JP2008141006A - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光効率を改善すること。
【解決手段】本発明は、基板（１０）上に設けられＮ型の第１ＧａＮ層（１６）と、第１ＧａＮ層（１６）上に設けられＮ型のＩｎＧａＮコンタクト層（１８）と、ＩｎＧａＮコンタクト層（１８）上に設けられＮ型の第２ＧａＮ層（２０）と、第２ＧａＮ層上に設けられた活性層（２２）と、活性層（２２）上に設けられたＰ型クラッド層（２４）と、ＩｎＧａＮコンタクト層（１８）に接して設けられた電極（２６）と、を具備する発光素子である。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子およびその製造方法に関し、特にＧａＮ層に挟まれたＩｎＧａＮ層とこれに接する電極を有する発光素子およびその製造方法に関する。

ＧａＮ（窒化ガリウム）を用いたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子は、青紫色の発光素子として用いられており、光変換効率の改善が求められている。発光素子の光出力を向上させるためには、半導体コンタクト層と電極との接触抵抗を低くすることが求められる。従来のＧａＮを用いた発光素子は、基板側からＮ型ＧａＮクラッド層、ＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）活性層、Ｐ型ＧａＮクラッド層の３層構造を有している。Ｎ型ＧａＮクラッド層の一部を露出し、Ｎ型ＧａＮクラッド層上に接するＮ型電極を形成し、Ｎ型ＧａＮクラッド層と電気的接触を図っている。このように、Ｎ型ＧａＮクラッド層はクラッド層とＮ型電極とのコンタクト層とを兼ねている。

特許文献１および特許文献２には、Ｎ型ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）層がクラッド層およびコンタクト層を兼ねる発光素子が開示されている。特許文献３には、クラッド層とコンタクト層とを兼ねるＮ型ＩｎＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層が設けられた発光素子が開示されている。

特開平９−１８６４０３号公報 特開２０００−２６１０３５号公報 特開２０００−３３２２８８号公報

しかしながら、特許文献１から特許文献３のようにＩｎＧａＮ層をコンタクト層とした場合、チップ全面で均一に発光されない場合がある。このため発光素子の発光効率が低下する。また、ＩｎＧａＮ層は結晶性が良くないため、ＩｎＧａＮ層上に活性層を形成すると結晶性が悪くなる。これらにより、発光素子の発光効率が低下する。本発明は、上記課題を解決し発光効率を改善することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は基板上に設けられたＮ型の第１ＧａＮ層と、前記第１ＧａＮ層上に設けられたＮ型のＩｎＧａＮコンタクト層と、前記ＩｎＧａＮコンタクト層上に設けられたＮ型の第２ＧａＮ層と、前記第２ＧａＮ層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられたＰ型クラッド層と、前記ＩｎＧａＮコンタクト層に接して設けられた電極と、を具備する発光素子である。本発明によれば、電子をチップに均一に供給できるためチップを面内で均一に発光させることができる。また、ＩｎＧａＮコンタクト層上の活性層の結晶性を改善できる。よって、発光効率を改善することができる。

上記構成において。前記ＩｎＧａＮコンタクト層のＩｎ組成比は１％以下である構成とすることができる。この構成によれば、第２ＧａＮ層の面荒れを抑制し発光効率を改善することができる。

上記構成において、前記ＩｎＧａＮコンタクト層の膜厚は１．０μｍ以下である構成とすることができる。この構成によれば、第２ＧａＮ層の面荒れを抑制し発光効率を改善することができる。

上記構成において、前記第２ＧａＮ層の膜厚は０．０５μｍ以上である構成とすることができる。この構成によれば、発光効率を改善することができる。

上記構成において、前記第１ＧａＮ層、前記第２ＧａＮ層および前記ＩｎＧａＮコンタクト層のＮ型を形成するためのドーパント濃度は概同じである構成とすることができる。

上記構成において、前記基板と前記第１ＧａＮ層との間にＡｌＮ層を具備し、前記ＡｌＮ層の測定面（００２）または（１０２）のＸ線回折ロッキングカーブの半値幅は２０００秒以下である構成とすることができる。この構成によれば、活性層等の結晶性をより向上させることができる。

本発明は、基板上にＮ型の第１ＧａＮ層を形成する工程と、前記第１ＧａＮ層上にＮ型のＩｎＧａＮコンタクト層を形成する工程と、前記ＩｎＧａＮコンタクト層上にＮ型の第２ＧａＮ層を形成する工程と、前記第２ＧａＮ層上に活性層を形成する工程と、前記活性層上にＰ型のクラッド層を形成する工程と、前記ＩｎＧａＮコンタクト層に接して電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。本発明によれば、電子をチップに均一に供給できるためチップを面内で均一に発光させることができる。また、ＩｎＧａＮコンタクト層上の活性層の結晶性を改善できる。よって、発光効率を改善することが可能な発光素子の製造方法を提供できる。

上記構成において、前記ＩｎＧａＮコンタクト層を形成する工程における成長温度は、前記第１ＧａＮ層および前記第２ＧａＮ層を形成する工程における成長温度より低く、前記活性層を形成する工程における成長温度より高い構成とすることができる。この構成によれば、ＩｎＧａＮコンタクト層のＩｎ組成比を再現性よく制御することができる。

本発明によれば、コンタクト層であるＩｎＧａＮコンタクト層をＮ型ＧａＮ層で挟みＮ型ＧａＮ層上に活性層が設けられる。これにより、電子をチップ全面に供給できるためチップ全面で発光することができる。また、ＩｎＧａＮコンタクト層上の活性層の結晶性を改善できる。よって、発光効率を改善した発光素子を提供することができる。

以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）を用い実施例１について説明する。サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板１０上にＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い各層を成長する。各層は、基板１０側から高温ＡｌＮバッファ層１２（ＡｌＮ層）、ＧａＮバッファ層１４、Ｎ型の第１ＧａＮクラッド層１６（第１ＧａＮ層）、Ｎ型のＩｎＧａＮコンタクト層１８、Ｎ型の第２ＧａＮクラッド層２０（第２ＧａＮ層）、ＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｍｔｕｍ Ｗｅｌｌ）活性層２２、Ｐ型ＧａＮクラッド層２４（Ｐ型クラッド層）である。各層の成長条件を以下に示す。

まず、基板１０をＭＯＣＶＤ装置内で熱処理する。熱処理条件は、熱処理温度が１２３０℃、雰囲気がＨ_２、熱処理時間が１０分である。

高温ＡｌＮバッファ層１２は、膜厚が約０．１μｍ、アンドープであり、成長条件は成長温度が１２３０℃、キャリアガスがＨ_２、ガス圧力が５０Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が２００ｃｃ／分である。高温ＡｌＮバッファ層１２のＸ線回折ロッキングカーブの半値幅を評価した。（００２）および（１０２）測定面で、それぞれ９４２秒および１７８２秒であった。Ｘ線を結晶に照射すると、適切な入射角度でＸ線が回折する。ロッキングカーブは、入射角度の変化に対する回折強度を示したものである。ロッキングカーブの半値幅は結晶欠陥密度と相関がある。つまり、ロッキングカーブの半値幅が大きいことは結晶内部に結晶欠陥が多く存在することを示している。

ＧａＮバッファ層１４は、膜厚が約２μｍ、アンドープであり、成長条件は成長温度が１１８０℃、キャリアガスがＨ_２、ガス圧力が３００Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が６０００ｃｃ／分である。

第１ＧａＮクラッド層１６は、膜厚が約１．３５μｍ、Ｓｉ（シリコン）ドープであり、成長条件は成長温度が１１８０℃、キャリアガスがＨ_２、ガス圧力が１５０Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が１００００ｃｃ／分、ＳｉＨ_４流量が２００ｃｃ／分である。

ＩｎＧａＮコンタクト層１８は、膜厚が約０．５μｍ、Ｓｉドープ層であり、成長条件は成長温度が９５０℃、キャリアガスがＮ_２、ガス圧力が１５０Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が１００００ｃｃ／分、ＳｉＨ_４流量が２００ｃｃ／分である。Ｉｎ組成比はＸ線測定により約０．５％である。ＩｎＧａＮコンタクト層１８の成長中にレーザ光を用いたエピ表面膜厚測定装置でその場観察を行うと、成長とともに徐々に反射強度が減衰していった。このことは、エピタキシャル層の表面に荒れが発生し、荒れが成長とともに大きくなっていくことを示唆している。

第２ＧａＮクラッド層２０は、膜厚が約０．１５μｍ、Ｓｉドープ層であり、成長条件は成長温度が１１８０℃、キャリアガスがＨ_２、ガス圧力が１５０Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が１００００ｃｃ／分、ＳｉＨ_４流量が２００ｃｃ／分である。第２ＧａＮクラッド層２０の成長中にレーザ光を用いたエピ表面膜厚測定装置でその場観察を行うと、成長とともに徐々に反射強度が増大していった。このことは、エピタキシャル層の表面の荒れが成長とともに小さくなり、表面が平坦化されていくことを示唆している。第２ＧａＮクラッド層２０を約０．０５μｍ成長すると、反射強度は定常状態となった。このことは、ＩｎＧａＮコンタクト層１８の成長により悪化した表面状態が０．０５μｍのＧａＮ層の成長によりほぼ回復したことを示唆している。

ＭＱＷ活性層２２は、膜厚が２．３ｎｍでアンドープのＩｎＧａＮウェル層を６層、膜厚が９ｎｍでアンドープのＧａＮバリア層を５層積層している。成長条件は、成長温度が８２０℃、キャリアガスがＮ_２、ガス圧力が３５０Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が１５０００ｃｃ／分である。活性層２２のフォトルミネッセンスによる波長が４５５ｎｍとなるようにウェル層のＩｎ組成比を約１８％とした。

Ｐ型ＧａＮクラッド層２４は、膜厚が約０．２μｍ、Ｍｇ（マグネシウム）ドープであり、成長条件は成長温度が１１００℃、キャリアガスがＨ_２、ガス圧力が１００Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が１００００ｃｃ／分、ＣＰ_２Ｍｇ流量が１２００ｃｃ／分である。

エピタキシャル成長した基板の温度を降温した。降温の条件は、キャリアガスがＮ_２、Ｈ_２流量が１００ｃｃ／分である。降温後、ＭＯＣＶＤ装置からエピタキシャル成長した基板を取り出した。以上によりエピタキシャル基板が完成した。

次に、図１（ｂ）のように、フォトレジストをマスクにドライエッチングし、各層の一部領域をＩｎＧａＮコンタクト層１８が露出するように除去する。ＩｎＧａＮコンタクト層１８に接し電気的に接触するようにＮ型電極２６を形成する。Ｐ型ＧａＮクラッド層２４上にＰ型電極２８を形成する。Ｎ型電極２６とＩｎＧａＮコンタクト層１８、Ｐ型電極２８とＰ型ＧａＮクラッド層２４とを電気的に接触するため５００℃にて熱処理を行なう。以上により、実施例１に係るＬＥＤが完成する。

図２に比較例１に係るＬＥＤの断面図を示す。比較例１は、実施例１に対し、ＩｎＧａＮコンタクト層１８を有しておらず、膜厚が約２μｍのＮ型ＧａＮクラッド層１５がコンタクト層を兼ねている。その他の構成は実施例１の図１（ｂ）と同じであり説明を省略する。

表1は実施例１および比較例１のＬＥＤを作製する前のエピタキシャル基板の状態で、電極を形成しＮ型シート抵抗を測定した結果である。Ｎ型シート抵抗は、比較例１では４．６Ω／□、実施例１では４．０Ω／□であり、実施例１で低減している。これは、ＩｎＧａＮコンタクト層１８の抵抗率が低いことに起因している。

図３（ａ）を用い、実施例２について説明する。実施例２は実施例１に比べ、ＩｎＧａＮのＩｎ組成比を高くした例である。図３（ａ）のように、ＩｎＧａＮコンタクト層１８ａは組成比が０．８％、膜厚が０．４μｍ、Ｓｉをドープしており、成長条件は成長温度が９００℃、キャリアガスがＮ_２、ガス圧力が１５０Ｔｏｒｒである。その他の構成は実施例１に係るＬＥＤと同じであり説明を省略する。

実施例２においては、ＩｎＧａＮコンタクト層１８ａのＩｎ組成比を実施例１より高くしているため、ＩｎＧａＮコンタクト層１８ａの抵抗率をより低くすることができる。しかしながら、Ｉｎ組成比が高いため、ＩｎＧａＮコンタクト層の結晶性を維持するため膜厚を薄くする。さらに、成長温度を低くする。

図３（ｂ）を用い、実施例３について説明する。実施例３は実施例１に比べ、ＩｎＧａＮのＩｎ組成比を低くした例である。図３（ｂ）のように、ＩｎＧａＮコンタクト層１８ｂは組成比が０．４％、膜厚が０．８μｍ、Ｓｉをドープしており、成長条件は成長温度が９６０℃、キャリアガスがＮ_２、ガス圧力が１５０Ｔｏｒｒである。また、高温ＡｌＮバッファ層１２上にＳｉドープＧａＮバッファ層１３を有している。ＳｉドープＧａＮバッファ層１３は膜厚が０．０６μｍ、Ｓｉをドープした層であり、成長条件は成長温度が１１８０℃、キャリアガスがＨ_２、ガス圧力が３００Ｔｏｒｒ、ＮＨ_３流量が６０００ｃｃ／分、ＳｉＨ_４流量が２００ｃｃ／分である。その他の構成は実施例１に係るＬＥＤと同じであり説明を省略する。

実施例３においては、ＩｎＧａＮコンタクト層１８ｂのＩｎ組成比を実施例１より低くしているため、ＩｎＧａＮコンタクト層１８ｂの抵抗率は高くなる。しかしながら、Ｉｎ組成比が低いため、ＩｎＧａＮコンタクト層の結晶性を維持しつつ膜厚を厚くすることができる。さらに、成長温度を高くすることができる。

比較例２として、実施例３のエピタキシャル基板のＩｎＧａＮコンタクト層１８ｂをＮ型ＧａＮ層に代えたエピタキシャル基板を成長した（図示していない）。表２は、実施例３および比較例２のエピタィシャル基板のＧａＮの（００２）および（１０２）面のＸ線回折ロッキングカーブの半値幅を示している。比較例２に対し実施例３においては半値幅が小さくなっている。これは、第２ＧａＮクラッド層２０、活性層２２およびＰ型ＧａＮクラッド層２４の結晶性が実施例３では比較例２に対し改善していることを示唆している。

図４（ａ）および図４（ｂ）はそれぞれ実施例３および比較例２に係るＬＥＤの０．３ｍｍ×０．３ｍｍチップのＰ型電極２８とＮ型電極２６との間に流す電流に対する光出力を示した図である。比較例２に対し実施例３は光出力が約１５％改善している。また、チップの発光を観察したところ、比較例はチップ面内で不均一に発光しているのに対し、実施例３では比較例２に対しチップ全体にわたり面内で均一に発光していた。

このように、実施例３において、チップ全体に渡り均一に発光しているのは以下の理由による。すなわち、Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８の方が第２ＧａＮクラッド層２０より低抵抗率である。このことは表１からも示されている。そうすると、電界がＩｎＧａＮコンタクト層１８内で横方向（チップの面方向）に広がるため、Ｎ型電極２６よりＩｎＧａＮコンタクト層１８に注入した電子は、ＩｎＧａＮコンタクト層１８内で横方向に広がることができる。よって、活性層２２により均一なキャリア（電子）を拡散させることができる。これにより、実施例３ではチップ全体にわたり面内で均一に発光することができる。また、発光効率を向上させることができる。

なお、コンタクト層をＧａＮ層とし、ドープ濃度で抵抗率を制御することも考えられる。しかしながら、抵抗率を低減するためには、結晶を劣化させずＬＥＤの特性を劣化させない範囲で最大限のＳｉをドープすることが好ましい。このため結果的にＮ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８と第１ＧａＮクラッド層１６および第２ＧａＮクラッド層２０とでキャリア濃度は概同じとなってしまう。よって、ＩｎＧａＮコンタクト層のように組成を変え、低抵抗率なコンタクト層を形成することが好ましい。

特許文献１から特許文献３のように、ＩｎＧａＮコンタクト層上に活性層を形成した場合、ＩｎＧａＮコンタクト層１８の表面が荒れしているため、活性層の結晶性が悪化してしまう。実施例１から実施例３のように、ＩｎＧａＮコンタクト層１８上に第２ＧａＮクラッド層２０を成長すると、面荒れした表面をＧａＮ層が埋めるように成長する。このため面荒れが改善する。

第２ＧａＮクラッド層２０の膜厚を０．０２μｍとすると、成長中のレーザ光の反射強度は回復しきれないことがわかった。この状態で活性層２２を成長するとフォトルミネッセンス強度が小さくなった。また、ＬＥＤを試作し発光効率を測定した結果、発光効率は比較例２よりも悪くなった。以上より、第２ＧａＮクラッド層２０の膜厚は、反射強度が回復する０．０５μｍ以上が好ましい。また、ドライエッチングでＩｎＧａＮコンタクト層１８を露出させるため作業時間の短縮および成長時間の短縮の観点から、第２ＧａＮクラッド層２０の膜厚は０．５μｍ以下であることが好ましい。

図４（ａ）および図４（ｂ）において、実施例３が比較例２より発光効率が改善している原因は明確ではないが以下のように考えられる。ＩｎＧａＮコンタクト層１８を成長することにより表面が荒れる。その後、第２ＧａＮクラッド層２０を成長することにより表面の面荒れが回復する。このような工程により、転位等の結晶欠陥が削減し、発光効率が改善したものと考えられる。

また、ＩｎＧａＮコンタクト層１８の膜厚を１μｍより大きく成長すると、その後第２ＧａＮクラッド層２０を０．２μｍ以上成長しても反射強度は十分には改善しなかった。これにより、ＩｎＧａＮコンタクト層１８の膜厚は１．０μｍ以下であることが好ましい。また、ＩｎＧａＮコンタクト層１８の膜厚はＩｎＧａＮコンタクト層１８内でドライエッチングを再現よく停止させるため０．２μｍ以上が好ましい。

さらに、ＩｎＧａＮコンタクト層１８のＩｎ組成比を１％より大きくすると表面の面荒れが顕著に大きくなる。この場合も、第２ＧａＮクラッド層２０を成長しても面荒れを十分に回復させることはできなかった。これより、ＩｎＧａＮコンタクト層１８のＩｎ組成比は１％以下であることが好ましい。また、ＩｎＧａＮコンタクト層１８がＩｎＮとＧａＮとの混晶として機能するためにはＩｎの組成比は０．１％以上が好ましい。

さらに、ＩｎＧａＮ層を高い成長温度で成長するとＩｎが取り込みにくくなる。よって、ＩｎＧａＮコンタクト層１８を形成する工程における成長温度は、第１ＧａＮクラッド層１６および第２ＧａＮクラッド層２０を形成する工程における成長温度より低くいことが好ましい。また、活性層２２のＩｎＧａＮウェル層のＩｎ組成比はＩｎＧａＮコンタクト層１８のＩｎ組成比より大きい。よって、ＩｎＧａＮコンタクト層１８を形成する工程における成長温度は、活性層２２を形成する工程における成長温度より高いことが好ましい。以上により、ＩｎＧａＮコンタクト層１８のＩｎ組成比を１％以下で再現性よく制御することができる。

さらに、ＩｎＧａＮコンタクト層１８上にＡｌを含むＮ型の層を成長しても、面荒れは改善できなかった。これより、第２クラッド層はＡｌを含まないＧａＮ層であることが求められる。

なお、ＩｎＧａＮコンタクト層１８の下にもＮ型第１ＧａＮクラッド層１６を設けるのは、１μｍ以下のＩｎＧａＮコンタクト層１８のみではＮ型の抵抗率を十分に低減できないためである。Ｎ型の低効率を十分に低減しようとすると、最大限ドーパントをドープすることとなる。よって、第１ＧａＮクラッド層１６、第２ＧａＮクラッド層２０およびＩｎＧａＮコンタクト層１８のＮ型を形成するためのドーパント濃度は概同じであることが好ましい。

さらに、基板１０と第１ＧａＮクラッド層１６との間に高温ＡｌＮバッファ層１２を有する場合、高温ＡｌＮバッファ層１２の結晶性が悪いと、第１ＧａＮクラッド層１６、ＩｎＧａＮコンタクト層１８、第２ＧａＮクラッド層２０、活性層２２の結晶性に悪影響を及ぼす。よって、高温ＡｌＮバッファ層は１０００℃以上または第１ＧａＮクラッド層より高い温度で成長されることが好ましい。このようにして成長された高温ＡｌＮバッファ層１２は、（００２）または（１０２）のＸ線回折ロッキングカーブの半値幅が２０００秒以下である。これにより、第１ＧａＮクラッド層１６、ＩｎＧａＮコンタクト層１８、第２ＧａＮクラッド層２０、活性層の結晶性をより向上させることができる。

また、高温ＡｌＮバッファ層１２上にＳｉドープＧａＮバッファ層１３、ＳｉドープＧａＮバッファ層１３上にアンドープのＧａＮバッファ層を形成することにより、刃状転位を低減することができる。

以上、発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図１（ａ）および図１（ｂ）は実施例１に係るＬＥＤの製造工程を示す断面図である。 図２は比較例１に係るＬＥＤの断面図である。 図３（ａ）および図３（ｂ）はそれぞれ実施例２および実施例３の断面図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）はそれぞれ実施例３および比較例２の電流に対する光出力を示す図である。

符号の説明

１０ 基板
１２ 高温ＡｌＮバッファ層
１３ ＳｉドープＧａＮバッファ層
１４ ＧａＮバッファ層
１６ 第１ＧａＮクラッド層
１８ ＩｎＧａＮコンタクト層
２０ 第２ＧａＮクラッド層
２２ 活性層
２４ Ｐ型ＧａＮクラッド層
２６ Ｎ型電極
２８ Ｐ型電極

Claims (8)

1. 基板上に設けられたＮ型の第１ＧａＮ層と、
   前記第１ＧａＮ層上に設けられたＮ型のＩｎＧａＮコンタクト層と、
   前記ＩｎＧａＮコンタクト層上に設けられたＮ型の第２ＧａＮ層と、
   前記第２ＧａＮ層上に設けられた活性層と、
   前記活性層上に設けられたＰ型クラッド層と、
   前記ＩｎＧａＮコンタクト層に接して設けられた電極と、を具備することを特徴とする発光素子。
2. 前記ＩｎＧａＮコンタクト層のＩｎ組成比は１％以下であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
3. 前記ＩｎＧａＮコンタクト層の膜厚は１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
4. 前記第２ＧａＮ層の膜厚は０．０５μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
5. 前記第１ＧａＮ層、前記第２ＧａＮ層および前記ＩｎＧａＮコンタクト層のＮ型を形成するためのドーパント濃度は概同じであることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
6. 前記基板と前記第１ＧａＮ層との間にＡｌＮ層を具備し、
   前記ＡｌＮ層の測定面（００２）または（１０２）のＸ線回折ロッキングカーブの半値幅は２０００秒以下であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
7. 基板上にＮ型の第１ＧａＮ層を形成する工程と、
   前記第１ＧａＮ層上にＮ型のＩｎＧａＮコンタクト層を形成する工程と、
   前記ＩｎＧａＮコンタクト層上にＮ型の第２ＧａＮ層を形成する工程と、
   前記第２ＧａＮ層上に活性層を形成する工程と、
   前記活性層上にＰ型のクラッド層を形成する工程と、
   前記ＩｎＧａＮコンタクト層に接して電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
8. 前記ＩｎＧａＮコンタクト層を形成する工程における成長温度は、前記第１ＧａＮ層および前記第２ＧａＮ層を形成する工程における成長温度より低く、前記活性層を形成する工程における成長温度より高いことを特徴とする請求項７記載の発光素子の製造方法。

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