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  1. 平面方向及び法線方向を有する平面物品である、化学蒸着法によって形成される構造体であって、前記法線方向の寸法よりも大きい前記平面方向の寸法を有し、且つ前記平面方向に実質的に配向した結晶粒を有する構造体。
  2. 前記構造体が外周を有する平坦なリングであり、且つ前記結晶粒が前記リングの前記外周の周りに実質的に半径方向に配向される請求項1に記載の構造体。
  3. 前記構造体が炭化ケイ素を含む請求項1又は2に記載の構造体。
  4. 前記構造体が、内径及び外径を含み、且つ前記内径と前記外径との間の距離を約25mm(1インチ)とするリングである請求項1〜3のいずれか1項に記載の構造体。
  5. 前記内径が直径で約100mm〜600mmの間である請求項4に記載の構造体。
  6. 約5mm(0.2インチ)未満の軸方向の厚さ、及び356mm(14インチ)以下の直径を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の構造体。
  7. 前記構造体が、外側曲面を有する平坦なリングである請求項1〜6のいずれか1項に記載の構造体。
  8. 前記構造体が外周を有する平坦なリングであり、且つ前記リングの前記外周の周りに実質的に対称な応力を前記外周が有する請求項1〜7のいずれか1項に記載の構造体。
  9. 前記構造体が、CVD蒸着炭化ケイ素の不透明度の10,000倍を超える不透明度を与えるのに十分な量で前記炭化ケイ素に分散された不透明化ドーパントを含むCVD蒸着炭化ケイ素を含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の構造体。
  10. 前記ドーパントが、100ppm〜約5,000ppmの量の窒素である請求項9に記載の構造体。
  11. 前記構造体は、X線回折法によって測定される111面に対する220面のピーク比が約0.30〜約1.25の範囲にあるFCCモアッサナイト−3C炭化ケイ素を含むCVD蒸着炭化ケイ素材料を含む請求項1〜10のいずれか1項に記載の構造体。
  12. 前記ピーク比が約0.33〜約0.60の範囲にある請求項1〜11のいずれか1項に記載の構造体。
  13. 前記構造体が、互いに実質的に平行な結晶粒成長軸と、結晶粒の前記結晶粒成長軸に対して実質的にランダムである回転配向とを有する結晶粒を含むCVD蒸着炭化ケイ素材料を含む請求項1〜12のいずれか1項に記載の構造体。
  14. 前記構造体が、炭化ケイ素を含み、且つ前記構造体の少なくとも一面に蒸着されたケイ素の層をさらに含む請求項1〜13のいずれか1項に記載の構造体。
  15. 請求項1〜14のいずれか1項に記載の構造体を製造する方法であって、
    (a)化学蒸着法によって材料を表面に形成する工程と、
    (b)前記法線方向の寸法よりも大きい前記平面方向の寸法を有し、且つ前記平面方向に実質的に配向した結晶粒を有する1つ以上の構造体を形成するような1つの方向に沿ってスライスすることで前記材料を分割する工程と、
    を含む構造体を製造する方法。
  16. 前記構造体が平坦なリングを含む請求項15に記載の方法であって、
    (a)蒸着域に丸みを帯びた断面の管を設けること、
    (b)前駆気体を前記管に向けること、
    (c)前記前駆気体を化学的に反応させて、前記管の内側で前記管の形状をした固形蒸着物を形成すること、
    (d)前記固形蒸着物を除去すること、及び
    (e)除去前又は除去後のいずれかに、前記固形蒸着物を実質的に平坦なリングに分割すること、
    を含む請求項15に記載の方法。
  17. 前駆気体を前記管の外面に向けること、
    前記前駆ガスを化学的に反応させて、前記管の外側に固形蒸着物を形成すること、及び
    除去前又は除去後のいずれかに、前記固形蒸着物を実質的に平坦なリングに分割すること、
    をさらに含む請求項16に記載の方法。
  18. 前記構造体が平坦なリングを含む請求項15に記載の方法であって、
    (a)実質的に丸みを帯びた断面を有するマンドレルを蒸着域に設けること、
    (b)前記マンドレルの外面に前駆気体を向けること、
    (c)前記前駆気体を化学的に反応させて、前記マンドレルの外側に、ほぼ前記マンドレルの形状である固形蒸着物を形成すること、
    (d)前記固形蒸着物を除去すること、及び
    (e)除去前又は除去後のいずれかに、前記固形蒸着物を実質的に平坦なリングに分割すること、
    を含む請求項15に記載の方法。
  19. 前記前駆気体が、メチルトリクロロシランを含む請求項15〜18のいずれか1項に記載の方法。
  20. 前記管が黒鉛管を含む請求項15〜19のいずれか1項に記載の方法。
  21. 前記蒸着物が炭化ケイ素を含む請求項15〜20のいずれか1項に記載の方法。
  22. 前記管が複数のセグメントとして設けられる請求項15〜21のいずれか1項に記載の方法。
  23. 前記分割が、前記蒸着物をスライスして、約5mm(0.2インチ)未満の軸方向の厚さ、及び約356mm(14インチ)以下の直径を有する平坦なリングにすることを含む請求項15〜22のいずれか1項に記載の方法。
  24. (f)前記実質的に平坦なリングを所望の寸法に機械加工することをさらに含む請求項15〜23のいずれか1項に記載の方法。
  25. 前記リングが平面方向及び法線方向を有し、前記平面方向の寸法が前記法線方向の寸法よりも大きく、化学蒸着法によって蒸着される前記リングの結晶粒が前記平面方向に実質的に配向される請求項15〜24のいずれか1項に記載の方法。
  26. 前記リングが外周を有し、前記結晶粒が前記リングの前記外周の周りで実質的に半径方向に配向される請求項15〜25のいずれか1項に記載の方法。
  27. いくつかの管がCVD炉内に配置される請求項15〜26のいずれか1項に記載の方法。
  28. 前記リングの少なくとも一面にケイ素コーティングを適用することをさらに含む請求項15〜27のいずれか1項に記載の方法。
  29. 前記ケイ素コーティングを適用する前に、前記リングを機械加工することをさらに含む請求項28に記載の方法。
  30. 化学蒸着法を用いて前記ケイ素コーティングが適用される請求項28に記載の方法。
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