JP2008003587A - 基板露光方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の露光時間を短縮することができる基板露光方法を提供する。
【解決手段】基板露光はまず、ステージに露光しようとする基板を配置し、基板を複数の露光領域に分け、露光領域のうち基板の一辺に隣接したいずれか1つの第1領域にマスクを配置し、マスクの上部で基板の一辺に対応して露光器を配置し、基板の第1領域を基板の一辺に対して垂直である第1方向に沿ってマスクとステージを移動させながら第1方向に対して反対である第2方向に沿ってスキャン露光し、マスクを第2方向に沿って移動させ、ステージを第1方向に沿って移動させながら基板の第1領域と第2方向に沿って隣接した基板の第2領域を第2方向に沿ってスキャン露光する。
【選択図】図2

Description

本発明は基板露光方法に係り、基板の露光時間を短縮することができる基板露光方法に関する。
液晶表示装置は一般的に、薄膜トランジスタ(以下、TFT)基板、TFT基板と向き合うカラーフィルタ基板及びTFT基板とカラーフィルタ基板との間に形成された液晶層を有する液晶表示パネルを含む。
TFT基板はガラス基板上にスイッチング素子であるTFTがマトリックス形態にパターニングされた構造を有する。ここで、TFTは一般的に、写真、露光及びエッチング工程を通じた多層構造に形成される。
露光工程は、露光器から一定のパターンが形成された別途のフォトマスクを通じて、感光膜が塗布された基板に光を照射することによって進行できる。このことにより、基板の感光膜にはフォトマスクに形成されたパターンによって光と反応してこのパターンが形成される。
最近の液晶表示装置の大型化につれて、露光器の照射領域とフォトマスクの大きさが限界になってきている。それにより、露光工程は基板を複数の露光領域に分けてスキャンする方式を採択している。
しかし、このような露光工程は基板の長辺に平行な方向に沿って優先的に移動しながらスキャン露光するので、全体的な露光時間が増加するという問題点がある。
従って、本発明はこのような問題点を勘案したもので、本発明は基板の露光領域のうち隣接する少なくとも2つの領域に対して同一のスキャン方向に露光して基板の全体的な露光時間を短縮させることができる基板露光方法を提供する。
上述した本発明の一特徴による基板露光はまず、ステージに基板を配置する。続いて、前記基板を複数の露光領域に分けて、前記露光領域のうち前記基板の一辺に隣接したいずれか1つの第1領域にマスクを配置する。続いて、前記マスクの上部で前記基板の一辺に対応して露光器を配置する。続いて、前記基板の第1領域を前記基板の一辺に対して垂直である第1方向に沿って前記マスクと前記ステージを移動させながら、前記第1方向に対して反対である第2方向に沿ってスキャン露光する。続いて、前記マスクを前記第2方向に沿って移動し、前記ステージを前記第1方向に沿って移動しながら前記第基板の第1領域と前記第2方向に沿って隣接した前記基板の第2領域を前記第2方向に沿ってスキャン露光する。
前記マスクの移動は前記第1方向から第2方向に連続的に転換することが好ましい。これとは異なり、前記マスクの移動は所定の時間差をもって前記第1方向から第2方向に転換することもできる。
一方、前記マスクには露光パターンが形成され、前記基板には前記露光器から照射された光に反応する感光膜が形成することができる。ここで、前記露光パターンは、前記第1及び第2方向に垂直な中心軸を基準にして対称であることを特徴とする。
また、前記マスクを第1方向に沿って移動させる段階で前記マスクの移動は、加速する第1マスク加速区間、前記第1マスク加速区間と連続し、一定速度である第1マスク定速区間、及び前記第1マスク定速区間と連続し、減速する第1マスク減速区間で分けられる。
また、前記マスクを第2方向に沿って移動させる段階において、前記マスクの移動は、前記第1マスク減速区間と連続し、加速する第2マスク加速区間、前記第2マスク加速区間と連続し、一定速度である第2マスク定速区間、及び前記第2マスク定速区間と連続し、減速する第2マスク減速区間で分けられる。
また、前記ステージの移動は、前記第1マスク速度区間に対応して加速するステージ加速区間、前記第1マスク定速区間、前記第1マスク減速区間、前記第2マスク加速区間及び前記第2マスク定速区間に対応して、前記ステージ加速区間と連続し、一定速度であるステージ定速区間、及び前記第2マスク減速区間に対応して、前記ステージ定速区間に連続し、減速するステージ減速区間で分けられる。
ここで、前記基板の第1領域は、前記マスクと前記ステージがそれぞれ前記第1マスク定速区間と前記ステージ定速区間で移動するとき、スキャン露光されることを特徴とする。また、前記基板の第2領域は、前記マスクと前記ステージがそれぞれ前記第2マスク定速区間と前記ステージ定速区間で移動するとき、スキャン露光されることを特徴とする。
また、前記第1マスク定速区間、前記第2マスク定速区間においての前記マスクの移動速度と前記ステージの定速区間での前記ステージの移動速度は同一であることを特徴とする。
一方、このような一連の過程を通じて前記基板の第2領域をスキャン露光した後、前記露光器と前記マスクが前記基板の一辺に沿って前記第2領域に隣接した第3領域に対応するように前記ステージを移動し、前記基板の第3領域を前記第1方向に沿ってスキャン露光する。続いて、前記マスクを前記第1方向に沿って移動し、前記ステージを前記第2方向に沿って移動しながら前記基板の第3領域と前記第1方向に沿って隣接した前記基板の第4領域を前記第1方向に沿ってスキャン露光する。
これとは異なり、このような一連の過程を通じて前記基板の第2領域をスキャン露光した後、前記ステージ及び前記マスクを前記第1方向に沿って移動して前記基板の第2領域に前記第2方向に沿って隣接した第3領域を前記第2方向に沿ってスキャン露光することもできる。
前記マスクは前記露光領域のうち少なくとも2つの前記露光領域に対応して形成された基板整列パターンを通じて前記基板との相互位置が整列されることを特徴とする。
上述した本発明の他の特徴による基板露光は、まず、ステージに露光しようとする基板を配置する。続いて、前記基板を複数の露光領域に分けて、前記露光領域のうち前記基板の一辺に隣接したいずれか1つの第1領域にマスクを配置する。続いて、前記マスクの上部で前記基板の一辺に対応して露光器を配置する。続いて、前記基板の第1領域を前記基板の一辺に対して垂直である第1方向に沿って前記マスクと前記ステージを移動しながら前記第1方向に対して反対である第2方向に沿ってスキャン露光する。続いて、前記第1領域に配置された前記マスクを前記第1領域と前記第2方向に沿って隣接した第2領域に移動する。続いて、前記ステージと前記マスクを前記第1方向に沿って移動しながら前記基板の第2領域を前記第2方向に沿ってスキャン露光する。
前記マスクを前記第2領域に移動する段階で前記露光器の電源をオフする。ここで、前記マスクを前記第2領域に移動させる段階は、前記第1領域における移動の終了後、所定の時間差をもって実行することが好ましい。
このような基板露光方法によると、基板を複数の露光領域に分け、前記露光領域のうち隣接した少なくとも2つの露光領域に対してマスクとステージを移動して、同一のスキャン方向に露光することで、基板の全体的な露光時間を短縮することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
図1は本発明の一実施例による露光装置を概略的に示した正面図であり、図2は図1に示された一実施例による基板を上から見た平面図であり、図3は図1に示されたマスクを上から見た平面図である。
図1〜図3に示すように、本発明の一実施例による基板露光装置100は露光器200、マスク300及びステージ400を含む。
露光器200は照明部210、及び集光部220を含む。照明部210はマスク300を通じてステージ400に円弧形状の光を照射する。このために、照明部210には円弧形状の開口部を形成することができる。
照明部210は、一例として、紫外線光を照射するUVランプで構成することができる。これは、ステージ400に配置される基板500に紫外線と反応する感光膜510が塗布されているからである。ここで、感光膜510は、一例として、感光高分子組成物で構成できる。
ここで、基板500は、液晶表示装置の画像を表示するための液晶表示パネルの必須構成要素であるTFT基板またはカラーフィルタ基板とすることができる。TFT基板は、スイッチング素子であるTFTがガラス基板上に、マトリックスパターンを有するとともに薄膜形態に形成されたもので、カラーフィルタ基板はRGB画素が薄膜形態に形成されたものである。
集光部220は、照明部210から照射された光を集光する役割をする。このために、集光部220は少なくとも2つの第1及び第2反射部222、224とこれを通じて集光することができる凹反射部226を含むことができる。
ここで、照明部210から照射された光が集光される過程を、図2に基づいて簡単に説明すると、まず、照明部210で発生した光は、第1反射部222によって直角に反射され、第1反射部222の側部に配置された凹反射部226に出射される。
この後、凹反射部226に出射された光は、凹反射部226で集光されて第2反射部224に入射した後、第2反射部224によって反射されて再度凹反射部226に入射する。さらに、この光は凹反射部226で再度第1反射部222に反射される。最後に、光は第1反射部222で直角に反射されてマスク300を通じてステージ400の基板500に照射される。
従って、ステージ400が水平方向、即ち、x軸及びy軸によるx−y平面に平行となるように配置される場合、露光器200から照射された光は、このステージ400に垂直なz軸方向に沿って照射されることとなる。これとは異なり、集光部220は、集光機能を有する凸レンズで形成することも可能である。
このような露光器200は、光を照射するために複数の構成要素により形成されていることから、人為的な動きに対して差動誤差が発生し易い。従って、露光器200は図面には図示していないが別途のフレームに固定された構造を有する。
基板500を複数の露光領域S1、S2、…、Snに分けるとき、マスク300は1つの露光領域に対応した形状に形成される。例えば、基板500が直方体形状を有し、露光領域 S1、S2、…、Snも長方形形状で構成される場合、マスク300も直方体形状とする。
また、マスク300は、基板500の露光領域S1、S2、…、Snに対応して、水平方向(x−y平面に平行方向)に移動しながら、露光器200から照射された光によって基板500が露光されるようにする。これのために、マスク300は別途の第1移動装置600と接続される。
第1移動装置600は、マスク300を水平方向x、yにそれぞれ移動することができるように少なくとも2つの駆動モータを含む構成とすることができる。この際、第1移動装置600は、駆動モータの回転を直線往復運動に転換するピニオンギア(pinion gear)及びラックギアを含む構成とすることができる。これとは異なり、第1移動装置600は、外部の油圧または空圧によって水平方向x、yに沿って直線往復運動をすることができるシリンダーで構成することもできる。
マスク300には露光パターン310が形成される。露光パターン310は使用する対象によって多様な形状に形成することができる。例えば、基板500がTFT基板の場合、画素電極に対応するピクセルを露光パターン310にパターニングすることができる。
また、マスク300に形成される露光パターン310が、一般的に非常に精密な構造を有するので、マスク300は精密加工が可能であり強度の優れた材質で形成される。例えば、マスク300は、透明な材質の石英板に遮光効果の優れた不透明材質のクロムCr化合物が塗布されて形成される。このようなマスク300はフォトリソグラフィ工程によってクロム化合物が塗布された遮光層がパターニングされて露光パターン310が形成される。
これにより、マスク300は、露光器200から照射された光が、露光パターン310に対応して透過するように構成し、露光パターン310がそのまま基板500の感光膜510にパターニングされるようにする。
ステージ400は上部に基板500がローディングされる。即ち、基板500はステージ400の上部に固定配置される。このために、ステージ400は基板500と同一の水平面を有する板形状で構成される。
ステージ400は、基板500を固定するために複数の真空ホールを含むように構成できる。即ち、ステージ400は外部の真空圧を真空ホールに印加することにより、基板500がローディングされた際に、基板500を吸着することで固定することができる。また、ステージ400は基板500のスキャン露光を完了すると、真空圧を除去することで、基板500のアンローディングを容易にする。
これとは異なり、ステージ400は基板500の端部位を固定することができる固定クリップを含む構成とすることもできる。また、ステージ400は基板500をスライデクング固定するためのスライディング溝を含むこともできる。
一方、ステージ400は、マスク300のように基板500の露光領域(S1、S2、…、Sn)に対応して水平方向x、yに移動することにより、基板500がスキャン露光されるようにするために別途の第2移動装置700と接続される。
第2移動装置700は、第1移動装置600と同一の構成とすることができる。ただし、ステージ400がマスク300より相対的に大きいので、第2移動装置700として、第1移動装置600の駆動モータまたはシリンダーより容量の大きいものを使用することが好ましい。
一方、基板露光装置100はマスク300とステージ400を互いに連関して制御できるように、第1移動装置600及び第2移動装置700と接続された制御部800をさらに含む。
このようなマスク300とステージ400は、フレームによって固定された露光器200の下部で、複数の露光領域S1、S2、…、Snに分けられた基板500がスキャン露光されるようにする。即ち、マスク300とステージ400が、第1移動装置600と第2移動装置700によって水平方向x、yに移動しながら基板500がスキャン露光されるようにする。
具体的に、マスク300とステージ400は、露光領域S1、S2、…、Snを順に、即ち、第1領域S1、第2領域S2、…、第n−1領域(Sn−1)、第n領域(n)の順に、基板500がスキャン露光されるように移動する。ここで、基板500の第1領域S1と第2領域S2がスキャン露光される方向は図3に示されたように同一であることを特徴とする。
これを一般化すると、基板500の露光領域S1、S2、…、Snをy軸方向に2つに分ける場合、y軸方向に隣接した第n−1領域(Sn−1)と第n領域(n)のスキャン露光される方向は同一であることを特徴とする。
従って、基板500はy軸方向に配列された露光領域に対して同一の方向にスキャン露光されるので、従来の方式に比べて基板500のスキャン露光時間を短縮することができる。
ここで、基板500の第1領域S1の次に第2領域S2を連続的にスキャン露光するためには、第2領域S2をスキャン露光する際に、マスク300とステージ400とを互いに反対方向に移動しなければならない。このため、基板500の第2領域S2には、第1領域S1に形成される露光パターンとは反対方向になった露光パターン310が形成されることになる。
これにより、マスク300は、x軸方向と平行な中心軸320を基準にして対称の構造である必要がある。ここで、基板500の第1領域S1に続いて第2領域S2が連続的に、スキャン露光される過程は以下、図4〜図8で具体的に説明する。
一方、基板500がTFT基板の場合、マスク300に形成された露光パターン310は非常に精密であるので、マスク300と基板500の位置を正確に補正する必要がある。このために、マスク300には少なくとも2つのマスク整列パターン330が形成され、基板500にはマスク整列パターン330に対応して基板整列パターン520が形成される。
ここで、マスク整列パターン330は、1つのみで位置を精密に補正することが難しいことから、少なくとも2つ設けることが好ましい。しかし、マスク300の大きさが非常に小さくてマスク整列パターン330を2つ形成することが難しいか、あるいはマスク300に形成される露光パターン310がそれほど精密でない場合には1つのみで対応することができる。
マスク整列パターン330は、露光パターン310への干渉を最小化するために、マスク300の端部位に形成される。マスク整列パターン330は一般的に、x軸及びy軸に沿って同時に位置が補正されるようにするために十字形状を有する。マスク整列パターン330は、マスク300に露光パターン310を形成するとき、同時に形成される。これとは異なり、マスク整列パターン330はパターニングを容易にするために円形形状とすることもできる。
基板整列パターン520は、基板500上に感光膜510を形成するとき、同時に形成され、不透明な材質からなる。即ち、基板整列パターン520は感光膜510と同一の材質で形成することができる。
基板整列パターン520は、マスク整列パターン330と同一の大きさ及び形状を有する。また、基板整列パターン520はマスク整列パターン330の個数と同じであるか偶数個分だけさらに多く形成することもできる。
一方、基板露光装置100は、マスク整列パターン330を通じて基板整列パターン520を認識するための計測器900をさらに含む。具体的に、計測器900は透明に形成されたマスク整列パターン330を通じて不透明に形成された基板整列パターン520を計測することで、マスク300を基板500に整列させる。この際、計測器900は、マスク300の位置を補正するために、制御部800を介して第1移動装置600を駆動する。
このような計測器900を通じて基板500とマスク300を整列させることは一般的に、基板500をスキャン露光する前に行われる。具体的に、計測器900は、基板500をスキャン露光する前に露光領域S1、S2、…、Snのうち少なくとも2つの露光領域に対応して形成された基板整列パターン520を通じてマスク300の位置を補正する。即ち、計測器900は少なくとも2度基板整列基板520を計測する。
ここで、2度の計測はサブ計測とメイン計測に分けることができる。即ち、サブ計測ではマスク300と基板500の位置を大まかに整列させ、メイン計測では精密で正確に整列させる。
これにより、基板露光装置100では、基板500をスキャン露光する前に基板500の全体大きさ及びスキャン露光を始めるためのスタート点を認識することができる。
一方、計測器900は、基板露光装置100で基板500の全体大きさ及びスキャン露光のスタート点を精密に認識できるようにするために、基板500の短辺に対応する露光領域S1、S2、Sn−1、Snのうち少なくとも2つを選択して計測することが望ましい。
図4〜図8は本発明の一実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図であり、図9は図4〜図8に示されたマスクとステージの速度勾配を示したグラフであり、図10は図1に示された他の実施例の基板を上から見た平面図である。
図4及び図9に示すように、まず、ステージ400に基板500を固定配置する。基板500には図2の露光領域S1、S2、…、Snに対応して感光膜510が形成される。しかし、図4では基板露光装置100の側面を示しており、露光領域S1、S2、…Snのうち基板500の一辺に隣接した第1領域S1と第2領域S2に対してのみ示されている。ここで、基板500の一辺は基板500の長辺であっても、短辺であってもよいが、本発明では長辺を意味するものとする。
続いて、マスク300は第1領域S1に対応して基板500の上部に配置される。この際、マスク300とステージ400はそれぞれ図1の移動装置600と第2移動装置700に接続され水平方向x、yに沿って移動する。
ここで、マスク300とステージ400の移動は速度勾配に従ってそれぞれ図9の第1グラフG1と第2グラフG2のように示される。
第1グラフG1によると、マスク300は最初第1マスク加速区間AA10で加速され、第1マスク定速区間CA10で一定の速度となる。以後、マスク300は第1マスク減速区間RA10で減速されて停止する。続いて、マスク300は第2マスク加速区間AA11で第1マスク加速区間AA10と反対方向に加速され、第2マスク定速区間CA11で一定の速度となる。以後、マスク300は第2マスク減速区間RA11で減速されて停止する。
第2グラフG2によると、ステージ400は最初ステージ加速区間AA20で第1マスク加速区間AA10でのマスク300と同一の方向及び速度で加速され、ステージ定速区間CA20で一定の速度となる。以後、ステージ400は第2マスク減速区間RA11に対応したステージ減速区間RA20で減速されて停止する。
これにより、マスク300とステージ400は最初同一方向に移動し、第2マスク定速区間CA11で互いに反対方向に移動することがわかる。ここで、マスク300とステージ400がそれぞれ第1マスク定速区間CA10とステージ定速区間CA20で移動する時期は基板500の第1領域S1がスキャン露光される時期である。
また、マスク300とステージ400がそれぞれ第2マスク定速区間CA11とステージ定速区間CA20で移動する時期は図6〜図8を参照して説明する基板500の第2領域S2がスキャン露光される時期である。
続いて、マスク300の上部で基板500の一辺に対応して露光器200を配置する。例えば、露光器200は基板500の長辺に対応して配置することができる。
この際、露光器200は紫外線光を照射する非常に敏感な機器であるので、別途のフレームに固定される。露光器200はマスク300とステージ400の第1マスク加速区間AA10とステージ加速区間AA20分だけ第1領域S1の周囲に離脱するように配置される。
これは、基板500の第1領域S1に対するスキャン露光がマスク300とステージ400が第1マスク定速区間CA10及びステージ定速区間CA20で行われるようにするためである。即ち、露光器200から照射された光がマスク300を通じて基板500に一定に照射されるようにするためである。
図5及び図9に示すように、マスク300とステージ400を基板500の一辺に対して直角の第1方向aに移動させながら基板500の第1領域S1を第1方向aと反対である第2方向bに沿ってスキャン露光する。
この際、マスク300とステージ400は第1マスク加速区間AA10及びステージ加速区間AA20を経て第1マスク定速区間AA10及びステージ定速区間CA10、CA20に進入し、互いに同一の速度を有する。ここで、第1マスク加速区間AA10及びステージ加速区間AA20でのマスク300とステージ400の加速度は同一であり、約1.43m/sの値を有する。
また、第1マスク定速区間CA10、ステージ定速区間CA20でのマスク300とステージ400の速度は、万一露光領域が6個または8個からなる場合、40mm/s〜700mm/sであり、望ましくは500mm/sである。ここで、基板500の露光領域を6個に分ける場合基板500のサイズが約32インチ程度の時であり、8個に分ける場合は基板500のサイズが約40インチ程度の時である。
図6〜図8、図9に示すように、基板500の第1領域S1に対するスキャン露光を完了した後、マスク300の移動を第1方向aから第2方向bに転換する。この際、ステージ400は第1方向aに沿ってそのまま移動する。これは、基板500の第2領域をスキャンするとき、マスク300とステージ400が互いに交差しながら移動することを意味する。
マスク300は第1方向aから第2方向bに転換する時期は、図9で第1マスク減速区間RA10と第2マスク加速区間AA11に該当する。ここで、マスク300の減速度及び加速度は互いに同一の約1.43m/s値を有する。
これにより、基板500の第1領域S1と第2領域S2は、第1マスク減速区間RA10と第2マスク加速区間AA11分だけ離間する。即ち、基板500の第1領域S1と第2領域S2との間には所定の空間が形成される。
この際、マスク300は第1方向aから第2方向bに連続的に転換して第1領域S1と第2領域S2との間の離間空間を最小化する。しかし、マスク300は基板500の第2領域S2で第2マスク定速区間CA11を安定的に確保するために所定の時間差を有するように転換することもできる。
また、前述のような方式とは反対に、基板500の第1領域S1ではマスク300とステージ400を互いに反対方向に交差してスキャン露光し、基板500の第2領域S2ではマスク300とステージ400を互いに同一の方向にスキャン露光することができる。この際にも、基板500の第1領域S1と第2領域S2とにおいてスキャン露光する方向は同一である。
一方、マスク300はステージ400と互いに交差しながら移動するので、第2領域S2では第1領域S1と互いに反対される露光パターン310が形成される。
このような理由を具体的に説明すると、マスク300が第2領域S2に進入し、第1領域S1において最後に露光器200に露出された一端部がまず進入し、露光器200に露出され、以後、マスク300は第2方向aに沿って連続的に進行し第2領域S2の端に到達すると、第1領域S1で初めて露光器200に露出された他端部が露出されるからである。
このため、基板500の全ての露光領域に対して同一の形状の露光パターン310が形成されるようにするために、図3のように露光パターン310はx軸と平行な中心軸320を基準にして対称の構造を有する。
続いて、露光器200が第2領域S2から第2マスク減速区間RA11及びステージ減速区間RA20分だけ外周に離脱した位置に到達すると、マスク300とステージ400の移動を停止する。この際、露光器200の電源もオフされる。
以後、図2のように基板500を複数の露光領域S1、S2、…、Snを分けると、露光器200とマスク300を基板500の一辺に沿って隣接した第3領域S3に対応されるようにステージ400を移動して前記と同一の方法で第3領域S3及び第4領域S4をスキャン露光する。
即ち、基板500の第3領域S3はマスク300とステージ400を第2方向bに沿って移動させながら第1方向aに沿ってスキャン露光する。また、基板500の第4領域S4はマスク300を第1方向aに移動させ、ステージ400を第2方向bに移動させながら第1方向aに沿ってスキャン露光する。
従って、基板500のy軸方向に沿って隣接した露光領域Sn−1、Snに対してスキャン露光を停止せずに同一の方向にスキャン露光を実施することができる。
これにより、基板500の全体的なスキャン露光時間を短縮させることができる。また、このような方法を反復継続して第n領域Snまで全ての露光領域S1、S2、…Snに対してスキャン露光することができる。
前述のように、基板500の全ての露光領域S1、S2、…Snに対してスキャン露光を完了すると、一般的に、マスク300の露光パターン310によって形成された感光膜510のパターンによってエッチング工程が行われる。
一方、図10のように、基板550の露光領域S1、S2、…Snをy軸方向に3個以上分ける場合にも、前述したような方法でy軸方向に沿って隣接した露光領域に対してスキャン露光を停止しないで、連続的にスキャン露光を実施することができる。
即ち、基板550の第2領域S2をスキャン露光した後、マスク300とステージ400の位置の変更せずに、すぐ基板550の第1領域S1をスキャン露光した方法に従って基板550の第3領域S3を連続的に、スキャン露光することができる。
ここで、基板550の第3領域S3をスキャン露光の際、マスク300とステージ400の位置を変更しない理由は図8のように、既にマスク300とステージは第3領域S3に配置されているからである。
図11〜図13は本発明の他の実施例による基板露光方法を示した基板露光装置の側面図である。
本実施例において、基板の第2領域をスキャン露光する方法は図4及び図5と同一であるので、その重複する説明は省略する。
図11及び図13に示すように、基板500の第1領域S1をスキャン露光した後、一時的に、露光器200の電源をオフし、ステージ400の移動を停止した状態でマスク300のみ第2方向bに沿って第2領域S2に移動させる。
この際、露光器200の電源をオフするのはマスク300が移動しながら不必要な領域に露光されることを防止するためである。また、基板500の第1領域S1と第2領域S2の一部に追加的にスキャン露光され、基板500にマスク300の露光パターン310が不均一に形成されることを防止するためである。この際、マスク300が第2領域S2に移動する時間、即ち、露光器200の電源をオフする時間は1〜3秒であり、望ましくは2秒である。
以後、基板500の第2領域S2を第2方向bに沿ってスキャン露光する。この際、マスク300とステージ400を第1方向aに沿って移動させる。このような方法はマスク300を移動して結果的に、基板500の第1領域S1と同一の方式でスキャン露光されるので、マスク300の形成された露光パターン310の対称可否とは関係ない。
従って、基板500の隣接した第1領域S1と第2領域S2に対して同一の方向にスキャン露光することで、基板500の全体的な露光時間を減少することができる。
一方、マスク300を移動する代わりに、ステージ400を移動することもできる。この際には、反対に、マスク300の移動を停止させる。また、マスク300を移動するときには同様に、露光器200の電源もオフする。
このようにステージ400を移動する場合、露光器200はマスク300を移動するときとは異なる位置に配置される。具体的に、マスク300を移動する場合には第1領域S1と第2領域S2との間に配置され、ステージ400を移動する場合には第2領域S2の端に配置される。
しかし、基板500の第2領域S2をスキャン露光した後、図2に示された第3領域S3に移動の際、前述した2つの場合全部マスク300とステージ400をスキャン露光と関係なしに移動させなければならないので、実質的な工程時間には差異がない。
このような基板露光方法によると、基板を複数の露光領域に分けて、この露光領域のうち隣接した少なくとも2つの第1領域と第2領域をステージの移動方向に対してマスクの移動方向を転換して結果的に、同一のスキャン方向に露光することで、基板の全体的な露光時間を短縮することができる。
また、基板がTFT基板の場合、基板の露光時間を短縮することで、液晶表示装置の生産性を向上させることができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
本発明の一実施例による基板露光装置を概略的に示す正面図である。 図1に示された一実施例による基板を上から見た平面図である。 図1に示されたマスクを上から見た平面図である。 本発明の一実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。 本発明の一実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。 本発明の一実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。 本発明の一実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。 本発明の一実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。 図4〜図8に示されたマスクとステージの速度勾配を示すグラフである。 図1に示された他の実施例の基板を上から見た平面図である。 本発明の他の実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。 本発明の他の実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。 本発明の他の実施例による基板露光方法を示す基板露光装置の側面図である。
符号の説明
100 基板露光装置
200 露光器
210 照明部
220 集光部
300 マスク
310 露光パターン
320 中心軸
330 マスク整列パターン
400 ステージ
500、550 基板
510 感光膜
520 基板整列パターン
600 第1移動装置
700 第2移動装置
800 制御部
900 計測器

Claims (17)

  1. ステージに基板を配置する段階と、
    前記基板を複数の露光領域に分けて、前記露光領域のうち前記基板の一辺に隣接したいずれか1つの第1領域にマスクを配置する段階と、
    前記マスクの上部で前記基板の一辺に対応して露光器を配置する段階と、
    前記基板の第1領域を前記基板の一辺に対して垂直な第1方向に沿って前記マスクと前記ステージを移動しながら前記第1方向に対して反対である第2方向に沿ってスキャン露光する段階と、
    前記マスクを前記第2方向に沿って移動し、前記ステージを前記第1方向に沿って移動しながら、前記第2方向に沿って前記基板の第1領域に隣接する前記基板の第2領域を前記第2方向に沿ってスキャン露光する段階と、
    を含むことを特徴とする基板露光方法。
  2. 前記マスクの移動方向を前記第1方向から第2方向に連続的に転換することを特徴とする請求項1記載の基板露光方法。
  3. 前記マスクには露光パターンが形成され、前記基板には前記露光器から照射された光に反応する感光膜が形成されることを特徴とする請求項2記載の基板露光方法。
  4. 前記露光パターンは、前記第1及び第2方向に垂直な中心軸を基準にして対称であることを特徴とする請求項3記載基板露光方法。
  5. 前記マスクを第1方向に沿って移動する段階で前記マスクの移動は、
    加速する第1マスク加速区間と、
    前記第1マスク加速区間と連続し、一定速度である第1マスク定速区間と、
    前記第1マスク定速区間と連続し、減速する第1マスク減速区間と、
    で分けられることを特徴とする請求項4記載の基板露光方法。
  6. 前記マスクを第2方向に沿って移動する段階において前記マスクの移動は、
    前記第1マスク減速区間と連続し、加速される第2マスク加速区間と、
    前記第2マスク加速区間と連続し、一定速度である第2マスク定速区間と、
    前記第2マスク定速区間と連続し、減速する第2マスク減速区間と、
    で分けられることを特徴とする請求項5記載の基板露光方法。
  7. 前記ステージの移動は、
    前記第1マスク加速区間に対応して加速するステージ加速区間と、
    前記第1マスク定速区間、前記第1マスク減速区間、前記第2マスク加速区間及び前記第2マスク定速区間に対応して、前記ステージ加速区間と連続し、一定速度であるステージ定速区間と、
    前記第2マスク減速区間に対応して、前記ステージ定速区間に連続し、減速するステージ減速区間と、
    で分けられることを特徴とする請求項6記載の基板露光方法。
  8. 前記基板の第1領域は、前記マスクと前記ステージがそれぞれ前記第1マスク定速区間と前記ステージ定速区間で移動するとき、スキャン露光されることを特徴とする請求項7記載の基板露光方法。
  9. 前記基板の第2領域は、前記マスクと前記ステージがそれぞれ前記第2マスク定速区間と前記ステージ定速区間で移動するとき、スキャン露光されることを特徴とする請求項8記載の基板露光方法。
  10. 前記第1マスク定速区間、前記第2マスク定速区間においての前記マスクの移動速度と前記ステージの定速区間での前記ステージの移動速度は同一であることを特徴とする請求項9記載の基板露光方法。
  11. 前記基板の第2領域をスキャン露光した後、前記露光器と前記マスクが前記基板の一辺に沿って前記第2領域に隣接した第3領域に対応するように前記ステージを移動させ、前記基板の第3領域を前記第1方向に沿ってスキャン露光する段階と、
    前記マスクを前記第1方向に沿って移動し、前記ステージを前記第2方向に沿って移動しながら前記基板の第3領域と前記第1方向に沿って隣接した前記基板の第4領域を前記第1方向に沿ってスキャン露光する段階と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項4記載の基板露光方法。
  12. 前記基板の第2領域をスキャン露光した後、前記マスクと前記ステージを前記第1方向に沿って移動して前記基板の第2領域に前記第2方向に沿って隣接した第3領域を前記第2方向に沿ってスキャン露光する段階をさらに含むことを特徴とする請求項4記載の基板露光方法。
  13. 前記マスクの移動は所定の時間差を有しながら前記第1方向から前記第2方向に転換されることを特徴とする請求項1記載の基板露光方法。
  14. 前記マスクは前記露光領域のうち少なくとも2つの前記露光領域に対応して形成された基板整列パターンを通じて前記基板との相互位置が整列されることを特徴とする請求項1記載の基板露光方法。
  15. ステージに基板を配置する段階と、
    前記基板を複数の露光領域に分けて、前記露光領域のうち前記基板の一辺に隣接したいずれか1つの第1領域にマスクを配置する段階と、
    前記マスクの上部で前記基板の一辺に対応して露出器を配置する段階と、
    前記基板の第1領域を前記基板の一辺に対して垂直である第1方向に沿って前記マスクと前記ステージを移動しながら前記第1方向と反対となる第2方向に沿ってスキャン露光する段階と、
    前記第1領域に配置された前記マスクを前記第1領域と前記第2方向に沿って隣接した第2領域に移動する段階と、
    前記ステージと前記マスクを前記第1方向に沿って移動しながら前記基板の第2領域を前記第2方向に沿ってスキャン露光する段階と、
    を含むことを特徴とする基板露光方法。
  16. 前記マスクを前記第2領域に移動させる段階で前記露光器の電源をオフすることを特徴とする請求項15記載の基板露光方法。
  17. 前記マスクを前記第2領域に移動させる段階は、前記第1領域における移動の終了後、所定の時間差をもって実行することを特徴とする請求項16記載の基板露光方法。
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