JP2007524554A - 自立ダイヤモンド構造および方法 - Google Patents
自立ダイヤモンド構造および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007524554A JP2007524554A JP2006503393A JP2006503393A JP2007524554A JP 2007524554 A JP2007524554 A JP 2007524554A JP 2006503393 A JP2006503393 A JP 2006503393A JP 2006503393 A JP2006503393 A JP 2006503393A JP 2007524554 A JP2007524554 A JP 2007524554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- substrate
- layer
- mold
- facets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 8
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
Abstract
【選択図】図1
Description
本願は2003年2月6日出願の米国暫定出願第60/445,237号、2003年8月12日出願の同第60/494,089号および2003年8月12日出願の同第60/494,095号の優先権出願日の特典を主張する。
12 露呈面
14 ダイヤモンド層
16 炭素元素
18 裏打層
20 表面
Claims (34)
- 自立内部支持三次元物体の外面が複数の交差切子面を備え、前記交差切子面の少なくともサブセットが実質上均一深さのダイヤモンド層を有している前記物体を製作する方法であって、
(a)交差切子面のサブセットを規定する露呈面を有するモールドを提供するステップと、
(b)露呈面上に実質上均一深さのダイヤモンド層を成長させるステップと、
(c)ダイヤモンド層の少なくとも一部上に裏打層を溶着するステップと、
(d)モールドを除去して、モールドに直接接触して成長したダイヤモンド層の表面を露呈するステップと、
を備えた自立内部支持三次元物体の外面が複数の交差切子面を製作する方法。 - モールドが交差切子面のサブセットを規定するように製造されたシリコン基板である請求項1に記載の方法。
- モールドが化学エッチングによって除去される請求項2に記載の方法。
- モールドの露呈面を事前処理してダイヤモンド層の成長を高揚するステップをさらに含んでいる請求項1に記載の方法。
- 炭素原子がモールドの露呈面に溶着されてダイヤモンド層の成長が高揚される請求項4に記載の方法。
- 表面を炭素含有プラズマに露呈することによってモールドの露呈面上に炭素原子を溶着する請求項5に記載の方法。
- 交差切子面のサブセットがプラナー切子面を含んでいる請求項1に記載の方法。
- 交差切子面のサブセットが非プラナー切子面を含んでいる請求項1に記載の方法。
- 露呈面を有するダイヤモンド・フィルムによって覆われた三次元構造を備えた自立物体を製造する方法であって、
基板の事前選択露呈面上にダイヤモンド・フィルムを成長させるステップと、
成長ダイヤモンド・フィルムの少なくとも一部上に裏打ちを提供するステップと、
基板を除去し、ダイヤモンドが成長した基板の事前選択面によって規定されたダイヤモンド面を露呈するステップと、
を備えた自立物体を製造する方法。 - 基板がシリコンである請求項9に記載の方法。
- 事前選択露呈面を事前処理してその面上のダイヤモンド成長を高揚するステップをさらに含んでいる請求項9に記載の方法。
- 炭素シード層が基板の事前選択露呈面上に形成される請求項11に記載の方法。
- 基板の事前選択面が二つの切子面の交差を含んでいる請求項9に記載の方法。
- 自立内部支持三次元物体の外面が複数の交差切子面を備え、前記交差切子面の少なくともサブセットが実質上均一深さのダイヤモンド層を有している前記物体を製造する方法であって、
基板の事前選択露呈面上にダイヤモンド・フィルムを成長させるステップと、
成長ダイヤモンド・フィルムの少なくとも一部を覆う裏打層を提供するステップと、
露呈ダイヤモンドが基板に直接接触して成長した面となるように基板を除去するステップと、
を備えた自立内部支持物体を製造する方法。 - 基板がシリコンである請求項14に記載の方法。
- 基板が化学エッチングによって除去される請求項15に記載の方法。
- 裏打層がダイヤモンド・フィルム全体を覆っている請求項14に記載の方法。
- 裏打層が導電性である請求項14に記載の方法。
- 裏打層が非導電性である請求項14に記載の方法。
- 裏打層がエポキシである請求項19に記載の方法。
- 炭素シード層を基板の事前選択露呈面上に形成してその面上でダイヤモンド・フィルムの成長を容易にするさらなるステップを含んでいる請求項14に記載の方法。
- ダイヤモンド・シード層が、基板の事前選択露呈面を炭素含有活性ガスに露呈することによって形成される請求項21に記載の方法。
- ダイヤモンド・シード層が、
基板を研磨するステップと、
イオン化炭素元素を用意するステップと、
基板の事前選択露呈面をイオン化炭素元素に露呈するステップと、
によって形成される請求項22に記載の方法。 - 活性ガスがプラズマである請求項22に記載の方法。
- プラズマが水素ガスと炭化水素ガスの混合物を付勢することによって形成される請求項24に記載の方法。
- ダイヤモンド・シード層が、化学蒸着法によって形成される請求項22に記載の方法。
- ダイヤモンドが化学蒸着法によって形成される請求項14に記載の方法。
- 交差切子面がプラナー切子面を含んでいる請求項14に記載の方法。
- 交差切子面が非プラナー切子面を含んでいる請求項14に記載の方法。
- 露呈ダイヤモンド面が導波管の面を形成する請求項14に記載の方法。
- 物体が燃料電池のためのバイポーラ・プレートである請求項14に記載の方法。
- 自立内部支持三次元物体の外面が複数の交差切子面を備え、前記交差切子面の少なくともサブセットが実質上均一深さのダイヤモンド層を有している前記物体を製作する方法であって、
(a)シリコン基板を製造して交差切子面のサブセットを規定するモールド面を提供するステップと、
(b)基板のモールド面を炭素でシーディングするステップと、
(c)基板のモールド面上を実質上均一深さのダイヤモンド層を成長させるステップと、
(d)ダイヤモンド層上に内部支持裏打層を形成するステップと、
(e)基板を化学的にエッチングして、連続して成長したダイヤモンド層の面を基板のモールド面に露呈するステップと;
を含んでいる自立内部支持三次元物体を製作する方法。 - モールド面が化学蒸着法によってシードされる請求項32に記載の方法。
- ダイヤモンド層が化学蒸着法によって成長される請求項32に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44523703P | 2003-02-06 | 2003-02-06 | |
US49409503P | 2003-08-12 | 2003-08-12 | |
US49408903P | 2003-08-12 | 2003-08-12 | |
PCT/US2004/003518 WO2004072319A2 (en) | 2003-02-06 | 2004-02-06 | Free-standing diamond structures and methods |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007524554A true JP2007524554A (ja) | 2007-08-30 |
Family
ID=32872752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006503393A Pending JP2007524554A (ja) | 2003-02-06 | 2004-02-06 | 自立ダイヤモンド構造および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1601807A4 (ja) |
JP (1) | JP2007524554A (ja) |
KR (1) | KR100700339B1 (ja) |
AU (1) | AU2004211648B2 (ja) |
CA (1) | CA2515196A1 (ja) |
WO (1) | WO2004072319A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101391179B1 (ko) | 2012-10-05 | 2014-05-08 | 한국과학기술연구원 | 나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 |
JP2016050139A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 国立大学法人電気通信大学 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板及び半導体デバイス |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201209424D0 (en) * | 2012-05-28 | 2012-07-11 | Element Six Ltd | Free-standing non-planar polycrystalline synthetic diamond components |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0769789A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-03-14 | Kobe Steel Ltd | 高配向性ダイヤモンド薄膜 |
JPH11209194A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合硬質膜、その膜の形成方法および耐摩耗性部品 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5514885A (en) * | 1986-10-09 | 1996-05-07 | Myrick; James J. | SOI methods and apparatus |
US6659161B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-12-09 | Chien-Min Sung | Molding process for making diamond tools |
-
2004
- 2004-02-06 WO PCT/US2004/003518 patent/WO2004072319A2/en active Search and Examination
- 2004-02-06 EP EP04709095A patent/EP1601807A4/en not_active Withdrawn
- 2004-02-06 CA CA002515196A patent/CA2515196A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-06 JP JP2006503393A patent/JP2007524554A/ja active Pending
- 2004-02-06 AU AU2004211648A patent/AU2004211648B2/en not_active Ceased
- 2004-02-06 KR KR1020057014525A patent/KR100700339B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0769789A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-03-14 | Kobe Steel Ltd | 高配向性ダイヤモンド薄膜 |
JPH11209194A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合硬質膜、その膜の形成方法および耐摩耗性部品 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101391179B1 (ko) | 2012-10-05 | 2014-05-08 | 한국과학기술연구원 | 나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 |
JP2016050139A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 国立大学法人電気通信大学 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法、単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンド基板の製造方法、単結晶ダイヤモンド基板及び半導体デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004072319A3 (en) | 2006-08-17 |
WO2004072319A2 (en) | 2004-08-26 |
CA2515196A1 (en) | 2004-08-26 |
KR100700339B1 (ko) | 2007-03-29 |
AU2004211648B2 (en) | 2008-10-02 |
EP1601807A4 (en) | 2008-01-23 |
KR20060010718A (ko) | 2006-02-02 |
EP1601807A2 (en) | 2005-12-07 |
AU2004211648A1 (en) | 2004-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20060185579A1 (en) | Free-standing diamond structures and methods | |
US5006203A (en) | Diamond growth method | |
US5114696A (en) | Diamond growth method | |
CN109722641B (zh) | 金刚石/石墨烯复合导热膜及其制备方法和散热系统 | |
JPH03232796A (ja) | 合成ダイヤモンド製品ならびにその製造法 | |
KR100852329B1 (ko) | 유사 다이아몬드 탄소 필름의 제조방법 | |
JPH0598443A (ja) | Cvdダイヤモンド加工物およびそれの製造方法 | |
CN109742026B (zh) | 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN-HEMTs的方法 | |
US20230260841A1 (en) | Method for producing a composite structure comprising a thin layer of monocrystalline sic on a carrier substrate of polycrystalline sic | |
CN105506575A (zh) | 一种低温纳米/超纳米金刚石薄膜的制造设备和方法 | |
JPH08504479A (ja) | ヘテロエピタキシャル的に析出されたダイヤモンド | |
US8158011B2 (en) | Method of fabrication of cubic boron nitride conical microstructures | |
JP2008303114A (ja) | 単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法 | |
JPS62138395A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
JP2007524554A (ja) | 自立ダイヤモンド構造および方法 | |
Sedov et al. | Microporous poly-and monocrystalline diamond films produced from chemical vapor deposited diamond–germanium composites | |
Tzeng et al. | Graphene induced diamond nucleation on tungsten | |
TW200925108A (en) | Carbon material and method for producing the same | |
JP4471617B2 (ja) | Pd金属内包カーボンナノチューブの製造方法 | |
JPH0656585A (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
JP6767052B2 (ja) | 半導体膜形成方法 | |
CN1906334A (zh) | 自立式钻石结构及方法 | |
JP6944699B2 (ja) | 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法 | |
CN117660920A (zh) | 提高金刚石膜均匀性的mpcvd装置及方法 | |
CN106282961A (zh) | 一种刀具的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101126 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101222 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110105 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110128 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110204 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110426 |