JP2008071947A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】p型半導体層とp側電極などのと接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることが可能な半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1にp型不純物がドープされたGaN層2Aを形成する工程と、GaN層2Aに対して活性化処理を施すことによりp型半導体層2を形成する工程と、を有する半導体素子の製造方法であって、上記活性化処理を、GaN層2Aが形成された基板1を、溶融したGaに浸漬させた状態で行う。
【選択図】 図2
【解決手段】基板1にp型不純物がドープされたGaN層2Aを形成する工程と、GaN層2Aに対して活性化処理を施すことによりp型半導体層2を形成する工程と、を有する半導体素子の製造方法であって、上記活性化処理を、GaN層2Aが形成された基板1を、溶融したGaに浸漬させた状態で行う。
【選択図】 図2
Description
本発明は、発光ダイオードなどに代表される半導体を用いた半導体素子の製造方法に関する。
サファイアなどからなる基板にGaNからなるp型半導体層を形成することにより、発光ダイオードなどに代表される半導体素子が広く製造されている(たとえば特許文献1)。p型半導体層を形成するには、まず、サファイア基板にMgがドープされたGaN層を形成する。次いで、上記サファイア基板を、たとえばN2雰囲気中でその温度が400〜800℃となるように加熱する。これにより、上記GaN層中のMgが活性化され、上記GaN層をp型半導体層とすることができる。
しかしながら、活性化を適切に行うには、上記GaN層を活性化する温度をより高くすることが好ましい。上記GaN層は、高い温度とされるほど、その表面において窒化化合物としてのGaNの分解が生じやすくなる。この結果、上記p型半導体層の表面には、Nが欠乏した層が形成されてしまう。このような上記p型半導体層は、たとえば上記p型半導体層に正孔を注入するための電極を形成しても、この電極と上記p型半導体層との接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることが困難であった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、p型半導体層とp側電極などとの接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることが可能な半導体素子の製造方法を提供することをその課題とする。
本発明によって提供される半導体素子の製造方法は、基板にp型不純物がドープされたGaN層を形成する工程と、上記GaN層に対して活性化処理を施すことによりp型半導体層を形成する工程と、を有する半導体素子の製造方法であって、上記活性化処理を、溶融したGaに上記GaN層を浸漬させた状態で行うことを特徴としている。
このような構成によれば、上記GaN層にNが欠乏した表層部分などが生じても、この表層部分を上記溶融したGaに溶かすことが可能である。したがって、上記p型半導体層の表面を正常な状態とすることが可能であり、たとえばp側電極との接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記溶融したGaに上記p型不純物を混入しておく。このような構成によれば、上記p型半導体層の表層部分は、上記p型不純物の濃度が比較的高いものとなる。したがって、上記p型半導体層とp側電極との接触状態を良好なオーミックコンタクトとするのに好適である。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1〜図3は、本発明に係る半導体素子の製造方法の第1実施形態を示している。まず、図1に示すように、基板1を用意する。基板1は、たとえばサファイア、SiC、Siからなる。次いで、基板1をたとえばMOCVD法用の成膜室内に導入し、成膜室内の温度である成膜温度を1,100℃とする。そして、H2ガスとN2ガスとを上記成膜室内に流すことにより、基板1を洗浄する。次に、AlN、GaN、AlGaN等からなるバッファ層11を形成した後に、GaN層2Aを形成する。GaN層2Aの形成は、たとえば成膜温度を1,010℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびトリメチルガリウム(TMG)ガスを供給するとともに、p型不純物であるMgのドープを行うために、Cp2Mgガスを同時に供給することにより行う。
次に、図2に示すように、たとえばAl2O3からなるるつぼMpを用意し、その中に溶融したGaをみたす。溶融したGaには、p型不純物であるMgを混入する。このとき、Gaを500〜600℃程度に加熱することにより、Mgを溶融したGaに均一に溶かしておく。ついで、バッファ層11およびGaN層2Aが形成された基板1をるつぼMp内の溶融したGaに浸漬させる。るつぼMpにふたをした後に、600〜760torr程度の圧力とした状態で800〜960℃程度に溶融したGaを加熱する。この状態で、60min保持する。この活性化処理により、GaN層2Aに含まれるMgが活性化し、GaN層2Aがp−GaN層2となる。そして、基板1をるつぼMpから取り出し、たとえば40〜50℃のH2O、希塩酸(HCl:H2O=1:10)、およびHClを交互に用いて基板1およびp−GaN層2を洗浄する。
この後は、図3に示すように、p−GaN層2上に活性層3およびn−GaN層4を積層させる。活性層3は、たとえばInGaNを含むMQW構造とされた層であり、電子と正孔とが再結合することにより発せられる光を増幅させるための層である。活性層3は、複数のInGaN層と複数のGaN層とが交互に積層されている。上記InGaN層は、活性層3の井戸層を構成している。上記GaN層は、活性層3のバリア層を形成している。n−Gan層4は、GaNにSiがドープされたn型半導体からなる。
活性層3を形成するには、成膜温度を700〜800℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、トリエチルガリウム(TEG)ガス、TMGガスおよびトリメチルインジウム(TMIn)ガスを上記成膜室内に供給することにより、上述した井戸層としてのInGaN層および上記バリア層としてのGaN層の形成を交互に行う。それぞれの層を3〜7層程度形成することにより、MQW構造を有する活性層3が得られる。次いで、成膜温度を1,060℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびTMGガスを上記成膜室内に供給する。この際、n型のドーパントであるSiのドープを行うためにSiH4ガスを同時に供給する。これにより、n−GaN層4が形成される。この後は、p−GaN層2にp側電極(図示略)を、n−GaN層4にn型電極(図示略)をそれぞれ形成することにより、半導体発光素子Aが得られる。
次に、上述した実施形態の半導体素子の製造方法の作用について説明する。
本実施形態によれば、GaN層2Aの活性化処理は、溶融したGa中で行われる。活性化処理においてはGaN層2Aが800〜960℃程度の比較的高温とされるため、GaN層2Aの表層部分においてNが抜け出してしまうことが多い。このNが欠乏したGaN層2Aの表層部分を、溶融したGa中に溶かすことにより、活性化処理によって得られるp−GaN層2の表面を清浄な状態とすることが可能である。したがって、p−GaN層2と上記p側電極との接触状態を、良好なオーミックコンタクトとすることができる。
図4は、溶融したGa中において活性化処理を施したp−GaN層2の顕微鏡写真であり、図5は、N2雰囲気において活性化処理を施したp−GaN層の例の顕微鏡写真である。図4に示すように、p−GaN層2の表面には、図5に示された例の表面よりも細かな凹凸が多く見られる。これは、活性化処理により分解した表層部分が溶融したGaに溶け出したことによる。このようなp−GaN層2の表面は、Nが欠乏した表層部分などが存在しない、清浄なものとなっている。これは、上記p側電極との接触状態をオーミックコンタクトとするのに適している。
活性化処理を800〜960℃の範囲で行うことにより、GaN層2A中のMgを適切に活性化させることが可能である。図6は、横軸に活性化温度Tを、縦軸にp−GaN層2の抵抗率ρとN2雰囲気で活性化させたp−GaN層の抵抗率ρ0との比をとったグラフである。本図から理解されるように、活性化処理温度を約880℃とすることにより、ρ/ρ0を1.0程度とすることが可能である。すなわち、p−GaN層2の表面を清浄としつつ、その抵抗が不当に大きくなることを防止することができる。
図7は、p−GaN層2とN2雰囲気で活性化処理を施したp−GaN層の例とのそれぞれの複数のサンプルについてキャリア濃度を計測した結果を示している。双方のキャリア濃度は、ほぼ同等であるか、本発明のp−GaN層2のキャリア濃度が高い結果となっている。
図8は、p−GaN層2中のMg濃度Cと表面からの深さとの関係を示している。同図に示されるとおり、表面からの深さDが80nm程度までの部分では、それよりも深い部分と比べてMg濃度Cが顕著に高くなっている。これは、活性化処理において溶融したGaに混ぜられたMgが、GaN層2Aに拡散したからである。これにより、p−GaN層2の表面は、上記p側電極との接触状態を良好なオーミックコンタクトとするのに適したp型半導体となっている。
図9および図10は、本発明に係る半導体素子の製造方法の第2実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
本実施形態においては、図9に示すように、まず基板1上に、バッファ層11、n−GaN層4、活性層3、およびGaN層2Aを順に積層させる。バッファ層11、n−GaN層4、活性層3、およびGaN層2Aを形成する手法は、上述した実施形態と同様である。
次いで、図10に示すように、バッファ層11、n−GaN層4、活性層3、およびGaN層2Aが形成された基板を、るつぼMpに満たされた溶融したGaに浸漬させる。この溶融したGaには上述した実施形態と同様にp型不純物としてのMgが混入されている。るつぼMpにふたをした後に、600〜760torr程度の圧力とした状態で800〜960℃程度、好ましくは約880℃に溶融したGaを加熱する。この状態で、60min保持する。この活性化処理により、GaN層2Aに含まれるMgが活性化し、GaN層2Aがp−GaN層2となる。
このような実施形態によれば、基板1側にn−GaN層4が形成された半導体発光素子を製造することができる。本実施形態の活性化処理においては、GaN層2Aだけでなく、n−GaN層4および活性層3も溶融したGaに浸漬される。しかし、GaN層2A、n−GaN層4および活性層3は、その厚さが非常に薄い。このため、表面が露出したGaN層2Aの表層部分のみが溶融したGaに溶け出し、n−GaN層4および活性層3は、溶融したGaには溶け出さない。また、溶融したGaに含まれるMgが拡散する対象となるのも、GaN層2Aのみである。さらに、活性層3は、880℃程度の活性化処理温度であれば、その結晶構造および組成が劣化するおそれがない。
本発明に係る半導体素子の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体素子の製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
本発明で言うp型不純物は、Mgに限定されず、GaN層を適切にp型半導体層とすることが可能なたとえばZnなどであってもよい。本発明に係る半導体素子の製造方法は、半導体発光素子に限定されず、p型半導体層を利用した種々の半導体素子を製造することができる。
A 半導体発光素子(半導体素子)
Mp るつぼ
1 基板
2A GaN層
2 p−GaN層(p型半導体層)
3 活性層
4 n−GaN層
11 バッファ層
Mp るつぼ
1 基板
2A GaN層
2 p−GaN層(p型半導体層)
3 活性層
4 n−GaN層
11 バッファ層
Claims (2)
- 基板にp型不純物がドープされたGaN層を形成する工程と、
上記GaN層に対して活性化処理を施すことによりp型半導体層を形成する工程と、を有する半導体素子の製造方法であって、
上記活性化処理を、溶融したGaに上記GaN層を浸漬させた状態で行うことを特徴とする、半導体素子の製造方法。 - 上記溶融したGaに上記p型不純物を混入しておく、請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006249388A JP2008071947A (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体素子の製造方法 |
US11/901,281 US20080090387A1 (en) | 2006-09-14 | 2007-09-14 | Method of making semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006249388A JP2008071947A (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008071947A true JP2008071947A (ja) | 2008-03-27 |
Family
ID=39293286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006249388A Pending JP2008071947A (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080090387A1 (ja) |
JP (1) | JP2008071947A (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5306662A (en) * | 1991-11-08 | 1994-04-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
PL173917B1 (pl) * | 1993-08-10 | 1998-05-29 | Ct Badan Wysokocisnieniowych P | Sposób wytwarzania krystalicznej struktury wielowarstwowej |
-
2006
- 2006-09-14 JP JP2006249388A patent/JP2008071947A/ja active Pending
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2007
- 2007-09-14 US US11/901,281 patent/US20080090387A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20080090387A1 (en) | 2008-04-17 |
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