JP2008049601A - ガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液体状の金属上に、式SinHm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜2n+2の整数を表す)で表されるポリシラン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで該塗膜に酸化処理を施し液体金属上にシリカ膜を形成し、さらに該シリカ膜上に樹脂溶液を成膜してガスバリア用シリカ膜積層フィルムを製造する方法。
【選択図】なし
Description
例えば、食品用包装材料としては、蛋白質、油脂類などの内容物の酸化などによる変質を防止し、味などの品質保持のために、酸素、水蒸気、その他内容物を変質させるガスを透過させないガスバリア性を有する材料が求められている。
このような要求に対し、特許文献1には、高分子樹脂組成物からなる基材上に、1種以上の金属アルコキシドまたはその加水分解物と、分子中に少なくとも2個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物との混合溶液を主とするコーティング用組成物を塗布し、加熱乾燥してなるガスバリア性被膜層を形成したガスバリア材が提案されている。しかし、このガスバリア材には、イソシアネート基を有するイソシアネート化合物の他、メラミン、ホルムアルデヒド、塩化スズなどが含有されており、医療品用途や食品用途に用いた場合、人体へ間接的に経口する可能性があり、人体に対して有害であるという問題点を有している。
一方、有機EL素子は、通常、陽極としてはインジウム・スズ酸化物(ITO)のような透明電極が用いられ、陰極としては電子注入を効率よく行うために、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、銀合金、リチウム合金などの仕事関数の低い金属電極が用いられる。しかしながら、これらの陰極材料は、大気中の水分や酸素により容易に酸化し、その結果、陰極が有機層から剥離し一般にダークスポット、すなわち素子の発光面において発光しない部分と呼ばれる欠陥が発生する。この有機EL素子内のダークスポットの数や大きさは、長期間の素子の保存または駆動の際に増加する。このため、有機EL素子の最大の問題点である耐久性の短さをもたらしている。有機EL素子のダークスポットによる劣化が改善されず発光特性が不安定であると、ファクシミリ、複写機、液晶ディスプレイのバックライトなどの光源としては大きな問題であり、フラットパネル・ディスプレイなどの表示素子としても望ましくない。
さらに好ましくは、式SinH2n+2で表される水素化鎖状ポリシラン、式SinH2nで表される水素化環状ポリシラン、および式SinHnで表される水素化かご状ポリシラン化合物が好適に用いられる。これらのうち特に好ましくは式SinH2nで表される水素化環状ポリシランである。なお、「かご状」とは、プリズマン骨格、キューバン骨格、5角柱型骨格等を含むものを意味する。
上記各式におけるnは、水素化鎖状ポリシランおよび水素化環状ポリシランにおいて、好ましくは3〜50の整数であり、水素化かご状ポリシランにおいて、好ましくは6〜50の整数である。このようなポリシラン化合物は、単独で、または2種以上を混合して使用することができる。
5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、5−エチリデンビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、5−フェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−フェニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、5−フルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−フルオロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−トリフルオロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ペンタフルオロエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5−ジフルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジフルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5−ビス(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ビス(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−トリフルオロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5,6−トリフルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5,6−トリス(フルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5,6,6−テトラフルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5,6,6−テトラキス(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5−ジフルオロ−6,6−ビス(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジフルオロ−5,6−ビス(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5,6−トリフルオロ−5−トリフルオロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−フルオロ−5−ペンタフルオロエチル−6,6−ビス(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジフルオロ−5−ヘプタフルオロ−iso−プロピル−6−トリフルオロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−クロロ−5,6,6−トリフルオロビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジクロロ−5,6−ビス(トリフルオロメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5,6−トリフルオロ−6−トリフルオロメトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,5,6−トリフルオロ−6−ヘプタフルオロプロポキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−フルオロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−フルオロメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−ジフルオロメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−トリフルオロメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−ペンタフルオロエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8−ジフルオロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ジフルオロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−トリフルオロメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8,9−トリフルオロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8,9−トリス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8,9,9−テトラフルオロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8,9,9−テトラキス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8−ジフルオロ−9,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ジフルオロ−8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8,9−トリフルオロ−9−トリフルオロメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8,9−トリフルオロ−9−トリフルオロメトキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,8,9−トリフルオロ−9−ペンタフルオロプロポキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−フルオロ−8−ペンタフルオロエチル−9,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ジフルオロ−8−ヘプタフルオロiso−プロピル−9−トリフルオロメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−クロロ−8,9,9−トリフルオロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ジクロロ−8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン等が挙げられる。これらは、1種単独で、または2種以上を併用することができる。これらのうち好ましい例示としてはビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、トリシクロ[4.3.0.12,5]デカ−3−エン、5−トリエトキシシリル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.11,612,5]−3−ドデセン等が挙げられる。このようなノルボルネン樹脂は溶液にして使用される。溶媒としては樹脂を溶解するものであれば特に限定はなく、塩化メチレン、クロロホルム、トルエン、キシレンなどを使用することができる。樹脂溶液の濃度はフィルムの膜厚により異なるが、例えば1〜50重量%である。
このようにして得られる本発明のシリカ膜積層フィルムは、多湿条件下でも防湿性に優れ、またガスバリア性能にも優れるため、EL用封止材、太陽電池、保護膜、防湿フィルムおよびガスバリアフィルムとして有用であるばかりでなく、食品、煙草、トイレタリー分野などの包装材料として好適に用いられる。
目視により、防湿フィルムの外観を評価した。
モダンコントロール社製、MOCON PERMATRANを用い、温度40℃、湿度90RH%雰囲気下で測定した。
モダンコントロール社製、MOCON OXTRAN2/20を用い、温度25℃、湿度90RH%雰囲気下で測定した。
温度計、コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が2Lの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン1.5Lとリチウム金属27.4gを仕込み、アルゴンガスでバブリングした。この懸濁液に、氷冷下で攪拌しながら、ジフェニルジクロルシラン500gを滴下ロートより添加した。リチウム金属が完全に消失するまで反応を続けた後、反応混合物を氷水中に注ぎ反応生成物を沈殿させた。この沈殿物を濾別し、水で良く洗浄した後シクロヘキサンで洗浄した。さらにこの粗生成物を酢酸ブチルで再結晶することによりデカフェニルシクロペンタシラン216gを得た。このものの構造はGC−MS、NMR、IRで確認した。次に1Lのフラスコにこのデカフェニルシクロペンタシラン200gおよびトルエン2,500mlを仕込み、塩化アルミニウム5gを加え氷冷下で塩化水素を導入し、アルゴン雰囲気下で反応混合物を減圧濃縮することにより固体状の反応生成物92gを得た。この粗生成物をアルゴン雰囲気下での減圧固体蒸留で精製することによりクロル化シクロシラン75gを得た。このものは、GC−MS、29Si−NMRおよびIRの各スペクトルによりデカクロルシクロペンタシランであることが判った。かくして得られたデカクロルシクロペンタシラン66gをエーテルとトルエンの混合溶媒に溶解し、氷冷下アルゴン雰囲気中でリチウムアルミニウムヒドリドを塩素原子1個に対して1等量加えて還元反応を行った。反応で生じたアルミニウム化合物を除去することにより還元されたシラン化合物18gを得た。このものはMS、29Si−NMRおよびIRの各スペクトルによりシクロペンタシラン(Si5H10)であることが判明した。このシクロペンタシラン10gに紫外線を照射して得られるポリシランをトルエン90gに溶解しポリシラン溶液を調整した。
温度計、コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が2Lの4つ口フラスコ内を乾燥空気で置換した後、ペンタン700mlとジエチルエーテル300mlを仕込み、次いで細かく砕いた氷500gを仕込み、氷冷下で攪拌しながらジクロロシラン247gをペンタン700mlとジエチルエーテル300mlの混合溶媒に溶解した溶液を添加し加水分解反応を行った。添加終了後、更に1時間攪拌を続けた後、分液ロートで有機溶媒層と水層を分離し、有機溶媒層は塩化カルシウムで乾燥し溶媒を留去することによりヒロドポリシロキサン混合物を得た。得られたポリシロキサンを29Si-NMRを測定すると単位ユニット(SiH2O)と単位ユニット(SiHO1.5)の混合体であることがわかった(図1参照)。得られた水素化ポリシロキサン10gをジブチルエーテル90gに溶解し塗布液を調整した。
合成例1で得られた水素化ポリシラン5gと合成例2で得られた水素化ポリシロキサン5gをジブチルエーテル90gに溶解し均一な塗布溶液を調整した。
単量体としてビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン 750ミリモル(70.5g)、エンド(endo)体含有量が95%のトリシクロ[4.3.0.12,5]デカ−3−エン 475ミリモル(63.6g)、5−トリエトキシシリル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン 25ミリモル(6.4g)を、溶媒としてシクロヘキサン562gと塩化メチレン141g、分子量調節剤としてスチレン 15.0ミリモルと一緒に2,000mlの反応容器に窒素下で仕込んだ。予めヘキサン溶液のオクタン酸Niを六フッ化アンチモン酸と−10℃でモル比1:1で反応させ、副生する沈殿したNi(SbF6)2を除去し、トルエン溶液で希釈したオクタン酸Niの六フッ化アンチモン酸変性体をNi原子として0.25ミリモル、メチルアルミノキサン2.50ミリモル、三フッ化ホウ素エチルエーテラート0.75ミリモルを仕込み、重合を行った。25℃で3時間重合を行い、メタノールで重合を停止した。単量体の共重合体への転化率は90%であった。共重合体溶液に水660ml、乳酸47.5ミリモルを加えて、攪拌、混合して触媒成分と反応させ、共重合体溶液と水を静止分離した。触媒成分の反応物を含む水相を除去した共重合体溶液を3Lのイソプロピルアルコールに入れて共重合体を凝固し、未反応単量体と残る触媒残さを除去した。凝固した共重合体を乾燥し、共重合体Aを得た。共重合体溶液中の未反応単量体のガスクロマトグラフィー分析から、共重合体A中のトリシクロ[4.3.0.12,5]デカ−3−エンに由来する構造単位の割合は35モル%であった。5−トリエトキシシリル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エンに由来する構造単位の割合は2.0モル%であった。共重合体Aのポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)は142,000、重量平均分子量(Mw)は284,000で、Mw/Mnは2.0であった。また共重合体Aのガラス転移温度は390℃であった。共重合体A10gをシクロヘキサン45mL、n−ヘプタン5mLの混合溶媒に溶解して、酸化防止剤としてペンタエリスリチル−テトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]およびトリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイトをそれぞれ、重合体100重量部に対して0.6重量部、架橋剤として、亜リン酸トリブチルを重合体100重量部に対して、0.05重量部を添加した。この重合体溶液を孔径10μmのメンブランフィルターで異物を除去してフィルム用樹脂溶液を調製した。
窒素雰囲気中で250℃に加熱した溶融ハンダの液面上に、上記合成例1で得られたポリシラン溶液をスプレー塗布しハンダ液面上に膜厚1μmの褐色のポリシラン膜を形成した。これを空気中に取り出しハンダ浴を400℃で10分間加熱し、更に700℃に10分間加熱することによりハンダ液面上に無色透明の膜を得た。この膜をESCA法で表面組成分析を行ったところケイ素と酸素原子のみが検出され、ケイ素の2p軌道のエネルギーが104eVであることからSiO2膜であることが判った。このシリカ膜の膜厚は1.5μmであった。ハンダ浴の温度を再度250℃にして上記シリカ膜の全面に上記合成例2で得られたノルボルネン系樹脂溶液をスプレー塗布で膜厚100μmの樹脂フィルムを形成した後、ハンダ浴上のフィルムを引き上げることによりシリカ膜と樹脂フィルムが積層されたシリカ膜積層フィルムを形成した。得られたシリカ膜積層フィルムについて水蒸気透過率、酸素透過率を測定したところ、それぞれ0.01cc/m2・atm・24h、0.001cc/m2・atm・24hとガスバリア性は良好であった。
実施例1におけるシリカ材料を合成例1の水素化ポリシラン溶液に替えて、合成例2で得られた水素化ポリシロキサン溶液を用いて、他は実施例1と同様にしてシリカ膜積層フィルムを形成した。このシリカ膜積層フィルムについて実施例1と同様に水蒸気透過率、酸素透過率を測定したところ、それぞれ0.013cc/m2・atm・24h、0.0016cc/m2・atm・24hとガスバリア性は良好であった。
実施例1における樹脂溶液を合成例4のノルボルネン樹脂に替えて、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン70.5gと8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.11,6.12,5]−3−ドデセン49.5gを単量体として使用したノルボルネン系ポリマーを用い、他は実施例1と同様にしてシリカ膜積層フィルムを作成した。得られたシリカ積層フィルムについて実施例1と同様に水蒸気透過率、酸素透過率を測定したところ、それぞれ0.009cc/m2・atm・24h、0.0020cc/m2・atm・24hとガスバリア性は良好であった。
厚み38μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上にインジウム・スズ複合酸化物(ITO)を100nmの厚さで真空蒸着させた蒸着フィルムを作製し、その水蒸気透過率、酸素透過率を測定したところ、それぞれ1.8cc/m2・atm・24h、1.5cc/m2・atm・24hであった。
Claims (4)
- 耐熱性媒体上に、式SinHm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜2n+2の整数を表す)で表されるポリシラン化合物および/または式SiaHbOc(ここで、aは2以上の整数、bは2a+2以下の整数、cはa以下の整数)で表されるヒドロシロキサン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで該塗膜に300〜800℃で酸化処理を施すことでシリカ膜を形成し、該シリカ膜上に樹脂溶液を成膜することを特徴とするガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法。
- 上記耐熱性媒体が、常圧下300〜800℃の何れかの温度で液体である金属または合金からなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 樹脂溶液の樹脂が、ノルボルネン系樹脂である請求項1または2に記載の方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010134609A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス |
WO2010134611A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
US8771834B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-07-08 | Lintec Corporation | Formed body, production method thereof, electronic device member and electronic device |
US8846200B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-09-30 | Lintec Corporation | Gas-barrier film, process for producing same, member for electronic device, and electronic device |
US8865810B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-10-21 | Lintec Corporation | Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device |
US9340869B2 (en) | 2008-08-19 | 2016-05-17 | Lintec Corporation | Formed article, method for producing the same, electronic device member, and electronic device |
US9540519B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-01-10 | Lintec Corporation | Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device |
US9556513B2 (en) | 2010-08-20 | 2017-01-31 | Lintec Corporation | Molding, production method therefor, part for electronic devices and electronic device |
CN114656666A (zh) * | 2022-05-25 | 2022-06-24 | 河南源宏高分子新材料有限公司 | 一种能够实现温度阻隔的pet材料制备工艺 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04260623A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | フロートガラス製造用ロール |
JP2001002449A (ja) * | 1999-04-22 | 2001-01-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 低放射ガラスと該低放射ガラスを使用したガラス物品 |
JP2003055556A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-26 | Jsr Corp | シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物 |
JP2003171556A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-20 | Jsr Corp | シリコン膜の形成方法およびそのための組成物 |
JP2004087546A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Jsr Corp | シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法 |
JP2004204094A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Jsr Corp | シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法 |
-
2006
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04260623A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | フロートガラス製造用ロール |
JP2001002449A (ja) * | 1999-04-22 | 2001-01-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 低放射ガラスと該低放射ガラスを使用したガラス物品 |
JP2003055556A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-26 | Jsr Corp | シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物 |
JP2003171556A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-20 | Jsr Corp | シリコン膜の形成方法およびそのための組成物 |
JP2004087546A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Jsr Corp | シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法 |
JP2004204094A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Jsr Corp | シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9340869B2 (en) | 2008-08-19 | 2016-05-17 | Lintec Corporation | Formed article, method for producing the same, electronic device member, and electronic device |
US8865810B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-10-21 | Lintec Corporation | Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device |
US9365922B2 (en) | 2009-05-22 | 2016-06-14 | Lintec Corporation | Formed article, method of producing same, electronic device member, and electronic device |
CN102439078A (zh) * | 2009-05-22 | 2012-05-02 | 琳得科株式会社 | 成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备 |
JP5704611B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2015-04-22 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP5704610B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2015-04-22 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス |
WO2010134611A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
WO2010134609A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス |
US9540519B2 (en) | 2010-03-31 | 2017-01-10 | Lintec Corporation | Formed article, method for producing same, electronic device member, and electronic device |
US9556513B2 (en) | 2010-08-20 | 2017-01-31 | Lintec Corporation | Molding, production method therefor, part for electronic devices and electronic device |
US8771834B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-07-08 | Lintec Corporation | Formed body, production method thereof, electronic device member and electronic device |
US8846200B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-09-30 | Lintec Corporation | Gas-barrier film, process for producing same, member for electronic device, and electronic device |
CN114656666A (zh) * | 2022-05-25 | 2022-06-24 | 河南源宏高分子新材料有限公司 | 一种能够实现温度阻隔的pet材料制备工艺 |
CN114656666B (zh) * | 2022-05-25 | 2022-08-16 | 河南源宏高分子新材料有限公司 | 一种能够实现温度阻隔的pet材料制备工艺 |
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