JP2008047820A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】LDD構造のMOSトランジスタのソース・ドレイン領域上におけるサリサイド層のゲート電極下のチャネル部からの距離と、ソース・ドレイン領域のうちの深い拡散層のゲート下電極のチャネル部からの距離を別々に最適状態に制御する。
【解決手段】ゲート電極12の両端のゲート側壁14およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層16を有するLDD構造のMOSトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層13bを形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層16を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせる。
【選択図】 図1
【解決手段】ゲート電極12の両端のゲート側壁14およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層16を有するLDD構造のMOSトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層13bを形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層16を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に係り、特にMOSFET(絶縁ゲート型トランジスタ)のゲート側壁の形成方法およびそれにより形成されたMOSトランジスタに関するもので、例えばCMOSタイプのLSIに適用されるものである。
従来、半導体ウェハ上に形成されるMOSトランジスタとして、ソース・ドレイン領域に形成するサリサイド層のゲート電極下のチャネル部への侵入を防ぐため、および、ソース・ドレイン領域の接合リークを低減するために必要となる深い拡散層をチャネル部より十分距離を遠ざけて配置するために、ゲート側壁を有するMOSトランジスタ構造が用いられている。その際、ゲート側壁の幅は、MOSトランジスタ構造の性能に影響を与える要因となる。
以下、この点について説明する。CMOSデバイスにおいて、トランジスタサイズを縮小し、かつ性能を向上させることは重要な課題である。ソース・ドレイン領域上に形成されるサリサイド層のゲート電極下のチャネル部への侵入を防ぐ目的で、サリサイド層が形成される領域はチャネル部より十分距離を遠ざけて配置される。このために、MOSトランジスタのゲート電極の両側には側壁が形成される。この側壁は、ソース・ドレイン領域の接合リークを低減するために必要となる深い拡散層をチャネル部より十分距離を遠ざけて配置するためにも用いられる。
ところで、側壁下の領域はMOSトランジスタにおける寄生抵抗として作用するので、側壁の幅はMOSトランジスタ構造の性能に影響を与える要因となる。側壁の幅は側壁となる絶縁体材料の堆積膜厚とエッチングによって変えることができる。側壁の幅を狭くすることにより、MOSトランジスタの寄生抵抗を下げることができる。しかも、MOSトランジスタのソース・ドレイン領域へのコンタクトの形成が容易になるので、MOSトランジスタの性能が向上する。しかし、側壁の幅を狭くすると、サリサイド層がゲート電極下のチャネル部へ近づくことにより、サリサイド層がゲート電極下のチャネル領域へ侵入し易くなる。サリサイド層がゲート電極下のチャネル領域まで侵入すると、ゲート電極とソース・ドレイン領域がショートする、ソース・ドレイン領域からの接合リーク電流が増大する、などの問題が発生し、LSIの製造歩留りが低下する。さらに、サリサイド層下のソース・ドレイン領域には、接合リークを低減するために深い拡散層が形成されており、その拡散層がゲート電極下のチャネル部に近づくことにより、MOSトランジスタの閾値低下が起きやすくなる。
従来のMOSトランジスタ構造では、MOSトランジスタの寄生抵抗を低減する、ソース・ドレイン領域のサリサイド層と深い拡散層とをゲート電極下のチャネル部から遠ざける、という目的の両方の点から、最適な側壁幅が決まる。しかし、ソース・ドレイン領域形成時の最適な側壁幅と、サリサイド層形成時の最適な側壁幅とは必ずしも一致していない。このため、従来では、両方の要求をある程度満たすことができるように側壁幅を選択している。
なお、特許文献1には、ゲート電極の細小化に伴ってLDD構造の側壁の厚みを可変とする半導体装置およびその製造方法が開示されている。
特開2003−224264号公報
本発明は、LDD構造のMOSトランジスタのソース・ドレイン領域上におけるサリサイド層のゲート電極下のチャネル部からの距離と、ソース・ドレイン領域のうちの深い拡散層のゲート電極下のチャネル部からの距離とを、別々にかつ最適状態に制御することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極の両側のゲート側壁およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層を有するMOSトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層を形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表層部に形成されたLDD構造のソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域間のチャネル部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側に設けられ、N(窒素)もしくはC(炭素)を1E19cm-3以上含んだSiNからなるゲート側壁と、前記ゲート電極上および前記ソース・ドレイン領域のエクステンション領域の一部を含むソース・ドレイン領域上に前記ゲート側壁に隣接して形成されたサリサイド層とを具備する。
本発明の半導体装置の製造方法および半導体装置によれば、LDD構造のMOSトランジスタのソース・ドレイン領域上におけるサリサイド層のゲート電極下のチャネル部からの距離と、ソース・ドレイン領域のうちの深い拡散層のゲート電極下のチャネル部からの距離とを、別々にかつ最適状態に制御することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
<第1の実施形態>
図1(a)乃至(c)は、本発明の半導体装置の第1の実施形態に係るLDD(ライトリー・ドープト・ドレイン)構造のMOSトランジスタの製造工程を示す断面図である。まず、図1(a)に示すように、半導体基板(Si基板)の素子形成領域10における表面上にゲート絶縁膜11を形成し、さらに、MOSトランジスタのゲート電極12の加工を行う。
図1(a)乃至(c)は、本発明の半導体装置の第1の実施形態に係るLDD(ライトリー・ドープト・ドレイン)構造のMOSトランジスタの製造工程を示す断面図である。まず、図1(a)に示すように、半導体基板(Si基板)の素子形成領域10における表面上にゲート絶縁膜11を形成し、さらに、MOSトランジスタのゲート電極12の加工を行う。
次に、イオン注入およびアニール処理を行って、ゲート電極12のチャネル長方向における両端の基板表層部に、MOSトランジスタのソース・ドレイン領域の一部をなす比較的低い不純物濃度を有する浅い拡散層、つまりエクステンション領域13aを形成する。エクステンション領域13aの拡散深さは例えば5nm〜200nm程度である。
次に、図1(b)に示すように、ゲート電極の両端に第1のゲート側壁14を形成する。この第1のゲート側壁14の材料としてはSiN系の絶縁体材料を用いる。選択されるSiN系の膜は、DCS(Dichlorosilane:ジクロロシラン)を使用したLPCVD(減圧CVD)法により600℃以上の温度で堆積させたSiN膜、および、ソースガスとしてHCD(Hexachlorodisilane:ヘキサクロロジシラン)を使用したLPCVD法により450℃以下の低温で堆積させたSiN膜がある。
次に、第1のゲート側壁14上に単一層(非積層)からなる第2のゲート側壁15を形成する。この第2のゲート側壁15の材料としては、SiN系の絶縁体材料が用いられる。この際、選択されるSiN系の膜として、ソースガスとしてDCSを使用したLPCVD法により600℃以上の温度で堆積させたSiN膜、および、ソースガスとしてHCDを使用したLPCVD法により450℃以下の低温で堆積させたSiN膜が用いられる。第2のゲート側壁15の材料として、SiO2 系の絶縁体材料を用いてもよい。
ゲート電極12の両端に第1のゲート側壁14と第2のゲート側壁15が積層された状態で、イオン注入とアニール処理を行って、MOSトランジスタのソース・ドレイン領域の一部をなす比較的高い不純物濃度を有する深い拡散層13bを形成する。この時、深い拡散層13bの拡散深さは例えば50nm〜400nm程度である。深い拡散層13bを形成する際のイオン注入工程では、NタイプのMOSトランジスタでは不純物としてP(リン)またはAs(ヒ素)、PタイプのMOSトランジスタとしては不純物としてB(ボロン)を用いる。イオン注入による不純物濃度はSi基板表面で1E20cm-3以上である。イオン注入後のアニール処理は、例えば1000℃以上のピーク温度をもつRTA(高速アニール)により行われる。
ここで、チャネル部10aのチャネル長Lは例えば約30〜50nm、第1のゲート側壁14の膜厚W1は例えば約25nm、第2のゲート側壁15の膜厚W2は例えば約25nm、エクステンション領域13aのチャネル長方向と平行な方向における長さは例えば約50〜100nmである。
次に、第2のゲート側壁15を第1のゲート側壁14と選択比のあるプロセスを用いてエッチング除去する。第2のゲート側壁15は、DHF(希フッ酸)、DBHF(希バッファードフッ酸)、もしくはBHF(バッファードフッ酸)のいずれかを用いたWet(ウェット)エッチングにより除去する。
第2のゲート側壁15を除去した後、ゲート電極12の両端に第1のゲート側壁14のみが残っている状態でサリサイド層16を形成する。サリサイド層16を形成する際に用いられる金属材料はNi、Co、Tiなどであり、サリサイド層16の膜厚は2〜50nmである。第2のゲート側壁15はSiN系の膜であるが、第1のゲート側壁14であるSiN系の膜と異なる形成方法を用いることによって、エッチングレートが異なるように形成する。第2のゲート側壁15として選択されるSiN系の膜は、ソースガスとしてHCDを使用して450℃以下の温度で堆積させたSiNである。第1のゲート側壁14として選択されるSiN系の膜は、ソースガスとしてDCSを使用して600℃以上の温度で堆積させたSiNである。この後は、通常のプロセスにより、層間絶縁膜17、ソース・ドレイン領域のコンタクト18、配線層(図示せず)などを形成して、図1(c)に示すようなLDD構造のMOSトランジスタを得る。
図1(c)に示されるMOSトランジスタは、半導体基板(Si基板の素子形成領域)10と、半導体基板の表層部に形成されたエクステンション領域13aと深い拡散層13bとからなるソース・ドレイン領域と、ソース・ドレイン領域間のチャネル部10a上にゲート絶縁膜11を介して形成されたゲート電極12と、ゲート電極の両端に設けられたゲート側壁(第1のゲート側壁)14と、ゲート電極12上およびエクステンション領域13a上の一部を含むソース・ドレイン領域上に形成されたサリサイド層16と、層間絶縁膜17と、ソース・ドレイン領域のコンタクト18などを具備する。
上記した製造工程によれば、LDD構造のMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の深い拡散層13bを形成する時は、第1のゲート側壁14と第2のゲート側壁15が積層された状態で形成するので、チャネル部10aから十分距離を遠ざけて深い拡散層13bを形成することができる。また、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層16を形成する時は、第1のゲート側壁14のみが存在した状態で形成するので、チャネル部10aからある程度距離を遠ざけた状態でサリサイド層16を形成することができる。これにより、LDD構造のMOSトランジスタのソース・ドレイン領域形成時に最適な側壁幅と、サリサイド層形成時に最適な側壁幅に対する両方の要求を満たすことができる。つまり、LDD構造のMOSトランジスタのソース・ドレイン領域上におけるサリサイド層16のゲート電極下のチャネル部10aからの距離と、ソース・ドレイン領域のうちの深い拡散層13bのゲート電極下のチャネル部10aからの距離を別々に最適状態に制御することができる。しかも、LDD構造のMOSトランジスタの既存の製造工程に及ぼす影響が少ない。
<第1の実施形態の変形例>
第1の実施形態において、第1のゲート側壁14の材料として選択されるSiN系の膜の別の例として、ソースガスとしてHCDを使用して450℃以下の低温で堆積させ、N(窒素)もしくはC(炭素)を1E19cm-3以上含んだSiNとしてもよい。
第1の実施形態において、第1のゲート側壁14の材料として選択されるSiN系の膜の別の例として、ソースガスとしてHCDを使用して450℃以下の低温で堆積させ、N(窒素)もしくはC(炭素)を1E19cm-3以上含んだSiNとしてもよい。
このような工程を経て得られた図1(c)に示したようなLDD構造のMOSトランジスタにおいては、第1のゲート側壁14は、NもしくはCを1E19cm-3(実際的な下限値)以上含んだSiNである。ただし、このようにSiNに少量のNもしくはCを添加すると、第2のゲート側壁をエッチングする際にエッチングレートを高めるための通常のプラズマ処理を採用できなくなる。このような場合には、処理温度を下げてエッチングレートを低下させる必要が生じる。
<第2の実施形態>
図2は、第2の実施形態に係るMOSトランジスタの製造工程を経て得られたLDD構造のMOSトランジスタの断面図である。第2の実施形態では、第1のゲート側壁14として、SiO2 系の膜14aを堆積した後にSiN系の膜14bを堆積している。このMOSトランジスタの構造は、図1(c)に示したMOSトランジスタの構造と比べて、第1のゲート側壁14として、SiO2 系の膜14aとSiN系の膜14bとの二重構造の膜が使用される。この場合、二重構造の膜のうちで、ゲート電極(例えば多結晶シリコン)12に接触する側壁内側がSiO2 系の膜14aとなっている。側壁外側のSiN系の膜14bは、第1の実施形態と同様であるので、エッチングの際に側壁外側のSiN系の膜14bがエッチングの保護膜となり、側壁内側のSiO2 系の膜14aはエッチングされない。
図2は、第2の実施形態に係るMOSトランジスタの製造工程を経て得られたLDD構造のMOSトランジスタの断面図である。第2の実施形態では、第1のゲート側壁14として、SiO2 系の膜14aを堆積した後にSiN系の膜14bを堆積している。このMOSトランジスタの構造は、図1(c)に示したMOSトランジスタの構造と比べて、第1のゲート側壁14として、SiO2 系の膜14aとSiN系の膜14bとの二重構造の膜が使用される。この場合、二重構造の膜のうちで、ゲート電極(例えば多結晶シリコン)12に接触する側壁内側がSiO2 系の膜14aとなっている。側壁外側のSiN系の膜14bは、第1の実施形態と同様であるので、エッチングの際に側壁外側のSiN系の膜14bがエッチングの保護膜となり、側壁内側のSiO2 系の膜14aはエッチングされない。
本実施形態では、側壁内側にSiO2 系の膜14aを形成することにより、ゲート電極およびMOSトランジスタのソース・ドレイン領域となるシリコン基板と第1のゲート側壁14との間の密着性を向上させることができる。また、ゲート電極およびシリコン基板と第1のゲート側壁14との間の電荷密度を少なくすることができ、MOSトランジスタの信頼性を向上させることができる。
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極の両側のゲート側壁およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層を有するMOSトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層を形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせることを特徴とする。
また、ゲート側壁として第1のゲート側壁上に第2のゲート側壁を積層して形成した状態でソース・ドレイン領域の深い拡散層を形成し、第2のゲート側壁を除去した状態で前記サリサイド層を形成する。第1のゲート側壁および第2のゲート側壁は、SiN系の膜である。第2のゲート側壁として選択されるSiN系の膜は、ソースガスとしてHCDを使用して450℃以下の温度で堆積させたSiNである。第1のゲート側壁として選択されるSiN系の膜は、ソースガスとしてDCSを使用して600℃以上の温度で堆積させたSiNである。第1のゲート側壁として選択されるSiN系の膜は、ソースガスとしてHCDを使用して450℃以下の温度で堆積させ、N(窒素)もしくはC(炭素)を1E19cm-3以上含んだSiNである。第2のゲート側壁は、ウェットエッチングにより除去される。このウェットエッチングは、HF(フッ酸)系の液を用いて行われる。HF(フッ酸)系の液は、DHF(希フッ酸)、DBHF(希バッファードフッ酸)、もしくはBHF(バッファードフッ酸)のいずれかである。
また、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表層部に形成されたLDD構造のソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域間のチャネル部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側に設けられ、N(窒素)もしくはC(炭素)を1E19cm-3以上含んだSiNからなるゲート側壁と、前記ゲート電極上および前記ソース・ドレイン領域のエクステンション領域の一部を含むソース・ドレイン領域上に形成されたサリサイド層とを具備する。上記ゲート側壁は、二重構造の膜を有する。
10…半導体基板の素子形成領域、10a…チャネル部、11…ゲート絶縁膜、12…ゲート電極、13a…エクステンション領域、13b…深い拡散層、14…第1のゲート側壁、15…第2のゲート側壁、16…サリサイド層、17…層間絶縁膜、18…コンタクト。
Claims (5)
- ゲート電極の両側のゲート側壁およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層を有するMOSトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層を形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート側壁として第1のゲート側壁上に第2のゲート側壁を積層して形成した状態で前記ソース・ドレイン領域の深い拡散層を形成し、前記第2のゲート側壁を除去した状態で前記サリサイド層を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のゲート側壁および第2のゲート側壁は、SiN系の膜であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表層部に形成されたLDD構造のソース・ドレイン領域と、
前記ソース・ドレイン領域間のチャネル部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側に設けられ、N(窒素)もしくはC(炭素)を1E19cm-3以上含んだSiNからなるゲート側壁と、
前記ゲート電極上および前記ソース・ドレイン領域のエクステンション領域の一部を含むソース・ドレイン領域上に前記ゲート側壁に隣接して形成されたサリサイド層
とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート側壁は、二重構造の膜を有することを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
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JP2010074105A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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