KR100568542B1 - 자기 램 소자의 기록방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 200
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 134
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
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Abstract
Description
Claims (20)
- 반도체기판 상에 배치된 디지트라인, 상기 디지트라인 상을 가로지르는 비트라인, 및 상기 디지트라인과 상기 비트라인 사이에 개재되고 차례로 적층된 고정층, 터널링 절연층 및 합성 반강자성 자유층을 갖는 자기터널접합체를 준비하되, 상기 합성 반강자성 자유층은 교환스페이서층에 의하여 분리된 하부자유층 및 상부자유층을 구비하고,상기 디지트라인 또는 상기 비트라인 중 선택된 하나에 시간 t2 에서 제 1 양 전류펄스가 턴온(turn-on) 되어 시간 t5 에서 상기 제 1 양 전류펄스가 턴오프(turn-off) 되는 제 1 기록라인펄스를 인가하고, 상기 디지트라인 또는 상기 비트라인 중 선택된 다른 하나에 시간 t1 에서 제 2 양 전류펄스가 턴온(turn-on) 되어 시간 t3 에서 상기 제 2 양 전류펄스가 턴오프(turn-off) 된 후 시간 t4 에서 제 2 음 전류펄스가 턴온(turn-on) 되어 시간 t6 에서 상기 제 2 음 전류펄스가 턴오프(turn-off) 되는 제 2 기록라인펄스를 인가하는 것을 포함하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 시간은 t1<t2<t3≤t4<t5<t6 의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 시간은 t3 = t4 의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 기록라인펄스 및 상기 제 2 기록라인펄스를 인가하기 전에, 상기 자기터널접합체의 초기 자화 상태를 판독하고,상기 초기 자화 상태와 원하는 자화 상태를 비교하는 것을 더 포함하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 t6에 있어서, 상기 자기터널접합체의 자화 상태는 상기 초기 자화 상태와 반대로 변환되는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 디지트라인 및 상기 비트라인은 서로 직교하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 디지트라인에 상기 제 1 기록라인펄스를 인가하고, 상기 비트라인에 상기 제 2 기록라인펄스를 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 비트라인에 상기 제 1 기록라인펄스를 인가하고, 상기 디지트라인에 상기 제 2 기록라인펄스를 인가하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 자기터널접합체는 상기 제 2 기록라인펄스가 인가되는 라인과 0 도 보다 같거나 크고 90 도 보다 작은 각도로 배치하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 자기터널접합체는 상기 디지트라인과 평행한 각도로 배치하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 자기터널접합체는 상기 비트라인과 평행한 각도로 배치하는 것을 특징 으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고정층, 상기 하부자유층 및 상기 상부자유층은 강자성층들(ferromagnetic layers)인 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 강자성층들(ferromagnetic layers)은 코발트(Co), 철(Fe) 및 니켈(Ni)로 이루어진 일군에서 선택된 하나의 물질막이거나 적어도 두개의 물질을 포함하여 구성된 합금막인 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 교환스페이서층은 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 레늄(Re)으로 이루어진 일군에서 선택된 하나의 물질막인 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 반도체기판 상에 배치된 디지트라인, 상기 디지트라인 상을 가로지르는 비트라인, 및 상기 디지트라인과 상기 비트라인 사이에 개재되고 차례로 적층된 고정층, 터널링 절연층 및 합성 반강자성 자유층을 갖는 자기터널접합체를 준비하되, 상기 합성 반강자성 자유층은 교환스페이서층에 의하여 분리된 하부자유층 및 상부 자유층을 구비하고,상기 자기터널접합체의 초기 자화 상태를 판독하고,상기 초기 자화 상태와 원하는 자화 상태를 비교하고,상기 초기 자화 상태와 상기 원하는 자화 상태가 상이한 경우에, 상기 디지트라인 또는 상기 비트라인 중 선택된 하나에 시간 t2 에서 제 1 양 전류펄스가 턴온(turn-on) 되어 시간 t5 에서 상기 제 1 양 전류펄스가 턴오프(turn-off) 되는 제 1 기록라인펄스를 인가하고, 상기 디지트라인 또는 상기 비트라인 중 선택된 다른 하나에 시간 t1 에서 제 2 양 전류펄스가 턴온(turn-on) 되어 시간 t3 에서 상기 제 2 양 전류펄스가 턴오프(turn-off) 된 후 시간 t4 에서 제 2 음 전류펄스가 턴온(turn-on) 되어 시간 t6 에서 상기 제 2 음 전류펄스가 턴오프(turn-off) 되는 제 2 기록라인펄스를 인가하는 것을 포함하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 시간은 t1<t2<t3≤t4<t5<t6 의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 시간은 t3 = t4 의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기 록방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 자기터널접합체는 상기 제 2 기록라인펄스가 인가되는 라인과 0 도 보다 같거나 크고 90 도 보다 작은 각도로 배치하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 자기터널접합체는 상기 디지트라인과 평행한 각도로 배치하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 자기터널접합체는 상기 비트라인과 평행한 각도로 배치하는 것을 특징으로 하는 자기 램 소자의 기록방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040065609A KR100568542B1 (ko) | 2004-08-19 | 2004-08-19 | 자기 램 소자의 기록방법 |
US11/097,495 US7218556B2 (en) | 2004-08-19 | 2005-04-01 | Method of writing to MRAM devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040065609A KR100568542B1 (ko) | 2004-08-19 | 2004-08-19 | 자기 램 소자의 기록방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060017095A KR20060017095A (ko) | 2006-02-23 |
KR100568542B1 true KR100568542B1 (ko) | 2006-04-07 |
Family
ID=35909431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040065609A KR100568542B1 (ko) | 2004-08-19 | 2004-08-19 | 자기 램 소자의 기록방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7218556B2 (ko) |
KR (1) | KR100568542B1 (ko) |
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- 2005-04-01 US US11/097,495 patent/US7218556B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060017095A (ko) | 2006-02-23 |
US7218556B2 (en) | 2007-05-15 |
US20060039190A1 (en) | 2006-02-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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