JPS5817838B2 - 耐食めつき方法 - Google Patents
耐食めつき方法Info
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- JPS5817838B2 JPS5817838B2 JP53122857A JP12285778A JPS5817838B2 JP S5817838 B2 JPS5817838 B2 JP S5817838B2 JP 53122857 A JP53122857 A JP 53122857A JP 12285778 A JP12285778 A JP 12285778A JP S5817838 B2 JPS5817838 B2 JP S5817838B2
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- Japan
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- nickel plating
- nickel
- bath
- corrosion resistance
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
- C25D5/611—Smooth layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
- C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐食めっき方法に関し、特にニッケルめっき後
、高応力ニッケルめっきを施し、次いでクロムめっきを
行ういわゆるマイクロクラッククロムめっき法に比較し
て優れた耐食性めっき被膜を与える耐食めっきプロセス
に関する。
、高応力ニッケルめっきを施し、次いでクロムめっきを
行ういわゆるマイクロクラッククロムめっき法に比較し
て優れた耐食性めっき被膜を与える耐食めっきプロセス
に関する。
従来、自動車部品等に対する耐食めっきプロセスとして
は、互に硫黄含有量の異なるニッケルめっき層を形成さ
せる二層ニッケルめっき法、三層ニッケルめっき法とニ
ッケルめっき後、無機微粒子を懸濁するニッケルメッキ
浴にて薄いめっきを施し、次いでクロムめっきを行うこ
とにより、微細ボアを有するクロムめっき被膜を得るマ
イクロポーラスクロムめっき法、並びにニッケルめっき
後、その被膜上に高応力ニッケルめっき被膜を形成し、
次いでクロムめっきを行うことにより、クロムめっき被
膜に微細クラックを形成させる、もしくはニッケルめっ
き被膜上に特殊なりロムめっき浴を用いて微細クラック
クロムめっき被膜を得るマイクロクラッククロムめっき
法が知られており、これらはいずれも耐食めっき法とし
て実用化されている。
は、互に硫黄含有量の異なるニッケルめっき層を形成さ
せる二層ニッケルめっき法、三層ニッケルめっき法とニ
ッケルめっき後、無機微粒子を懸濁するニッケルメッキ
浴にて薄いめっきを施し、次いでクロムめっきを行うこ
とにより、微細ボアを有するクロムめっき被膜を得るマ
イクロポーラスクロムめっき法、並びにニッケルめっき
後、その被膜上に高応力ニッケルめっき被膜を形成し、
次いでクロムめっきを行うことにより、クロムめっき被
膜に微細クラックを形成させる、もしくはニッケルめっ
き被膜上に特殊なりロムめっき浴を用いて微細クラック
クロムめっき被膜を得るマイクロクラッククロムめっき
法が知られており、これらはいずれも耐食めっき法とし
て実用化されている。
しかるに、めっき被膜に対する耐食性の要求が益々厳し
くなっている現今においては、より高度の耐食性を与え
る高耐食めっきプロセスが求められている。
くなっている現今においては、より高度の耐食性を与え
る高耐食めっきプロセスが求められている。
また一般にめっき被膜の耐食性を向上させるためには、
めっき被膜を厚くすればする程良いが、厚くめっきする
ことはめつきコストの上昇を招き、また厚くめっきする
ためにはめつき時間を長ししなければならないので、作
業能率上問題が多く、特に、従来法では比較的低電流密
妾部分の膜厚の薄い部分の耐食性に問題があり、このた
め比較的薄い膜厚においても十分の耐食性を与えるめっ
きプロセスが要求されている。
めっき被膜を厚くすればする程良いが、厚くめっきする
ことはめつきコストの上昇を招き、また厚くめっきする
ためにはめつき時間を長ししなければならないので、作
業能率上問題が多く、特に、従来法では比較的低電流密
妾部分の膜厚の薄い部分の耐食性に問題があり、このた
め比較的薄い膜厚においても十分の耐食性を与えるめっ
きプロセスが要求されている。
本発明は上記要望に応えるためになされたもので、耐食
めっきプロセスとして最も優れているものの一つである
といわＪ′１．ている従来のマイクロクラッククロムめ
っき法に比較して、より優れた耐食めっき被膜を形成で
き、また比較的薄い膜厚でも十分な耐食性を発揮するめ
つき被膜を形成でき、低電流密度部分の耐食性も良好で
、高耐食めっきプロセスに対する要求を十分に満足させ
得ると共に、めっき操作上、コスト上の問題もなく、従
来のめつき設備をそのまま利用して実施することも可能
な耐食めっき方法を提供することを目的とする。
めっきプロセスとして最も優れているものの一つである
といわＪ′１．ている従来のマイクロクラッククロムめ
っき法に比較して、より優れた耐食めっき被膜を形成で
き、また比較的薄い膜厚でも十分な耐食性を発揮するめ
つき被膜を形成でき、低電流密度部分の耐食性も良好で
、高耐食めっきプロセスに対する要求を十分に満足させ
得ると共に、めっき操作上、コスト上の問題もなく、従
来のめつき設備をそのまま利用して実施することも可能
な耐食めっき方法を提供することを目的とする。
即ち、本発明は、上記目的を達成するため、被めっき物
に直接もしくは下地めっきを施した後、ニッケルめっき
を行い、次いで高応力ニッケルめっきを行い、続いて光
沢ニッケルめっきを施し、最後にクロムめっきもしくは
その他の最終めっきを行うようにしたものである。
に直接もしくは下地めっきを施した後、ニッケルめっき
を行い、次いで高応力ニッケルめっきを行い、続いて光
沢ニッケルめっきを施し、最後にクロムめっきもしくは
その他の最終めっきを行うようにしたものである。
以下、本発明につき詳しく説明する。
本発明において、被めっき物の材質には特に制限はなく
、鉄鋼、亜鉛その他の金属素地やプラスチック素地上に
公知の方法で所定の前処理を行った後、これに本発明方
法を実施し得る。
、鉄鋼、亜鉛その他の金属素地やプラスチック素地上に
公知の方法で所定の前処理を行った後、これに本発明方
法を実施し得る。
本発明方法における第１プロセスであるニッケルめっき
は、前記板めっき物に所定の前処理を施した後、直接、
もしくは必要により所望の下地めっきを行ったのちに行
う。
は、前記板めっき物に所定の前処理を施した後、直接、
もしくは必要により所望の下地めっきを行ったのちに行
う。
この場合、この下地めっきの種類は特に限定されず、被
めっき物の材質用途等に応じて選択される。
めっき物の材質用途等に応じて選択される。
例えば、所望に応じて光沢銅めっき（硫酸鋼浴、ピロリ
ン酸銅浴、青化銅浴等）が施される。
ン酸銅浴、青化銅浴等）が施される。
第１プロセスとしてのニッケルめつ！（第１ニツケルめ
っき）は、このように被めっき物表面上に直接もしくは
所定の下地めっき被膜を形成した後に行われるが、この
ニッケルめっきに用いる浴としては、通常の普通ニッケ
ル浴、半光沢ニッケル浴、光沢浴のいずれでもよく、ま
た浴組成も硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸を主体
とするワット浴が通常は用いられるが、必ずしもこれに
限定されない。
っき）は、このように被めっき物表面上に直接もしくは
所定の下地めっき被膜を形成した後に行われるが、この
ニッケルめっきに用いる浴としては、通常の普通ニッケ
ル浴、半光沢ニッケル浴、光沢浴のいずれでもよく、ま
た浴組成も硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸を主体
とするワット浴が通常は用いられるが、必ずしもこれに
限定されない。
しかし、通常、めっき物の外観を良好にし、レベリング
を良好にする点から半光沢ニッケル浴、光沢ニッケル浴
が使用される。
を良好にする点から半光沢ニッケル浴、光沢ニッケル浴
が使用される。
この場合、必要により半光沢ニッケルめっき後、光沢ニ
ッケルめっきを行う等、従来公知の多層ニッケルめっき
法を採用することもできる。
ッケルめっきを行う等、従来公知の多層ニッケルめっき
法を採用することもできる。
なお、この第１ニツケルめっきのめつき条件は、浴の種
類等に応じた通常の条件が採用される。
類等に応じた通常の条件が採用される。
前記第１ニツケルめっきによる被膜厚さは、本発明方法
により、従来の耐食めっきプロセスに比較して優れた耐
食性めっき被膜が得られるので、かなり薄くてもよいが
、より高度な耐食性を与える点からは、被めっき物に直
接第１ニツケルめっきを施す場合は約５μ以上、より望
ましくは６μ以上、被めっき物に下地めっきを行った後
、この第１ニツケルを施す場合は下地めっきと第１ニツ
ケルめっきとの総計膜厚が約５μ以−ヒ、より望ましく
は約６μ以上になるように、即ち後述する高応力ニッケ
ルめっき前の総計めっき厚さが約５μ以上、より望まし
くは６μ以上になるようにすることが好ましい。
により、従来の耐食めっきプロセスに比較して優れた耐
食性めっき被膜が得られるので、かなり薄くてもよいが
、より高度な耐食性を与える点からは、被めっき物に直
接第１ニツケルめっきを施す場合は約５μ以上、より望
ましくは６μ以上、被めっき物に下地めっきを行った後
、この第１ニツケルを施す場合は下地めっきと第１ニツ
ケルめっきとの総計膜厚が約５μ以−ヒ、より望ましく
は約６μ以上になるように、即ち後述する高応力ニッケ
ルめっき前の総計めっき厚さが約５μ以上、より望まし
くは６μ以上になるようにすることが好ましい。
特に、下地めっきとして銅めっきを施す場合は、第１ニ
ツケルメツキによる被膜厚さを１〜２μとすると、銅メ
ッキの厚さは６〜８μ以上、より望ましくは１０μ以上
とする（即ち、ニッケルめっき単独の場合の約２倍以−
４二の厚さ）ことが更に好ましい。
ツケルメツキによる被膜厚さを１〜２μとすると、銅メ
ッキの厚さは６〜８μ以上、より望ましくは１０μ以上
とする（即ち、ニッケルめっき単独の場合の約２倍以−
４二の厚さ）ことが更に好ましい。
次に、本発明では前記第１ニツケルめっき被膜上に高応
力ニッケルめっきを施す。
力ニッケルめっきを施す。
この高応力ニッケルめっき浴としては、例えばワット浴
にアミンポラン化合物、ピリジニウム化合物、キノリニ
ウム、インキノリニウム化合物を添加した浴（特公昭４
５−１８７６６号）、ヘキサメチレン・テトラミン、ピ
ラジン、２，６−シメチルピラジン等を添加した浴（特
公昭４６−３７６４５号）、或いは塩化ニッケルと酢酸
、グルコン酸、酒石酸、りんご酸、乳酸、ぎ酸、くえん
酸、こはく酸もしくはこれらの塩とを主体とする浴（特
公昭４８−２７１８３号）、更には高塩化ニッケル浴に
ポリアミンを添加した浴（特開昭４９−６２３３４号）
等、公知の高応力ニッケルめっき浴が使用され、例えば
、 塩化ニッケル・６水塩 ２５０ ｊ；ｌ／
１酢酸ソーダ ５０〃塩化アン
モニウム ５ 〃サッカリン
２ 〃２−ブチンー１，４−ジオ
ール ０．２〃の標準浴組成のものが好ましく
使用される。
にアミンポラン化合物、ピリジニウム化合物、キノリニ
ウム、インキノリニウム化合物を添加した浴（特公昭４
５−１８７６６号）、ヘキサメチレン・テトラミン、ピ
ラジン、２，６−シメチルピラジン等を添加した浴（特
公昭４６−３７６４５号）、或いは塩化ニッケルと酢酸
、グルコン酸、酒石酸、りんご酸、乳酸、ぎ酸、くえん
酸、こはく酸もしくはこれらの塩とを主体とする浴（特
公昭４８−２７１８３号）、更には高塩化ニッケル浴に
ポリアミンを添加した浴（特開昭４９−６２３３４号）
等、公知の高応力ニッケルめっき浴が使用され、例えば
、 塩化ニッケル・６水塩 ２５０ ｊ；ｌ／
１酢酸ソーダ ５０〃塩化アン
モニウム ５ 〃サッカリン
２ 〃２−ブチンー１，４−ジオ
ール ０．２〃の標準浴組成のものが好ましく
使用される。
また高応力ニッケルめっき浴として、下記組成及びめっ
き条件の浴も好ましく使用される。
き条件の浴も好ましく使用される。
範 囲 最適範囲
塩化ニッケル
（６水塩）７０〜４００ｇ／１１５０〜３００ ｇ／ｌ
ホウ酸 ３〜４５ 〃 ７〜３０〃アルカリ
土類金 属の塩化物（特５〜２００ ｕ １０〜１００
〃に塩化バリウム） 範 囲 最適範囲 塩化アンモ ニウム Ｏ〜５０ ｌｌ ３０／ｌ以下−次
系光沢剤 適 量 二次系光沢剤 〃 ｐＨ３〜５ めっき温度 室温〜６０℃ ５０°Ｃ陰極電流密
度 ０．５〜１２ＶＣＴＬ ５Ａ／ｄゴ特に、この浴
を使用する場合は、低電流密度部分においても、従来浴
と比較してかなり多くの微細クラックが発生するため、
耐食性上好都合である。
ホウ酸 ３〜４５ 〃 ７〜３０〃アルカリ
土類金 属の塩化物（特５〜２００ ｕ １０〜１００
〃に塩化バリウム） 範 囲 最適範囲 塩化アンモ ニウム Ｏ〜５０ ｌｌ ３０／ｌ以下−次
系光沢剤 適 量 二次系光沢剤 〃 ｐＨ３〜５ めっき温度 室温〜６０℃ ５０°Ｃ陰極電流密
度 ０．５〜１２ＶＣＴＬ ５Ａ／ｄゴ特に、この浴
を使用する場合は、低電流密度部分においても、従来浴
と比較してかなり多くの微細クラックが発生するため、
耐食性上好都合である。
前記高応力ニッケルめっきの膜厚は約０．５μ以上、特
に約０．５〜３μとすることが好ましく、通常は１μ程
度で十分である。
に約０．５〜３μとすることが好ましく、通常は１μ程
度で十分である。
本発明においては、高応力ニッケルめっきを行った後、
光沢ニッケルめっきを行う。
光沢ニッケルめっきを行う。
光沢ニッケルめっきの浴としては公知のものを使用する
ことができ、またその光沢剤も公知のものを使用し得る
。
ことができ、またその光沢剤も公知のものを使用し得る
。
本発明においては、このように高応力ニッケルめっき後
、光沢ニッケルめっきを行うことが重要であり、従来は
高応力ニッケルめっき後、直接最終のクロムめっきを行
う方法が採用されていたが、高応力ニッケルめっき被膜
の上に光沢ニッケルめっき被膜を形成させてから、最終
のクロムめっき等を行い、このように高応力ニッケルめ
っき被膜と最終のクロムめっき等の被膜との間に光沢ニ
ッケルめっき被膜を介在させることにより、従来のマイ
クロクラッククロムめっき法で達成される耐食性を飛躍
的に凌駕する耐食性被膜の形成を達成したものである。
、光沢ニッケルめっきを行うことが重要であり、従来は
高応力ニッケルめっき後、直接最終のクロムめっきを行
う方法が採用されていたが、高応力ニッケルめっき被膜
の上に光沢ニッケルめっき被膜を形成させてから、最終
のクロムめっき等を行い、このように高応力ニッケルめ
っき被膜と最終のクロムめっき等の被膜との間に光沢ニ
ッケルめっき被膜を介在させることにより、従来のマイ
クロクラッククロムめっき法で達成される耐食性を飛躍
的に凌駕する耐食性被膜の形成を達成したものである。
例えば、鉄鋼上に第１ニツケルめっきとして光沢ニッケ
ルめっきを１４μ施し、次いで高応力ニッケルめっきを
１μ施した後、直接クロムめっきを行った従来法では、
キャス試験５サイクル後の耐食性はクロムめっき高電流
密度部分のレイティング・ナンバーが８、クロムめっき
低電流密度部分のレイティング・ナンバーが６〜７であ
るのに対し、これと同様に光沢ニッケルめっきを１３．
２μ施し、次いで高応力ニッケルめっきを１μ施した上
に光沢ニッケルめっきを０．８μ施し、その後クロムめ
っきを行った本発明法（光択ニッケルめっきの総計膜厚
は従来法と同一ティング・ナンバーがほぼ１０（殆んど
錆の生じていない状態）、クロムめっき低電流密度部分
のレイティング・ナンバー９以上（わずかに錆の生じた
状態）であり、このように高応力ニッケルめっきとクロ
ムめっきとの間に光沢ニッケルめっきを施すことにより
、クロムめっき高電流密度側は勿論、とりわけクロムめ
っき低電流密度側における耐食性が従来法と比べて格段
に向上する。
ルめっきを１４μ施し、次いで高応力ニッケルめっきを
１μ施した後、直接クロムめっきを行った従来法では、
キャス試験５サイクル後の耐食性はクロムめっき高電流
密度部分のレイティング・ナンバーが８、クロムめっき
低電流密度部分のレイティング・ナンバーが６〜７であ
るのに対し、これと同様に光沢ニッケルめっきを１３．
２μ施し、次いで高応力ニッケルめっきを１μ施した上
に光沢ニッケルめっきを０．８μ施し、その後クロムめ
っきを行った本発明法（光択ニッケルめっきの総計膜厚
は従来法と同一ティング・ナンバーがほぼ１０（殆んど
錆の生じていない状態）、クロムめっき低電流密度部分
のレイティング・ナンバー９以上（わずかに錆の生じた
状態）であり、このように高応力ニッケルめっきとクロ
ムめっきとの間に光沢ニッケルめっきを施すことにより
、クロムめっき高電流密度側は勿論、とりわけクロムめ
っき低電流密度側における耐食性が従来法と比べて格段
に向上する。
なお、高応力ニッケルめっき後の光沢ニッケルの厚さは
、約０．５μ以上、特に約０．５〜５μとすることが好
ましく、通常は１〜２μで十分である。
、約０．５μ以上、特に約０．５〜５μとすることが好
ましく、通常は１〜２μで十分である。
前記光沢ニッケルめっき後の最終めっきとしては、通常
クロムめっきが行われるが、クロム合金めっき（例えば
クロム−ニッケル）、或いは錫−コバルト合金めっき等
が必要により採用され得る。
クロムめっきが行われるが、クロム合金めっき（例えば
クロム−ニッケル）、或いは錫−コバルト合金めっき等
が必要により採用され得る。
なお、クロムめっき浴としては、サージェント浴、フッ
化物含有浴、その他適宜な浴が用いられ、またその膜厚
は０．０５μ以上、通常は０．１〜０．３μである。
化物含有浴、その他適宜な浴が用いられ、またその膜厚
は０．０５μ以上、通常は０．１〜０．３μである。
本発明に係る高耐食めっきプロセスは、上述したように
被めっき物に直接もしくは下地めっきを施した後、ニッ
ケルめっきを行い、次いで高応力ニッケルめっきを行い
、更に光沢ニッケルめっきを施し、最後にクロムめっき
もしくはその他の最終めっきを行うことを特徴とするも
ので、これにより従来のマイクロクラッククロムめっき
法に比較して更に優れた耐食性めっき被膜を形成し得る
。
被めっき物に直接もしくは下地めっきを施した後、ニッ
ケルめっきを行い、次いで高応力ニッケルめっきを行い
、更に光沢ニッケルめっきを施し、最後にクロムめっき
もしくはその他の最終めっきを行うことを特徴とするも
ので、これにより従来のマイクロクラッククロムめっき
法に比較して更に優れた耐食性めっき被膜を形成し得る
。
特に、本発明により、高電流密度部分はもとより低電流
密度部分の被膜の耐食性を著しく向上し得るので、形状
が複雑な部品、深い窪みを有する部品等、従来法では低
電流密度部分から容易に錆の発生がみられた部品に対し
て、本発明法は好適に採用される。
密度部分の被膜の耐食性を著しく向上し得るので、形状
が複雑な部品、深い窪みを有する部品等、従来法では低
電流密度部分から容易に錆の発生がみられた部品に対し
て、本発明法は好適に採用される。
また本発明によれば、上述したように高耐食・註のめつ
き被膜が得られ、低電流密度部分の被膜の耐食性が非常
に良好であるため、従来法よりもめつき被膜全体を薄く
することができ、従来法のめつき厚みのほぼ半分程度の
厚みでも従来法と同等乃至はそれ以上の耐食性を十分に
発揮する。
き被膜が得られ、低電流密度部分の被膜の耐食性が非常
に良好であるため、従来法よりもめつき被膜全体を薄く
することができ、従来法のめつき厚みのほぼ半分程度の
厚みでも従来法と同等乃至はそれ以上の耐食性を十分に
発揮する。
従って、このようにめっきの厚さを減少させることがで
きるため、めっきコストの低減を計ることができ、かつ
めっき時間も短縮されて、作業能率の改善も計ることが
できる。
きるため、めっきコストの低減を計ることができ、かつ
めっき時間も短縮されて、作業能率の改善も計ることが
できる。
更に、本発明方法は特殊な浴、作業条件、特殊な装置を
必要としないので、従来のめつき工程に簡単に組入れる
ことができ、この点からも有利である。
必要としないので、従来のめつき工程に簡単に組入れる
ことができ、この点からも有利である。
以下、実施例を示して本発明を更に具体的に説明する。
実施例 １
１０ＣｒｒＬＸ６．５ｃＩｒＬのみがき鋼板を常法によ
り電解脱脂、酸洗処理して表面を清浄、活性化した後、
下記組成の光沢ニッケルめっき浴にて第１表に示した厚
さのめっきを施し、次いで下記組成の高応力ニッケルめ
っき浴にて１μのめっきを施し、更に前記光沢ニッケル
めっき浴と同組成の浴にて所定厚さのめっきを施した。
り電解脱脂、酸洗処理して表面を清浄、活性化した後、
下記組成の光沢ニッケルめっき浴にて第１表に示した厚
さのめっきを施し、次いで下記組成の高応力ニッケルめ
っき浴にて１μのめっきを施し、更に前記光沢ニッケル
めっき浴と同組成の浴にて所定厚さのめっきを施した。
次に、通常のハルセル試験器を使用してＩＯＡ、１分間
の条件でクロムめっきを行った（下記クロムめっき浴使
用）。
の条件でクロムめっきを行った（下記クロムめっき浴使
用）。
上記方法により得られためつき試験片を第１図に示した
ように高電硫密度部側Ａ部分、中電流密度部側Ｂ部分、
低電密度部側Ｃ部分の３部分に区画し、キャス試験（Ｊ
Ｉｓ Ｄ２０１ ）を行ってＡＢ、Ｃ部分の耐食性を
それぞれ検討した。
ように高電硫密度部側Ａ部分、中電流密度部側Ｂ部分、
低電密度部側Ｃ部分の３部分に区画し、キャス試験（Ｊ
Ｉｓ Ｄ２０１ ）を行ってＡＢ、Ｃ部分の耐食性を
それぞれ検討した。
また比較のため、光沢ニッケルめっき、高応力ニッケル
めっきを順次節した後、再度の光沢ニッケルめっきを行
わず、そのままクロムめっきを施した試験片の耐食性を
同様にして検討した。
めっきを順次節した後、再度の光沢ニッケルめっきを行
わず、そのままクロムめっきを施した試験片の耐食性を
同様にして検討した。
結果を第２図Ａ−Ｃ及び第３図Ａ−Ｃに示す。
なお、第２図以降の図面において、Ａを付した図面は高
電流密度側Ａ部分、Ｂを付した図面は中電流密度側Ｂ部
分、Ｃを付した図面は低電流密度側Ｃ部分の耐食性試験
結果をそれぞれ示すものである。
電流密度側Ａ部分、Ｂを付した図面は中電流密度側Ｂ部
分、Ｃを付した図面は低電流密度側Ｃ部分の耐食性試験
結果をそれぞれ示すものである。
また図中レイティング・ナンバーをＲ，Ｎで示す。
光沢ニッケルめっき浴
硫酸ニッケル（６水塩） ２８０９／１塩化ニ
ツケル（６水塩）４５〃 ホウ酸 ４０〃 サツカリン ２ 〃２−ブチンー
１，４−ジオール ０．２〃ｐＨ４ めっき条件 温度 ５０ ’Ｃ 陰極電流密度 ４ Ａ／ｄ ｔｒｉ
：撹拌 空気 高応力ニッケルめっき浴 塩化ニッケル（６水塩） ２５０ ｇ／１３酢
酸ソーダ ５０〃 塩化アンモニウム ５ 〃サッカリン
２ 〃２−ブチンー１，４−ジオ
ール ０．２〃ｐＨ４，０ 温度 ３０℃ 陰極電流密度 ８Ａ／ｄｉ撹拌
空気 クロムめっき浴 無水クロム酸 ２５０ ｇＡ三価クロ
ム ２．０〃硫酸 ２・
５〃 温度 ４５℃ 第２，３図の結果から、高応力ニッケルめっき後、直ち
にクロムめっきを施す従来のマイロクラッククロムめっ
き法に比較して、ニッケルめっき後、高応力ニッケルめ
っきを施した上に更に光沢ニッケルめっきを行い、次い
でクロムめっきを行う本発明方法により、飛躍的に耐食
性を増大し得ることが知見された。
ツケル（６水塩）４５〃 ホウ酸 ４０〃 サツカリン ２ 〃２−ブチンー
１，４−ジオール ０．２〃ｐＨ４ めっき条件 温度 ５０ ’Ｃ 陰極電流密度 ４ Ａ／ｄ ｔｒｉ
：撹拌 空気 高応力ニッケルめっき浴 塩化ニッケル（６水塩） ２５０ ｇ／１３酢
酸ソーダ ５０〃 塩化アンモニウム ５ 〃サッカリン
２ 〃２−ブチンー１，４−ジオ
ール ０．２〃ｐＨ４，０ 温度 ３０℃ 陰極電流密度 ８Ａ／ｄｉ撹拌
空気 クロムめっき浴 無水クロム酸 ２５０ ｇＡ三価クロ
ム ２．０〃硫酸 ２・
５〃 温度 ４５℃ 第２，３図の結果から、高応力ニッケルめっき後、直ち
にクロムめっきを施す従来のマイロクラッククロムめっ
き法に比較して、ニッケルめっき後、高応力ニッケルめ
っきを施した上に更に光沢ニッケルめっきを行い、次い
でクロムめっきを行う本発明方法により、飛躍的に耐食
性を増大し得ることが知見された。
なお、鋼板に光沢ニッケルめっきを７μ施した後、直接
クロムめっきを行った場合の耐食性は、キャス試験１サ
イクル（１６時間）でレイティング・ナンバー６〜８で
あった。
クロムめっきを行った場合の耐食性は、キャス試験１サ
イクル（１６時間）でレイティング・ナンバー６〜８で
あった。
実施例 ２
実施例１において、第１層光沢ニッケルめっきの代りに
下記組成の半光沢ニッケルめっきを第２表に示す通りの
膜厚で施した以外は実施例１と同様にして、みがき鋼板
上に半光沢ニッケルー高応力ニッケルー光沢ニッケルー
クロムめっきを行い同様にキャス試験を行って耐食性を
評価した。
下記組成の半光沢ニッケルめっきを第２表に示す通りの
膜厚で施した以外は実施例１と同様にして、みがき鋼板
上に半光沢ニッケルー高応力ニッケルー光沢ニッケルー
クロムめっきを行い同様にキャス試験を行って耐食性を
評価した。
結果を第４図に示す。
半光沢ニッケルめっき浴
硫酸ニッケル（６水塩）２８０ ｇ／ｌ
塩化ニッケル（６水塩）４５〃
ホウ酸 ４０ ｔｔクマリン
０．１〃ｐＨ４，Ｏｎ めっき条件 温度 ５０℃ 陰極電流密度 ４ Ａ ／ ｄ ｍ
”撹拌 空気 第４図の結果から、被めっき素材に直接ニッケ゛ルめっ
きを施す場合、その第１層ニッケルめっきの厚さが約５
μ以下でも、従来のマイクロクラッククロムめっき法に
比較して十分な耐食性を与えることができるが、第１層
ニッケルめっき厚を糺５μ以上にすることにより、非常
に良好な耐食性を与えることができることが知見された
。
０．１〃ｐＨ４，Ｏｎ めっき条件 温度 ５０℃ 陰極電流密度 ４ Ａ ／ ｄ ｍ
”撹拌 空気 第４図の結果から、被めっき素材に直接ニッケ゛ルめっ
きを施す場合、その第１層ニッケルめっきの厚さが約５
μ以下でも、従来のマイクロクラッククロムめっき法に
比較して十分な耐食性を与えることができるが、第１層
ニッケルめっき厚を糺５μ以上にすることにより、非常
に良好な耐食性を与えることができることが知見された
。
実施例 ３
みがき鋼板（１０ｃｆｒＬ×６．５ｃｒｆＬ）を実施例
１と同様に前処理した後、青化銅ストライクを行い、次
に下記組成の銅めっき浴で所定厚さのめっきを行い、次
いで実施例１と同様にして光沢ニッケル必つき、高応力
ニッケルめっき、光沢ニッケルめ℃き、クロムめっきを
順次施し、得られためつき試験片の耐食性をキャス試験
により評価した。
１と同様に前処理した後、青化銅ストライクを行い、次
に下記組成の銅めっき浴で所定厚さのめっきを行い、次
いで実施例１と同様にして光沢ニッケル必つき、高応力
ニッケルめっき、光沢ニッケルめ℃き、クロムめっきを
順次施し、得られためつき試験片の耐食性をキャス試験
により評価した。
結果を第５図及び第６図に示す。
なお比較のため、銅めっき後、第１層ニッケルめっきを
施さずに直接高応力ニッケルめっきを行い、次いで光沢
ニッケルめ一つき、クロムめっきを行った場合の耐食性
試験の結果を示す。
施さずに直接高応力ニッケルめっきを行い、次いで光沢
ニッケルめ一つき、クロムめっきを行った場合の耐食性
試験の結果を示す。
銅めっき浴
青化第−銅 ８０ ｇ／ｌ！遊離青化
ソーダ ］０ 〃 ロツセル塩 ３０〃 ロダンカリ １５〃 ｐＨ１０，５ 温度 ６０・Ｃ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｉ撹拌
空気 ＰＲ３：１０ 所定の前処理を行ったみがき鋼板に実施例１と同様な組
成の光沢ニッケルめっき浴を使用して６μのめっきを行
った後、下記組成 塩化ニッケル（６水塩） ” ２５０Ｖｌホウ酸
１ｏ／′ □塩化バリウム
２０〃塩化アンモニウム
１０〃 ｐＨ’ ４．’Ｏｔｔの高応力ニッ
ケルめっき浴を使用し、浴温５０℃陰極電流密度５Ａ／
ｄｍ”、空気撹拌の条件で１μのめっきを行い、次いで
上記と同様の光沢ニッケルめっき浴にて１μのめっきを
行い、最後にアサヒクロムＮＣ浴（上材ポ業（株）製）
にて約０．２μのクロムめっきを行った。
ソーダ ］０ 〃 ロツセル塩 ３０〃 ロダンカリ １５〃 ｐＨ１０，５ 温度 ６０・Ｃ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｉ撹拌
空気 ＰＲ３：１０ 所定の前処理を行ったみがき鋼板に実施例１と同様な組
成の光沢ニッケルめっき浴を使用して６μのめっきを行
った後、下記組成 塩化ニッケル（６水塩） ” ２５０Ｖｌホウ酸
１ｏ／′ □塩化バリウム
２０〃塩化アンモニウム
１０〃 ｐＨ’ ４．’Ｏｔｔの高応力ニッ
ケルめっき浴を使用し、浴温５０℃陰極電流密度５Ａ／
ｄｍ”、空気撹拌の条件で１μのめっきを行い、次いで
上記と同様の光沢ニッケルめっき浴にて１μのめっきを
行い、最後にアサヒクロムＮＣ浴（上材ポ業（株）製）
にて約０．２μのクロムめっきを行った。
その耐食性は非常に良好で、キャス試験５サイクルを行
っても殆んど錆の発生はみられなかった。
っても殆んど錆の発生はみられなかった。
なお、アサヒクロムＮＣ浴の組成、めっき条件は下記の
通りである。
通りである。
アサヒフロム １８０ ｇ／ｌ（無水ク
ロム酸 １．７８ ｕ ’）三価クロ
ム（Ｃｒ３＋） １ 〃硫 酸
０．９ 〃温 度
４５°Ｃ陰極電流密度 １０Ａ／
ｄｉこのアサヒクロムＮＣ浴は無水クロム酸（ＣｒＯ３
）１７８重量部にフッ化物系添加剤２重量部を混合して
なるものであり、フッ化浴の一種である。
ロム酸 １．７８ ｕ ’）三価クロ
ム（Ｃｒ３＋） １ 〃硫 酸
０．９ 〃温 度
４５°Ｃ陰極電流密度 １０Ａ／
ｄｉこのアサヒクロムＮＣ浴は無水クロム酸（ＣｒＯ３
）１７８重量部にフッ化物系添加剤２重量部を混合して
なるものであり、フッ化浴の一種である。
マイクロクラッククロムめっき浴とは異なる。
実施例 ５
実施例１と同様にしてみがき銅板（１０ｃｒｒｌ×５Ｃ
ＴＬ）を電解脱脂した後、酸洗する前処理を施した。
ＴＬ）を電解脱脂した後、酸洗する前処理を施した。
次に、実施例２に示した半光沢ニッケルめっき浴、実施
例１に示した光沢ニッケルめっき浴、高応力ニッケルめ
っき浴及びクロムめっき浴を同めっキ条件で使用し、下
記■及び■の工程でめっきを行った。
例１に示した光沢ニッケルめっき浴、高応力ニッケルめ
っき浴及びクロムめっき浴を同めっキ条件で使用し、下
記■及び■の工程でめっきを行った。
■、半光沢ニッケルめっき一高応カニッケルめつき一最
終光沢ニッケルめつき−クロムめつき■、半光沢ニッケ
ルめつき一箱１光沢ニッケルめっき一高応カニッケルめ
つき一最終光沢ニッケルめっき一クロムめっき また比較のため、■の工程でめっきを行った。
終光沢ニッケルめつき−クロムめつき■、半光沢ニッケ
ルめつき一箱１光沢ニッケルめっき一高応カニッケルめ
つき一最終光沢ニッケルめっき一クロムめっき また比較のため、■の工程でめっきを行った。
■、半光沢ニッケルめつき一箱１光沢ニッケルめっき一
高応カニッケルめつき−クロムめっきなお、クロムめっ
きは１０ ｌのビーカー中で陰極電流密度１５Ａ／ｄｍ
ｊ、浴温４５°Ｃ１めつき時間２分３０秒の条件で行っ
た。
高応カニッケルめつき−クロムめっきなお、クロムめっ
きは１０ ｌのビーカー中で陰極電流密度１５Ａ／ｄｍ
ｊ、浴温４５°Ｃ１めつき時間２分３０秒の条件で行っ
た。
また、めっき厚さは第４表に示す通りであり、総計ニッ
ケルめっき厚さが１０μ、１５μ、２０μとなるように
めっきした（なお、めっき厚さがその通りであることを
電解膜厚計により確認した）。
ケルめっき厚さが１０μ、１５μ、２０μとなるように
めっきした（なお、めっき厚さがその通りであることを
電解膜厚計により確認した）。
次に、各めっき試験片の耐食性をキャス試験により調べ
た。
た。
結果を第７図乃至第９図に示す。第７図乃至第９図に示
す結果より、本発明の耐食めっき方法は従来のマイクロ
クラッククロムめつき法に比較して耐食性を顕著に向上
させるものであることが知見された。
す結果より、本発明の耐食めっき方法は従来のマイクロ
クラッククロムめつき法に比較して耐食性を顕著に向上
させるものであることが知見された。
なお、実験番号１７〜２５の試験片につき、クロムめっ
き後下記組成の液 硫酸銅Ｃｕ ＳＯ４・５Ｈ２０２２０ｇ／ｌ硫酸 に浸漬し、温度２０°Ｃ１陰極電流密度０．５Ａ／ｄｉ
’時間１分の条件でめっきした。
き後下記組成の液 硫酸銅Ｃｕ ＳＯ４・５Ｈ２０２２０ｇ／ｌ硫酸 に浸漬し、温度２０°Ｃ１陰極電流密度０．５Ａ／ｄｉ
’時間１分の条件でめっきした。
その結果は、実験番号１９，２２．２５の試験片（従来
のマイクロクラッククロムめっき法）の場合はクラック
箇所に銅が電析し、クロムめっき膜にマイクロクラック
が発生していることが確認された。
のマイクロクラッククロムめっき法）の場合はクラック
箇所に銅が電析し、クロムめっき膜にマイクロクラック
が発生していることが確認された。
これに対し本発明方法による試１験片（実、験番号１７
，１８゜２０．２１，２３，２４）は銅が電析せず、ク
ラックが発生していないことが認められた。
，１８゜２０．２１，２３，２４）は銅が電析せず、ク
ラックが発生していないことが認められた。
このように本発明の耐食めっき方法に従って得られるめ
っき物は、高応力ニッケルめっき後、光沢ニッケルめっ
きを施すことにより、クロムめっき膜或いはその他の最
終めっき膜にマイクロクラックが生じない。
っき物は、高応力ニッケルめっき後、光沢ニッケルめっ
きを施すことにより、クロムめっき膜或いはその他の最
終めっき膜にマイクロクラックが生じない。
高応力ニッケルめっき後直接クロムめっきを行い、クロ
ムめっき膜にマイクロクラックを発生させる従来のマイ
クロクラッククロムめっき法が、クロムめっき膜に生じ
たマイクロクラックにより腐食電流を分散させ、これに
よって耐食性を向上させる考え方である（なお、クロム
メッキ膜に多数の微小ボアを発生させるマイクロポーラ
スクロムめっき法も同様の考え方に基づくものである）
あに比較して、本発明の耐食めっき方法が高応力ニッケ
ルめっき後、光沢ニッケルめっきを行ってからクロムめ
っきを行い、クロムめっき膜にマイクロクラック（又は
微小ボア）を生じさせないで、従来のマイクロクラック
クロム島つき法に比較しで優れた耐食性めっき被膜を形
成し得るこきは驚くべきことである。
ムめっき膜にマイクロクラックを発生させる従来のマイ
クロクラッククロムめっき法が、クロムめっき膜に生じ
たマイクロクラックにより腐食電流を分散させ、これに
よって耐食性を向上させる考え方である（なお、クロム
メッキ膜に多数の微小ボアを発生させるマイクロポーラ
スクロムめっき法も同様の考え方に基づくものである）
あに比較して、本発明の耐食めっき方法が高応力ニッケ
ルめっき後、光沢ニッケルめっきを行ってからクロムめ
っきを行い、クロムめっき膜にマイクロクラック（又は
微小ボア）を生じさせないで、従来のマイクロクラック
クロム島つき法に比較しで優れた耐食性めっき被膜を形
成し得るこきは驚くべきことである。
第１図は耐食性試験片の耐食性評価区画部分を説明する
平面図、第２図乃至第９図はそれぞれ本発明の一実施例
及び従来法の実施により得られためつき試験片につき、
キャス試験を行った場合の耐食性結果を示すグラフで、
第２図乃至第６図においてそれぞれＡは試験片高電流密
度部分の耐食性結果、Ｂは試験片中電流密度部分の耐食
性結果、Ｃは試験片低電流密度部分の耐食性結果を示す
ものである。
平面図、第２図乃至第９図はそれぞれ本発明の一実施例
及び従来法の実施により得られためつき試験片につき、
キャス試験を行った場合の耐食性結果を示すグラフで、
第２図乃至第６図においてそれぞれＡは試験片高電流密
度部分の耐食性結果、Ｂは試験片中電流密度部分の耐食
性結果、Ｃは試験片低電流密度部分の耐食性結果を示す
ものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被めっき物に直接もしくは下地めっきを施した後、
ニッケルめっきを行い、次いで高応力ニッケルめっきを
行い、続いて光沢ニッケルめっきを施し、最後にクロム
めっきもしくはその他の最終めっきを行うことを特徴と
する耐食めっき方法。 ２ 高応力ニッケルめっき前のニッケルめっきもしくは
このニッケルめっきと下地めっきとの合計のめつき膜厚
が５μ以上である特許請求の範囲第１項記載の耐食めっ
き方法。 ３ 高応力ニッケルめっきによる被膜の厚さが０．５〜
３μの範囲にあり、かつ高応力ニッケルめっき後の光沢
ニッケルめっきによる被膜の厚さが０．５〜５μの範囲
にある特許請求の範囲第１項又は第２項記載の耐食めっ
き方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53122857A JPS5817838B2 (ja) | 1978-10-05 | 1978-10-05 | 耐食めつき方法 |
| DE792953187T DE2953187T5 (de) | 1978-10-05 | 1979-10-02 | Method of corrosion-resistant plating |
| PCT/JP1979/000251 WO1980000716A1 (en) | 1978-10-05 | 1979-10-02 | Method of corrosion-resistant plating |
| GB8014268A GB2043109B (en) | 1978-10-05 | 1979-10-02 | Method of corrosion-resistant plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53122857A JPS5817838B2 (ja) | 1978-10-05 | 1978-10-05 | 耐食めつき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5550488A JPS5550488A (en) | 1980-04-12 |
| JPS5817838B2 true JPS5817838B2 (ja) | 1983-04-09 |
Family
ID=14846351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53122857A Expired JPS5817838B2 (ja) | 1978-10-05 | 1978-10-05 | 耐食めつき方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817838B2 (ja) |
| GB (1) | GB2043109B (ja) |
| WO (1) | WO1980000716A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2188942B (en) * | 1986-04-11 | 1990-04-04 | Rolls Royce Plc | Protective coating |
| JPH07111000B2 (ja) * | 1990-04-09 | 1995-11-29 | 荏原ユージライト株式会社 | 高耐食ニッケルめっき方法 |
| JP4911622B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2012-04-04 | 柿原工業株式会社 | マイクロポーラスめっきに関わる不具合防止方法 |
| CN102703935B (zh) * | 2012-06-12 | 2014-08-13 | 宁波华楷汽车零部件有限公司 | 一种新型微裂纹镍电镀的电镀液及采用该电镀液的塑料件电镀工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2843650A (en) * | 1956-03-12 | 1958-07-15 | Accumulateurs Fixes | Sealing means for galvanic cell casings |
| JPS4222424Y1 (ja) * | 1965-08-12 | 1967-12-21 | ||
| JPS4325847Y1 (ja) * | 1966-01-31 | 1968-10-29 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1991747A (en) * | 1933-12-30 | 1935-02-19 | Hanson Van Winkle Munning Co | Electroplating sequence |
| US3090733A (en) * | 1961-04-17 | 1963-05-21 | Udylite Res Corp | Composite nickel electroplate |
| US3703448A (en) * | 1971-08-31 | 1972-11-21 | Oxy Metal Finishing Corp | Method of making composite nickel electroplate and electrolytes therefor |
-
1978
- 1978-10-05 JP JP53122857A patent/JPS5817838B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-10-02 GB GB8014268A patent/GB2043109B/en not_active Expired
- 1979-10-02 WO PCT/JP1979/000251 patent/WO1980000716A1/ja unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2843650A (en) * | 1956-03-12 | 1958-07-15 | Accumulateurs Fixes | Sealing means for galvanic cell casings |
| JPS4222424Y1 (ja) * | 1965-08-12 | 1967-12-21 | ||
| JPS4325847Y1 (ja) * | 1966-01-31 | 1968-10-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1980000716A1 (en) | 1980-04-17 |
| GB2043109B (en) | 1983-03-09 |
| JPS5550488A (en) | 1980-04-12 |
| GB2043109A (en) | 1980-10-01 |
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