JP2008001044A - 微細構造体及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract description 7
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 325
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007567 Zn-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007614 Zn—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002436 steel type Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
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- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
【解決手段】複数の突起10を有する微細構造12を備えるとともに、充填された流動性樹脂が硬化することによって又は微細構造が透光性材料に転写されることによって成形品を成形する際に使用される成形型1(微細構造体)に、所定の強度を有するベース部材2と、ベース部材2の表面の一部においてNiめっきによって形成された導電層9と、導電層9の上にめっきによって形成され導電層9と共通の金属元素であるNiを含む複数の突起10とを備える。導電層9においてベース部材2に接する第1の層7と複数の突起10における最下層である第3の層13とは各々機能めっきによって形成され、複数の突起10における第3の層13以外の層である第4の層14は電鋳によって形成されている。
【選択図】図1
Description
2 ベース部材
3 非接触部
4 位置合わせマーク
5 接触部
6 表面
7 第1の層
8 第2の層
9 導電層
10,45,58 突起
11,46,60 溝(低位部)
12,47,61 微細構造
13,41 第3の層
14,44 第4の層
15,25 マスキングテープ
16 レジスト層
17 フォトマスク
18 遮光パターン
19 位置合わせパターン
20 紫外光
21 可溶部
22 凹部
23 凸部
24 レジストパターン
26,42 肉厚層
27,43 柱状金属
28 下型(微細構造体、成形型、樹脂封止型)
29 表面
30 上型
31 流動性樹脂(他の材料)
32 キャビティ
33 基板
34 チップ(チップ状の電子部品)
35 貫通孔
36 硬化樹脂(他の材料)
37 樹脂封止体(成形品)
38 切断線
39 下面(他方の面)
40 くぼみ部
50 別のレジスト層
51 全体のレジスト層
52 開口
53 別のレジストパターン
54 全体のレジストパターン
55 2段目の肉厚層
56 全体の肉厚層
57 第5の層
59 段差
Claims (11)
- 1又は複数の突起と該1又は複数の突起以外の低位部とからなる微細構造を有する微細構造体であって、
所定の強度を有するベース部材と、
前記ベース部材の表面における少なくとも一部において形成された導電層とを備えるとともに、
前記1又は複数の突起は前記導電層における所望の領域の上にめっきによって形成されており、かつ、前記1又は複数の突起の厚さ方向における少なくとも一部は電鋳によって形成されたことを特徴とする微細構造体。 - 請求項1に記載の微細構造体において、
前記導電層の上にレジスト層が形成され、前記レジスト層が露光・現像されることによって凹部と凸部とを有するレジストパターンが形成され、前記凹部において露出する前記導電層の上に前記1又は複数の突起が形成され、前記レジストパターンが除去されることによって前記微細構造体が形成されることを特徴とする微細構造体。 - 請求項2に記載の微細構造体において、
前記1又は複数の突起は、前記凹部において露出する少なくとも前記導電層がエッチングされることによって形成されたくぼみ部において形成されたことを特徴とする微細構造体。 - 請求項2又は3に記載の微細構造体において、
前記1又は複数の突起が形成された後に前記1又は複数の突起と前記レジストパターンとの上に別のレジスト層が形成され、前記別のレジスト層が露光・現像されることによって前記1又は複数の突起のうち少なくとも一部の所望の突起の上に開口を有する別のレジストパターンが形成され、前記開口において電鋳によって柱状金属が形成されることによって前記所望の突起と前記柱状金属とを含むいっそう高い1又は複数の突起が形成され、前記レジストパターンと前記別のレジストパターンとが除去されることによって前記微細構造体が形成されるとともに、
前記所望の突起と前記柱状金属との間の境目には段差が形成されたことを特徴とする微細構造体。 - 請求項1−4のいずれか1つに記載の微細構造体において、
前記微細構造体が使用される際に他の材料に接触しない部分からなる非接触部に形成された位置合わせマークを備え、
前記位置合わせマークは、前記レジスト層又は前記別のレジスト層が露光される際の位置合わせと前記微細構造体が使用される際の位置合わせとに各々使用されることを特徴とする微細構造体。 - 請求項1−5のいずれか1つに記載の微細構造体において、
前記微細構造は、充填された流動性樹脂が硬化することによって又は前記1又は複数の突起と前記低位部とが前記他の材料に転写されることによって成形品を成形する際に使用される成形型の型面に形成され、
前記微細構造体の表面は前記成形品に対する低密着性を有する材料からなることを特徴とする微細構造体。 - 請求項6に記載の微細構造体において、
前記微細構造が形成された前記成形型は、複数の貫通孔を有する基板の一方の面に装着されたチップ状の電子部品を樹脂封止して成形品であるパッケージを成形する際に使用される樹脂封止型であり、
前記流動性樹脂が硬化することによって前記チップ状の電子部品が樹脂封止され、
前記複数の突起は前記複数の貫通孔を各々塞ぐようにして配置されているとともに、
前記複数の突起は、前記基板における前記一方の面に対向する他方の面に前記流動性樹脂が流れ出すことを各々防止することを特徴とする微細構造体。 - 1又は複数の突起と該1又は複数の突起以外の低位部とからなる微細構造を有する微細構造体の製造方法であって、
所定の強度を有するベース部材の表面における少なくとも一部において導電層を形成する工程と、
前記導電層の上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を露光・現像して凹部と凸部とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記凹部において露出する前記導電層の上にめっきによって前記1又は複数の突起を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程とを備えるとともに、
前記1又は複数の突起を形成する工程においては、前記1又は複数の突起の厚さ方向における少なくとも一部を電鋳によって形成する工程を備えることを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 請求項8に記載の微細構造体の製造方法において、
前記1又は複数の突起を形成する工程においては、前記凹部において露出する前記導電層において少なくとも前記露出する導電層をエッチングすることによってくぼみ部を形成する工程と、前記くぼみ部において前記1又は複数の突起を形成する工程とを備えることを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 請求項8又は9に記載の微細構造体の製造方法において、
前記1又は複数の突起を形成する工程の後に前記1又は複数の突起と前記レジストパターンとの上に別のレジスト層を形成する工程を備え、
前記別のレジスト層を露光・現像することによって前記1又は複数の突起のうち少なくとも一部の所望の突起の上に開口を有する別のレジストパターンを形成する工程と、
前記開口において電鋳によって柱状金属を形成して前記所望の突起と前記柱状金属とを含むいっそう高い1又は複数の突起を形成する工程と、
前記レジストパターンと前記別のレジストパターンとを除去することによって前記微細構造体を形成する工程とを更に備えるとともに、
前記いっそう高い1又は複数の突起を形成する工程では、前記所望の突起と前記柱状金属との間の境目に段差を形成することを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 請求項8−10のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法において、
前記レジストパターンを形成する工程又は前記別のレジストパターンを形成する工程では、前記微細構造体を使用する際に他の材料に接触しない部分からなる非接触部に形成された位置合わせマークを使用して位置合わせを行って露光するとともに、
前記微細構造体を使用する際の位置合わせにおいても前記位置合わせマークが使用されることを特徴とする微細構造体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006174715A JP4887511B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | 微細構造体及びその製造方法 |
PCT/JP2007/000658 WO2008001487A1 (fr) | 2006-06-26 | 2007-06-20 | corps microstructureL et son procédé de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006174715A JP4887511B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | 微細構造体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008001044A true JP2008001044A (ja) | 2008-01-10 |
JP4887511B2 JP4887511B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=38845262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006174715A Expired - Fee Related JP4887511B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | 微細構造体及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4887511B2 (ja) |
WO (1) | WO2008001487A1 (ja) |
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Families Citing this family (1)
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-
2006
- 2006-06-26 JP JP2006174715A patent/JP4887511B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-20 WO PCT/JP2007/000658 patent/WO2008001487A1/ja active Application Filing
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JP7383060B2 (ja) | 2020-07-17 | 2023-11-17 | マクセル株式会社 | 塑性加工用の金型 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4887511B2 (ja) | 2012-02-29 |
WO2008001487A1 (fr) | 2008-01-03 |
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