JP2007527115A - コンプリメンタリ横型窒化物トランジスタ - Google Patents
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Abstract
Description
支持表面上に形成された横型半導体スタックであって、前記支持表面上に形成された第1の半導体柱と、前記支持表面上であって前記第1の半導体領域の横に形成された第2の半導体柱であって、それによって前記スタックが前記支持表面に沿って横方向に延びている第2の半導体柱とを備えるスタックと、
前記第1の半導体柱と電気的に接続された第1の電気的コンタクトと、
前記第2の半導体柱に電気的に接続された第2の電気的コンタクトと
を備え、半導体デバイスは、
前記第1の半導体コンポーネントと第2の半導体コンポーネントとの間に、横方向に隣接して介在している絶縁性半導体柱
を備える。
Claims (27)
- 支持表面を有する共通支持材と、
前記支持表面上に形成された横型半導体スタックであって、前記支持表面上に形成された第1の半導体柱、および前記支持表面上であって前記第1の半導体領域の横に形成された第2の半導体柱であって、それによって前記スタックが前記支持表面に沿って横方向に延びている第2の半導体柱とを備える横型半導体スタックと、
前記第1の半導体柱に電気的に接続された第1の電気的コンタクトと、
前記第2の半導体柱に電気的に接続された第2の電気的コンタクトと
を備える半導体デバイス。 - 前記横型半導体スタックは、前記第1の半導体柱および前記第2の半導体柱と反対の伝導率を有し、前記支持表面上に形成され、前記第1の半導体柱および前記第2の半導体柱と横方向に隣接して配置された第3の半導体柱を備え、前記第3の半導体柱と隣接するゲート構造をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の半導体柱は、第1の伝導率を有し、前記第2の半導体柱は、第2の伝導率を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の半導体柱は、共に前記支持表面上に配置されている、ある抵抗率を有する領域と、前記ある抵抗率を有する領域と横方向に隣接するより低い抵抗率を有する別の領域とを備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記基板は、Si、SiC、またはサファイアのいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の半導体柱および前記第2の半導体柱は、導電性GaNを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 少なくとも1つの前記第1の半導体柱上において横方向に延びている、異なるバンドギャップを有する半導体で形成されている半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の半導体柱は、GaNを含み、前記半導体層は、AlGaNを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の半導体柱上において横方向に延びている、異なるバンドギャップを有する半導体で形成されている半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の半導体柱は、GaNを含み、前記半導体層は、AlGaNを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体デバイス。
- 支持表面を有する共通支持材と、
第1の半導体コンポーネントおよび第2の半導体コンポーネントであって、各半導体コンポーネントは、
前記支持表面上に形成されている横型半導体スタックであって、前記支持表面上に形成された第1の半導体柱と、前記支持表面上であって前記第1の半導体領域の横に形成された第2の半導体柱であって、それによって前記スタックが前記支持表面に沿って横方向に延びている第2の半導体柱とを備えるスタックと、
前記第1の半導体柱と電気的に接続されている第1の電気的コンタクトと、
前記第2の半導体柱と電気的に接続されている第2の電気的コンタクトと
を備える半導体コンポーネントと、
前記第1の半導体コンポーネントと前記第2の半導体コンポーネントとの間に介在し、横方向に隣接する絶縁性半導体柱と
を備えることを特徴とする半導体デバイス。 - 少なくとも1つの前記半導体コンポーネント内の前記横型半導体スタックは、前記第1の半導体柱および前記第2の半導体柱と反対の伝導率を有し、前記支持表面上に形成され、前記第1の半導体柱および前記第2の半導体柱と横方向に隣接して配置された第3の半導体柱を備え、前記第3の半導体柱と隣接するゲート構造をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体デバイス。
- 少なくとも1つの前記半導体コンポーネント内において、前記第1の半導体柱は、第1の伝導率を有し、前記第2の半導体柱は、第2の伝導率を有することを特徴とする請求項11に記載の半導体デバイス。
- 各半導体コンポーネント内の前記第1の半導体柱は、共に前記支持表面上に配置されている、ある抵抗率を有する領域と、前記ある抵抗率を有する領域と横方向に隣接するより低い抵抗率を有する別の領域とを備えることを特徴とする請求項13に記載の半導体デバイス。
- 前記基板は、Si、SiC、またはサファイアのいずれかを含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の半導体柱および前記第2の半導体柱は、導電性GaNを含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体デバイス。
- 少なくとも1つの前記第1の半導体柱上において横方向に延びている、異なるバンドギャップを有する半導体で形成されている半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の半導体柱は、GaNを含み、前記半導体層は、AlGaNを含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の半導体柱上において横方向に延びている、異なるバンドギャップを有する半導体で形成されている半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1および第2の半導体柱は、GaNを含み、前記半導体層は、AlGaNを含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体デバイス。
- 前記絶縁性半導体柱は、非導電性GaNを含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体デバイス。
- 基板の主表面上に成長阻止層を形成するステップと、
前記成長阻止層の一部分を除去し、前記基板の前記主表面の少なくとも1つの選択された部分を露出させるとともに、前記主表面の別の部分は前記成長阻止層で覆われたままにするステップと、
前記少なくとも1つの選択された部分上に、エピタキシャル成長ステップで第1の半導体柱を形成するステップであって、前記半導体柱は、前記基板の上に垂直に延びている少なくとも1つの露出されている側壁を備えるステップと、
前記第1の半導体柱の前記露出されている側壁上に横方向に第2の半導体柱を成長するステップと
を備える半導体デバイスの製造方法。 - 前記第1の半導体柱のどの部分も、前記形成するステップにおいて、前期成長阻止層上で成長しないことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記半導体柱は、GaNを含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記基板は、SiC、Si、またはサファイアのいずれかを含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記第2の半導体柱は、露出されている垂直な側壁を備え、前記第2の半導体柱の前記露出されている側壁上に第3の半導体柱を成長するステップであって、前記第1および第2の半導体柱は、ある伝導率を有し、前記第3の半導体柱は別の伝導率を有するステップをさらに含み、前記第1の半導体柱と電気的に接触している第1のオーミックコンタクトおよび前記第3の半導体柱上の第2のオーミックコンタクトを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記第2の半導体柱は、露出されている垂直な側壁を備え、前記第2の半導体柱の前記露出されている側壁上に第3の半導体柱を成長するステップであって、前記第3の半導体柱は、露出されている側壁を備えるステップと、前記第3の半導体柱の前記露出されている側壁上に第4の半導体柱を成長するステップであって、前記第1、第2および第4の半導体柱は、ある伝導率を有し、前記第3の半導体柱は別の伝導率を有するステップとをさらに含み、前記第1の半導体柱と電気的に接触している第1のオーミックコンタクト、前記第4の半導体柱上の第2のオーミックコンタクト、および前記第3の半導体柱上のゲート構造を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
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