JP2008004590A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. ガラス基板上に形成された複数の走査線は第１の方向に延在し、前記第１の方向と交差する第２の方向に並設され、複数の信号線は前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に並設され、前記複数の走査線のうちの２本と、前記複数の信号線のうちの２本とで囲まれた領域に画素が形成され、前記画素の動作は第１の薄膜トランジスタで制御され、前記画素の集合によって画像形成領域が形成され、前記画像形成領域の外側には前記第１の薄膜トランジスタに信号を印加する、第２の薄膜トランジスタを含む走査線駆動回路または信号線駆動回路が形成されており、前記第２の薄膜トランジスタは一方向に結晶が長く成長したシリコン膜を有し、前記ガラス基板の表面のうち、前記薄膜トランジスタが形成された側の表面には機械研磨がなされていないことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記第１の薄膜トランジスタは多結晶シリコン膜を有していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記第１の薄膜トランジスタは非晶質シリコン膜を有していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
4. 前記第２の薄膜トランジスタを構成するシリコン結晶粒の長手方向は前記第２の薄膜トランジスタのチャネル方向と略略一致していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
5. 前記ガラス基板の前記第２の薄膜トランジスタが形成されていない他方の面には機械研磨がされていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
6. 前記ガラス基板と前記第１および前記第２の薄膜トランジスタとの間には絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
7. ガラス基板上に形成された複数の走査線は第１の方向に延在し、前記第１の方向と交差する第２の方向に並設された複数の信号線は前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に並設され、前記複数の走査線のうちの２本と、前記複数の信号線のうちの２本とで囲まれた領域に画素が形成され、前記画素の動作は第１の薄膜トランジスタで制御され、前記画素の集合によって画像形成領域が形成され、前記画像形成領域の外側には前記第１の薄膜トランジスタに信号を印加する、第２の薄膜トランジスタを含む走査線駆動回路および信号線駆動回路が形成されており、前記第２の薄膜トランジスタは1方向に結晶が長く成長したシリコン膜を有し、前記ガラス基板は機械研磨によって板厚調整がなされ、前記機械研磨の主研磨材として酸化マンガンを使用したことを特徴とする画像表示装置。
8. 前記画像表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする、請求項1ないし７の何れかに記載の画像表示装置。
9. 前記画像表示装置は有機ＥＬ表示装置液晶表示であることを特徴とする、請求項1ないし７の何れかに記載の画像表示装置。
10. 基板の主面のうち、機械研磨がされていない側の主面の上に、直接、または、絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
    前記半導体膜に対して連続発振レーザーを照射しながら前記半導体膜への前記連続発振レーザーの照射位置を相対移動させることにより、前記半導体膜に、一方向に結晶が長く成長した擬似単結晶を形成し、
    前記擬似単結晶を用いて薄膜トランジスタを形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
11. 前記基板は無研磨ガラスであることを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置の製造方法。
12. 基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する画像表示装置であって、
    前記基板の主面のうち、機械研磨がされていない側の主面の上に、直接、または、絶縁膜を介して半導体膜が形成されており、
    前記半導体膜は一方向に結晶が長く成長した擬似単結晶を有し、
    前記薄膜トランジスタは、前記擬似単結晶を用いて形成されていることを特徴とする画像表示装置。
13. 前記基板は無研磨ガラスであることを特徴とする請求項１２に記載の画像表示装置。
14. 基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する画像表示装置であって、
    前記基板は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、前記第１の主面上に、直接、または、絶縁膜を介して形成された半導体膜とを有し、
    前記半導体膜は、一方向に結晶が長く成長した擬似単結晶を有し、
    前記薄膜トランジスタは前記擬似単結晶を用いて形成されており、
    前記第１の主面は前記第２の主面よりも表面粗さが粗いことを特徴とする画像表示装置。
15. 前記基板は無研磨ガラスであり、前記第２の主面は研磨されていることを特徴とする請求項１４に記載の画像表示装置。