JP2007535421A - 光学データ担体の情報層中の光吸収性化合物としての金属錯体 - Google Patents

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Abstract

１つまたは複数の反射層が所望により予めコーティングされ得る好ましくは透明な基板を含み、その表面には、光吸収性化合物および所望によりバインダを含む光書き込み可能な情報層と、所望により１つまたは複数の反射層と、所望により保護層または更なる基板および被覆層とが施されており、青色光、好ましくは３６０〜４６０ｎｍ、特に３９０〜４２０ｎｍ、非常に特に好ましくは４００〜４１０ｎｍの範囲の波長を有する光、好ましくはレーザー光による書き込みまたは読み取りが可能である光学データ担体であって、
光吸収性化合物として、式（Ｉ）
Figure 2007535421

［式中、式
Figure 2007535421

（以下、略してＡと称する）の基は、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基であり、
ｎは、０または１であり、
Ｙ１は、ＮまたはＣ−Ｒ１であり、
Ｙ２は、ＮまたはＣ−Ｒ２であり、
Ｙ３は、ＮまたはＣ−Ｒ３であり、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒ５であり、
Ｒ５は、水素、アルキル、アルケニル、アラルキル、シクロアルキル、アシル、アリールまたは複素環式基であり、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ、アラルキル、アリール、ヘタリール、アリールアゾ、ヘタリールアゾ、シアノまたはアルコキシカルボニルであり、
Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は、それぞれ互いに独立して、架橋を形成することができ、そして
Ｒ２とＲ５は、ｎが０の場合に、置換または非置換の架橋を形成することができる］の少なくとも１つの配位子を有する少なくとも１つの金属錯体が使用されることを特徴とする光学データ担体。

Description

本発明は、金属錯体をその情報層中に含む光学データ記憶媒体と、その製造方法と、その中に存在する金属錯体と、その調製と、金属錯体のベースとなる配位子およびその調製方法とに関する。
特定の光吸収性物質またはその混合物を用いる追記型（ｗｒｉｔｅ−ｏｎｃｅ）光学データ担体は、特に、青色レーザーダイオード、特にＧａＮまたはＳＨＧレーザーダイオード（３６０〜４６０ｎｍ）と共に動作する高密度の書き込み可能な光学データ記憶媒体において使用するのに適する。
追記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ、７８０ｎｍ）は、近年、著しい容量増加が起こっており、技術的に確立されたシステムを示す。
現在、次世代の光学データ記憶媒体（ＤＶＤ）が市場に導入されている。より短い波長のレーザー放射（６３５−６６０ｎｍ）およびより高い開口数ＮＡの使用により、記憶密度を増大させることができる。この場合の書き込み可能なフォーマットは、ＤＶＤ−Ｒ（ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ）である。
今日、高レーザー出力の青色レーザーダイオード（ＧａＮ（特許文献１）または第２高調波発生（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ、ＳＨＧ）（特許文献２）に基づく）（３６０ｎｍ〜４６０ｎｍ）を用いる光学データ記憶フォーマットが開発されている。そのため書き込み可能な光学データ記憶媒体は、この世代でも使用されるであろう。達成可能な記憶密度は、情報面におけるレーザースポットの集光に依存する。スポットサイズは、レーザー波長λ／ＮＡに対応する。ＮＡは、使用される対物レンズの開口数である。実行可能な最高の記憶密度を得るためには、実行可能な最小の波長λの使用が目標である。現在のところ、半導体レーザーダイオードに基づいて３９０ｎｍが可能である。
特許文献には、ＣＤ−ＲおよびＤＶＤ−Ｒシステムに同等に適する染料ベースの書き込み可能な光学データ記憶媒体が記載されている（（特許文献３）および（特許文献４））。読み出し信号の高い反射率および高い変調高さ（ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ｈｅｉｇｈｔ）を達成するため、そして書き込みにおける十分な感度も達成するためには、ＣＤ−Ｒの７８０ｎｍのＩＲ波長は染料の吸収ピークの長波長側の末端に位置し、ＤＶＤ−Ｒの６３５ｎｍまたは６５０ｎｍの赤色波長は染料の吸収ピークの短波長側の末端に位置するという事実が用いられる。例えば（特許文献５）および（特許文献６）では、この概念は、吸収ピークの短波長側の４５０ｎｍの動作波長領域および吸収ピークの長波長側の赤色およびＩＲ領域まで拡張される。
（特許文献７）は、同様に、青色レーザーのための染料を開示している。
上述の光学特性は別として、光吸収性有機物質を含む書き込み可能な情報層は、書き込みまたは読み取り中のノイズ信号をできるだけ小さく保つために、実質的にアモルファス形態を有さなければならない。このために、溶液からのスピンコーティングによって、蒸着によって物質を施す際、および／または減圧下で金属層または誘電層により次に被覆する間の昇華の際に、光吸収性物質の結晶化が防止されることが特に好ましい。
光吸収性物質を含むアモルファス層は、好ましくは、高い耐熱変形性を有する。何故なら、そうでなければ、スパッタリングまたは蒸着により光吸収性情報層に施される有機または無機材料の更なる層は、拡散のために不鮮明な境界を形成し、従って反射率に悪影響を与えるからである。更に、不十分な耐熱変形性を有する光吸収性物質は高分子支持体との境界において後者の中へ拡散し、この場合も反射率に悪影響を与え得る。
蒸気圧が高すぎる光吸収性物質は、上述の高真空におけるスパッタリングまたは蒸着による更なる層の付着の間に昇華し、所望の層厚を低下させ得る。これは次に、反射率に対して悪影響を有する。
特開平０８−１９１１７１号公報 特開平０９−０５０６２９号公報 特開平１１−０４３４８１号公報 特開平１０−１８１２０６号公報 国際公開第０９９１７２８４Ａ号パンフレット 米国特許第５，２６６，６９９号明細書 国際公開第０３／０６３１５１Ａ号パンフレット
従って、本発明の目的は、３６０〜４６０ｎｍのレーザー波長範囲において高密度の書き込み可能な光学データ記憶フォーマットのための追記型光学データ担体の情報層中で使用するために、適切な化合物を含み、そして高い要件、例えば、光安定性、有利な信号対雑音比、基板材料への損傷のない適用など）を満たすデータ担体を提供することである。対物レンズの開口数ＮＡは、好ましくは、０．６０以上であり、特に好ましくは０．７０以上であり、非常に特に好ましくは０．８０以上である。
驚くことに、特定の金属錯体からなる群からの光吸収性化合物を含む光学データ担体は、上記の要件プロファイルを特によく満たすことが可能であることが分かった。
従って、本発明は、１つまたは複数の反射層および／または保護層が所望により予めコーティングされ得る好ましくは透明な基板を含み、その表面には、光吸収性化合物および所望によりバインダを含む光書き込み可能な情報層と、所望により１つまたは複数の反射層と、所望により保護層または更なる基板または被覆層とが施されており、青色光、好ましくは３６０〜４６０ｎｍ、特に３９０〜４２０ｎｍ、非常に特に好ましくは４００〜４１０ｎｍの範囲の波長を有する光、好ましくはレーザー光による書き込みまたは読み取りが可能である光学データ担体であって、光吸収性化合物として、式（Ｉ）
Figure 2007535421
 ［式中、式
Figure 2007535421
 （以下、略してＡと称する）の基は、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基であり、
ｎは、０または１であり、
Ｙ１は、ＮまたはＣ−Ｒ１であり、
Ｙ２は、ＮまたはＣ−Ｒ２であり、
Ｙ３は、ＮまたはＣ−Ｒ３であり、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒ５であり、
Ｒ５は、水素、アルキル、アルケニル、アラルキル、シクロアルキル、アシル、アリールまたは複素環式基であり、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ、アラルキル、アリール、ヘタリール、アリールアゾ、ヘタリールアゾ、シアノまたはアルコキシカルボニルであり、
Ｒ１とＲ２は、ヘテロ原子を含有する置換または非置換の３原子架橋、もしくはヘテロ原子を含有しないか、または少なくとも２つのヘテロ原子を含有する置換または非置換の４原子架橋を形成することができ、特に、Ｒ１とＲ２は一緒に、原子列−ＣＲ’＝Ｎ−ＮＲ”−、−（ＣＯ）−ＮＲ”−（ＣＯ）−ＮＲ’”、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−（式中、Ｒ’〜Ｒ’”は、それぞれ互いに独立して、水素、アルキル、特に、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルまたはアリール、特にＣ６〜Ｃ１０−アリール、好ましくはＨ、メチルまたはフェニルである）を有する置換または非置換の架橋を形成し、
Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は、それぞれ互いに独立して、置換または非置換の架橋を形成することができ、
Ｒ２とＲ５は、ｎが０の場合に、置換または非置換の架橋を形成することができる］の少なくとも１つの配位子を有する少なくとも１つの金属錯体が使用されることを特徴とする光学データ担体を提供する。ｎは、好ましくは０である。同様に好ましいのは、ｎが１である。
自明ではあるが完全を期すために、式（Ｉ）の配位子は、対応する互変異性体、例えば、式（Ｉ’）
Figure 2007535421
 （式中、基は上記で定義したとおりである）も含むことが言及されるであろう。
好ましい実施形態では、式
Figure 2007535421
 の基は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−ＣＲ１＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−、特に好ましくは−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−であり、式中、Ｒ１〜Ｒ４は上記で定義したとおりである。
Ｘは、好ましくはＮ−Ｒ５であり、式中Ｒ５は上記で定義したとおりである。
同様に好ましいのは、ｎ＝０の場合にＲ２およびＲ５が架橋を形成する、あるいはｎ＝１の場合にＲ４およびＲ５が架橋を形成することである。このような場合、−ＣＲ２−Ｎ（−）−Ｒ５または−ＣＲ４−Ｎ（−）−Ｒ５は、特に好ましくは、式（Ｘ）
Figure 2007535421
 の環を形成し、式
Figure 2007535421
 のプロトン化互変異性体としての式（Ｘ）の基は、略してＢと称される。ここでＢは、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基である。
好ましい実施形態では、金属錯体は、１：１、１：２または１：３の金属錯体である。
式（Ｉ）の２つの同一または異なる配位子が存在する金属錯体が特に好ましい。
好ましいのは、式（Ｉａ）
Figure 2007535421
 を有することを特徴とする金属錯体であり、式（Ｉ）の２つの配位子は、互いに独立して上記で定義したとおりであり、Ｍは金属である。
好ましいのは、式（Ｉｂ）
Figure 2007535421
 を有することを特徴とする金属錯体であり、式（Ｉ）の配位子は上記で定義したとおりであり、Ｍは金属であり、そしてＡｎ−はアニオンである。
本発明に従って使用される金属錯体の好ましい金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔｈ、Ｏｓ、Ｓｍ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｎ、ＧｄまたはＴｂである。
式（Ｉａ）および（Ｉｂ）において好ましい金属は、二価の金属、遷移金属または希土類、特にＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔｈ、ＯｓまたはＳｍである。好ましいのは、金属Ｐｄ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、ＮｉおよびＣｏである。特に好ましいのは、Ｎｉである。
同様に好ましいのは、式（Ｉｃ）
Figure 2007535421
 を有することを特徴とする金属錯体であり、式（Ｉ）の２つの配位子は独立して上記の意味を有し、Ｍは金属であり、Ａｎ−はアニオンである。
式（Ｉｃ）において好ましい金属は三価の金属、遷移金属または希土類、特にＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄまたはＴｂである。好ましいのは、Ｂ、ＡｌおよびＣｏである。特に好ましいのは、Ｃｏである。
同様に好ましいのは、式（Ｉ）の２つの異なる配位子がその中に存在することを特徴とする金属錯体のランダム混合物である。
Ａは、好ましくは、２−ピリジル、２−キノリル、２−ピリミジル、２−ピラジニル、１，３，５−トリアジン−２−イル、１，３−チアゾール−２−イル、１，３−チアゾリン−２−イル、１，３−チアゾール−４−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、１，２−チアゾール−３−イル、ベンゾイソチアゾール−３−イル、１，３−オキサゾール−２−イル、１，３−オキサゾリン−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、１，２−オキサゾール−３−イル、イミダゾール−２−イル、イミダゾリン−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、イミダゾール−４−イル、ピラゾール−５−イル、ピロリン−２−イル、ピロール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、３Ｈ−インドリン−２−イル、テトラヒドロイソインドール−１−イル、イソインドール−１−イル、ベンゾ（ｃｄ）インドール−２−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−イルまたは１，３，４−オキサジアゾール−２−イルであり、所望により置換されてもよい。
Ａは、特に好ましくは、２−ピリジル、２−キノリル、１，３−チアゾール−２−イル、１，３−チアゾリン−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、１，３−オキサゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、イミダゾール−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、ピラゾール−５−イル、ピロリン−２−イル、ピロール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、３Ｈ−インドリン−２−イル、テトラヒドロイソインドール−１−イル、イソインドール−１−イル、ベンゾ（ｃｄ）インドール−２−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イルまたは１，３，４−オキサジアゾール−２−イルであり、所望により置換されてもよい。
Ａのための適切な置換基は、例えば、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルコキシ、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ヒドロキシ、オキソ、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−Ｏ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ニトロ、カルボキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、モノ−またはジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６−アシルアミノ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールスルホニルアミノ、ホルミル、Ｃ２〜Ｃ６−アルカノイル、スルホ、モノ−またはジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノスルホニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールカルボニルアミノ、モノ−またはジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｎ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ、ピペラジノまたはピペリジノであり、これらは次に、所望により置換されてもよい。
特に好ましいのは、Ｃ３〜Ｃ８−アルコキシ基、例えば、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノメチレン基、例えば、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、式
Figure 2007535421
 の基、分枝状または非分枝状Ｃ２〜Ｃ５−アルコキシカルボニル基、例えば、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＣＯＯ−ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＣＯＯ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノスルホニル基、例えば、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２および式
Figure 2007535421
 の基からなる群からの置換基である。
特に、Ａ＝２−ピリジル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イルまたは１，３，４−オキサジアゾール−２−イルである場合には、Ａのために同様に適切である置換基は、式（ＸＩ）
Figure 2007535421
 の基であり、式中、Ｙ１〜Ｙ３、Ｒ４、ｎおよびＸは、上記で定義したとおりである。
特に、５位においてＡ＝ピロール−２−イルである場合、および３位においてＡ＝テトラヒドロイソインドール−１−イルまたはイソインドール−１−イルである場合には、Ａのために同様に適切である置換基は、基＝Ｏ、＝Ｓ、または式（ＸＩＩ）〜（ＸＩＶ）
Figure 2007535421
 の基であり、式中、Ｙ１〜Ｙ３、Ｒ４、ｎおよびＸは上記で定義したとおりであるが、それとは独立している、
Ｒ６は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルまたはＣ６〜Ｃ１０−アリールであり、そして
Ｒ７は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールまたは複素環式基である。
式（ＸＩ）および（ＸＩＩ）において、基Ｘは、好ましくはＮ−Ｒ５であり、式中、Ｒ５は上記で定義したとおりである。
Ａは、非常に特に好ましくは、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基により置換され得る２−ピリジル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−キノリル、
塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イルと、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、メトキシカルボニル、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、メトキシカルボニル、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イル、
塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、メトキシカルボニル、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イル、
塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／または３、４位に−（ＣＨ２）３−または−（ＣＨ２）４架橋を有する、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンまたは式（ＸＩＩ）
Figure 2007535421
 （式中、ＸはＮ−Ｒ５であり、Ｙ１〜Ｙ３、Ｒ４、ｎおよびＲ５は上述の意味を有するが、それとは独立している）の基によって５位で置換され得るピロール−２−イルと、
２つのメチル基またはオキソ基を３位に有し、そして塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る３−Ｈ−インドリン−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンまたは式（ＸＩＩ）
Figure 2007535421
 （式中、ＸはＮ−Ｒ５であり、Ｙ１〜Ｙ３、Ｒ４、ｎおよびＲ５は上記の意味を有するが、それとは独立している）の基によって３位で置換され得るイソインドール−１−イル、あるいは
メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イルである。
式（Ｘ）の基礎となる基本構造としてのＢは、好ましくは、Ａと同一の意味を有するが、意味ＡおよびＢは、互いに独立している。
しかしながら、Ｂは、特に好ましくは、式（ＸＩ）または（ＸＩＩ）の基によって置換されていない。
例えば、Ｂ＝２−ピリジルの場合、Ｂは式（Ｘａ）
Figure 2007535421
 の基である。
これは、記載したその他の複素環にも同様に適用される。
本発明に従う使用のために、特に好ましいのは、式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−ＺＡ）
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
 の少なくとも１つの配位子を有する金属錯体であり、式中、ＡおよびＢ’は、互いに独立して、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−ピリジル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−キノリル、
塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イル、
塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イル、
塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル、
２つのメチル基または１つのオキソ基を３位に有し、そして塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る３−Ｈ−インドリン−２−イル、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イル、あるいは
メチルまたはフェニルにより置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イルであり、
Ａ‘は、ピリジン−２−イル−６−イリデン、１，３，４−トリアゾール−２イル−５−イリデン、ピロール−２イル−５−イリデン、３，４−テトラメチレンピロール−２イル−５−イリデン、あるいは非置換またはフッ素−、塩素−、メチル−、メトキシ−、メトキシカルボニル−、ニトロ−もしくはシアノ−置換イソインドール−１−イル−３−イリデンであり、
Ｂは、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るピリジン−２−イリデン、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るキノリン−２−イリデン、
塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イリデン、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イリデン、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イリデン、
塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イリデン、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イリデン、
塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン、
塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イリデン、あるいは
メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イリデンであり、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、塩素、メチル、ベンジル、ピリジルメチル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして
Ｒ２は、メトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノでもよく、あるいは、
式（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中の、Ｒ１とＲ２は一緒に、原子列−ＣＲ’＝Ｎ−ＮＲ”−、−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＲ”−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＲ’”−（式中、Ｒ’〜Ｒ’”は上記で定義したとおりである）を有する非置換もしくはメチル−、フェニル−および／またはシアノ−置換架橋を形成し、あるいは、
式（Ｉ−Ｅ）、（Ｉ−Ｆ）、（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中のＲ１とＲ２は一緒に、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、そして
Ｒ５は、メチル、エチルまたはフェニル、２−、３−または４−ピリジル、２−、３−または４−キノリル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、イミダゾール−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル基（非置換であるか、あるいは置換基としてメチル、メトキシ、塩素、ニトロ、シアノ、メチルスルホニル、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基を有し得る）、ホルミル、アセチル、トリフルオロアセチル、アクリロイル、メタクリロイル、ベンゾイル、メチルベンゾイル、クロロベンゾイル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ペルフルオロブタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル、クロロベンゼンスルホニル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、Ｎ−メチル−Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−カルボニル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニルもしくはベンゾチアゾール−２−スルホニルであり、
Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓまたは式
Figure 2007535421
 の基であり、
Ｒ６は、水素、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして、
Ｒ７は、水素、メチル、エチル、フェニル、トリル、クロロフェニル、アニシル、２−ピリジル、チアゾール−２−イルまたはベンゾチアゾール−２−イルであり、
ここで、式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−ＺＡ）のそれぞれは、それ自体特に好ましい。
好ましいのは、式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−Ｃ）、（Ｉ−Ｇ）、（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）ビス（Ｉ−Ｌ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｑ）、（Ｉ−Ｒ）、（Ｉ−Ｕ）、（Ｉ−Ｗ）および（Ｉ−Ｘ）である。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ａ）および（Ｉ−Ｂ）であり、式中、
Ｒ１は、水素、ベンジル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、
Ａは、２−ピリジル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イルまたはベンゾオキサゾール−２−イル基であり、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
Figure 2007535421
 によって置換され、
Ｂは、ピリジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデンまたはベンゾオキサゾリデン−２−イル基であり、水素、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
Figure 2007535421
 によって置換される。
式（Ｉ−Ａ）および（Ｉ−Ｂ）中の環ＡおよびＢは、非常に特に好ましくは、同じ置換パターンを有する。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｃ）であり、式中、
Ｒ１は、水素、ベンジル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、
Ａは、メチル、メトキシ、塩素またはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、２−キノリルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、
Ｂは、塩素、メチル、メトキシ、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデンまたはベンゾチアゾール−２−イリデン基、メチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基、もしくは１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基である。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｃ）であり、式中、
Ｒ１は水素またはシアノであり、
Ａは、２−ピリジル、２−キノリルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、
Ｂは、１，３−チアゾール−２−イリデンまたはベンゾチアゾール−２−イリデン基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基、もしくは１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基である。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｇ）、（Ｉ−Ｈ）および（Ｉ−Ｊ）であり、式中、
Ｒ１は、水素、フェニルまたはシアノであり、
Ｒ２は、水素であるか、あるいは、
Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、
Ｒ５は、フェニル、トリル、クロロフェニル、ニトロフェニル、２−、３−または４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、トリフルオロアセチル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、シアノベンゼンスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニルであり、
Ａは、２−ピリジル、２−キノリルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、メチル、メトキシ、塩素またはメトキシカルボニルによって置換され得る。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｇ）であり、式中、
Ｒ１は水素であり、
Ｒ５は、フェニル、トリル、クロロフェニル、ニトロフェニル、２−、３−または４−ピリジル、チアゾール−２−イルもしくはベンゾチアゾール−２−イルであり、
Ａは、２−ピリジル、２−キノリルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、メチル、メトキシ、塩素もしくはメトキシカルボニルによって置換され得る。
同様に非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｈ）および（Ｉ−Ｊ）であり、式中、
Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、
Ｒ５は、トリフルオロアセチル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、シアノベンゼンスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニルであり、
Ａは、２−ピリジル、２−キノリルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、メチル、メトキシ、塩素、もしくはメトキシカルボニルによって置換され得る。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｋ）および（Ｉ−Ｑ）であり、式中、
Ｒ１は、水素、ベンジル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、
Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｂ‘は、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、２−キノリル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、
Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、キノリン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデンまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イリデン基である。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｋ）および（Ｉ−Ｑ）であり、式中、
Ｒ１は、水素またはシアノであり、
Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
Ａ‘は、メチルまたはメトキシによって置換され得るピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｂ‘は、メチル、メトキシ、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、
Ｂは、メチル、メトキシ、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデンまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イリデン基、そして
ＢおよびＢ‘は、同じ複素環から誘導される。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｌ）および（Ｉ−Ｒ）であり、式中、
Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｂ‘は、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、２−ピリミジル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル基、１，３，４−トリアゾール−２−イル基、あるいはジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル基であり、
Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、ピリミジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデン基、１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基、もしくはジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリドノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基である。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｌ）および（Ｉ−Ｒ）であり、式中、
Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
Ａ‘は、メチルまたはメトキシによって置換され得るピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｂ‘は、メチル、メトキシまたはシアノによって置換され得る２−ピリジル、２−ピリミジル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル基、１，３，４−トリアゾール−２−イル基、もしくはジメチルアミノまたはジイソプロピルアミノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル基であり、
Ｂは、メチル、メトキシまたはシアノによって置換され得るピリジン−２−イリデン、ピリミジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデン基、１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基、もしくはジメチルアミノまたはジイソプロピルアミノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基であり、そして
ＢおよびＢ‘は、同じ複素環から誘導される。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｏ）および（Ｉ−Ｕ）であり、式中、
Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｒ１は、水素であり、
Ｒ２は、メトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであるか、あるいは
Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成する。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｏ）および（Ｉ−Ｕ）であり、式中、
Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
Ａ‘は、メチルまたはメトキシによって置換され得るピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｒ１は、水素であり、
Ｒ２は、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであるか、あるいは、
Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成する。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｗ）であり、式中、
Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｒ１は、水素またはシアノであり、
Ｒ２は、メトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであり、
Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、キノリン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデンまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イリデン基である。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｗ）であり、式中、
Ａ‘は、メチルまたはメトキシによって置換され得るピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｒ１は、水素またはシアノであり、
Ｒ２は、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであり、
Ｂは、メチル、メトキシ、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデンまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イリデン基である。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｘ）であり、式中、
Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｒ１は、水素またはシアノであり、
Ｒ２は、メトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであり、
Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、ピリミジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデン基、１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基、あるいはジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基である。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉ−Ｘ）であり、式中、
Ａ‘は、メチルまたはメトキシによって置換され得るピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
Ｒ１は、水素またはシアノであり、
Ｒ２は、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであり、
Ｂは、メチル、メトキシまたはシアノによって置換され得るピリジン−２−イリデン、ピリミジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデン基、１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基、もしくはジメチルアミノまたはジイソプロピルアミノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基である。
アルキル、アルケニルまたはアラルキル基のために可能性のある置換基は、本特許出願のためには、好ましくはハロゲン、特にＣｌまたはＦ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ基、ピロリジノ、モルホリノ、ピペリジノ、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはトリアルキルシロキシである。アルキル基は、線状でも分枝状でもよく、そして部分的にハロゲン化されても、過ハロゲン化されてもよい。置換アルキル基の例は、トリフルオロメチル、クロロエチル、シアノエチル、メトキシエチルである。分枝状アルキル基の例は、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、２−ブチルおよびネオペンチルである。
任意で置換された好ましいＣ１〜Ｃ１２−アルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、２−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルヘキシル、２，４−ジメチル−３−ペンチル、２，２−ジメチルブチル、トリフルオロメチル、過フッ素化エチル、２，２−ジフルオロエチル、３，３，３−トリフルオロエチル、ペルフルオロブチル、シアノエチル、メトキシエチル、クロロエチル、ビスイソブチルアミノ、ビス−ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ、モルホリノである。任意で置換された特に好ましいＣ１〜Ｃ６−アルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、２−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シアノエチル、メトキシエチルまたはクロロエチルである。これらのアルキル基は、任意で置換された好ましいＣ１〜Ｃ１２−アルコキシ基中にも存在する。
本特許出願の目的では、好ましいアラルキルは、好ましくは、例えばベンジル、フェネチルまたはフェニルプロピルである。
好ましいアルケニルは、例えば、アリルまたは２−ブテン−１−イルである。
好ましい複素環式基またはヘタリール基は、ピリジル、チアゾリル、ベンゾチアゾリルである。
本発明の目的では、アシル基は、好ましくは、ホルミル、Ｃ２〜Ｃ６−アルカノイル、Ｃ３〜Ｃ６−アルケノイル、Ｃ６〜Ｃ１０−アロイル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールスルホニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、モノ−またはジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノカルボニル、モノ−またはジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノスルホニル、もしくはＣＯまたはＳＯ２基を介して結合された複素環式基である。これらのアシル基はそれぞれ、次に置換されてもよい。例としては、ホルミル、アセチル、トリフルオロアセチル、アクリロイル、メタクリロイル、ベンゾイル、メチルベンゾイル、クロロベンゾイル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ペルフルオロブタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル、クロロベンゼンスルホニル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ジメチルカルバモイル、ジメチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−カルボニル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニル、ベンゾチアゾール−２−スルホニル、ピリミジン−２−スルホニル、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
Figure 2007535421
 がある。
式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−Ｊ）および（Ｉ−Ｑ）〜（Ｉ−Ｖ）の配位子を含有する式（Ｉａ）の特に好ましい金属錯体は、それぞれの場合において、式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｋ）および（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｖ）の互変異性体の形である２つの配位子を有する。これらは、式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｋ）および（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｖ）
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
 の形で存在すると仮定され、式中、Ｍおよびそれぞれの配位子基は、独立して、上述の意味を有し、式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｊ）および（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｖ）のそれぞれは、それ自体特に好ましい。本特許出願の目的では、それぞれの式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｊ）および（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｖ）は、（Ｉａ）の部分式であると仮定される。
式（Ｉ−Ｋ）〜（Ｉ−Ｐ）および（Ｉ−Ｗ）〜（Ｉ−ＺＡ）の配位子を含有する式（Ｉｂ）の特に好ましい金属錯体はそれぞれ、式（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）の互変異性体の形である１つの配位子を有する。これらは、式（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
 の形で存在すると仮定され、式中、Ｍ、Ａｎ−およびそれぞれの配位子基は、独立して上述の意味を有し、式（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）のそれぞれは、それ自体特に好ましい。本特許出願の目的では、それぞれの式（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）は、（Ｉｂ）の部分式であると仮定される。
可能性のあるアニオンＡｎ−は、全ての一価のアニオンまたは多価アニオンの等価物またはオリゴマーまたは高分子アニオンの等価物である。好ましいのは、無色のアニオンである。適切なアニオンは、例えば、塩化物、臭化物、ヨウ化物、ニトラート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ヘキサフルオロシリカート、ヘキサフルオロホスファート、メトスルファート、エトスルファート、Ｃ１〜Ｃ１０−アルカンスルホナート、Ｃ１〜Ｃ１０−ペルフルオロアルカンスルホナート、非置換またはクロロ−、ヒドロキシ−、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ−置換Ｃ１〜Ｃ１０−アルカノアート、非置換もしくはニトロ−、シアノ−、ヒドロキシ−、Ｃ１〜Ｃ２５−アルキル−、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル−またはクロロ−置換ベンゼンスルホナート、ナフタレンスルホナートまたはビフェニルスルホナート、非置換もしくはニトロ−、シアノ−、ヒドロキシ−、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ−、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル−またはクロロ−置換ベンゼンジスルホナート、ナフタレンジスルホナートまたはビフェニルジスルホナート、非置換もしくはニトロ−、シアノ−、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ−、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル−、ベンゾイル−、クロロベンゾイル−またはトルオイル−置換ベンゾエート、ナフタレンジカルボン酸アニオン、（ジフェニルエーテル）ジスルホナート、テトラフェニルボラート、シアノトリフェニルボラート、テトラ−Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシボラート、テトラフェノキシボラート、７，８−または７，９−ジカルバ−ニド−ウンデカボラート（１−）または（２−）（それぞれ、Ｂおよび／またはＣ原子において１つまたは２つのＣ１〜Ｃ１２−アルキル−またはフェニル基によって置換され得る）、ドデカヒドロジカルバドデカボラート（２−）またはＢ−Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−Ｃ−フェニルドデカヒドロジカルバドデカボラート（１−）、ポリスチレンスルホナート、ポリ（メタ）アクリレート、ポリアリルスルホナートである。
好ましいのは、臭化物、ヨウ化物、アセテート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ヘキサフルオロホスファート、メタンスルホナート、トリフルオロメタンスルホナート、ベンゼンスルホナート、トルエンスルホナート、ドデシルベンゼンスルホナート、テトラデカンスルホナート、ポリスチレンスルホナートである。
更に、染料の全ての一価のアニオンまたは多価アニオンの等価物をアニオンとして使用することができる。アニオン染料Ａｎ−は、好ましくは、カチオン金属錯体塩と同様の吸収スペクトルを有する。適切な例は、アニオンアゾ染料、アントラキノン染料、ポルフィリン、フタロシアニン、サブフタロシアニン、シアニン、メロシアニン、ローダミン、金属錯体、オキソノールおよびフラボン酸（ｆｌａｖｏｎｉｃ ａｃｉｄ）誘導体である。
非常に特に好ましいのは、式（Ｉａ）、特に式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｃ）、（ＩＩ−Ｇ）、（ＩＩ−Ｈ）、（ＩＩ−Ｊ）、（ＩＩ−Ｋ）、（ＩＩ−Ｑ）、（ＩＩ−Ｒ）および（ＩＩ−Ｕ）の金属錯体であり、式中、
Ｍは、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、ＮｉまたはＣｏであり、
他の基は、式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−Ｃ）、（Ｉ−Ｇ）、（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｋ）、（Ｉ−Ｑ）、（Ｉ−Ｒ）および（Ｉ−Ｕ）のもとで、上記で与えられた特に好ましい、そして非常に特に好ましい意味を有し、各式は、それ自体非常に特に好ましい。
同様に非常に特に好ましいのは、式（Ｉｂ）、特に式（ＩＩＩ−Ｋ）、（ＩＩＩ−Ｌ）、（ＩＩＩ−Ｏ）、（ＩＩＩ−Ｗ）および（ＩＩ−Ｘ）の金属錯体であり、式中、
Ｍは、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、ＮｉまたはＣｏであり、
Ａｎ−は、臭化物、ヨウ化物、アセテート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ヘキサフルオロホスファート、メタンスルホナート、トリフルオロメタンスルホナート、ベンゼンスルホナート、トルエンスルホナート、ドデシルベンゼンスルホナート、テトラデカンスルホナート、ポリスチレンスルホナートであり、そして
他の基は、式（Ｉ−Ｋ）、（Ｉ−Ｌ）、（Ｉ−Ｗ）および（Ｉ−Ｘ）のもとで、上記で与えられた特に好ましい、そして非常に特に好ましい意味を有し、各式は、それ自体非常に特に好ましい。
式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｋ）および（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｖ）の金属錯体の好ましい例は、
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
 である。
式（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）の金属錯体の好ましい例は、
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
 である。
光吸収性化合物は、好ましくは、熱で変化させることができなければならない。熱変化は、好ましくは、６００℃未満の温度、特に好ましくは４００℃未満の温度、非常に特に好ましくは３００℃未満の温度であるがしかし少なくとも２００℃よりも高い温度で生じる。このような変化は、例えば、光吸収性化合物の発色団中心（ｃｈｒｏｍｏｐｈｏｒｉｃ ｃｅｎｔｒｅ）の分解または化学変化であり得る。
３６０〜４６０ｎｍの波長（特に、青色レーザーの波長である）を有する光により書き込みおよび読み取りが行なわれる本発明の光学データ担体の場合、好ましい光吸収性化合物は、その吸収極大λｍａｘ１が３４０〜４１０ｎｍの範囲である金属錯体であり、吸波長λｍａｘ１の吸収極大の短波長側における吸収がλｍａｘ１における吸収値の半分である波長λ１／２と、波長λｍａｘ１の吸収極大の短波長側における吸収がλｍａｘ１における吸収値の１０分の１である波長λ１／１０とは、好ましくは、５０ｎｍ以下の隔たりがある。このような金属錯体は、好ましくは、５００ｎｍの波長まで、特に好ましくは５５０ｎｍまで、非常に特に好ましくは６００ｎｍまでのより長い波長の極大λｍａｘ２を有さない。
好ましいのは、３４５〜４００ｎｍ、特に３５０〜３９０ｎｍ、非常に特に好ましくは、３６０〜３８０ｎｍの吸収極大λｍａｘ１を有する金属錯体である。
これらの金属錯体の場合、上記で定義したようなλ１／２およびλ１／１０は、好ましくは、４０ｎｍ以下の隔たりがあり、特に好ましくは３０ｎｍ以下の隔たりがあり、非常に特に好ましくは２０ｎｍ以下の隔たりがある。
３６０〜４６０ｎｍの波長（特に、青色レーザーの波長である）を有する光により書き込みおよび読み取りが行なわれる本発明の光学データ担体の場合、同様に好ましい光吸収性化合物は、その吸収極大λｍａｘ２が４２０〜５５０ｎｍの範囲である金属錯体であり、波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側における吸収がλｍａｘ２における吸収値の半分である波長λ１／２と、波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側における吸収が、λｍａｘ２における吸収値の１０分の１である波長λ１／１０とは、好ましくは、８０ｎｍ以下の隔たりがある。このような金属錯体は、好ましくは、３５０ｎｍの波長まで、特に好ましくは３２０ｎｍまで、非常に特に好ましくは２９０ｎｍまでのより短い波長の極大λｍａｘ１を有さない。
好ましいのは、４３０〜５５０ｎｍ、特に４４０〜５３０ｎｍ、非常に特に好ましくは４５０〜５２０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する金属錯体である。
これらの金属錯体の場合、上記で定義したようなλ１／２およびλ１／１０は、好ましくは、７０ｎｍ以下の隔たりがあり、特に好ましくは５０ｎｍ以下の隔たりがあり、非常に特に好ましくは４０ｎｍ以下の隔たりがある。
金属錯体は、吸収極大λｍａｘ１またはλｍａｘ２において、３００００ｌ／モルｃｍよりも大きい、好ましくは５００００ｌ／モルｃｍよりも大きい、特に好ましくは７００００ｌ／モルｃｍよりも大きい、非常に特に好ましくは１０００００ｌ／モルｃｍよりも大きいモル吸光係数εを有する。
吸収スペクトルは、例えば、溶液中で測定される。
好ましいスペクトル特性を有する適切な金属錯体は、特に、溶媒で誘発される波長シフトが小さい金属錯体である（ジオキサン／ＤＭＦまたは塩化メチレン／メタノール）。好ましいのは、溶媒で誘発されるその波長シフトΔλＤＤ＝｜λＤＭＦ−λジオキサン｜、すなわち、溶媒のジメチルホルムアミドおよびジオキサン中の正の吸収波長差、あるいは、溶媒で誘発されるその波長シフトΔλＭＭ＝｜λメタノール−λ塩化メチレン｜、すなわち、溶媒のメタノールおよび塩化メチレン中の正の吸収波長差が、２０ｎｍ未満、特に好ましくは、１０ｎｍ未満、非常に特に好ましくは、５ｎｍ未満である金属錯体である。
好ましいのは、青色レーザーの光により書き込みおよび読み取りが行なわれる本発明に従う光学データ担体である。レーザー波長は、好ましくは、３６０〜４６０ｎｍの範囲、特に好ましくは３９０〜４２０ｎｍの範囲、非常に特に好ましくは４００〜４１０ｎｍの範囲である。レーザー光学系は、好ましくは、０．６以上、特に好ましくは、０．７以上、非常に特に好ましくは、０．８以上の開口数ＮＡを有する。
光学データ担体の書き込みおよび読み取りは、好ましくは、同じ波長で実行される。
本発明に従って使用される金属錯体は、書き込まれていない状態における光学データ担体の十分に高い反射率（好ましくは、＞１０％、特に＞２０％）を保証し、光の波長が３６０〜４６０ｎｍの範囲であれば、集束光による点状の照射において情報層の熱劣化のために十分に高い吸収を保証する。データ担体上の書き込まれた点と書き込まれていない点の間のコントラストは、熱劣化後に変化した情報層の光学特性にもとづく、入射光の振幅、そして同様に相の反射率変化によって達成される。
本発明に従って使用される金属錯体を含む情報層のｋ値（複素屈折率の虚部）は、好ましくは、０．０１〜０．４０の範囲、より好ましくは０．０１〜０．３０の範囲、特に好ましくは０．０１〜０．２０の範囲である。
本発明に従って使用される金属錯体を含む情報層のｎ値（複素屈折率の実部）は、好ましくは、０．９〜１．３または１．７〜２．８の範囲、好ましくは、０．９〜１．２または１．８〜２．８の範囲、特に好ましくは０．９〜１．１または１．９〜２．８の範囲である。
本発明の金属錯体は、好ましくは、スピンコーティングまたは真空蒸着、特にスピンコーティングによって、光学データ担体に施される。スピンコーティングは、溶液または分散体から実行される。本発明の金属錯体は、互いに、あるいは同様のスペクトル特性を有する他の染料と混合され得る。情報層は、本発明の金属錯体だけでなく、バインダ、湿潤剤、安定剤、希釈剤および増感剤などの添加剤、そしてまた更なる成分も含むことができる。スピンコーティングは、好ましくは、上記の金属錯体溶液を用いて実行される。
情報層は、好ましくは、少なくとも７０％、より好ましくは少なくとも８５％、特に好ましくは少なくとも９５％、非常に特に好ましくは１００％の本発明に従う金属錯体を含む。
本発明の光学データ記憶媒体には、情報層は別として、金属層、誘電層、保護層および被覆層などの更なる層が存在してもよい。金属および誘電層は、とりわけ、反射率および熱の吸収／保持を調整するのに役立つ。金属は、レーザー波長に依存して、金、銀、アルミニウムなどであり得る。誘電層は、例えば、二酸化ケイ素および窒化ケイ素である。保護層および被覆層は、例えば、光硬化性表面コーティング、（感圧型）接着層および保護フィルムである。
二酸化ケイ素および窒化ケイ素は、例えば、反応性スパッタリングによって施される。層の厚さは、例えば、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲である。
金属層は、例えば、スパッタリングにより施される。層の厚さは、例えば、１０〜１８０ｎｍの範囲である。
感圧型接着層は、主に、アクリル接着剤からなる。特開平１１−２７３１４７号公報において開示される日東電工（Ｎｉｔｔｏ Ｄｅｎｋｏ）ＤＡ−８３２０またはＤＡ−８３１０は、例えば、この目的で使用することができる。
保護フィルムは、好ましくは、透明な材料、好ましくはプラスチックフィルムを含む。適切な材料は、例えば、ポリカーボネート、コポリカーボネート、ＰＭＭＡおよび環状ポリオレフィンである。厚さは、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは１０〜１８０μｍ、特に好ましくは２０〜１５０μｍ、非常に特に好ましくは５０〜１２０μｍである。
光硬化性表面コーティングは、例えば、ＵＶ硬化性表面コーティングである。これらは、例えば、Ｐ．Ｋ．Ｔ．オールドリング（Ｏｌｄｒｉｎｇ）（編）、コーティング用のＵＶ＆ＥＢ調合物の化学＆技術（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ＵＶ＆ＥＢ Ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｃｏａｔｉｎｇｓ）、Ｉｎｋｓ＆Ｐａｉｎｔｓ、２巻、１９９１、ＳＩＴＡテクノロジー（ＳＩＴＡ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、ロンドン、３１〜２３５頁から分かるように、例えばアクリレートおよびメタクリレートである。厚さは、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは１０〜１８０μｍ、特に好ましくは２０〜１５０μｍ、非常に特に好ましくは５０〜１２０μｍである。
更に、光学データ担体は、好ましくは、少なくとも１つの基板を含む。基板材料は、好ましくは透明である。その厚さは、少なくとも０．３ｍｍ、好ましくは少なくとも０．６ｍｍ、そして非常に特に好ましくは少なくとも１．１ｍｍである。適切な基板材料は、好ましくは、透明な熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂である。適切な熱可塑性樹脂は、例えば、ポリカーボネート、コポリカーボネート、ＰＭＭＡおよび環状ポリオレフィンである。
本発明の光学データ担体は、例えば、以下の層構造（図１を参照）を有する：好ましくは透明な基板（１）、所望により反射層（７）、所望により保護層または誘電層（２）、情報層（３）、所望により保護層または誘電層（４）、所望により接着層（５）、被覆層（６）。図１および図２に示される矢印は、入射光の経路を示す。
光学データ担体の構造は、好ましくは：
光、好ましくはレーザー光による書き込みが可能な少なくとも１つの光書き込み可能な情報層（３）、所望により保護層または誘電層（４）、所望により接着層（５）および透明な被覆層（６）が表面に施された好ましくは透明な基板（１）を含む。
反射層（７）、光、好ましくはレーザー光による書き込みが可能な少なくとも１つの光書き込み可能な情報層（３）、所望により保護層または誘電層（４）、所望により接着層（５）および透明な被覆層（６）が表面に施された好ましくは透明な基板（１）を含む。
保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みが可能な少なくとも１つの情報層（３）、少なくとも１つの接着層（５）および透明な被覆層（６）が表面に施された好ましくは透明な基板（１）を含む。
保護層または誘電層（２）、反射層（７）、光、好ましくはレーザー光による書き込みが可能な少なくとも１つの情報層（３）、所望により保護層または誘電層（４）、所望により接着層（５）および透明な被覆層（６）が表面に施された好ましくは透明な基板（１）を含む。
所望により保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みが可能な少なくとも１つの情報層（３）、所望により保護層または誘電層（４）、所望により接着層（５）および透明な被覆層（６）が表面に施された好ましくは透明な基板（１）を含む。
光、好ましくはレーザー光による書き込みが可能な少なくとも１つの情報層（３）、所望により接着層（５）および透明な被覆層（６）が表面に施された好ましくは透明な基板（１）を含む。
あるいは、光学データ担体は、例えば、以下の層構造（図２を参照）を有する：好ましくは透明な基板（１１）、光、好ましくはレーザー光による書き込みが可能な情報層（１２）、所望により反射層（１３）、所望により接着層（１４）、好ましくは透明な更なる基板（１５）。
光学データ担体は、好ましくは、情報層（３）または（１２）を含有する。
光学データ担体は、同様に好ましくは、反射層（７）または（１３）を含有する。
光学データ担体は、同様に好ましくは、透明な被覆層（６）を含有する。
光学データ担体は、同様に好ましくは、ポリカーボネートまたはコポリカーボネートを含む基板（１）または（１１）または（１５）を含有する。
基板（１）は、同様に好ましくは、０．３〜１．５ｍｍ、より好ましくは、０．５〜１．２ｍｍ、特に１．１ｍｍの厚さを有する。
基板（１１）および（１５）は、同様に好ましくは、０．３〜１．５ｍｍ、より好ましくは０．５〜１．２ｍｍ、特に０．６ｍｍの厚さを有する。
光学データ担体の構造は、特に好ましくは、次のとおりである：反射層（７）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、保護層または誘電層（４）、接着層（５）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：反射層（７）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、保護層または誘電層（４）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：反射層（７）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：反射層（７）、保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、保護層または誘電層（４）、接着層（５）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：反射層（７）、保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、保護層または誘電層（４）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：反射層（７）、保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、保護層または誘電層（４）、接着層（５）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、保護層または誘電層（４）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：保護層または誘電層（２）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（３）、および透明な被覆層（６）が表面に施された透明な基板（１）。
光学データ担体の構造は、同様に特に好ましくは、次のとおりである：透明な基板（１１）、光、好ましくはレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な情報層（１２）、反射層（１３）、接着層（１４）、更なる透明な基板（１５）。
本発明は同様に、２つの情報層を有する光学データ担体を提供する。これらは、例えば、以下の構造を有することができる：
被覆層（６）、所望により接着層（５）、所望により保護層または誘電層（４）、情報層（３）、所望により保護層または誘電層（２）、所望により反射層（７）、透明な基板（１）、所望により反射層（７）、所望により保護層または誘電層（２）、情報層（３）、所望により保護層または誘電層（４）、所望により接着層（５）、被覆層（６）。
好ましくは透明な基板（１１）、情報層（１２）、所望により反射層（１３）、所望により接着層（１４）、所望により保護または誘電層、所望により接着層（１４）、所望により反射層（１３）、情報層（１２）、好ましくは透明な更なる基板（１５）。
被覆層（６）、所望により接着層（５）、所望により保護層または誘電層（４）、情報層（３）、所望により保護層または誘電層（２）、所望により反射層（７）、保護層または誘電層（４）、情報層（３）、所望により保護層または誘電層（２）、所望により反射層（７）、所望により保護層または誘電層（４）、透明な基板（１）。
好ましくは透明な基板（１１）、情報層（１２）、所望により反射層（１３）、所望により接着層（１４）、所望により保護または誘電層、情報層（１２）、所望により反射層（１３）、好ましくは透明な更なる基板（１５）。
好ましくは透明な基板（１１）、情報層（１２）、所望により反射層（１３）、所望により保護または誘電層、情報層（１２）、所望により反射層（１３）、所望により接着層（１４）、好ましくは透明な更なる基板（１５）。
２つの情報層を有するこれらの光学データ担体は全て、上述の好ましい層構造を同じようにして有することもできる。
本発明は、更に、青色光、特にレーザー光による書き込みが可能な本発明に従う光学データ担体を提供する。
本発明は、更に、反射層が所望により予めコーティングされ得る好ましくは透明な基板が、所望により適切なバインダおよび添加剤そして所望により適切な溶媒と一緒に、光吸収性化合物として式（Ｉ）の少なくとも１つの配位子を有する少なくとも１つの金属錯体でコーティングされ、所望により、反射層、更なる中間層、および所望により保護層または更なる基板または被覆層が設けられることを特徴とする本発明の光学データ担体の製造方法を提供する。
本発明は、更に、式（Ｉ）の少なくとも１つの配位子を有する金属錯体を提供し、式
Figure 2007535421
 の基は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−であり、式中、Ｒ１〜Ｒ４およびその他の基は、特に定義されていなければ上記で定義したとおりである。
本発明の金属錯体の好ましい範囲は、同様に、上記で指示されたものと一致する。
特に好ましいのは、式（Ｉ−Ａ）、（Ｉ−Ｂ）、（Ｉ−Ｄ）〜（Ｉ−Ｌ）、（Ｉ−Ｎ）〜（Ｉ−Ｒ）、（Ｉ−Ｔ）〜（Ｉ−Ｘ）、（Ｉ−Ｚ）および（Ｉ−ＺＡ）の少なくとも１つの配位子を有する金属錯体であり、式（Ｉ−Ａ）、（Ｉ−Ｂ）および（Ｉ−Ｋ）中の環Ａ、Ａ’およびＢの少なくとも１つは、分枝状Ｃ３〜Ｃ８−アルコキシ基、例えば、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノメチレン基、例えば、ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、
Figure 2007535421
 分枝状または非分枝状Ｃ２〜Ｃ５−アルコキシカルボニル基、例えば、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＣＯＯ−ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＣＯＯ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、非分枝状、分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノスルホニル基、例えば、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
Figure 2007535421
 からなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有する。
特に好ましいのは、式（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩ−Ｂ）、（ＩＩ−Ｄ）〜（ＩＩ−Ｋ）、（ＩＩ−Ｑ）、（ＩＩ−Ｒ）、（ＩＩ−Ｔ）〜（ＩＩ−Ｖ）、（ＩＩＩ−Ｋ）、（ＩＩＩ−Ｌ）、（ＩＩＩ−Ｎ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）、（ＩＩＩ−Ｗ）、（ＩＩＩ−Ｘ）、（ＩＩＩ−Ｚ）および（ＩＩＩ−ＺＡ）の金属錯体であり、式（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩ−Ｂ）および（ＩＩＩ−Ｋ）中の環Ａ、Ａ’およびＢの少なくとも１つは、分枝状Ｃ３〜Ｃ８−アルコキシ基、例えば、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノメチレン基、例えば、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、
Figure 2007535421
 分枝状または非分枝状Ｃ２〜Ｃ５−アルコキシカルボニル基、例えば、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＣＯＯ−ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＣＯＯ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、非分枝状、分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノスルホニル基、例えば、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
Figure 2007535421
 からなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有する。
非常に特に好ましいのは、上記の例で特に与えられたような式（ＩＩ−Ｄ）〜（ＩＩ−Ｋ）、（ＩＩ−Ｑ）、（ＩＩ−Ｒ）、（ＩＩ−Ｔ）〜（ＩＩ−Ｖ）、（ＩＩＩ−Ｌ）、（ＩＩＩ−Ｎ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）、（ＩＩＩ−Ｗ）、（ＩＩＩ−Ｘ）、（ＩＩＩ−Ｚ）および（ＩＩＩ−ＺＡ）の金属錯体である。
本発明の金属錯体は、特に、粉末または顆粒状材料として、または溶液として販売されており、後者は、好ましくは、少なくとも２重量％の固体含量を有する。好ましいのは顆粒状の形態であり、特に、５０μｍ〜１０ｍｍ、特に１００〜８００μｍの平均粒径を有する顆粒状材料である。このような顆粒状材料は、例えば、スプレー乾燥によって製造することができる。顆粒状材料は、特に粉塵が少ない。
本発明の金属錯体は、良好な溶解度を有する。これらは、非フッ素化アルコール中に容易に溶解できる。このようなアルコールは、例えば、３〜６個の炭素原子を有するアルコール、好ましくは、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ジアセトンアルコールまたはこれらのアルコールの混合物、例えば、プロパノール／ジアセトンアルコール、ブタノール／ジアセトンアルコール、ブタノール／ヘキサノールである。上記混合物の好ましい混合比は、例えば、８０：２０〜９９：１、好ましくは、９０：１０〜９８：２である。
同様に好ましいのは、
ａ）本発明に従う少なくとも１つの金属錯体と、
ｂ）少なくとも１つの有機溶媒と、
を含む溶液である。
特に好ましいのは、
ａ）本発明に従う金属錯体と、
ｂ）有機溶媒と、
を含む溶液である。
溶液は、好ましくは、少なくとも１重量％、より好ましくは少なくとも２重量％、特に好ましくは少なくとも５重量％の濃度の本発明の金属錯体、特に、式（Ｉａ）〜（Ｉｃ）、（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｋ）、（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｕ）、（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）の金属錯体を有する。使用される溶媒は、好ましくは、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ジアセトンアルコール、ジブチルエーテル、ヘプタノンまたはこれらの混合物である。特に好ましいのは、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールである。同様に特に好ましいのは、ブタノールである。９０：１０〜９８：２の混合比のブタノール／ジアセトンアルコールも同様に特に好ましい。
溶液は、特に好ましくは、９５重量％よりも多い、特に９８重量％よりも多い成分ａ）およびｂ）を含む。
本発明は、更に、金属塩が、式（Ｉｄ）
Figure 2007535421
 の配位子化合物と反応されることを特徴とする本発明の金属錯体の調製方法を提供し、式中、
Ａは、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基であり、
ｎは、０または１であり、
Ｙ１は、ＮまたはＣ−Ｒ１であり、
Ｙ２は、ＮまたはＣ−Ｒ２であり、
Ｙ３は、ＮまたはＣ−Ｒ３であり、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒ５であり、
Ｒ５は、水素、アルキル、アルケニル、アラルキル、シクロアルキル、アシル、アリールまたは複素環式基であり、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ、アラルキル、アリール、ヘタリール、アリールアゾ、ヘタリールアゾ、シアノまたはアルコキシカルボニルであり、
Ｒ１とＲ２は、ヘテロ原子を含有し得る置換または非置換の３原子架橋、あるいはヘテロ原子を含有しないか、または少なくとも２つのヘテロ原子を含有する置換または非置換の４原子架橋を形成することができ、
Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は、それぞれ互いに独立して、架橋を形成することができ、そして
Ｒ２とＲ５は、ｎが０の場合に架橋を形成することができ、そして式
Figure 2007535421
 の基は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ１−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−である。
本発明のこの方法では、式（Ｉｄ）の２つ以上の異なる配位子化合物を使用することも可能である。これは、次に、式（Ｉ）の２つの同一の配位子を含有する金属錯体のランダム混合物、および式（Ｉ）の２つの異なる配位子を含有する錯体を与える。これらの混合物は、同様に、本発明の主題である。
本発明に従う反応は、一般に、塩基性物質の存在下で適切であれば、室温〜溶媒の沸点、例えば、２０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃において溶媒または溶媒混合物中で実行される。金属錯体は、一般に、直ちに沈殿してろ過により単離されるか、あるいは、場合により溶媒の一部また全てが前もって除去されて、例えば、水の添加により沈殿され、ろ過により単離される。また、上記の濃縮溶液を与えるように溶媒中で直接反応を実行することも可能である。
本発明の目的では、金属塩は、例えば、適切な金属の塩化物、臭化物、硫酸塩、硫酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素塩、リン酸二水素塩、水酸化物、酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、安息香酸塩などのカルボン酸塩、メタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩またはベンゼンスルホン酸塩などのスルホン酸塩である。本発明の目的では、金属塩は、同様に、式（Ｉａ）の配位子以外の配位子との錯体、特に、アセチルアセトンおよびエチルアセチルアセトナートの錯体を含む。適切な金属塩の例は、酢酸ニッケル、酢酸コバルト、酢酸銅、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、塩化コバルト、塩化銅、硫酸銅、水酸化ニッケル、酸化ニッケル、アセチルアセトン酸ニッケル、水酸化コバルト、塩基性炭酸銅、塩化バリウム、硫酸鉄、酢酸パラジウム、塩化パラジウムおよび結晶水を含有するその変化形である。好ましいのは、金属の酢酸塩である。使用される金属塩の金属は、好ましくは二価である。
適切な塩基性物質の例は、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムなどのアルカリ金属の酢酸塩と、アルカリ金属の炭酸水素塩、炭酸塩またはヒドロキシ化物（ｈｙｄｒｏｘｙｌａｔｅ）、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウムと、アンモニア、ジメチルアミン、トリエチルアミン、ジエタノールアミンなどのアミンとである。このような塩基性物質は、強酸の金属塩、例えば金属の塩化物また硫酸塩が使用される場合には、特に有利である。
適切な溶媒は、水と、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールなどのアルコールと、ジブチルエーテル、ジオキサンまたはテトラヒドロフランなどのエーテルと、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトニトリル、ニトロメタン、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性溶媒とである。好ましいのは、メタノール、エタノールおよび２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールである。
本発明の金属錯体の調製のために必要とされる式（Ｉｄ）のビニルアミジンおよびアミド（以下、配位子化合物と呼ばれる）は、同様に本発明の主題である。
本発明は、更に、３６０〜４６０ｎｍの範囲の波長を有する青色光、特にレーザー光による書き込みおよび読み取りが可能な追記型光学データ担体の情報層中における、本発明の金属錯体の光吸収性化合物としての使用を提供する。
本発明は、更に、式（Ｉｄ）
Figure 2007535421
 の配位子化合物を提供し、式中、
Ａは、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基であり、
ｎは、０または１であり、
Ｙ１は、ＮまたはＣ−Ｒ１であり、
Ｙ２は、ＮまたはＣ−Ｒ２であり、
Ｙ３は、ＮまたはＣ−Ｒ３であり、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒ５であり、
Ｒ５は、水素、アルキル、アルケニル、アラルキル、シクロアルキル、アシル、アリールまたは複素環式基であり、
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ、アラルキル、アリール、ヘタリール、アリールアゾ、ヘタリールアゾ、シアノまたはアルコキシカルボニルであり、
Ｒ１とＲ２は、ヘテロ原子を含有し得る置換または非置換の３原子架橋、あるいはヘテロ原子を含有しないか、または少なくとも２つのヘテロ原子を含有する置換または非置換の４原子架橋を形成することができ、
Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は、それぞれ互いに独立して、架橋を形成することができ、そして
Ｒ２とＲ５は、ｎが０の場合に架橋を形成することができ、そして式
Figure 2007535421
 の基は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ１−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−である。
好ましい配位子化合物は、式（Ｉ−Ａ）、（Ｉ−Ｂ）、（Ｉ−Ｄ）〜（Ｉ−Ｌ）、（Ｉ−Ｎ）〜（Ｉ−Ｒ）、（Ｉ−Ｔ）〜（Ｉ−Ｘ）、（Ｉ−Ｚ）および（Ｉ−ＺＡ）の少なくとも１つのプロトン化形態、またはその互変異性体形態に一致し、式（Ｉ−Ａ）および（Ｉ−Ｂ）中の環ＡおよびＢの少なくとも１つは、分枝状Ｃ３〜Ｃ８−アルコキシ基、例えば、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノメチレン基、例えば、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−ＣＨ２ＮＨ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、
Figure 2007535421
 分枝状または非分枝状Ｃ２〜Ｃ５−アルコキシカルボニル基、例えば、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＣＯＯ−ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＣＯＯ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、分枝状または非分枝状または環状Ｃ２〜Ｃ８−アルキルアミノスルホニル基、例えば、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
Figure 2007535421
 からなる群からの少なくとも１つの置換基を有する。
式（Ｉｄ）の配位子化合物は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００２，６７，５７５３、Ｋｈｉｍ．Ｇｅｔｅｒｏｔｓｙｃｌ．Ｓｏｅｄｉｎ．２（１９６６）５０６、Ｐｈａｒｍ．Ｃｈｅｍ．Ｊ．（ｅｎｇｌ．Ｔｒａｎｓｌ．）７（１９７３）１９９、Ｚ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．６４ １９６０）７２０、Ｇａｚｚ．Ｃｈｉｍ．Ｉｔａｌ．１２４（１９９４）３０１、またはＣ．Ｒ．Ｈｅｂｄ．Ｓｅａｎｃｅ Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．２４０（１９５５）９８３，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．ＩＩ，１９８４ ２１１１において与えられる方法と類似した方法によって調製することができる。
本発明の目的では、上記で開示された全般的な範囲および好ましい範囲、そしてまた互いに好ましい範囲の全ての組み合わせは、開示された好ましい範囲であると考えられるべきである。
以下の実施例は、本発明の主題を説明する。
［実施例］
〔実施例１〕
ａ）５ｇのビスベンゾチアゾール−２−イルアミンを２０ｍｌのクロロスルホン酸に添加し、混合物を一晩攪拌した。５ｇの塩化チオニルを添加し、混合物を５０℃で１時間攪拌した。室温まで冷却した後、混合物を２００ｇの氷の上に注ぎ、吸引ろ過し、残った氷と一緒に、８．７ｍｌのジイソブチルアミンと共に即座に攪拌した。室温まで暖めた後、約０．５ｍｌの５０重量％強度の水酸化ナトリウム溶液によって混合物をアルカリ性にした。固体を吸引ろ過し、水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する１１．１ｇ（理論値の９５％）の黄色粉末が得られた。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝６６５
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝３５９、３７６ｎｍ。
ｂ）ａ）からの２．４８ｇの生成物を、２０ｍｌ中で、１．２５ｇの酢酸ニッケル四水和物と共に室温で一晩攪拌した。次に、固体を吸引ろ過し、メタノールおよび水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する１．８ｇ（理論値の７０％）のベージュ色の粉末が得られた。
Ｍｐ．＝１７３〜１７５℃
ＭＳ：ｍ／ｅ＝１３８８
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝３６５、３７６ｎｍ。
ガラス板に塗布された、ＴＦＰ（２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール）中の２重量％強度の溶液は、ガラスのような透明なフィルムをあたえる。
〔実施例１ａ〕
対応するコバルト錯体は、類似の方法で調製することができた。
Ｍｐ．＝２３８〜２４０℃
ＭＳ：ｍ／ｅ＝１３８７
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝３６３、３７８ｎｍ。
〔実施例１ｂ〕
５ｇのビス（４−メチル−５−エトキシカルボニルチアゾール−２−イル）メタンを、２０ｍｌのエタノール中、１．８ｇの酢酸コバルト四水和物と共に６０℃で４時間攪拌した。冷却後、固体を吸引ろ過し、エタノールおよび水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する５．０ｇ（理論値の９３％）の黄色粉末が得られた。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝７６５
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝４５５ｎｍ。
以下の表中の実施例も、上記の実施例と類似の方法によって調製した。
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
Figure 2007535421
〔実施例２〕
式
Figure 2007535421
 の１．１ｇのヒドラゾンを、１０ｍｌのメタノール中、０．４７ｇの酢酸ニッケル四水和物と共に室温で一晩攪拌した。オレンジ色の懸濁液を吸引ろ過し、固体をメタノールおよび水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する１．１２ｇ（理論値の９９％）のオレンジ色の粉末が得られた。
Ｍｐ．＝２４８〜２５３℃
ＭＳ：ｍ／ｅ＝５９２
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝４７２ｎｍ。
ガラス板に塗布された、ＴＦＰ（２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール）中の２重量％強度の溶液は、ガラスのような透明なフィルムをあたえる。
以下の表中の実施例も、実施例２と類似の方法によって調製した。
Figure 2007535421
〔実施例３〕
ａ）２．４９ｇの１，１−ビス（メチルチオ）−２−シアノ−３−フェニル−１−プロペン−３−オンおよび１．２５ｇのｏ−アミノチオフェノールを、６０ｍｌのエタノール中、窒素雰囲気下で６時間攪拌した。冷却した後、固体を吸引ろ過し、少量のエタノールで洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する２．４ｇ（理論値の８６％）の無色の粉末が得られた。
Ｍｐ．＝２３８〜２４０℃。
ｂ）ａ）からの０．７ｇの生成物を、６ｍｌのメタノール中で、０．６２ｇの酢酸ニッケル四水和物と共に室温で一晩攪拌した。固体を吸引ろ過し、メタノールで洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する０．６５ｇ（理論値の８５％）の緑黄色の粉末が得られた。
Ｍｐ．＞２８０℃
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝３６２ｎｍ。
〔実施例３ｂ〕
式
Figure 2007535421
 の２．６ｇのバルビツール酸誘導体および１．２５ｇのｏ−アミノチオフェノールを、４０ｍｌのエタノール中、窒素雰囲気下で４．５時間沸騰させた。懸濁液を吸引ろ過し、固体をエタノールで洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する２．６ｇ（理論値の９０％）の黄色がかった粉末が得られた。
Ｍｐ．＞２８０℃
ジクロロメタン中のλｍａｘ＝３４８ｎｍ。
ｂ）ａ）からの０．７２ｇの生成物および０．６２ｇの酢酸ニッケル四水和物を、６ｍｌのメタノール中、室温で一晩攪拌した。固体を吸引ろ過し、メタノールで洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する０．６２ｇ（理論値の７８％）の薄緑色の粉末が得られた。
Ｍｐ．＞２８０℃
ジクロロメタン中のλｍａｘ＝３９０ｎｍ。
以下の表中の実施例も、実施例３と類似の方法によって調製した。
Figure 2007535421
〔実施例４〕
ａ）２２．９ｇの１−アミノ−３−イミノイソインドール、６３．３ｇの２−アミノ−５−ジイソプロピルアミノ−１，３，４−チアジアゾールおよび３ｇの塩化アンモニウムを、２００ｍｌのエタノール中で還流させながら２４時間攪拌した。冷却した後、混合物を３００ｍｌの石油エーテル中に注ぎ、吸引ろ過し、固体を石油エーテルおよび水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する５８．８ｇ（理論値の７３％）のオレンジ色の粉末が得られた。
Ｍｐ＝１９２〜１９５℃。
ｂ）０．１３ｇの酢酸コバルト四水和物を、２０ｍｌのアセトニトリルと一緒に反応容器に入れた。６５重量％強度の硝酸を３滴添加した。３０分後、溶液が形成された。ａ）からの０．２７ｇの生成物を添加した。５０℃で１時間後、混合物を冷却し、２０ｍｌの水で希釈し、過塩素酸リチウムによって沈殿させた。固体を吸引ろ過し、水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させ、式
Figure 2007535421
 を有する０．４６ｇ（理論値の７８％）の赤色粉末が得られた。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝１０７９（ＭＬ２ ＋）
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝４５３、５０１ｎｍ
ガラス板に塗布された、ＴＦＰ（２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール）中の２重量％強度の溶液は、ガラスのような透明なフィルムをあたえる。
〔実施例４ａ〕
１．３ｇの酢酸ニッケル四水和物を３０ｍｌのエタノール中に溶解させた。実施例４の段落ａ）からの２．６ｇの生成物を添加した。混合物を温度で２時間攪拌し、次に過塩素酸リチウムと混合した。２時間攪拌した後、水の添加により生成物を沈殿させた。それを吸引ろ過し、水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、２．０６ｇのオレンジ色の粉末が得られ、これを室温でトルエンと共に攪拌した。不溶性の残渣を吸引ろ過し、洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 の１．０９ｇのオレンジ色の粉末が得られた。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝５６８（ＭＬ＋）
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝４４９ｎｍ。
ガラス板に塗布された、ＴＦＰ（２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール）中の２重量％強度の溶液は、ガラスのような透明なフィルムをあたえる。
ロータリーエバポレータにおける蒸発によって、式
Figure 2007535421
 を有する１．５ｇの異なるオレンジ色の粉末をトルエン母液から単離することができた。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝１０７９（ＭＬ２＋Ｈ＋）
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝４０５、４３０、４７６、５０６、５４９ｎｍ。
〔実施例５〕
ａ）２．１８ｇの１，３−ジイミノイソインドレニンを５０ｍｌのメタノール中に溶解させ、２０ｍｌのメタノール中のシアノ酢酸エチル溶液を２０℃で一滴ずつ添加した。混合物を６０℃で８時間、続いて室温で一晩攪拌した。沈殿した固体を吸引ろ過し、少量のメタノールで洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する４．５２ｇ（理論値の８９％）の黄色粉末が得られた。
Ｍｐ．＝２４７〜２４９℃
ＵＶ（アセトン）：λｍａｘ＝３９３、４１６ｎｍ
ｂ）ａ）からの０．３１ｇの生成物を、１０ｍｌのＤＭＦ中、０．５０ｇの酢酸ニッケル四水和物と共に１００℃で４時間攪拌した。溶液を１０ｍｌの水と混合し、沈殿した固体をろ過し、水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する０．１８ｇ（理論値の４２％）の黄色粉末が得られた。
Ｍｐ．＞３５０℃
ＵＶ（アセトン）：λｍａｘ＝４５３、４８２ｎｍ
以下の実施例を同様にして調製した。
〔実施例５ａ〕
Figure 2007535421
 ＵＶ（アセトン）：λｍａｘ＝４７７、５１０ｎｍ
Figure 2007535421
 Ｍｐ．＞３５０℃
ＵＶ（アセトン）：λｍａｘ＝５２２、５６３ｎｍ
〔実施例５ｂ〕
Figure 2007535421
 ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝４０７、４３０ｎｍ
Figure 2007535421
 Ｍｐ．＞３５０℃
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝３８３、４８２ｎｍ
〔実施例５ｃ〕
Figure 2007535421
 ＵＶ（アセトン）：λｍａｘ＝４８７、５２４ｎｍ
〔実施例６〕
ａ）４．８９ｇの２−メチルピリジンを５ｍｌのＮＭＰ中に溶解し、９．１３ｇの３−イミノフタルイミジン塩酸塩を１２０℃で少しずつ添加した。溶液を１３０℃でさらに１６時間攪拌し、１００ｍｌの水中に攪拌し、沈殿した固体を吸引ろ過し、水で洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する７．９９ｇ（理論値の７２％）のベージュ色の粉末が得られた。
Ｍｐ．＝１１９〜１２１℃
ＵＶ（アセトン）：λｍａｘ＝３５７ｎｍ
ｂ）ａ）からの０．４４ｇの生成物を、１０ｍｌのＤＭＦ中、０．２５ｇの酢酸ニッケル四水和物と共に１００℃で４時間攪拌した。沈殿した固体をろ過し、エーテルで洗浄し、減圧下において５０℃で乾燥させた。これにより、式
Figure 2007535421
 を有する０．３２ｇ（理論値の６４％）の緑色がかった粉末が得られた。
Ｍｐ．＞３５０℃
ＵＶ（ＭｅＯＨ）：λｍａｘ＝３９２ｎｍ
以下の実施例を同様にして調製した。
〔実施例６ａ〕
Figure 2007535421
 Ｍｐ．＞３５０℃
ＵＶ（ＭｅＯＨ）：λｍａｘ＝３８１ｎｍ
実施例６ｂ
Figure 2007535421
 Ｍｐ．＝１１０〜１１２℃
ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝３３６ｎｍ
Figure 2007535421
 ＵＶ（ＣＨ２Ｃｌ２）：λｍａｘ＝３８４ｎｍ
〔実施例７〕
実施例１からの２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール中の３重量％強度の染料溶液を室温で調製した。この溶液をスピンコーティングによって、予め溝の付いたポリカーボネート基板に施した。予め溝の付いたポリカーボネート基板は、射出成形によって直径１２ｃｍおよび厚さ０．６ｍｍを有するディスクとして製造され、溝構造のトラッキングピッチは７４０ｎｍであった。情報担体として染料層を有するディスクを、蒸着によって１００ｎｍの銀でコーティングした。続いて、スピンコーティングによりＵＶ硬化性アクリルコーティング組成物を施し、第２の同一のポリカーボネート基板をトップに配置した。更なるスピニングによってアクリルコーティング組成物をディスク表面全体に均一に分配し、次にＵＶランプで硬化させた。直線偏光を発生させるためのダイオードレーザー（λ＝４０５ｎｍ）、偏光感受性ビームスプリッタ、λ／４板および開口ＮＡ＝０．６５（アクチュエータレンズ）を有する移動可能に吊るされた集光レンズを含む、光学試験台上に構成された動的書き込み試験装置によって、書き込みおよび読み取り試験を実行した。ディスクの反射層により反射された光を、上述の偏光感受性ビームスプリッタによってビーム経路から取り出し、非点収差レンズによって４象現検出器（ｆｏｕｒ−ｑｕａｄｒａｎｔ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）上に集光させた。線速度Ｖ＝３．５ｍ／ｓおよび書き込みパワーＰｗｒｉｔｅ＝８．５ｍＷにおいて、１１Ｔピットでは信号／雑音比Ｃ／Ｎ＝３８ｄＢが測定された。書き込みパワーを振動パルスシーケンスとして加え（図３を参照）、ディスクを上述の書き込みパワーＰｗｒｉｔｅおよび読み取りパワー
Figure 2007535421
 で交互に照射した。１１Ｔピットの書き込みパルスシーケンスは、長さＴｔｏｐ＝１．５Ｔ＝６０ｎｓ（ここでＴ＝４０ｎｓが基準時間である）（１１Ｔ＝４４０ｎｓ）を有するリードパルスを含んでいた。３Ｔ単位後に終了するようにリードパルスをかけた。その後、長さＴｍｐ＝３０ｎｓを有する８つのパルスをかけ、時間はＴｍｐ＝０．７５Ｔによって決定した。従って、各書き込みパルスの間、時間間隔ΔＴ＝１０ｎｓは、フリーのままである。長さ１１Ｔの書き込みパルスの後、長さ１１Ｔの中断をおいた。１回循環するまで、ディスクをこの振動パルスシーケンスで照射した。次に、読み取りパワーＰｒｅａｄを用いて、このようにして作製したマーキングを読み取り、上述の信号／雑音比Ｃ／Ｎを測定した。
上記の他の実施例からの金属錯体を用いて類似の結果を達成した。
本発明の光学データ担体の層構造（ディスク構造）の一例を示す概略図である。 本発明の光学データ担体の層構造（ディスク構造）の別の一例を示す概略図である。 実施例７で用いたパルスシーケンスを示す概略図である。

Claims (24)

  1. １つまたは複数の反射層および／または保護層が所望により予めコーティングされ得る好ましくは透明な基板を含み、その表面には、光吸収性化合物および所望によりバインダを含む光書き込み可能な情報層と、所望により１つまたは複数の反射層と、所望により保護層または更なる基板または被覆層とが施されており、青色光、好ましくは３６０〜４６０ｎｍ、特に３９０〜４２０ｎｍ、非常に特に好ましくは４００〜４１０ｎｍの範囲の波長を有する光、好ましくはレーザー光による書き込みまたは読み取りが可能である光学データ担体であって、
    前記光吸収性化合物として、式（Ｉ）
    Figure 2007535421
     ［式中、式
    Figure 2007535421
     （以下、略してＡと称する）の基は、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基であり、
    ｎは、０または１であり、
    Ｙ１は、ＮまたはＣ−Ｒ１であり、
    Ｙ２は、ＮまたはＣ−Ｒ２であり、
    Ｙ３は、ＮまたはＣ−Ｒ３であり、
    Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒ５であり、
    Ｒ５は、水素、アルキル、アルケニル、アラルキル、シクロアルキル、アシル、アリールまたは複素環式基であり、
    Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ、アラルキル、アリール、ヘタリール、アリールアゾ、ヘタリールアゾ、シアノまたはアルコキシカルボニルであり、
    Ｒ１とＲ２は、ヘテロ原子を含有し得る置換または非置換の３原子架橋、あるいはヘテロ原子を含有しないか、または少なくとも２つのヘテロ原子を含有する置換または非置換の４原子架橋を形成することができ、
    Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は、それぞれ互いに独立して、置換または非置換の架橋を形成することができ、そして
    Ｒ２とＲ５は、ｎが０の場合に、置換または非置換の架橋を形成することができる］
    の少なくとも１つの配位子を有する少なくとも１つの金属錯体が使用されることを特徴とする光学データ担体。
  2. 式
    Figure 2007535421
     の基が、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−ＣＲ１＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−、特に好ましくは、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、請求項１で定義されたとおりである）であることを特徴とする請求項１に記載の光学データ担体。
  3. ＸがＮ−Ｒ５であり、式−ＣＲ２−Ｎ（−）−Ｒ５または−ＣＲ４−Ｎ（−）−Ｒ５の基が、式（Ｘ）
    Figure 2007535421
     ［ここで、式
    Figure 2007535421
     のプロトン化互変異性体としての式（Ｘ）の基は略してＢと称され、Ｂは、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基である］
    の環であることを特徴とする請求項１または２に記載の光学データ担体。
  4. 前記光吸収性化合物として、式（Ｉａ）、（Ｉｂ）または（Ｉｃ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ｍは、適切に帯電した金属であり、
    Ａｎ−は、アニオンであり、そして
    式（Ｉ）の基は、請求項１〜３のいずれか一項において定義されたとおりである］
    の少なくとも１つの金属錯体を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  5. 光吸収性化合物として使用される前記金属錯体が、式（Ｉ）の２つの同一または異なる配位子を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  6. 前記金属錯体の金属原子が、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔｈ、Ｏｓ、Ｓｍ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｎ、ＧｄまたはＴｂであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  7. Ａが、所望により置換され得る２−ピリジル、２−キノリル、２−ピリミジル、２−ピラジニル、１，３，５−トリアジン−２−イル、１，３−チアゾール−２−イル、１，３−チアゾリン−２−イル、１，３−チアゾール−４−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、１，２−チアゾール−３−イル、ベンゾイソチアゾール−３−イル、１，３−オキサゾール−２−イル、１，３−オキサゾリン−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、１，２−オキサゾール−３−イル、イミダゾール−２−イル、イミダゾリン−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、イミダゾール−４−イル、ピラゾール−５−イル、ピロリン−２−イル、ピロール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、３Ｈ−インドリン−２−イル、テトラヒドロイソインドール−１−イル、イソインドール−１−イル、ベンゾ（ｃｄ）インドール−２−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−イルまたは１，３，４−オキサジアゾール−２−イルであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  8. Ａが、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−ピリジル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−キノリル、
    塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、メトキシカルボニル、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、メトキシカルボニル、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イル、
    塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、メトキシカルボニル、ジイソブチルアミノスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル、ビス（ヒドロキシエチル）アミノスルホニル、モルホリノスルホニル、メトキシエトキシプロピルアミノスルホニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イル、
    塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／または３、４位に−（ＣＨ２）３−または−（ＣＨ２）４架橋を有する、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンまたは式（ＸＩＩ）
    Figure 2007535421
     （式中、Ｘは、Ｎ−Ｒ５であり、Ｙ１〜Ｙ３、Ｒ４、ｎおよびＲ５は上記の意味を有するが、それとは独立している）の基によって５位で置換され得るピロール−２−イル、
    ２つのメチル基またはオキソ基を３位に有し、塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る３−Ｈ−インドリン−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンまたは式（ＸＩＩ）
    Figure 2007535421
     （式中、Ｘは、Ｎ−Ｒ５であり、Ｙ１〜Ｙ３、Ｒ４、ｎおよびＲ５は上記の意味を有するが、それとは独立している）の基によって３位で置換され得るイソインドール−１−イル、あるいは
    メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イル
    であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  9. 光吸収性化合物として使用される前記金属錯体が、式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−ＺＡ）
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
     ［式中、
    ＡおよびＢ’は、互いに独立して、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−ピリジル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−キノリル、
    塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イル、
    塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イル、
    塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル、
    ２つのメチル基または１つのオキソ基を３位に有し、そして塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る３−Ｈ−インドリン−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イル、あるいは
    メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イル、
    であり、
    Ａ‘は、ピリジン−２−イル−６−イリデン、１，３，４−トリアゾール−２イル−５−イリデン、ピロール−２イル−５−イリデン、３，４−テトラメチレンピロール−２イル−５−イリデン、あるいは非置換またはフッ素−、塩素−、メチル−、メトキシ−、メトキシカルボニル−、ニトロ−もしくはシアノ−置換イソインドール−１−イル−３−イリデンであり、
    Ｂは、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るピリジン−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るキノリン−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イリデン、
    塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イリデン、
    塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イリデン、あるいは
    メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イリデンであり、
    Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、塩素、メチル、ベンジル、ピリジルメチル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして
    Ｒ２はメトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノでもよく、あるいは
    式（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中のＲ１とＲ２は一緒に、原子列−ＣＲ’＝Ｎ−ＮＲ”−、−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＲ”−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＲ’”−（式中、Ｒ’、Ｒ“およびＲ’”は、それぞれ互いに独立して、Ｈ、アルキル、特にＣ１〜Ｃ４−アルキル、好ましくはメチル、またはアリール、特にＣ６〜Ｃ１０−アリール、好ましくはフェニルである）を有する非置換もしくはメチル−、フェニル−および／またはシアノ−置換架橋を形成し、
    式（Ｉ−Ｅ）、（Ｉ−Ｆ）、（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中のＲ１とＲ２は一緒に、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、そして
    Ｒ５は、メチル、エチルまたはフェニル、２−、３−または４−ピリジル、２−、３−または４−キノリル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、イミダゾール−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル基（非置換か、あるいは置換基としてメチル、メトキシ、塩素、ニトロ、シアノ、メチルスルホニル、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基を有し得る）、ホルミル、アセチル、トリフルオロアセチル、アクリロイル、メタクリロイル、ベンゾイル、メチルベンゾイル、クロロベンゾイル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ペルフルオロブタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル、クロロベンゼンスルホニル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、Ｎ−メチル−Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−カルボニル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニルまたはベンゾチアゾール−２−スルホニルであり、
    Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓまたは式
    Figure 2007535421
     の基であり、
    Ｒ６は、水素、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして
    Ｒ７は、水素、メチル、エチル、フェニル、トリル、クロロフェニル、アニシル、２−ピリジル、チアゾール−２−イルまたはベンゾチアゾール−２−イルである］
    の少なくとも１つの配位子を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  10. 光吸収性化合物として使用される前記金属錯体が、式（Ｉ−Ａ）または（Ｉ−Ｂ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ｒ１は、水素、ベンジル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、
    Ａは、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
    Figure 2007535421
     によって置換される２−ピリジル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イルまたはベンゾオキサゾール−２−イル基であり、
    Ｂは、水素、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｏ−ＣＨ［ＣＨ（ＣＨ３）２］２、−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ４Ｈ９）、−Ｏ−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ２Ｈ５、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨＣ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）２、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−）２ＣＨ３、−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−ＣＨ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯＨ）２、ＳＯ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）２、
    Figure 2007535421
     によって置換されるピリジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデンまたはベンゾオキサゾリデン−２−イル基である］
    の少なくとも１つの配位子を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  11. 光吸収性化合物として使用される前記金属錯体が、式（Ｉ−Ｃ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ｒ１は、水素、ベンジル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、
    Ａは、メチル、メトキシ、塩素またはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、２−キノリルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、
    Ｂは、塩素、メチル、メトキシ、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデンまたはベンゾチアゾール−２−イリデン基、メチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基、あるいは１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基である］
    の少なくとも１つの配位子を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  12. 光吸収性化合物として使用される前記金属錯体が、式（Ｉ−Ｇ）、（Ｉ−Ｈ）または（Ｉ−Ｊ）
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ｒ１は、水素、フェニルまたはシアノであり、
    Ｒ２は、水素であるか、または
    Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、
    Ｒ５は、フェニル、トリル、クロロフェニル、ニトロフェニル、２−、３−または４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、トリフルオロアセチル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、シアノベンゼンスルホニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニルであり、
    Ａは、メチル、メトキシ、塩素またはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、２−キノリルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基である］
    の少なくとも１つの配位子を有するか、あるいは式（Ｉ−Ｋ）または（Ｉ−Ｑ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ｒ１は、水素、ベンジル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、
    Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
    Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
    Ｂ‘は、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、２−キノリル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イルまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イル基であり、
    Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、キノリン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデンまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イリデン基である］
    の少なくとも１つの配位子を有するか、あるいは式（Ｉ−Ｌ）または（Ｉ−Ｒ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
    Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
    Ｂ‘は、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得る２−ピリジル、２−ピリミジル、１，３−チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−トリアゾール−２−イル基または１，３，４−チアジアゾール−２−イル基であり、
    Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、ピリミジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデン基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリドノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基または１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基である］
    の少なくとも１つの配位子を有するか、あるいは式（Ｉ−Ｏ）または（Ｉ−Ｕ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＨまたは＝Ｃ（ＣＮ）２であり、
    Ａ‘は、メチルまたはメトキシによって置換され得るピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
    Ｒ１は水素であり、
    Ｒ２は、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであり、または
    Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成する］
    の少なくとも１つの配位子を有するか、あるいは式（Ｉ−Ｗ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
    Ｒ１は水素またはシアノであり、
    Ｒ２は、メトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであり、
    Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、キノリン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデンまたは３，３−ジメチルインドリン−２−イリデン基である］
    の少なくとも１つの配位子を有するか、あるいは式（Ｉ−Ｘ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ａ‘は、メチル、メトキシ、ニトロまたはシアノによって置換され得る３，４−テトラメチレンピロール−２−イル−５−イリデン、ピロール−２−イル−５−イリデンまたはイソインドール−１−イル−３−イリデン基であり、
    Ｒ１は水素またはシアノであり、
    Ｒ２は、メトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノであり、
    Ｂは、メチル、メトキシ、塩素、シアノまたはメトキシカルボニルによって置換され得るピリジン−２−イリデン、ピリミジン−２−イリデン、１，３−チアゾール−２−イリデン、ベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンゾオキサゾール−２−イリデン基、１，３，４−トリアゾール−２−イリデン基、あるいはジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ピロリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン基である］
    の少なくとも１つの配位子を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  13. 光吸収性化合物として使用される前記金属錯体が、式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｋ）、（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｖ）、（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
     の少なくとも１つを、請求項１〜８で与えられる意味のうちの１つにおいて有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学データ担体。
  14. 反射層および／または保護層が所望により予めコーティングされ得る好ましくは透明な基板が、所望により適切なバインダおよび添加剤そして所望により適切な溶媒と一緒に、光吸収性化合物として式（Ｉ）の少なくとも１つの配位子を有する少なくとも１つの金属錯体でコーティングされ、所望により、反射層、更なる中間層および所望により保護層または更なる基板または被覆層が設けられることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光学データ担体の製造方法。
  15. 式（Ｉ）
    Figure 2007535421
     ［式中、式
    Figure 2007535421
     の基は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−である］
    の少なくとも１つの配位子を有する金属錯体。
  16. 式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−ＺＡ）
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
     ［式中、
    ＡおよびＢ’はそれぞれ独立して、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−ピリジル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−キノリル、
    塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イル、
    塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イル、
    塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル、
    ２つのメチル基または１つのオキソ基を３位に有し、そして塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る３−Ｈ−インドリン−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イル、あるいは
    メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イルであり、
    Ａ‘は、ピリジン−２−イル−６−イリデン、１，３，４−トリアゾール−２イル−５−イリデン、ピロール−２イル−５−イリデン、３，４−テトラメチレンピロール−２イル−５−イリデン、あるいは非置換またはフッ素−、塩素−、メチル−、メトキシ−、メトキシカルボニル−、ニトロ−もしくはシアノ−置換イソインドール−１−イル−３−イリデンであり、
    Ｂは、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るピリジン−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るキノリン−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イリデン、
    塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イリデン、
    塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イリデン、あるいは
    メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イリデンであり、
    Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、塩素、メチル、ベンジル、ピリジルメチル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして
    Ｒ２は、メトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノでもよく、あるいは
    式（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中のＲ１とＲ２は一緒に、原子列−Ｃ＝Ｎ−Ｎ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｎ−（Ｃ＝Ｏ）−Ｎ−を有する非置換もしくはメチル−、フェニル−および／またはシアノ−置換架橋を形成し、あるいは
    式（Ｉ−Ｅ）、（Ｉ−Ｆ）、（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中のＲ１とＲ２は一緒に、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ架橋を形成し、そして
    Ｒ５は、メチル、エチルまたはフェニル、２−、３−または４−ピリジル、２−、３−または４−キノリル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、イミダゾール−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル基（非置換か、あるいは置換基としてメチル、メトキシ、塩素、ニトロ、シアノ、メチルスルホニル、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基を有し得る）、ホルミル、アセチル、トリフルオロアセチル、アクリロイル、メタクリロイル、ベンゾイル、メチルベンゾイル、クロロベンゾイル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ペルフルオロブタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル、クロロベンゼンスルホニル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、Ｎ−メチル−Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−カルボニル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニルまたはベンゾチアゾール−２−スルホニルであり、
    Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓまたは式
    Figure 2007535421
     の基であり、
    Ｒ６は、水素、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして
    Ｒ７は、水素、メチル、エチル、フェニル、トリル、クロロフェニル、アニシル、２−ピリジル、チアゾール−２−イルまたはベンゾチアゾール−２−イルである］
    の少なくとも１つの配位子を有することを特徴とする請求項１５に記載の金属錯体。
  17. 式（ＩＩ−Ａ）〜（ＩＩ−Ｊ）、（ＩＩ−Ｑ）〜（ＩＩ−Ｖ）、（ＩＩＩ−Ｋ）〜（ＩＩＩ−Ｐ）および（ＩＩＩ−Ｗ）〜（ＩＩＩ−ＺＡ）
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
     （式中、Ｍ、Ａｎ−およびそれぞれの配位子の基は、独立して上記の意味を有する）を有することを特徴とする請求項１５または１６に記載の金属錯体。
  18. ａ）請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の少なくとも１つの金属錯体と、
    ｂ）少なくとも１つの有機溶媒と
    を含む溶液。
  19. 成分ｂ）の有機溶媒として、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ジアセトンアルコール、ジブチルエーテル、ヘプタノンおよびこれらの混合物からなる群からの少なくとも１つの溶媒を含む請求項１８に記載の溶液。
  20. 金属塩が、式（Ｉｄ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ａは、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基であり、
    ｎは０または１であり、
    Ｙ１は、ＮまたはＣ−Ｒ１であり、
    Ｙ２は、ＮまたはＣ−Ｒ２であり、
    Ｙ３は、ＮまたはＣ−Ｒ３であり、
    Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒ５であり、
    Ｒ５は、水素、アルキル、アルケニル、アラルキル、シクロアルキル、アシル、アリールまたは複素環式基であり、
    Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ、アラルキル、アリール、ヘタリール、アリールアゾ、ヘタリールアゾ、シアノまたはアルコキシカルボニルであり、
    Ｒ１とＲ２は、ヘテロ原子を含有し得る置換または非置換の３原子架橋、あるいはヘテロ原子を含有しないか、または少なくとも２つのヘテロ原子を含有する置換または非置換の４原子架橋を形成することができ、
    Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は、それぞれ互いに独立して、置換または非置換の架橋を形成することができ、そして
    Ｒ２とＲ５は、ｎが０の場合に、架橋を形成することができ、そして式
    Figure 2007535421
     の基は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ１−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−である］
    の配位子化合物と反応されることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の金属錯体の調製方法。
  21. ３６０〜４６０ｎｍの範囲の波長を有する光による書き込みおよび読み取りが可能な追記型光学データ担体の情報層中における、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の金属錯体の光吸収性化合物としての使用。
  22. 式（Ｉｄ）
    Figure 2007535421
     ［式中、
    Ａは、置換または非置換および／またはベンゾ縮合またはナフト縮合の５員または６員環の芳香族または擬似芳香族または部分水素化複素環式基であり、
    ｎは、０または１であり、
    Ｙ１は、ＮまたはＣ−Ｒ１であり、
    Ｙ２は、ＮまたはＣ−Ｒ２であり、
    Ｙ３は、ＮまたはＣ−Ｒ３であり、
    Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ−Ｒ５であり、
    Ｒ５は、水素、アルキル、アルケニル、アラルキル、シクロアルキル、アシル、アリールまたは複素環式基であり、
    Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、モノアルキルアミノまたはジアルキルアミノ、アラルキル、アリール、ヘタリール、アリールアゾ、ヘタリールアゾ、シアノまたはアルコキシカルボニルであり、
    Ｒ１とＲ２は、ヘテロ原子を含有し得る置換または非置換の３原子架橋、あるいはヘテロ原子を含有しないか、または少なくとも２つのヘテロ原子を含有する置換または非置換の４原子架橋を形成することができ、
    Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は、それぞれ互いに独立して、架橋を形成することができ、そして
    Ｒ２とＲ５は、ｎが０の場合に、架橋を形成することができ、そして式
    Figure 2007535421
     の基は、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ１＝Ｎ−、−ＣＲ１＝ＣＲ１−、−Ｎ＝ＣＲ２−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＲ４−、−ＣＲ１＝ＣＲ２−Ｎ＝ＣＲ４−または−ＣＲ１＝ＣＲ２−ＣＲ３＝ＣＲ４−である］
    の配位子化合物。
  23. 式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−ＺＡ）
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
    Figure 2007535421
     ［式中、
    ＡおよびＢ’は、互いに独立して、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−ピリジル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る２−キノリル、
    塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イル、
    塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＯＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イル、
    塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イル、
    ２つのメチル基または１つのオキソ基を３位に有し、そして塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る３−Ｈ−インドリン−２−イル、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イル、あるいは
    メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イルであり、
    Ａ‘は、ピリジン−２−イル−６−イリデン、１，３，４−トリアゾール−２イル−５−イリデン、ピロール−２イル−５−イリデン、３，４−テトラメチレンピロール−２イル−５−イリデン、あるいは非置換またはフッ素−、塩素−、メチル−、メトキシ−、メトキシカルボニル−、ニトロ−もしくはシアノ−置換イソインドール−１−イル−３−イリデンであり、
    Ｂは、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るピリジン−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るキノリン−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メトキシ、フェニルおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る１，３−チアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾチアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾオキサゾール−２−イリデン、
    塩素、メチル、メトキシ、フェニル、シアノ、−Ｃ（＝ＮＨ）−ＣＨ３、ニトロ、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るイミダゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、エトキシ、イソブトキシ、２，４−ジメチル−３−ペントキシ、ジイソブチルアミノスルホニル、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得るベンゾイミダゾール−２−イリデン、
    塩素、臭素、メトキシ、フェノキシ、メタンスルホニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（イソ）プロピルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、アニリノ、ピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノによって置換され得る１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン、
    塩素、フッ素、メチル、メトキシ、メトキシカルボニル、ニトロおよびシアノからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基によって置換され得る、および／またはイミノ、ジシアノメチレン、メトキシカルボニルシアノメチレン、エトキシカルボニルシアノメチレンによって３位で置換され得るイソインドール−１−イリデン、あるいは
    メチルまたはフェニルによって置換され得る１，２，４−トリアゾール−２−イリデンであり、
    Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに独立して、水素、塩素、メチル、ベンジル、ピリジルメチル、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして
    Ｒ２はメトキシ、エトキシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ピロリジノまたはピペリジノでもよく、あるいは
    式（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中のＲ１とＲ２は一緒に、原子列−Ｃ＝Ｎ−Ｎ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｎ（Ｃ＝Ｏ）−Ｎ−を有する非置換もしくはメチル−、フェニル−および／またはシアノ−置換架橋を形成し、あるいは
    式（Ｉ−Ｅ）、（Ｉ−Ｆ）、（Ｉ−Ｈ）、（Ｉ−Ｊ）、（Ｉ−Ｏ）、（Ｉ−Ｐ）、（Ｉ−Ｕ）〜（Ｉ−ＺＡ）中のＲ１とＲ２は一緒に、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ架橋を形成し、そして
    Ｒ５は、メチル、エチルまたはフェニル、２−、３−または４−ピリジル、２−、３−または４−キノリル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、イミダゾール−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル基（非置換か、あるいは置換基としてメチル、メトキシ、塩素、ニトロ、シアノ、メチルスルホニル、メトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルからなる群から選択される２つまでの同一または異なる基を有し得る）、ホルミル、アセチル、トリフルオロアセチル、アクリロイル、メタクリロイル、ベンゾイル、メチルベンゾイル、クロロベンゾイル、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ペルフルオロブタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル、クロロベンゼンスルホニル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、Ｎ−メチル−Ｎ−２，２，２−トリフルオロエチルスルファモイル、ピリジン−２−、−３−または−４−カルボニル、ピリジン−２−、−３−または−４−スルホニルまたはベンゾチアゾール−２−スルホニルであり、
    Ｙ４は、＝Ｏ、＝Ｓまたは式
    Figure 2007535421
     の基であり、
    Ｒ６は、水素、フェニル、シアノ、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルであり、そして
    Ｒ７は、水素、メチル、エチル、フェニル、トリル、クロロフェニル、アニシル、２−ピリジル、チアゾール−２−イルまたはベンゾチアゾール−２−イルである］
    の少なくとも１つのプロトン化形態に一致することを特徴とする請求項２２に記載の配位子化合物。
  24. ３６０〜４６０ｎｍの波長を有する光によって、特にレーザー光によって書き込みが行われた請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光学データ担体。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011089794A1 (ja) 2010-01-19 2011-07-28 住友精化株式会社 紫外線吸収部材用組成物およびこれを用いた紫外線吸収部材
WO2012124395A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 住友精化株式会社 紫外線吸収部材用組成物およびこれを用いた紫外線吸収部材
WO2024043147A1 (ja) * 2022-08-25 2024-02-29 富士フイルム株式会社 着色組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子および画像表示装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4961789B2 (ja) * 2006-03-22 2012-06-27 三菱化学株式会社 光学記録媒体及びその記録層形成用色素
US20090252013A1 (en) * 2006-08-08 2009-10-08 Mitsubishi Chemical Corporation Hydrazide chelate complex compound, optical recording medium using the compound and recording method thereof
CN103044491B (zh) * 2012-12-23 2015-05-13 延安常泰药业有限责任公司 甲醇与二氧化碳合成碳酸二甲酯的方法
CN104744351B (zh) * 2014-09-30 2017-06-06 三峡大学 一种小分子抑制剂及在抑制鸟氨酸脱羧酶(odc)上的应用
CN104725407B (zh) * 2015-03-09 2016-08-17 天津师范大学 一维链状手性Zn(Ⅱ)荧光配合物及其水热合成方法与荧光探针应用
CN104744498B (zh) * 2015-03-09 2016-06-22 天津师范大学 具有一维链状结构的偶氮三唑-Zn(Ⅱ)配合物及其合成方法与应用

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD256768B5 (de) * 1984-09-27 1994-05-11 Wolfen Filmfab Gmbh Verfahren zum Einbringen von optischen Sensibilisatoren durch Dispergierung
US5096801A (en) * 1989-04-03 1992-03-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Color image recording method
EP0540468B1 (de) * 1991-10-30 1996-12-04 Ciba-Geigy Ag NIR-Farbstoffe, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JPH08156408A (ja) * 1994-11-29 1996-06-18 Mitsui Toatsu Chem Inc 光記録媒体
JP3443723B2 (ja) * 1996-09-19 2003-09-08 コニカ株式会社 金属錯体メチン色素を用いた光記録媒体
DE19649971A1 (de) * 1996-11-19 1998-05-28 Diagnostikforschung Inst Optische Diagnostika zur Diagnostik neurodegenerativer Krankheiten mittels Nahinfrarot-Strahlung (NIR-Strahlung)
JP3879166B2 (ja) * 1997-03-28 2007-02-07 三菱化学株式会社 金属キレートアゾメチン化合物及びこれを用いた光学的記録媒体
JP3724531B2 (ja) * 1997-07-15 2005-12-07 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
US6180085B1 (en) * 2000-01-18 2001-01-30 Mallinckrodt Inc. Dyes
US20050123804A1 (en) * 2002-01-25 2005-06-09 Leonhard Feiler Optical recording materials having high storage density

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011089794A1 (ja) 2010-01-19 2011-07-28 住友精化株式会社 紫外線吸収部材用組成物およびこれを用いた紫外線吸収部材
WO2012124395A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 住友精化株式会社 紫外線吸収部材用組成物およびこれを用いた紫外線吸収部材
WO2024043147A1 (ja) * 2022-08-25 2024-02-29 富士フイルム株式会社 着色組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子および画像表示装置

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