JP4471617B2 - Pd金属内包カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
Pd金属内包カーボンナノチューブの製造方法 Download PDFInfo
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2 第1の薄膜
3 第2の薄膜
4 カーボンナノチューブ
5 成長中のカーボンナノチューブ
6 Pd金属内包カーボンナノチューブ
Claims (5)
- Pd金属が内包されたカーボンナノチューブの製造方法であり、シリコン基板の表面にSiO2、SiNx、Mo又はWのいずれか一種の第1の薄膜を形成させ、第1の薄膜の表面にカーボンナノチューブに内包させるPd金属による第2の薄膜を形成させた後、第2の薄膜をナノパーティクル状にし、Pdナノパーティクルを起点としてカーボンナノチューブを化学気相成長法により成長させることにより、カーボンナノチューブの先端に存在するPdナノパーティクルの一部からPd金属が第1の薄膜表面上のPdナノパーティクルに向かって延び、Pd金属がカーボンナノチューブに内包されることを特徴とするPd金属内包カーボンナノチューブの製造方法。
- カーボンナノチューブの成長中にシリコン基板に負のバイアスを印加する請求項1記載のPd金属内包カーボンナノチューブの製造方法。
- Pd金属が内包されたカーボンナノチューブの製造方法であり、金属基板の表面に高融点金属の第1の薄膜を形成させ、第1の薄膜の表面にカーボンナノチューブに内包させるPd金属による第2の薄膜を形成させた後、第2の薄膜をナノパーティクル状にし、Pdナノパーティクルを起点としてカーボンナノチューブを化学気相成長法により成長させることにより、カーボンナノチューブの先端に存在するPdナノパーティクルの一部からPd金属が第1の薄膜表面上のPdナノパーティクルに向かって延び、Pd金属がカーボンナノチューブに内包されることを特徴とするPd金属内包カーボンナノチューブの製造方法。
- 高融点金属基板の場合、第1の薄膜を省略する請求項3記載のPd金属内包カーボンナノチューブの製造方法。
- カーボンナノチューブの成長中に金属基板に負のバイアスを印加する請求項3又は4記載のPd金属内包カーボンナノチューブの製造方法。
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