JP2007534120A5 - - Google Patents
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Claims (35)
- ａ）少なくとも１つの液体中の、その中で溶解性でない半導体粒子の懸濁液を調製する工程と、
ｂ）インクジェット印刷法により前記懸濁液を基板上に塗布し、それによって印刷された多孔質半導体膜を形成する工程と
を有する基板上での多孔質半導体膜の製造方法。 - ｃ）印刷された多孔質半導体膜を乾燥及び／または焼結し、それによって乾燥及び／または焼結した多孔質半導体膜を形成する、追加の工程を有する
請求項１に記載の方法。 - 前記半導体粒子の懸濁液は、いくつかの段階で塗布され、各段階はただ１層の塗布のみを有する
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 前記半導体粒子の１層は約１〜１０の半導体粒子の単層を有する
請求項３に記載の方法。 - 前記半導体粒子の懸濁液を塗布する各段階の後で、請求項２に記載の乾燥及び／または焼結工程が続く
請求項３〜４のいずれかに記載の方法。 - 前記工程ｂ）及びｃ）が、１〜１０００回行われる
請求項２〜５のいずれかに記載の方法。 - 前記多孔質半導体膜は約１〜約１００μｍの範囲の厚みを有する
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 結果として得られる、印刷された、及び／または、乾燥された、及び／または焼結された多孔質半導体膜がざらつきのある膜であるように、記半導体粒子の懸濁液が定められた大きさのスポットに塗布される
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 前記定められた大きさのスポットは、１つにまとめると、前記基板の表面の２０％を超えて被覆する
請求項８に記載の方法。 - 前記インクジェット印刷法は１〜２００℃の範囲の温度で行われる
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 前記乾燥及び／または焼結工程ｃ）は、約１５〜２５０℃の範囲の温度で行われる
請求項２〜１０のいずれかに記載の方法。 - 前記乾燥及び／または焼結工程は、前記温度で１分〜６０分の範囲の時間で行われる
請求項１１に記載の方法。 - いくつかの異なる種類の半導体粒子の懸濁液が調製され、ここで、前記多孔質半導体膜は、多層の配置として、多層の配置内における全て、いくつか、あるいは１つの層に対して異なる半導体粒子の懸濁液を用いて、製造される
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 前記半導体粒子は、前記基板上に印刷された後で、現像工程を受けない
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 工程ａ）及び／または工程ｂ）は、両親媒性の材料がない状態で行われ、及び／または、結合剤料がない状態で行われる
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 前記半導体粒子の懸濁液は、工程ａ）において前記半導体粒子を前記液体に加えることにより、あるいはその逆により、調製される
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 前記半導体粒子は、直径が約５ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲の大きさである
上記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 特に請求項１〜１７のいずれかに記載の方法における使用のための、半導体粒子と、その中で前記半導体粒子が溶解性でない少なくとも１つの液体とを有し、前記半導体粒子が約５ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲の大きさであることを特徴とする
半導体粒子の懸濁液。 - 前記半導体粒子は凝集体である
請求項１８に記載の懸濁液。 - 酸、塩基、及び／または、希釈液体の存在によって、使用のために調節された電気伝導性を有することを特徴とする
請求項１８〜１９のいずれかに記載の懸濁液。 - 調節後の前記懸濁液の電気伝導性は、約６００〜約２０００μジーメンス／ｃｍの範囲である
請求項２０に記載の懸濁液。 - 前記酸はＨＮＯ３であり、前記アルコールはＣ１〜Ｃ４アルコールである
請求項２１に記載の懸濁液。 - その中で前記半導体粒子が溶解性でない前記少なくとも１つの液体は、水とアルコールの混合物である
請求項１８〜２２のいずれかに記載の懸濁液。 - 水：アルコールの比は０．５〜２の範囲である
請求項２３に記載の懸濁液。 - 前記半導体粒子は酸化物粒子である
請求項１８〜２４のいずれかに記載の懸濁液。 - 前記半導体粒子が、１０重量％以下の量で存在する
上記の請求項のいずれかに記載の懸濁液。 - 請求項１〜１７のいずれかに記載の方法により、請求項１８〜２６のいずれかで定義された半導体粒子の懸濁液の使用により製造された
多孔質半導体膜。 - 平均の孔の大きさが約５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、及び／または、平均の空隙率が３０％〜８０％である
請求項２７に記載の多孔質半導体膜。 - 基板上にある、
請求項２７〜２８のいずれかに記載の多孔質半導体膜。 - 前記基板は可撓性である
請求項２９に記載の多孔質半導体膜。 - 前記基板は平坦な表面あるいは不規則な表面を有する
請求項２９〜３０のいずれかに記載の多孔質半導体膜。 - 半導体粒子の複数のスポットを有し、前記スポットは離間している
請求項２７〜３１のいずれかに記載の多孔質半導体膜。 - 請求項１〜１７のいずれかに記載の方法を用いて製造された、及び／または、請求項２７〜３２のいずれかに記載の多孔質半導体膜を有する
電子デバイス。 - 太陽電池である、
請求項３３に記載の電子デバイス。 - 特に請求項３４に記載の太陽電池であり、
元の電力変換効率の１５％を超えて失うことなく、１０００回以上の曲げサイクルを耐えるその能力によって反映されるような安定性を有する
請求項３３に記載の電子デバイス。
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