JP2008041500A - 真空気密容器とその製造方法、及び電界放出型電子源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】破損やクラックの発生がなく、高い組み立て精度で製造でき、高気密性と高信頼性を有する真空気密容器を提供する。
【解決手段】真空気密容器は、互いに対向する上面基板２及び下面基板４と、これらの間の外縁器５を少なくとも備える。外縁器５の上面基板２側端に形成された溝８内にはシール金属７が設けられている。上面基板２の外縁器５側の面には、溝８に対応する位置に突起９が設けられている。突起９は溝８内のシール金属７内に挿入されている。
【選択図】図１

Description

本発明は真空気密容器およびその製造方法に関する。また、本発明は、真空気密容器と、この内部にターゲット膜と電界放出眼陰極とを備え、例えば電界放出型撮像装置や電界放出型表示装置などに使用することができる電界放出型電子源装置に関する。

一般に、映像装置においては、伝達される情報量や画質の向上、動作（画像）の安定化が要求されている。さらに、近年のデジタル化などによりこの要求はますます高まる一方である。すなわち、高品質かつ高解像度の映像装置が望まれている。

このような高性能な映像装置の一例として真空気密容器を備えた電界放出型撮像装置が知られている（例えば特許文献１参照）。図８はその断面図である。この電界放出型撮像装置は、互いに対向する上面基板６２及び下面基板４と、上面基板６２と下面基板４との間に設けられた環状の外縁器６５とからなり、内部に気密の空間が形成された真空気密容器を備える。上面基板６２の下面基板４に対向する側の面には光電変換膜を含む撮像膜１が形成されている。下面基板４の上面基板６２に対向する側の面には、複数の電子ビームを放出する電界放出型陰極３が設けられている。下面基板４には排気管１０が形成されている。外縁器６５と下面基板４とはフリットガラスなどからなるシールガラス６により気密に接合されている。外縁器６５と上面基板６２とはインジウムなどの軟質金属を用いたシール金属６７により気密に接合されている。

電界放出型陰極３は、下面基板４上に設けられた陰極導体５１と、陰極導体５１上に形成された多数のコーン型エミッタ５５と、陰極導体５１上のエミッタ５５が形成された領域を除く領域に形成された絶縁層５２と、絶縁層５２上に形成され、エミッタ５５に対応する位置に開口５４が形成されたゲート電極５３とを備える。エミッタ５５に対してゲート電極５３を相対的に高電位にして、エミッタ５５の近傍に１０⁹Ｖ／ｍ程度の電界を形成することにより、エミッタ５５の先端から電子が電界放出される。放出された電子が撮像膜１に射突して、撮像膜１上に結像された被写体像に応じた映像信号が出力される。

撮像膜１に用いられる光電変換膜としては、一般的にＡｓ、Ｃｄ、Ｓｂ₂Ｓ₃、Ｓｅ、Ｔｅなどからなる半導体材料が用いられる。この光電変換膜は、熱に弱く、高い温度にさらされた場合には画質が劣化する。特に、非結晶Ｓｅを主体とする高感度光電変換膜においては、５０℃以上の温度でその出力画像に多数の白点が現れ、著しい画質の劣化が生じてしまう。

一方、外縁器６５と下面基板４とをシールガラス６で接合するためには５００℃程度の高温焼成工程が必要である。

そこで、上記の電界放出型撮像装置は、従来、以下のようにして製造されていた。

最初に、電界放出型陰極３が形成された下面基板４と外縁器６５とをシールガラス６を用いて接合する。次に、撮像膜１が形成された上面基板６２と外縁器６５とを接合する。この接合では、下面基板４と外縁器６５との接合に用いたシールガラス６を使用することはできない。従って、上述したようにインジウムなどの軟質金属を用いたシール金属６７を上面基板６２と外縁器６５との間に挟んで常温で加圧しシール金属６７を塑性変形させて、上面基板６２と外縁器６５とを接合する。このようにして気密容器を得た後、排気管１０に真空排気装置をつないで気密容器内の気体を排気し、その後、排気管１０を封止する（封止切り）。かくして、内部が高真空に保持された真空気密容器を備えた電界放出型撮像装置が得られる。

以上のような製造方法により、撮像膜１は熱の影響を受けることがないので、良好な画質を有する電界放出型撮像装置を製造することが出来る。
特開２０００−４８７４３号公報

上記の従来の電界放出型撮像装置の製造方法では、インジウムなどの軟質金属を用いたシール金属６７を上面基板６２と外縁器６５との間に挟んで常温で大きな圧力を印加してこれを潰す。この接合方法は以下のような問題を有している。

第１に、得られる真空気密容器の気密特性が低い。外縁器６５と上面基板６２との接合面での気密特性は、外縁器６５とシール金属６７との接合面の面積、及び上面基板６２とシール金属６７との接合面の面積が大きくなるほど向上する。従来の電界放出型撮像装置では、これらの接合面の面積は、外縁器６５の上面基板６２に対向した端面の面積とほぼ一致する。従って、接合面の面積が小さいので、高い気密特性を得られない。

第２に、上面基板６２や外縁器６５に破損やクラックが生じやすい。上面基板６２と外縁器６５との間に挟んだシール金属６７を潰すために、大きな力を上面基板６２及び外縁器６５に印加する必要があるからである。

第３に、上面基板６２と下面基板４との間隔や平行度に誤差が生じやすい。シール金属６７を潰すために大きな力を印加する必要があるので、シール金属６７の潰れ量を制御するのが難しいからである。

これらの問題により、電界放出型撮像装置の信頼性や画質が著しく劣化する場合があった。

本発明は、破損やクラックの発生がなく、高い組み立て精度で製造でき、高気密性と高信頼性を有する真空気密容器を提供することを目的とする。また、本発明は、このような真空気密容器を備えた高品質且つ高信頼性の電界放出型電子源装置を提供することを目的とする。

本発明の真空気密容器は、上面基板と、前記上面基板に対向する下面基板と、前記上面基板と前記下面基板との間に設けられた外縁器とを少なくとも備え、内部に気密の空間が形成されている。

前記外縁器の前記上面基板側端には溝が形成されており、前記溝内にはシール金属が設けられており、前記上面基板の前記外縁器側の面には、前記溝に対応する位置に突起が設けられており、前記突起が前記溝内の前記シール金属内に挿入されていることを特徴とする。

本発明の電界放出型電子源装置は、上記の本発明の真空気密容器と、前記上面基板の前記下面基板側の面に設けられたターゲット膜と、前記下面基板の前記上面基板側の面に設けられた電界放出型陰極とを備える。

本発明の上記の真空気密容器の第１の製造方法は、前記外縁器の前記上面基板側端に形成された前記溝にシール金属を付与し、次いで、前記上面基板と前記下面基板とが互いに接近する方向の加圧力を印加して、前記突起を前記シール金属内に挿入することを特徴とする。

本発明の上記の真空気密容器の第２の製造方法は、前記外縁器の前記上面基板側端に形成された前記溝にシール金属を付与し、次いで、前記シール金属を加熱し融解させて、前記突起を前記溝内の前記シール金属内に挿入することを特徴とする。

本発明によれば、破損やクラックの発生がなく、高い組み立て精度で製造でき、高気密性と高信頼性を有する真空気密容器を提供することができる。

また、本発明によれば、このような真空気密容器を備え、高品質且つ高信頼性の電界放出型電子源装置を提供することを目的とする。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電界放出型撮像装置の概略を示した断面図である。この電界放出型電子源装置は、互いに対向する上面基板２及び下面基板４と、上面基板２と下面基板４との間に設けられた環状の外縁器５とからなり、内部に気密の空間が形成された真空気密容器を備える。上面基板２の下面基板４に対向する側の面には、光電変換膜を含む撮像膜（ターゲット膜）１が形成されている。下面基板４の上面基板２に対向する側の面には、複数の電子ビームを放出する電界放出型陰極３が設けられている。下面基板４には排気管１０が形成されている。外縁器５と下面基板４とはフリットガラスなどからなるシールガラス６により気密に接合されている。

外縁器５の上面基板２側の端面には、溝８が形成されている。溝８は、環状の外縁器５の全周にわたって連続して環状に形成されている。溝８内にはインジウムなどの軟質金属を用いたシール金属７が設けられている。上面基板２の外縁器５側の面には、溝８に対応する位置に環状に連続した突起９が設けられている。突起９は、溝８内のシール金属７内に挿入されることで、外縁器５と上面基板２とは気密に接合されている。

電界放出型陰極３は、下面基板４上に設けられた陰極導体５１と、陰極導体５１上に形成された多数のコーン型エミッタ５５と、陰極導体５１上のエミッタ５５が形成された領域を除く領域に形成された絶縁層５２と、絶縁層５２上に形成され、エミッタ５５に対応する位置に開口５４が形成されたゲート電極５３とを備える。エミッタ５５に対してゲート電極５３を相対的に高電位にして、エミッタ５５の近傍に１０⁹Ｖ／ｍ程度の電界を形成することにより、エミッタ５５の先端から電子が電界放出される。放出された電子が撮像膜１に射突して、撮像膜１上に結像された被写体像に応じた映像信号が出力される。

撮像膜１の光電変換膜としては特に制限はなく、例えば従来と同様の高感度光電変換膜を用いることができる。この高感度光電変換膜は５０℃以上の温度では変質してしまう。従って、製造過程において高感度光電変換膜が５０℃以上の温度プロセスを経た場合には、その出力画像に多数の白点が現れ、著しく画質が劣化してしまう。従って、本実施の形態でも、従来と同様に、上面基板２と外縁器５とを接合する前に、下面基板４と外縁器５とをシールガラス６を介して接合する。

上面基板２と外縁器５との接合は、従来と同様に、常温にて加圧することで行われる。この接合工程を、図２を用いて説明する。

図２に示すように、外縁器５の溝８内にシール金属７を付与し、次いで、シール金属７上に突起９の先端面が接するように、撮像膜１が形成された上面基板２を外縁器５上に載置する。この状態で、常温にて上面基板２と外縁器５とが互いに接近する方向の加圧力を印加して、シール金属７を塑性変形させ、シール金属７内に突起９を挿入する。従来と同様に、加圧が常温で行われるので、加圧工程中、撮像膜１は常に常温に保たれる。従って、撮像膜１の品質は良好に保持される（撮像膜１は変質しない）。図２では、排気管１１の先端は開放されている。上面基板２と外縁器５とを接合し、気密容器を得た後に、排気管１１に真空排気装置をつないで気密容器内の気体を排気し、その後、排気管１１を封止する（封止切り）。かくして、図１に示した、内部が高真空に保持された真空気密容器を備えた電界放出型撮像装置が得られる。

上述したように、図８に示した従来の電界放出型撮像装置では、上面基板６２と外縁器６５とを接合するために大きな圧力を印加する必要があった。これは、上面基板６２と外縁器６５との間に挟んだシール金属６７を塑性変形させて必要な気密特性を得るためである。より高い気密特性を得るためには、外縁器６５の上面基板６２に対向した端面の面積を大きくする必要があり、この場合、シール金属６７の塑性変形量が増大するので、より大きな圧力を印加する必要がある。その結果、上面基板６２や外縁器６５に破損やクラックが生じやすくなり、また、上面基板６２と下面基板４との間隔や平行度に誤差が生じやすくなる。即ち、従来の電界放出型撮像装置では、気密特性の向上と、上面基板６２や外縁器６５の損傷の低減、及び組み立て精度の向上とを両立させることは困難であった。

本実施の形態１によれば、図８に示した従来の電界放出型撮像装置が有していた上記の問題を解決できる。これを以下に説明する。

本実施の形態１では、図２に示したように、上面基板２の突起９の先端面がシール金属７に接触する。突起９の先端面の面積は、図８における外縁器６５の上面基板６２に対向した端面の面積よりも遙かに小さい。従って、本実施の形態１においてシール金属７を塑性変形させるのに必要な圧力は、従来より遙かに小さくて足りる。この結果、上面基板２や外縁器５に破損やクラックが生じることはほとんどない。

また、接合工程で大きな圧力を印加する必要がないので、シール金属７内への突起９の押し込み量の制御が容易である。この結果、上面基板２と下面基板４との間隔や平行度の制御が容易になり、組み立て精度が向上する。

図８に示した従来の電界放出型撮像装置では、圧力を印加するとシール金属６７は横方向（圧力付与方向に対してほぼ直角方向、図８の左右方向）に拡がるように塑性変形する。これに対して、本実施の形態１では、シール金属７は溝８内に付与されているので、このような横方向への塑性変形をすることはできない。従って、突起９がシール金属７内に挿入されると、シール金属７の上面が上昇し（上面基板２に接近し）、シール金属７は突起９の先端面のみならず、その両側面とも接触して、突起９とシール金属７との接触面積が大幅に増大する。同時に、外縁器５とシール金属７との接触面積も大幅に増大する。この結果、真空気密容器の気密特性を容易に向上させることができる。

以上のように、本実施の形態１によれば、気密特性の向上と、上面基板２や外縁器５の損傷の低減、及び組み立て精度の向上とを両立させることを両立させることができる。即ち、破損やクラックの発生がなく、高い組み立て精度で製造でき、高気密性と高信頼性を有する真空気密容器を得ることができる。

上記接合工程では、上面基板２と下面基板４とが互いに接近する方向の加圧力を印加したが、本発明の接合工程はこれに限定されない。例えば、溝８内に付与されたシール金属７を加熱し融解させて接合しても良い。この場合、以下のようにして接合することができる。例えば外縁器５を金属で形成し、シール金属７の材料として融点の低いインジウムを用いる。図２に示すように溝８内に付与されたシール金属７上に突起９の先端面を接触させた状態で、外縁器５に電流を流すことによりシール金属７を通電加熱し、相対的に低融点のインジウムのみを融解させる。上面基板２の自重により突起９が溝８内の融解したシール金属７内に挿入され図１に示した状態となる。その後、自然冷却することにより上面基板２と外縁器５とが接合される。シール金属７を加熱し融解させる本方法によれば、上述した加圧力を印加する方法と同様に、シール金属７と、突起９及び外縁器５との接触面積が大幅に増大するので、真空気密容器の気密特性を容易に向上させることができる。さらに、接合に際して加圧力を印加する必要がないので、上面基板２や外縁器５に加圧に起因する破損やクラックが生じることがなく、また、加圧のための装置が不要である。

なお、上記のシール金属７を加熱し融解させて接合する方法では、一般に上面基板２の自重により突起９が溝８内の融解したシール金属７内に挿入されるが、上面基板２が軽いなどの理由により突起９がシール金属７内に挿入されにくい場合には、加圧力を印加したり、上面基板２上に重りを載せたりしても良い。

外縁器５の材料は、電気伝導率が低いこと、接合される下面基板４と熱膨張係数が近いこと、及び融点が高いことが望ましく、特に、シール金属７としてインジウム、下面基板４として熱膨張係数が約４〜１０×１０^-6／℃のホウケイ酸ガラスやソーダライムガラスなどを用いた場合には、外縁器５の材料はコバール又は５２アロイが好ましい。その理由としては、コバールや５２アロイはこれらのガラスとほぼ同じ熱膨張係数を有していること、インジウムに比べコバールや５２アロイの電気伝導率が非常に小さいこと、及びコバールや５２アロイの融点が高いことなどを挙げることができる。さらに、この場合、通電加熱により溝８内のインジウムのみを瞬間的に融解できるため、撮像膜１への温度的な影響はほとんどない。従って、撮像膜１として上述した高感度光電変換膜を用いても、撮像膜１の劣化無しに電界放出型撮像装置を製造できる。

撮像膜１が優れた耐熱特性を有する場合には、シール金属７の加熱方法として上述した通電加熱法以外に、例えば高周波誘導加熱法などを用いることができる。すなわち、撮像膜１の耐熱特性や真空気密容器の構造などに応じて加熱方法を選択すればよい。特に、撮像膜１が優れた耐熱特性を有し、且つシール金属７としてインジウムを用いた場合には、排気管１１からの排気プロセス中に、真空気密容器全体をインジウムの融点である約１６０℃以上に加熱して数十分間〜数時間ベイクする事により、インジウムの融解に加えて、真空気密容器内の吸着ガスの除去も可能となり、非常に真空度に優れた真空気密容器を形成することが出来る。

以上のように、本実施の形態によれば、その製造方法にかかわらず、突起９が溝８内に付与されたシール金属７内に挿入されているので、真空気密容器の気密特性を向上させることができる。

（実施の形態２）
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は上面基板２と外縁器５との接合部の変更例を示した断面図である。本実施の形態２は、突起９及び溝８の断面形状において実施の形態１と異なる。

図３（Ａ）では、突起９及び溝８が、ともに略Ｖ字状断面形状を有している。突起９の先端が先鋭化されているので、突起９のシール金属７内への挿入が容易である。従って、接合工程において印加する加圧力を更に小さくすることができるので、上面基板２と下面基板４との間隔や平行度の制御が容易になり、組み立て精度が向上する。また、上面基板２や外縁器５に破損やクラックが生じることはほとんどない。

図３（Ｂ）では、突起９は略Ｖ字状断面形状を有し、溝８は実施の形態１と同様の断面形状を有している。この場合も、図３（Ａ）と同様の効果が得られる。

図３（Ｃ）では、突起９及び溝８が、ともに非対称な断面形状を有している。

本発明では、溝８内に付与されたシール金属７内に突起９が挿入されており、それにより、突起９とシール金属７との接触面積、及び外縁器５とシール金属７との接触面積がともに確保されていれることが重要である。突起９及び溝８の断面形状は図１〜図３に限定されず、部材の材質や耐加圧特性（機械的強度）、製作方法、要求仕様などを考慮して適宜選択することができる。

（実施の形態３）
電界放出型撮像装置においては、使用期間中の真空度維持の目的でゲッター材やゲッター膜（以下、これらを「ゲッター」と総称する）をその内部に設けることが多い。ゲッターのガス吸着能力はその表面積に比例して増える。従って、使用期間中に安定して真空度を維持する為には、多くのゲッター材を内部に設置したり、内面に形成されるゲッター膜の表面積を大きくする必要がある。

図４は、ゲッター膜の表面積を大きくすることができる電界放出型撮像装置の一例の断面図である。この電界放出型撮像装置は、下面基板４に対して上面基板２とは反対側にカップ状の下部外周器１２が設けられている。下部外周器１２と下面基板４とはフリットガラスなどからなるシールガラス１３により気密に接合されている。上面基板２と外縁器５と下面基板４とで囲まれた第１空間３１と、下部外周器１２と下面基板４とで囲まれた第２空間３２とを繋ぐ貫通孔１５が下面基板４に形成されている。下部外周器１２には排気管１０が形成されている。下部外周器１２の内面にはゲッター膜１４が形成されている。

この電界放出型撮像装置では、例えば、動作中に第１空間３１内の電界放出型陰極３や撮像膜１などから発生したガスは貫通孔１５を通り第２空間３２に移動してゲッター膜１４に吸着される。従って、電界放出型撮像装置内は常に高真空に維持され、安定した動作ができる。

なお、図４では、第２空間３２を形成する内壁面にゲッター膜１４を形成したが、ゲッター膜１４に代えて第２空間３２内にゲッター材を設置しても同様な効果を得ることができる。即ち、本発明ではゲッターの種類に限定されない。

また、図４では下面基板４に対して上面基板２とは反対側に１つの空間（第２空間３２）を形成した例を示したが、下面基板４に対して上面基板２とは反対側に複数の空間を形成し、それぞれの空間内にゲッターを配置しても良い。これにより、電界放出型撮像装置内を更に高い真空度に維持することができる。但し、各空間と電界放出型陰極３及び撮像膜１が配置された第１空間３１とは貫通孔により繋がっている必要がある。

ゲッター膜１４の形成方法は特に限定はない。例えば図５に示したように、第２空間３２内においてゲッター本体１６を金属線からなるゲッターリード１７に接続し且つ支持した状態で、ゲッターリード１７を介してゲッター本体１６を通電加熱したり、ゲッター本体１６を高周波誘導加熱したりしてゲッター本体１６の材料を蒸発させ、下部外周器１２の内壁面に付着させることにより、ゲッター膜１４を形成することができる。

（実施の形態４）
電界放出型撮像装置内は、通常、高い真空度が要求され、真空度が高いほど電子放出特性は良好となり、その結果、例えばコントラストなどが向上して撮像された画像の画質が向上する。

ところで、一般的に、排気管１１はガラス材料からなり、気密容器内の気体を排気した後、バーナーや赤外線などにより加熱され融解されて封止切られる。ガラス材料を融解させると、その内部に封じ込められていたガスが大量に放出され、電界放出型撮像装置内の真空度が劣化してしまう。

電界放出型撮像装置内の真空度を向上させるためには、排気管１１の封止切り工程をなくすことが好ましく、これを実現するために、真空チャンバー（真空装置）内で上面基板２と外縁器５とを接合しても良い。これを以下に説明する。

まず、図６に示すように、それぞ別個に組み立てられた第１組立部材１８と第２組立部材１９とを真空チャンバー２０内にそれぞれ別々に設置する。第１組立部材１８は、上面基板２と、上面基板２上に形成された撮像膜１及び突起９とを備える。第２組立部材１９は、下面基板４と、下面基板４上に形成された電界放出型陰極３及び外縁器５とを備える。外縁器５の溝８内にはシール金属７が付与されている。

この状態で排気ポート２１から真空チャンバー２０内の気体を排気する。所望の真空度に達した後に、シール金属７上に突起９の先端面が接するように、外縁器５上に上面基板２を載置する。そして、通電加熱又は高周波加熱などの方法によりシール金属７を加熱し融解させる。上面基板２の自重により図７に示すように突起９が溝８内の融解したシール金属７内に挿入される。その後、自然冷却することにより、上面基板２と外縁器５とが接合され、本発明の電界放出型撮像装置を得ることができる。

上記の製造方法では、排気管１１の封止切り工程が不要であるので、封止切り工程において排気管１１からガスが放出される問題が解消されるので、電界放出型撮像装置内の真空度を向上させることができる。

一般的に、真空チャンバー２０内に加圧機構を設けることは装置が複雑となるため難しい。特に真空チャンバー２０内に、大きな加圧力を印加できる加圧機構を設けることや、上面基板２と下面基板４との間隔や平行度を高精度に制御できる加圧機構を設けることは困難であり、装置コストが高くなるだけでなく、得られる製品の信頼性にも大きな影響を与える。従って、真空チャンバー２０内に加圧機構を必要としない本実施の形態の接合方法は極めて有効である。なお、上面基板２が軽いなどの理由により突起９がシール金属７内に挿入されにくい場合には、上面基板２上に重りを載せても良い。

上記の実施の形態では、下面基板４と外縁器５との接合や下面基板４と下部外周器１２との接合はシールガラス６，１３を用いて行われていたが、本発明では、接合部分で気密性が確保されていれば、その接合方法に限定はない。更に、別個に作成した２つの部材を接合するのではなく、一体形成された一部材を用いても良い。

上記実施の形態１〜４では、本発明の真空気密容器を電界放出型撮像装置に適用した例を説明したが、本発明の真空気密容器の用途はこれに限定されない。例えば、上面基板２の下面基板４に対向する側の面に形成されたターゲット膜１として、光電変換膜を含む撮像膜に代えて蛍光膜を用いることにより、真空気密容器を電界放出型表示装置に適用することもできる。また、一般の電界放出型電子源装置にも適用可能であり、さらには真空気密容器全般にも適用可能である。

本発明の利用分野は特に制限はなく、例えば電界放出型電子源を備えた撮像装置や表示装置など広範囲に利用することができる。

図１は、本発明の実施の形態１に係る電界放出型撮像装置の概略を示した断面図である。 図２は、本発明の実施の形態１に係る電界放出型撮像装置の製造の一工程の概略を示した断面図である。 図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る電界放出型撮像装置において、上面基板と外縁器との接合部の変更例を示した断面図である。 図４は、本発明の実施の形態３に係る電界放出型撮像装置の概略を示した断面図である。 図５は、本発明の実施の形態３に係る電界放出型撮像装置において、ゲッター膜の形成方法を示した断面図である。 図６は、本発明の実施の形態４に係る電界放出型撮像装置の製造における一工程を示した断面図である。 図７は、本発明の実施の形態４に係る電界放出型撮像装置の製造における別の一工程を示した断面図である。 図８は、従来の電界放出型撮像装置の概略を示した断面図である。

符号の説明

１・・・撮像膜
２，６２・・上面基板
３・・・電界放出型陰極
４・・・下面基板
５，６５・・・外縁器
６・・・シールガラス
７，６７・・・シール金属
８・・・溝
９・・・突起
１０，１１・・・排気管
１２・・・下部外周器
１３・・・シールガラス
１４・・・ゲッター膜
１５・・・貫通孔
１６・・・ゲッタ−本体
１７・・・ゲッターリード
１８・・・第１組立部材
１９・・・第２組立部材
２０・・・真空チャンバー
２１・・・排気ポート
３１・・・第１空間
３２・・・第２空間

Claims (6)

1. 上面基板と、前記上面基板に対向する下面基板と、前記上面基板と前記下面基板との間に設けられた外縁器とを少なくとも備え、内部に気密の空間が形成された真空気密容器であって、
   前記外縁器の前記上面基板側端には溝が形成されており、前記溝内にはシール金属が設けられており、前記上面基板の前記外縁器側の面には、前記溝に対応する位置に突起が設けられており、前記突起が前記溝内の前記シール金属内に挿入されていることを特徴とする真空気密容器。
2. 前記下面基板に対して前記上面基板とは反対側に少なくとも１つのカップ状の下部外周器を更に備え、
   前記上面基板と前記外縁器と前記下面基板とで囲まれた第１空間と、前記下部外周器と前記下面基板とで囲まれた第２空間とを繋ぐ貫通孔が前記下面基板に形成されており、
   前記第２空間内にはゲッター膜又はゲッター材が設けられている請求項１に記載の真空気密容器。
3. 請求項１又は２に記載の真空気密容器と、
   前記上面基板の前記下面基板側の面に設けられたターゲット膜と、
   前記下面基板の前記上面基板側の面に設けられた電界放出型陰極と
   を備える電界放出型電子源装置。
4. 請求項１に記載の真空気密容器の製造方法であって、
   前記外縁器の前記上面基板側端に形成された前記溝にシール金属を付与し、
   次いで、前記上面基板と前記下面基板とが互いに接近する方向の加圧力を印加して、前記突起を前記シール金属内に挿入することを特徴とする真空気密容器の製造方法。
5. 請求項１に記載の真空気密容器の製造方法であって、
   前記外縁器の前記上面基板側端に形成された前記溝にシール金属を付与し、
   次いで、前記シール金属を加熱し融解させて、前記突起を前記溝内の前記シール金属内に挿入することを特徴とする真空気密容器の製造方法。
6. 前記突起の前記シール金属内への挿入を、真空装置内の気体が十分に排気された雰囲気下で行う請求項４又は５に記載の真空気密容器の製造方法。

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