JP2008010573A - 磁気記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 磁気記憶装置は、半導体基板1の表面の上方に設けられ、方向を固定された磁化を有する、磁化固定層11を含む。第1磁化可変層13は、磁化固定層の上方に設けられ、方向が可変の磁化を有し、半導体基板の表面と角度を有する平面上で半導体基板の表面に対して平行でなく且つ直交しない方向に沿った磁化容易軸を有する。
第2磁化可変層15は、第1磁化可変層の上方に設けられ、外磁場が印加されていない状態で第1磁化可変層と反強磁性結合する磁化を有する。第1書き込み線3は、第2磁化可変層の上方において第2磁化可変層と電気的に接続され、平面を貫く方向に延びる。第2書き込み線4は、第1磁化可変層および第2磁化可変層の少なくとも一方に面し、半導体基板の表面と平面に沿い且つ第1書き込み線と直交する方向に延びる。
【選択図】 図1
Description
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面の上方に設けられ、方向を固定された磁化を有する、磁化固定層と、
前記磁化固定層の上方に設けられ、方向が可変の磁化を有し、前記半導体基板の表面と角度を有する平面上で前記半導体基板の表面に対して平行でなく且つ直交しない方向に沿った磁化容易軸を有する、第1磁化可変層と、
前記第1磁化可変層の上方に設けられ、外磁場が印加されていない状態で前記第1磁化可変層と反強磁性結合する磁化を有する、第2磁化可変層と、
前記第2磁化可変層の上方において前記第2磁化可変層と電気的に接続され、前記平面を貫く方向に延びる、第1書き込み線と、
前記第1磁化可変層および前記第2磁化可変層の少なくとも一方に面し、前記半導体基板の表面と前記平面に沿い且つ前記第1書き込み線と直交する方向に延びる、第2書き込み線と、
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記第1磁化可変層および前記第2磁化可変層が、アスペクト比が1以上であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置。
- 前記第1磁化可変層および前記第2磁化可変層の相互に向き合う面における形状が、前記第1書き込み線に沿って延びる長方形状を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置。
- 前記第1磁化可変層の磁化容易軸および前記第2磁化可変層の磁化容易軸が、前記半導体基板の表面に対して実質的に45°傾いていることを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置。
- 前記第2書き込み線とともに前記第2磁化可変層を挟み、前記第2書き込み線と平行に延びる第3書き込み線をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置。
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