JP2008058947A - 波長変換レーザー装置及びこれに用いられる非線形光学結晶 - Google Patents

波長変換レーザー装置及びこれに用いられる非線形光学結晶 Download PDF

Info

Publication number
JP2008058947A
JP2008058947A JP2007156213A JP2007156213A JP2008058947A JP 2008058947 A JP2008058947 A JP 2008058947A JP 2007156213 A JP2007156213 A JP 2007156213A JP 2007156213 A JP2007156213 A JP 2007156213A JP 2008058947 A JP2008058947 A JP 2008058947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
wavelength
fundamental
nonlinear optical
ktp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007156213A
Other languages
English (en)
Inventor
Hong-Ki Kim
弘 基 金
Kiyoyuki Kawai
清幸 川井
Yu Seung Kim
裕 承 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of JP2008058947A publication Critical patent/JP2008058947A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/355Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3551Crystals
    • G02F1/3553Crystals having the formula MTiOYO4, where M=K, Rb, TI, NH4 or Cs and Y=P or As, e.g. KTP
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

【課題】動作温度範囲が改善された非線形光学結晶とこれを含む波長変換レーザー装置を提供する。
【解決手段】一側面による波長変換レーザー装置10は、正の波長ビームを放出するレーザー光源11と、上記レーザー光源の波長ビームを基本波ビームに励起させるレーザー媒質14と、上記基本波ビームを第2調和波ビームに変換して出力させ、上記基本波ビームの入射面がタイプIIの位相整合条件でb−c結晶面になるように配置されたKTiOPO(KTP)結晶15からなる非線形光学結晶部とを含む波長変換レーザー装置10を提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は波長変換レーザー装置に関するものであって、より詳しくは、動作温度範囲が改善された非線形光学結晶とこれを含む波長変換レーザー装置に関する。
最近、様々なディスプレイ及び光記録装置分野において、半導体レーザーの需要が増えつつある。特に、ディスプレイ分野ではフルカラーの具現のための半導体レーザーの応用範囲が広がるにつれ、低電力の特性を有しつつも可視光線領域で高出力が可能なレーザーが強く求められている。
ところが、赤色光を得ようとする場合には、AlGaInPまたはAlGaAs系半導体レーザーが比較的容易に製造され用いられるが、緑色または青色光を得ようとする場合には、III族窒化物半導体の固有の格子定数及び熱膨張係数により他の半導体物質に比べて非常に成長が困難であるという問題があり、転位のような高い結晶欠陥を有するため、レーザーの信頼性を低下させ寿命を短縮させる問題を引き起こすことがある。
このような問題の解決策として、非線形特性を用いて波長を変換する方法が用いられている。このような非線形特性を用いる方法の一つとしてダイオード励起固体[DPSS(diode−pumped solid−state)]レーザー装置が注目されている。DPSSレーザー装置では、Nd:YAGなどの結晶に808nm帯域のパンプレーザーダイオードの光を入射させ1060nm辺りの波長を得た後、非線形光学結晶を用いて周波数を2倍に上げて530nm辺りの緑色光を得ることができる。
DPSSレーザー装置は、2次高調波発生用(Second Harmonic Generation:SHG)用結晶のような非線形光学結晶は温度による屈折率の変化が結晶方向によって異なるため、温度によって位相整合、即ち最適の波長変換効率を得るための入射角が変わる。これにより、使用温度範囲で非線形光学結晶の波長変換効率を一定に保持するための方案が求められる。
従来の方法としては、 ペルチェ(peltier)素子を用いた熱電冷却器[TEC(thermo−electric cooler)]と熱放出構造を採用する方案があるが、 特許文献1では、光出力をモニタリングしこれをフィードバックして最適の位相整合条件の入射角を有するように非線形光学結晶を変位する方案が提案されているが、電力消耗を増加させたりシステムが大きくなったりするという問題点がある。
特に、このような消費電力及びシステムの増加は、最近レーザー装置の応用分野として注目されている携帯用プロジェクタのような超小型化の製品で非常に深刻な障害とされている。
米国特許第6,614,584号明細書
本発明は、上記の従来技術の問題を解決するためのものであって、その目的は、広い動作温度の変化でも所望の波長変換効率を保持できる非線形光学結晶を有する波長変換レーザー装置を提供することにある。
上記の技術的課題を実現すべく、本発明は、一側面において、所定の波長ビームを放出するレーザー光源と、上記レーザー光源の波長ビームを基本波ビームに励起させるレーザー媒質と、上記基本波ビームを第2調和波ビームに変換して出力させ、上記基本波ビームがタイプIIの位相整合条件でb−c結晶面に入射されるように配置されたKTiOPO4(KTP)結晶からなる非線形光学結晶部とを含む波長変換レーザー装置を提供する。
本明細書において、“入射面”は入射ビームと反射ビームが成す面を定義する。
また、上記KTP結晶は、常温(約20℃)で基本波ビームの波長に応じて最大変換効率を有するように、結晶のc軸と入射ビームが成す角度(θ)が0〜90°の範囲で適切に選択することができる。
基本波ビームが1064nmの場合に、上記KTP結晶は、上記基本波ビームがΦ=90°及びθ=68.7°(Φ:入射ビームのa−b平面成分とa軸が成す角度、θ:結晶のc軸と入射ビームが成す角度)を満足する位相整合角度を有するように配置されることが好ましく、θに対する0.1°の半値幅を有することができる。このような半値幅は温度変化による位相整合条件を補償するためのティルティング角度範囲として理解することができる。
本発明の一実施形態において、上記レーザー媒質は、Nd:YVO4、Nd:YAGまたはNd:GdVO4結晶であることができ、上記波長変換レーザー装置は第2調和波(SHG)変換効率を向上させるために、上記第2調和波ビームの出力を増加させるための共振器構造をさらに含むことが好ましい。
この場合、上記共振器構造は、上記レーザー光源と上記レーザー媒質との間に配置され、上記基本波ビームの波長に対して高反射性を有し上記レーザー光源の波長に対して無反射性を有する第1ミラーと、上記非線形光学結晶の出力側に配置され、上記基本波ビームの波長に対して高反射性を有し上記第2調和波ビームの波長に対して無反射性を有する第2ミラーとを含んで構成されることができる。
本発明の他の側面は、波長変換レーザー装置で基本波ビームを受信して第2調和波ビームを生成する非線形光学結晶を提供する。上記非線形光学結晶は、上記基本波ビームの入射面がb−c結晶面になることができるようにa−b結晶面に切断された面を有するKTiOPO4(KTP)結晶からなる。
本発明によると、温度変化によるSHG変換効率が相対的に安定した条件を有するKTP非線形結晶が提供されるため、TEC装置のように温度変化による変化効率補償装置が無くても広い使用温度範囲で安定して動作可能な波長変換レーザー装置を提供することができる。従って、最近のレーザー装置の応用分野として注目されている携帯用プロジェクタのような超小型化の製品に適した波長変換レーザー装置を提供することができる。
以下、添付の図面を参照に本発明の実施形態をさらに詳しく説明する。
図1a及び図1bは、本発明の一実施形態による波長変換レーザー装置の概略構成図である。
図1(a)及び図1(b)に図示された通り、本実施形態による波長変換レーザー装置10は、所定の波長ビームλ1を生成するレーザー光源11と、上記波長ビームλ1を基本波ビームλ2に励起させるレーザー媒質14と、基本波ビームλ2を第2調和波ビーム(SHG: λ3)に変換させて出力する非線形光学結晶15とを含む。
また、必要に応じて様々な光学系がさらに含まれることができる。例えば、本実施形態のようにレーザー光源を集光するための集光レンズをさらに含むことができる。
本実施形態において、上記波長変換レーザー装置10は、第2調和波ビームの出力効率を増加させるために共振構造Rを含む。本実施形態に採用された共振構造Rは、上記集光レンズ12と上記レーザー媒質14との間に配置された第1ミラー16と、上記非線形光学結晶15の出力側に配置された第2ミラー17とを含む形態であることができる。
この場合に、上記第1ミラー16は、上記基本波ビームの波長に対して高反射性を有し、上記レーザー光源の波長に対して無反射性を有する。また、上記第2ミラーは、上記基本波ビームの波長に対して高反射性を有し、上記第2調和波ビームの波長に対して無反射性を有する。従って、上記共振構造Rは上記非線形光学結晶15で変換されない基本波ビームλ2を選択的に共振させて変換効率を大きく向上させることができる。
さらに具体的に、図1(b)に図示された通り、レーザー光源11から約808nmの波長光λ1が生成され、レーザー媒質14で励起され約1064nmの基本波ビームλ2が出力される。上記基本波ビームλ2は、非線形光学結晶15でその半波長に該当する532nmの第2調和波ビームλ3に変換され出力されることができる。本実施形態において、上記レーザー媒質14はNd:YVO4、Nd:YAGまたはNd:GdVO4結晶であることができる。
また、本発明において、上記非線形光学結晶15はb−c結晶面を入射面とするKTiOPO4(KTP)結晶を使用する。一般的にKTP非線形光学結晶15は、a−b結晶面を入射面として使用してきた。特に、KTP非線形光学結晶15は、最大変換効率が保障されるようにΦ=23.5°及びθ=90°の位相整合条件が主に使用されてきた。
ところが、先に述べたとおり、非線形光学結晶15は、その結晶構造が温度によって敏感に変わるため、一定の入射角での屈折率が異なる。このような現象により非線形光学結晶のSHG変換効率は動作温度に大きく依存して変わるという問題がある。
従って、本発明者は非線形光学結晶のSHG変換効率を、適正な範囲を確保する条件で動作温度範囲の拡大が可能な方案を研究し、温度による波長変換効率の変動幅が小さい結晶面を入射面として選択することにより、動作温度範囲を大きく改善できるという事実をつきとめた。即ち、本実施形態のように、KTP結晶は、上記基本波ビームがタイプIIの位相整合条件としてb−c結晶面が入射面となるように製造して配置することにより、従来のKTP結晶(a−b結晶面)に比べて数倍以上の動作温度範囲を有することができる。
本発明で提案された条件を満足するKTP非線形光学結晶15は、従来に比べて相対的に低い変換効率を有しても、本実施形態に図示された共振構造Rの特性を改善することによって十分補償することができるため、本発明による動作温度範囲の拡大は非常に有益に作用することができる。
本発明の条件によると、上記基本波ビームλ2の入射面がb−c結晶面となるように上記KTP非線形光学結晶15を配置する。最大変換効率を得るための位相整合条件は、温度だけでなく基本波ビームの波長に頼るため、基本波ビームの波長によってb−c結晶面を入射面として保持する条件(Φ=90°)で、θを適切な条件に変えて最大変換効率を得ることができる。
また、常温条件で1064nmの基本波ビームλ2が用いられることを仮定した際、上記KTP結晶はΦ=90°及びθ=68.7°を満足する位相整合角度を有するように配置されることが好ましい。上記位相整合のための角度(θ)は0.1°の半値幅を有することができる。実際に、本実施形態には図示されていないが、温度による位相整合条件のために公知の他の入射角調整手段を結合することができ、この場合に上記の誤差範囲は、温度変化による位相整合条件を補償するためのティルティング角度範囲として理解することができる。
図2は、本発明の他の実施形態による波長変換用レーザー装置の概略図である。
本実施形態による波長変換レーザー装置20は、図1の実施形態と類似に、所定の波長ビームλ1を生成するレーザー光源21と、上記波長ビームλ1を基本波ビームλ2に励起させるレーザー媒質24と、基本波ビームλ2を第2調和波ビーム(SHG:λ3)に変換させて出力するKTP非線形光学結晶25とを含む。また、上記波長変換レーザー装置20は、第2調和波ビームの出力効率を増加させるため共振構造Rとして第1及び第2ミラー26,27を含む。
但し、図1の実施形態とは異なって、レーザー媒質24の出射端面とKTP非線形光学結晶25の入射端面が相接している。ここで、KTP光学結晶25の入射端側面は基本波ビームの入射面がb−c結晶面となるようにa−b結晶面方向に切断された面を有する。また、第1及び第2ミラー26,27は、上記レーザー媒質24の入射端面と上記KTP光学結晶25の出射端面にそれぞれ形成される。
このように、本実施形態では非常にコンパクトな構造でレーザー装置を提供することができ、各要素を別途に配列しないため、精密な整列工程が求められないという長所がある。
図3(a)は、本発明に採用される非線形光学結晶であるKTiOPO4(KTP)の結晶構造を表す。
図3(a)に図示された通り、KTiOPO(KTP)非線形光学結晶は、斜方晶系(orthohombic:a<b<c)構造で、本発明では、基本波ビームの入射面がb−c結晶面になるようにa−b結晶面方向に切断された構造を有する。先に説明したとおり、上記KTP結晶に対する上記基本波ビームの入射条件は、b−c結晶面が入射面になる条件で基本波ビームの波長条件に応じて最大変換効率を有するように0〜90°の範囲で調整されることができる。
図3(b)に表したとおり、基本波ビームが1064nmの場合、上記KTP結晶に対する入射条件Φ=90°及びθ=68.7°を満足する位相整合角度を有することが変換効率の側面で好ましい。ここで、Φは入射ビームLのa−b平面成分L′とa軸が成す角度と定義され、θは上記KTP結晶のc軸と入射ビームが成す角度と定義する。
このような波長変換効率を考慮した位相整合条件は、図4を参照にさらに詳しく説明する。
図4は、基本波ビームの波長が1064nmの場合に、角度(θ)の変化によるSHG(532nm)の強さを表したグラフである。
常温条件(約20℃)で1064nmの基本波ビームλをKTP非線形光学結晶のb−c結晶面が入射面となる条件(Φ=90°)で入射させるが、基本波ビームの入射方向がc軸と成す角度(θ)が変わるようにKTP結晶を調整しながらその波長変換効率を測定した。その結果は図4にグラフで図示した。
図4に示したとおり、θ=68.7°で最大変換効率を有し、0.1°の半値幅を有するものと表れた。ここで、半値幅は温度変化による位相整合条件を補償するためのティルティング角度範囲として理解することができる。このように、1064nmの基本波ビームを使用するときに常温条件で最大変換効率が保障される位相整合条件は、Φ=90°及びθ=68.7°と定義されることができる。
勿論、このような最大変化効率は基本波ビームの波長によって異なるため、基本波ビームの他の波長を有する場合、b−c結晶面を入射面として保持する条件(Φ=90°)でθを0〜90°の範囲で適切な条件に変更することにより、最大変換効率を得ることができる。
図5は、本発明に採用される非線形光学結晶KTPの温度によるSHG光効率を表したグラフである。常温で1064nmの基本波ビームを532のSHGに変換したときに、従来の非線形光学結晶の位相整合条件と本発明による非線形光学結晶の位相整合条件を対比した結果である。
図5のグラフを参照すると、従来のKTP非線形光学結晶の位相整合条件(Φ=23.5°及びθ=90°)で動作温度によって得られる第2調和波(SHG)の強さは点線で表し、本発明の好ましい条件(Φ=90°及びθ=68.7°)によるKTP非線形光学結晶によって得られる動作温度による第2調和波(SHG)の強さは実線で表している。
勿論、最大変換効率の側面では、従来の非線形光学結晶の位相整合条件が有利であると表れたが、実際にその動作温度範囲は非常に狭小であることが分かる。
例えば、従来のKTP結晶の場合、許容半値幅(SHG効率が半分に減少する温度範囲)は約24℃の範囲に過ぎないが、本発明の好ましい条件によるKTP結晶の場合には、約97℃の範囲で4倍近く増加した動作温度範囲を有するものと表れた。
さらに、KTP結晶の温度が約40℃のとき、従来のKTP結晶が有するSHG変換効率は0に近いが、本発明の好ましい条件によるKTP結晶のSHG変換効率は0.26程度と20℃の時の最大変換効率(0.29)と比べて損失が約10%にとどまるものと表れた。
このように、図5のグラフを通じて本発明による入射条件を有するようにKTP結晶を配置することにより、広い動作温度範囲が保障できるということが確認できた。
また、先に説明した通り、SHG変換効率は共振器の性能を改善することにより、一定範囲の向上が期待できると仮定したとき、本発明による波長変換レーザー装置は、広い動作温度範囲で信頼性よく使用可能で、実際に常用条件となる温度範囲で安定してカバーできるため、TECのような装置を省略できるという非常に有用な長所を提供する。
本発明は上述の実施形態及び添付の図面によって限られず、添付の請求範囲により限定されるものである。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更を行うことができるということは、当技術分野において通常の知識を有している者には自明であり、これらの置換、変形及び変更もまた本発明の範囲に属する。
本発明の一実施形態による波長変換レーザー装置の概略構成図である。 本発明の他の実施形態による波長変換レーザー装置の概略図である。 本発明に採用される非線形光学結晶であるKTiOPO(KTP)の結晶構造において入射ビームの方向を表す図である。 基本波ビームの波長が1064nmの場合に、角度(θ)の変化によるSHG(532nm)の強さを表したグラフである。 本発明に採用される非線形光学結晶KTPの温度によるSHG光効率を表したグラフである。
符号の説明
11 レーザー光源
12 集光レンズ
14 Nd:YVOレーザー媒質
15 KTiOPO(KTP)非線形光学結晶
16 第1ミラー
17 第2ミラー

Claims (8)

  1. 所定の波長ビームを放出するレーザー光源と、
    前記レーザー光源の波長ビームを基本波ビームに励起させるレーザー媒質と、
    前記基本波ビームを第2調和波ビームに変換して出力させ、前記基本波ビームの入射面がタイプIIの位相整合条件でb−c結晶面になるように提供されるKTiOPO4(KTP)結晶からなる非線形光学結晶部と
    を含む波長変換レーザー装置。
  2. 前記KTP結晶は、基本波ビームの波長に応じて最大変換効率を有するように前記基本波ビームがc軸との角度(θ)が0〜90°の範囲で選択されたことを特徴とする請求項1に記載の波長変換レーザー装置。
  3. 前記基本波ビームは1064nm波長を有し、
    前記KTP結晶はΦ=90°及びθ=68.7°を満足する位相整合角度を有するように配置され、ここでΦは入射ビームのa−b平面成分とa軸が成す角度と定義されることを特徴とする請求項2に記載の波長変換レーザー装置。
  4. 前記レーザー媒質は、Nd:YVO4、Nd:YAGまたはNd:GdVO4結晶であることを特徴とする請求項1に記載の波長変換レーザー装置。
  5. 前記第2調和波ビームの出力を増加させるための共振器構造をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の波長変換レーザー装置。
  6. 前記共振器構造は、
    前記レーザー光源と前記レーザー媒質との間に配置され、前記基本波ビームの波長に対して高反射性を有し、前記レーザー光源の波長に対して無反射性を有する第1ミラーと、
    前記非線形光学結晶の出力側に配置され、前記基本波ビームの波長に対して高反射性を有し、前記第2調和波ビームの波長に対して無反射性を有する第2ミラーとを含むことを特徴とする請求項5に記載の波長変換レーザー装置。
  7. 波長変換レーザー装置で基本波ビームを受信して第2調和波ビームを生成する非線形光学結晶において、
    前記基本波ビームの入射面がb−c結晶面になるようにa−b結晶面方向に切断された面を有するKTiOPO(KTP)結晶からなる非線形光学結晶。
  8. 前記KTP結晶は、Φ=90°及びθ=68.7°を満足する位相整合角度を有するように配置され、ここでΦは入射ビームのa−b平面成分とa軸が成す角度と定義され、θは前記KTP結晶のc軸と入射ビームが成す角度と定義されることを特徴とする請求項7に記載の非線形光学結晶。
JP2007156213A 2006-08-30 2007-06-13 波長変換レーザー装置及びこれに用いられる非線形光学結晶 Pending JP2008058947A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060083108A KR100764424B1 (ko) 2006-08-30 2006-08-30 파장변환 레이저 장치 및 이에 사용되는 비선형 광학결정

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008058947A true JP2008058947A (ja) 2008-03-13

Family

ID=39151451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007156213A Pending JP2008058947A (ja) 2006-08-30 2007-06-13 波長変換レーザー装置及びこれに用いられる非線形光学結晶

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20080056312A1 (ja)
JP (1) JP2008058947A (ja)
KR (1) KR100764424B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7438057B2 (ja) 2020-08-13 2024-02-26 株式会社ディスコ 固体レーザ発振器

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100764424B1 (ko) * 2006-08-30 2007-10-05 삼성전기주식회사 파장변환 레이저 장치 및 이에 사용되는 비선형 광학결정
US9841655B2 (en) 2015-07-01 2017-12-12 Kla-Tencor Corporation Power scalable nonlinear optical wavelength converter
US20190056637A1 (en) * 2017-08-21 2019-02-21 Kla-Tencor Corporation In-Situ Passivation for Nonlinear Optical Crystals
CN110429456B (zh) * 2019-08-21 2024-03-26 中国人民解放军陆军工程大学 可扩展温度适应范围的组合ktp倍频器件及其调整方法
CN111060452B (zh) * 2019-12-23 2022-08-05 山西斯珂炜瑞光电科技有限公司 一种补偿古依相移增加非线性相互作用的晶体炉装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04276726A (ja) * 1991-03-05 1992-10-01 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency 温度安定形波長変換素子
JPH05299751A (ja) * 1992-04-17 1993-11-12 Fuji Photo Film Co Ltd レーザーダイオードポンピング固体レーザー
JPH06318757A (ja) * 1993-04-15 1994-11-15 Nec Corp 固体レーザ
JPH07131101A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Sony Corp レーザ光発生装置
JPH1093182A (ja) * 1996-06-05 1998-04-10 Jin Tianfeng 周波数変換型固体レーザ装置、周波数2倍型固体レーザ装置および周波数変換型結合型共振キャビティ
JP2000183433A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Ricoh Co Ltd 固体shgレーザ装置
JP2000517481A (ja) * 1996-09-05 2000-12-26 ラウレル,フレドリク レーザ

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3066966B2 (ja) * 1988-02-29 2000-07-17 ソニー株式会社 レーザ光源
US5060233A (en) * 1989-01-13 1991-10-22 International Business Machines Corporation Miniature blue-green laser source using second-harmonic generation
JPH0324781A (ja) * 1989-06-22 1991-02-01 Hamamatsu Photonics Kk レーザ発生装置における位相整合方法
JP2893862B2 (ja) * 1990-05-16 1999-05-24 ソニー株式会社 固体レーザー発振器
US5331650A (en) * 1991-03-20 1994-07-19 Ricoh Company, Ltd. Light source device and optical pickup using light source device
AU659270B2 (en) * 1992-02-20 1995-05-11 Sony Corporation Laser light beam generating apparatus
JPH05275785A (ja) * 1992-03-28 1993-10-22 Sony Corp レーザ光発生光学装置
DE69331453T2 (de) * 1992-06-19 2002-09-12 Sony Corp Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlen
US5333142A (en) * 1992-10-26 1994-07-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Technique for intracavity sum frequency generation
US5436920A (en) * 1993-05-18 1995-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser device
JPH0758391A (ja) * 1993-08-20 1995-03-03 Nippon Steel Corp 固体レーザ装置
JP3222288B2 (ja) * 1993-11-05 2001-10-22 富士写真フイルム株式会社 光波長変換装置
JP2892938B2 (ja) * 1994-06-20 1999-05-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 波長変換装置
DE69527830T2 (de) * 1994-11-14 2003-01-02 Mitsui Chemicals Inc Wellenlängenstabilisierter Lichtquelle
EP0767396B1 (en) * 1995-09-20 2003-06-18 Mitsubishi Materials Corporation Optical converting method and converter device using the single-crystal lithium tetraborate, and optical apparatus using the optical converter device
US20020133146A1 (en) * 1995-10-27 2002-09-19 William B. Telfair Short pulse mid-infrared parametric generator for surgery
US5841798A (en) * 1996-05-07 1998-11-24 Raytheon Company Eyesafe laser transmitter with brewster angle Q switch in single resonator cavity for both pump laser and optical parametric oscillator
KR100272196B1 (ko) * 1996-06-05 2000-12-01 나까니시 히로유끼 레이저 광 발생장치
CA2273040C (en) * 1996-11-29 2004-09-21 Corporation For Laser Optics Research Monochromatic r,g,b laser light source display system and method
US5940419A (en) * 1997-06-13 1999-08-17 Xie; Ping Frequency doubling solid-state laser including lasant material and nonlinear optical material
JP4008609B2 (ja) * 1999-01-26 2007-11-14 三菱電機株式会社 レーザ装置およびレーザ加工装置
US6614584B1 (en) * 2000-02-25 2003-09-02 Lambda Physik Ag Laser frequency converter with automatic phase matching adjustment
US6724787B2 (en) * 2000-12-08 2004-04-20 Melles Griot, Inc. Low noise solid state laser
US7016389B2 (en) * 2003-01-24 2006-03-21 Spectra Physics, Inc. Diode pumped laser with intracavity harmonics
TWI255961B (en) * 2003-05-26 2006-06-01 Mitsubishi Electric Corp Wavelength conversion method, wavelength conversion laser, and laser processing apparatus
JP4408668B2 (ja) * 2003-08-22 2010-02-03 三菱電機株式会社 薄膜半導体の製造方法および製造装置
US20050063441A1 (en) * 2003-09-22 2005-03-24 Brown David C. High density methods for producing diode-pumped micro lasers
JP4891526B2 (ja) * 2004-01-23 2012-03-07 ミヤチテクノス株式会社 レーザ溶接装置
US7397598B2 (en) * 2004-08-20 2008-07-08 Nikon Corporation Light source unit and light irradiation unit
US7535937B2 (en) * 2005-03-18 2009-05-19 Pavilion Integration Corporation Monolithic microchip laser with intracavity beam combining and sum frequency or difference frequency mixing
KR100764424B1 (ko) * 2006-08-30 2007-10-05 삼성전기주식회사 파장변환 레이저 장치 및 이에 사용되는 비선형 광학결정

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04276726A (ja) * 1991-03-05 1992-10-01 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency 温度安定形波長変換素子
JPH05299751A (ja) * 1992-04-17 1993-11-12 Fuji Photo Film Co Ltd レーザーダイオードポンピング固体レーザー
JPH06318757A (ja) * 1993-04-15 1994-11-15 Nec Corp 固体レーザ
JPH07131101A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Sony Corp レーザ光発生装置
JPH1093182A (ja) * 1996-06-05 1998-04-10 Jin Tianfeng 周波数変換型固体レーザ装置、周波数2倍型固体レーザ装置および周波数変換型結合型共振キャビティ
JP2000517481A (ja) * 1996-09-05 2000-12-26 ラウレル,フレドリク レーザ
JP2000183433A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Ricoh Co Ltd 固体shgレーザ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7438057B2 (ja) 2020-08-13 2024-02-26 株式会社ディスコ 固体レーザ発振器

Also Published As

Publication number Publication date
US20080056312A1 (en) 2008-03-06
US20100135345A1 (en) 2010-06-03
KR100764424B1 (ko) 2007-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5854802A (en) Single longitudinal mode frequency converted laser
US7778291B2 (en) Wavelength converting laser device
US7760773B2 (en) Wavelength conversion laser apparatus
JP2008058947A (ja) 波長変換レーザー装置及びこれに用いられる非線形光学結晶
JP4231829B2 (ja) 内部共振器型和周波混合レーザ
JP2007173819A (ja) 高効率2次調和波生成の垂直外部共振器型の面発光レーザシステム
JP5231806B2 (ja) レーザ光源、およびそれを用いたディスプレイ装置
JPH1093182A (ja) 周波数変換型固体レーザ装置、周波数2倍型固体レーザ装置および周波数変換型結合型共振キャビティ
US7804865B2 (en) Single-frequency monolithic linear laser device and system comprising same
JP2849233B2 (ja) バルク型共振器構造の光波長変換装置
US20070030878A1 (en) Laser arrangement and method for the generation of a multimode operation with intracavity frequency doubling
JP2007266120A (ja) 固体レーザ装置
JP6311619B2 (ja) レーザモジュール及びレーザ装置
Hilbich et al. New wavelengths in the yellow-orange range between 545 nm and 580 nm generated by an intracavity frequency-doubled optically pumped semiconductor laser
JP4505462B2 (ja) レーザ・ダイオードによってポンピングされるモノリシック固体レーザ装置、およびこの装置の使用方法
Hartke et al. Efficient green generation by intracavity frequency doubling of an optically pumped semiconductor disk laser
JP5001598B2 (ja) 固体レーザ発振装置および固体レーザ増幅装置
JP2007266537A (ja) 内部共振器型和周波混合レーザ
KR100818492B1 (ko) 펌핑 레이저 다이오드를 이용한 dpss 레이저 장치
US20070041420A1 (en) Solid-state laser device
JPH07131101A (ja) レーザ光発生装置
JP4862960B2 (ja) 波長変換レーザ装置および画像表示装置
JPH06265955A (ja) 波長変換素子
JP2005107449A (ja) 偶数個の非線形結晶を用いた緑色コヒーレント光の発生装置
Lutgen et al. 0.7 W green frequency doubled semiconductor disk laser

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090929

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20091126

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100104

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100107

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100107

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100108

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100129

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100203

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100301

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100304

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100907

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100930

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101021

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20101028

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110614

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110914

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110920

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111014

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111019

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120124