエハ1に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、MFC51にて所望の流量となるように制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気(H2 O)を含むガスが処理室45に導入される。
導入されたガスは処理室45内を流下し、排気口52を流通してガス排気部53から排気される。
ガスは処理室45内を通過する際にウエハ1の表面と接触し、ウエハ1に対して酸化や拡散等の処理がなされる。
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室45内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室45内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ26によりシールキャップ27が下降されて、反応管44の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ1がボート28に保持された状態で反応管44の下端から反応管44の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
その後、処理済ウエハ1はボート28より取出され、前述とは逆の手順でカセット2に戻される(ウエハディスチャージ)。
その後、処理済ウエハ1はボート28より取出され、前述とは逆の手順でカセット2に戻される(ウエハディスチャージ)。
ところで、セラミック製のツィーザ25においては、パーティクルが表面の凸凹に付着し易く、また、付着したパーティクルを洗浄し難いという問題点がある。
また、セラミック製のツィーザ25は絶縁物であるために、前述したカセット2とボート28との受け渡しの際にウエハ1との接触により静電気を発生し、周囲のパーティクルを静電気力によって吸着してしまうという問題点がある。
また、セラミック製のツィーザ25は絶縁物であるために、前述したカセット2とボート28との受け渡しの際にウエハ1との接触により静電気を発生し、周囲のパーティクルを静電気力によって吸着してしまうという問題点がある。
そこで、本実施の形態においては、図3に示されているように、ウエハ移載装置待機位置30において、ノズル34の吹き出し孔35からガス33を吹き出してツィーザ25に吹き付けることにより、セラミック製のツィーザ25に付着または吸着したパーティクルをセルフメンテナンスにて洗浄するものとした。
このノズル34の吹き出し孔35の吹き出し位置や風向および吹き出し幅等は、吹き出したガス33が5枚のツィーザ25の全表面に当たるように、予め調整されている。
また、吹き出すガス33の圧力や風量は、ツィーザ25に付着または吸着したパーティクルを洗い流すことができるように設定されているとともに、ウエハ移載装置23に付帯したセンサ等に悪影響(例えば、動かしたり破損させるたりする)を及ぼさないように設定されている。
このノズル34の吹き出し孔35の吹き出し位置や風向および吹き出し幅等は、吹き出したガス33が5枚のツィーザ25の全表面に当たるように、予め調整されている。
また、吹き出すガス33の圧力や風量は、ツィーザ25に付着または吸着したパーティクルを洗い流すことができるように設定されているとともに、ウエハ移載装置23に付帯したセンサ等に悪影響(例えば、動かしたり破損させるたりする)を及ぼさないように設定されている。
ノズル34の吹き出し孔35から吹き出してツィーザ25のパーティクルを吹き流したガスは、ノズル34にツィーザ25を挟んで対向した吸引ダクト37の吸引口から吸引されて吸引排気配管38によって排気される。
この際、吸引機構36の吸引圧力は移載室内の圧力を吸引機構36の未使用時よりも低くならない程度の圧力に設定されており、ノズル34の吹き出し孔35から吹き出したガス33は、ウエハ移載装置待機室30の気流を乱すことなく、吸引ダクト37に全て回収されるようになっている。
吸引排気配管38内をガス33に随伴して流れるパーティクルは、パーティクルモニタ39によってモニタリングされる。
また、吸引機構36のイオナイザ40はツィーザ25やガス33およびパーティクルの静電気を除去する(徐電)する。
この際、吸引機構36の吸引圧力は移載室内の圧力を吸引機構36の未使用時よりも低くならない程度の圧力に設定されており、ノズル34の吹き出し孔35から吹き出したガス33は、ウエハ移載装置待機室30の気流を乱すことなく、吸引ダクト37に全て回収されるようになっている。
吸引排気配管38内をガス33に随伴して流れるパーティクルは、パーティクルモニタ39によってモニタリングされる。
また、吸引機構36のイオナイザ40はツィーザ25やガス33およびパーティクルの静電気を除去する(徐電)する。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) ウエハ移載装置待機位置において、ガス吹き付け機構からガスを吹き出してツィーザに吹き付けることにより、セラミック製のツィーザに付着または吸着したパーティクルを洗浄することができるばかりでなく、金属汚染の原因になる元素をも洗浄することができる。
図5および図6は本実施の形態の洗浄効果を比較して示すグラフである。
図5は本実施の形態の場合を示しており、図6は比較例の場合を示している。
図5および図6において、縦軸はツィーザに付着した個数を示しており、横軸は元素を示している。
図5において、白抜き棒は窒素ガス吹きかけ前を示しており、斜線棒は窒素ガス吹きかけ後を示している。
図6において、白抜き棒はツィーザ開梱直後のウエハ接触の場合、斜線棒は開梱したツィーザを純水拭きし乾拭きした後のウエハ接触の場合、横線棒は開梱したツィーザをアルコール拭きした後のウエハ接触の場合、縦線棒は未接触の場合をそれぞれ示している。
図5および図6によれば、ガスの吹きかけによって金属汚染の原因になる元素を純水拭きし乾拭きしたりアルコール拭きする場合よりも大幅に除去できることが判る。
図5および図6は本実施の形態の洗浄効果を比較して示すグラフである。
図5は本実施の形態の場合を示しており、図6は比較例の場合を示している。
図5および図6において、縦軸はツィーザに付着した個数を示しており、横軸は元素を示している。
図5において、白抜き棒は窒素ガス吹きかけ前を示しており、斜線棒は窒素ガス吹きかけ後を示している。
図6において、白抜き棒はツィーザ開梱直後のウエハ接触の場合、斜線棒は開梱したツィーザを純水拭きし乾拭きした後のウエハ接触の場合、横線棒は開梱したツィーザをアルコール拭きした後のウエハ接触の場合、縦線棒は未接触の場合をそれぞれ示している。
図5および図6によれば、ガスの吹きかけによって金属汚染の原因になる元素を純水拭きし乾拭きしたりアルコール拭きする場合よりも大幅に除去できることが判る。
2) ツィーザの清浄化を酸化・拡散装置を停止せずに実施することができるので、酸化・拡散装置の作業性を向上させることができる。
3) ツィーザがパーティクル不良のウエハと接触した場合であっても、ウエハ接触による転写作業やツィーザ交換作業を実施しなくとも、短時間でツィーザを浄化することができるので、メンテナンスフリーないしはメンテナンス作業時間を短縮することができる。
4) ガス吹き出し機構に対向して吸引機構を設置することにより、ガス吹き出し機構から吹き出されたガスをウエハ移載装置待機室の気流を乱すことなく全て回収することができるので、二次汚染を防止することができる。
5) 吸引排気配管内をガスに随伴して流れるパーティクルをパーティクルモニタによってモニタリングすることにより、ツィーザの汚染具合を監視することができるので、ツィーザのウエット洗浄時期や交換時期を検出することができる。
6) イオナイザを設置することにより、ツィーザやガスおよびパーティクルを徐電することができるので、パーティクルや元素の再吸着を防止することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、吸引機構やパーティクルモニタおよびイオナイザは省略してもよい。
ツィーザはセラミック製のものに限らない。
前記実施の形態では酸化・拡散装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、アニール装置やCVD装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
1…ウエハ(基板)、2…カセット、10…酸化・拡散装置(基板処理装置)、11…筐体、12…正面メンテナンス口、13…正面メンテナンス扉、14…カセット搬入搬出口、15…フロントシャッタ、16…カセットステージ、17…カセット棚、18…移載棚、19…予備カセット棚、20…カセット搬送装置、20a…カセットエレベータ、20b…カセット搬送機構、21…ウエハ移載機構、22…ウエハ移載装置エレベータ、23…ウエハ移載装置、24…ツィーザホルダ、25…ツィーザ、26…ボートエレベータ、27…シールキャップ、28…ボート、29…炉口シャッタ、30…ウエハ移載装置待機位置、31…ガス吹き付け機構、32…給気ダクト、33…ガス(クリーンエアまたは不活性ガス)、34…ノズル(ガス吹き付け配管)、35…吹き出し孔、36…吸引機構、37…吸引ダクト、38…吸引排気配管、39…パーティクルモニタ、40…イオナイザ、41…処理炉、41A…ヒータベース、42…ヒータ、43…均熱管(外管)、44…反応管(内管)、45…処理室、46…ガス導入口、47…ガス溜め、48…細管、49…ガス導入部、50…ガス供給管、51…MFC、52…排気口、53…ガス排気部、54…ガス排気管、55…圧力センサ、56…圧力調整装置、57…排気装置、58…温度センサ、61…駆動制御部、62…ガス流量制御部、63…圧力制御部、64…温度制御部、65…主制御部、66…コントローラ。
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記処理室に連接して設けられた移載室と、
前記移載室内に設けられ、 前記支持具に対して基板を移載する基板移載装置と、
前記移載室内の前記基板移載装置の待機位置に設けられ、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部に対しガスを吹き付ける機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006251250A JP2008072048A (ja) | 2006-09-15 | 2006-09-15 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006251250A JP2008072048A (ja) | 2006-09-15 | 2006-09-15 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008072048A true JP2008072048A (ja) | 2008-03-27 |
Family
ID=39293357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006251250A Pending JP2008072048A (ja) | 2006-09-15 | 2006-09-15 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008072048A (ja) |
-
2006
- 2006-09-15 JP JP2006251250A patent/JP2008072048A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4498362B2 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
US20110099838A1 (en) | Fluid heater, manufacturing method thereof, substrate processing apparatus including fluid heater, and substrate processing method | |
JP2010283356A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004266212A (ja) | 基板の処理システム | |
JP5724713B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2007095879A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014175494A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の製造方法 | |
JP2004119888A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2008072048A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005268244A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3856726B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP6992156B2 (ja) | 処理装置、排気システム、半導体装置の製造方法 | |
JP5224679B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
JP2011044633A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005347667A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4928368B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007116089A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004356295A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2024018986A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007027379A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008227143A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007250988A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005175068A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6880913B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2001338890A (ja) | 基板処理装置 |