JPS63266088A - ニツケル被覆インコネル管の製造方法 - Google Patents
ニツケル被覆インコネル管の製造方法Info
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- JPS63266088A JPS63266088A JP9746187A JP9746187A JPS63266088A JP S63266088 A JPS63266088 A JP S63266088A JP 9746187 A JP9746187 A JP 9746187A JP 9746187 A JP9746187 A JP 9746187A JP S63266088 A JPS63266088 A JP S63266088A
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はニッケル被覆インコネル管を製造する方法に
関する。
関する。
高合金鋼であるインコネル管は、耐食性に優れているの
で、特に腐食が問題となる原子力発電用加圧水型軽水炉
の蒸気発生器配管に使用されている。
で、特に腐食が問題となる原子力発電用加圧水型軽水炉
の蒸気発生器配管に使用されている。
しかしながら腐食に対する環境条件が厳しいた
□め9表面にニッケル層を形成する必要があった。
□め9表面にニッケル層を形成する必要があった。
その方法としては従来内管がインコネル、外管がニッケ
ルの二重管を熱間圧延で製造するか、インコネル管にニ
ッケルを溶射する方法等があった。
ルの二重管を熱間圧延で製造するか、インコネル管にニ
ッケルを溶射する方法等があった。
しかしながら上述した従来の方法には次のような問題点
があった。
があった。
+1)熱間圧延法はインコネルとニッケルの境界面にお
いて、接合不良が発生しそれが欠陥となる。
いて、接合不良が発生しそれが欠陥となる。
(2) ニッケル溶射法は高温でニッケルを吹きつけ
るため、母管であるインコネルの微視組織が粗大化し、
母管の特性を損なう。
るため、母管であるインコネルの微視組織が粗大化し、
母管の特性を損なう。
またインコネルにニッケルをめっきすることも考えられ
るが、密着性を高めるためにはインコネル表面の強固な
不働態化皮膜を除去しなければならす、そのため機械的
表面粗化、エツチング、活性化処理等の多岐にわたる工
程が必要となるとともに、めっきで得られたニッケル層
の硬度が高くなり、めっき層の剥離等の成形加工性が劣
るという問題点がある。
るが、密着性を高めるためにはインコネル表面の強固な
不働態化皮膜を除去しなければならす、そのため機械的
表面粗化、エツチング、活性化処理等の多岐にわたる工
程が必要となるとともに、めっきで得られたニッケル層
の硬度が高くなり、めっき層の剥離等の成形加工性が劣
るという問題点がある。
この発明は以上のような従来技術の問題点を解消し、密
着性が良く、加工成形にも優れたニッケル被覆管の製造
方法を提供することを目的としている。
着性が良く、加工成形にも優れたニッケル被覆管の製造
方法を提供することを目的としている。
この発明はインコネル管の外面にニッケルを被覆するに
あたり、インコネル管を酸溶液にて酸洗し表面を活性化
させた後、ニッケルストライクめっきを行い、続いてス
ルファミン酸ニッケル浴にて電流密度1〜IOA/dm
”で低応力ニッケル層をめっきし、ついで800〜11
00℃の熱処理を施すことを特徴とするニッケル被覆イ
ンコネル管の製造方法である。
あたり、インコネル管を酸溶液にて酸洗し表面を活性化
させた後、ニッケルストライクめっきを行い、続いてス
ルファミン酸ニッケル浴にて電流密度1〜IOA/dm
”で低応力ニッケル層をめっきし、ついで800〜11
00℃の熱処理を施すことを特徴とするニッケル被覆イ
ンコネル管の製造方法である。
インコネル管の外面にめっきでニッケル層を形成させる
ために、まずインコネル管をアルカリ電解脱脂後、イン
コネルの不働態皮膜を除去して表面を活性かさせるため
の適当な酸洗を行う。その後ただちにウッド浴にてニッ
ケルストライクめっきを行い、続いてスルファミン酸ニ
ッケル浴にて電流密度1〜IOA/d+!zで低応力ニ
ッケル層をめっきしてニッケル層を形成させる。ここで
、スルファミン酸ニッケル浴からの電解電流密度がl
A / (Iが未満では、能率的ではない。また電流密
度は高いほど好ましいが、 IOA/dm2以上では電
着ニッケル層の応力が大きくなり、加工性が劣化すると
ともに、析出速度が大きいために電着物がポーラス状と
なる。したがってこの浴からの適正電解電流密度範囲は
1〜IOA/di”とした。
ために、まずインコネル管をアルカリ電解脱脂後、イン
コネルの不働態皮膜を除去して表面を活性かさせるため
の適当な酸洗を行う。その後ただちにウッド浴にてニッ
ケルストライクめっきを行い、続いてスルファミン酸ニ
ッケル浴にて電流密度1〜IOA/d+!zで低応力ニ
ッケル層をめっきしてニッケル層を形成させる。ここで
、スルファミン酸ニッケル浴からの電解電流密度がl
A / (Iが未満では、能率的ではない。また電流密
度は高いほど好ましいが、 IOA/dm2以上では電
着ニッケル層の応力が大きくなり、加工性が劣化すると
ともに、析出速度が大きいために電着物がポーラス状と
なる。したがってこの浴からの適正電解電流密度範囲は
1〜IOA/di”とした。
インコネル管の外面に上記のようにニッケル極厚めつき
を施し、ニッケル層を形成させた後、800℃〜110
0℃の熱処理を施す。これはインコネル母管に要求され
る焼なましあるいは固溶化熱処理に相当するものである
とともに、併せてニッケルとインコネル界面の密着性の
向上ならびにめっきままのニッケル層の軟化にともなう
成形加工性の改善を意図したものである。
を施し、ニッケル層を形成させた後、800℃〜110
0℃の熱処理を施す。これはインコネル母管に要求され
る焼なましあるいは固溶化熱処理に相当するものである
とともに、併せてニッケルとインコネル界面の密着性の
向上ならびにめっきままのニッケル層の軟化にともなう
成形加工性の改善を意図したものである。
第1図にニッケルとインコネルの接合不良率に及ぼす熱
処理温度の影響を示す。めっきのままでは接合不良率が
高いが、800℃以上の熱処理を施すことにより、接合
状態が極めて良好なニッケル被覆インコネル管が得られ
る。なお接合不良率は次式による。
処理温度の影響を示す。めっきのままでは接合不良率が
高いが、800℃以上の熱処理を施すことにより、接合
状態が極めて良好なニッケル被覆インコネル管が得られ
る。なお接合不良率は次式による。
第2図にインコネルの結晶粒径に及ぼす熱処理温度の影
響を示す。非熱処理のニッケル被覆インコネル管と11
00℃までの熱処理を施したニッケル被覆インコネル管
では、インコネルの平均結晶粒は微細であるが、熱処理
温度が1100℃を越えると結晶粒は急激に粗大化する
。インコネルの結晶粒の粗大化は母管の特性を損なうた
めに好ましくない。
響を示す。非熱処理のニッケル被覆インコネル管と11
00℃までの熱処理を施したニッケル被覆インコネル管
では、インコネルの平均結晶粒は微細であるが、熱処理
温度が1100℃を越えると結晶粒は急激に粗大化する
。インコネルの結晶粒の粗大化は母管の特性を損なうた
めに好ましくない。
第3図に二重管の硬度に及ぼす熱処理温度の影響を示す
。インコネルの硬度は熱処理前後でほとんど変化しない
が、ニッケル層はめっきのままでは硬<、SOO℃以上
の熱処理を施すと軟いニッケル層が得られる。
。インコネルの硬度は熱処理前後でほとんど変化しない
が、ニッケル層はめっきのままでは硬<、SOO℃以上
の熱処理を施すと軟いニッケル層が得られる。
以上のことより、ニッケルとインコネルの接合状態が掻
めて良好でかつ母管のインコネルの特性を損なうことな
く、成形加工性に優れたニッケル被覆インコネル管を製
造するための適正熱処理温度範囲は800℃〜1100
℃である。
めて良好でかつ母管のインコネルの特性を損なうことな
く、成形加工性に優れたニッケル被覆インコネル管を製
造するための適正熱処理温度範囲は800℃〜1100
℃である。
以下に本発明の実施例について述べる。
インコネル600の管の外面のみをアルカリ電解脱脂後
、硫酸40g/ l 、硝酸4g7Nの混酸水溶液にて
電解酸洗を行った。Vtいて表面をさらに活性化するた
めに、50℃の熱塩酸に1分間浸漬した。その後、ただ
ちに第1表に示すウッド浴にて電流密度10A/di”
、電解時間30秒のニッケルストライクめっきを行い、
続いて第2表に示すスルファミン酸ニッケル浴にて、電
流密度2 A/dm”でめっき膜17300μmのニッ
ケル極厚めつきを施した。
、硫酸40g/ l 、硝酸4g7Nの混酸水溶液にて
電解酸洗を行った。Vtいて表面をさらに活性化するた
めに、50℃の熱塩酸に1分間浸漬した。その後、ただ
ちに第1表に示すウッド浴にて電流密度10A/di”
、電解時間30秒のニッケルストライクめっきを行い、
続いて第2表に示すスルファミン酸ニッケル浴にて、電
流密度2 A/dm”でめっき膜17300μmのニッ
ケル極厚めつきを施した。
第1表
第2表
インコネル600の管の外側にめっきでニッケル層を形
成させた後、500℃〜1200℃の範囲で熱処理を施
し、以下に示す評価試験を行った。なお保持時間はいず
れも1時間とした。
成させた後、500℃〜1200℃の範囲で熱処理を施
し、以下に示す評価試験を行った。なお保持時間はいず
れも1時間とした。
(11検鏡
ニッケル、インコネル双方の組織を観察するとともに、
ニッケルとインコネルの界面の接合状態を調べた。
ニッケルとインコネルの界面の接合状態を調べた。
(2)成形加工性試験(拡管1曲げ)
拡管1曲げ試験を行い、成形加工性を調べた。
(3)超音波探傷試験
ニッケルとインコネルの界面における接合不良を調べた
。
。
これらの評価試験結果を第3表に示す。
第3表
0 良好もしくは欠陥なし
八 一部不良もしくは一部欠陥あり
一、Q、・・・ 水冷
第3表から明らかなように、インコネル管の外面にめっ
きでニッケル層を形成させた1、 soo℃〜110
0℃で熱処理を施すことにより、ニッケルとインコネル
の接合状態が極めて良好でかつ成形加工性に優れたニッ
ケル被覆インコネル管の製造が可能である。
きでニッケル層を形成させた1、 soo℃〜110
0℃で熱処理を施すことにより、ニッケルとインコネル
の接合状態が極めて良好でかつ成形加工性に優れたニッ
ケル被覆インコネル管の製造が可能である。
この発明により、ニッケルとインコネルの接合状態が良
好で、成形加工性にも優れたニッケル被覆インコネル管
の製造が可能となるので、その工業的効果は大きい。
好で、成形加工性にも優れたニッケル被覆インコネル管
の製造が可能となるので、その工業的効果は大きい。
第1図は熱処理温度と接合不良率のグラフ、第2図は熱
処理温度とインコネル平均結晶粒度のグラフ、第3図は
熱処理温度とビッカース硬度のグラフである。 特許出願人 日本鋼管株式會社 第1図 第2図
処理温度とインコネル平均結晶粒度のグラフ、第3図は
熱処理温度とビッカース硬度のグラフである。 特許出願人 日本鋼管株式會社 第1図 第2図
Claims (1)
- インコネル管の外面にニッケルを被覆するにあたり、イ
ンコネル管を酸溶液にて酸洗し表面を活性化させた後、
ニッケルストライクめっきを行い、続いてスルファミン
酸ニッケル浴にて電流密度1〜10A/dm^2で低応
力ニッケル層をめっきし、ついで800〜1100℃の
熱処理を施すことを特徴とするニッケル被覆インコネル
管の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9746187A JPS63266088A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ニツケル被覆インコネル管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9746187A JPS63266088A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ニツケル被覆インコネル管の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63266088A true JPS63266088A (ja) | 1988-11-02 |
JPH0456116B2 JPH0456116B2 (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=14192944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9746187A Granted JPS63266088A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ニツケル被覆インコネル管の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63266088A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008001487A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Towa Corporation | corps microstructureL et son procédé de fabrication |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP9746187A patent/JPS63266088A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008001487A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Towa Corporation | corps microstructureL et son procédé de fabrication |
JP2008001044A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Towa Corp | 微細構造体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0456116B2 (ja) | 1992-09-07 |
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