JP2007512430A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 加工物上にニッケル鉄を無電解析出させるのに使用される析出液において、
   ニッケルイオン源、第一鉄イオン源、錯化剤、還元剤、及びｐＨ調節剤から調製され、実質的にはアルカリ金属イオンを含まない析出液。
2. 請求項１記載の析出液において、
   前記ニッケルイオン源は、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル及び硫酸ニッケルを含む群から選択され、前記第一鉄イオン源は、スルファミン酸鉄、塩化鉄及び硫酸鉄を含む群から選択され、前記錯化剤は、グリシン、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム及び酢酸を含む群から選択され、前記還元剤は、ジメチルアミノボラン、モルホリンボラン、グリオキシル酸及び次亜リン酸アンモニウムを含む群から選択され、前記析出液は、約７．５〜約９．５の範囲のｐＨを有し、前記ｐＨ調節剤は、エレクトロニクス用水酸化テトラメチルアンモニウム及び水酸化アンモニウムを含む群から選択される析出液。
3. 磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムを作製する方法において、
   加工物を提供するステップと、
   前記加工物上に絶縁材料の層を形成するステップと、
   前記絶縁材料の一部を除去して絶縁層に溝を形成するステップと、
   前記溝内にバリア層を析出させるステップと、
   前記バリア層上にニッケル鉄クラッド層を析出させるステップと
   を備え、
   前記ニッケル鉄クラッド層を析出させるステップの後、前記溝付近の絶縁材料の層は、原子約１×１０ ^１１ 個／ｃｍ ^２ 未満のアルカリ金属イオン濃度を有する方法。
4. 磁気エレクトロニクス装置で使用されるディジット線を作製する方法において、
   基板を提供するステップと、
   前記基板上に絶縁材料層を形成するステップと、
   前記絶縁材料層の一部を除去して同絶縁材料層に溝を形成するステップと、
   前記溝内に第１のバリア層を析出させるステップと、
   無電解析出により前記バリア層上にニッケル鉄クラッド層を析出させるステップと、
   前記ニッケル鉄クラッド層上に第２のバリア層を析出させるステップと、
   前記第２のバリア層上及び前記溝の内側に導体配線を形成するステップと
   を備え、
   無電解析出により前記ニッケル鉄クラッド層を析出させるステップの後、前記溝付近の絶縁材料層は、原子約１×１０ ^１１ 個／ｃｍ ^２ 未満のアルカリ金属イオン濃度を有する方法。
5. 磁気エレクトロニクス装置で使用されるビット線を作製する方法において、
   基板を提供するステップと、
   前記基板上に絶縁材料層を形成するステップと、
   前記絶縁材料層の一部を除去して同絶縁材料層に溝を形成するステップであって、前記溝が底面及びそれに一体化された側壁を有するステップと、
   前記溝の底面及び側壁を覆うように第１のバリア層を析出させるステップと、
   無電解メッキにより前記バリア層上に第１のニッケル鉄クラッド層を析出させるステップであって、前記第１のニッケル鉄クラッド層が底面及びそれに一体化された側壁を有し、前記ニッケル鉄クラッド層の底面が前記溝の底面付近に位置するステップと、
   前記第１のニッケル鉄クラッド層の底面を除去するステップと、
   前記ニッケル鉄クラッド層の側壁及び前記溝の底面を覆うように第２のバリア層を析出させるステップと、
   前記第２のバリア層上及び前記溝の内側を覆うように導体配線を形成するステップと、
   無電解析出により前記導体配線上に第２のニッケル鉄クラッド層を析出させるステップと
   を備え、
   無電解析出により前記第１のニッケル鉄クラッド層を析出させるステップの後、前記溝付近の絶縁材料層は、原子約１×１０ ^１１ 個／ｃｍ ^２ 未満のアルカリ金属イオン濃度を有する方法。